專利名稱：確定特性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種確定襯底的特性的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂的步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。為了監(jiān)測(cè)光刻過程，需要測(cè)量圖案化襯底的參數(shù)，例如形成在襯底上或襯底中的連續(xù)層之間的重疊誤差。有各種技術(shù)用于測(cè)量形成在光刻過程中的顯微結(jié)構(gòu)，包括使用掃描電子顯微鏡和各種專用工具。專用檢驗(yàn)工具的一種形式是散射儀，其中輻射束被引導(dǎo)至襯底表面上的目標(biāo)上，并且散射束或反射束的性質(zhì)被測(cè)量。通過比較被襯底反射或散射之前和之后的輻射束的性質(zhì)，可以確定襯底的性質(zhì)。例如可以通過將反射束同存儲(chǔ)在與已知的襯底性質(zhì)相關(guān)的已知測(cè)量值庫中的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較來確定襯底的性質(zhì)。已知兩種主要類型的散射儀。光譜散射儀將寬帶輻射束引導(dǎo)至襯底上，并且測(cè)量被散射到特定的窄角度范圍中的輻射光譜(作為波長函數(shù)的強(qiáng)度)。角分辨散射儀使用單色輻射束并且散射輻射的強(qiáng)度作為角度的函數(shù)來測(cè)量。IC芯片的制造涉及多層的制造。為了產(chǎn)生更復(fù)雜的圖案，可以在每層的制造過程中使用多個(gè)光刻和蝕刻加工步驟這被稱為雙重圖案化。有許多不同的方法用于實(shí)現(xiàn)雙重圖案化。這些方法中的第一種方法被稱為光刻-蝕刻-光刻-蝕刻(LELE)，并且其中第一圖案被曝光和蝕刻。然后，曝光和蝕刻第二圖案，第二圖案的特征位于第一圖案的特征之間的空間中。這樣，可以產(chǎn)生更小尺寸的圖案。另一種類似的雙重圖案化技術(shù)被稱為光刻-凍結(jié)-光刻-蝕刻(LFLE)。在抗蝕劑中曝光圖案，然后該圖案被凍結(jié)。然后，也可以在抗蝕劑中曝光第二圖案，之后將兩個(gè)圖案蝕刻到襯底中。另一種雙重圖案化方法被稱為間隔物方法。在間隔物方法中，設(shè)置犧牲模板，間隔物鄰近犧牲模板設(shè)置在犧牲模板的兩側(cè)。然后，模板被移除，所得的圖案被蝕刻在襯底中。當(dāng)兩個(gè)光刻步驟被用于形成單個(gè)圖案時(shí)，在第二光刻步驟期間，例如在特征的定位方面可能會(huì)有些誤差。類似地，在第一光刻步驟期間被曝光的特征可能與第二光刻步驟期間被曝光的特征不一致。因?yàn)榫哂袃蓚€(gè)光刻步驟，所以在每個(gè)光刻步驟期間被曝光的特征可能不同，需要分別評(píng)估。然而，因?yàn)樵诘谝缓偷诙饪滩襟E期間被曝光的特征必然非常相似并且形成規(guī)則的圖案，所以可能很難使用角分辨散射儀在兩組特征之間進(jìn)行區(qū)分。在間隔物技術(shù)中，使用間隔物產(chǎn)生規(guī)則的圖案。然而，如果間隔物太大或者太小， 圖案將會(huì)不規(guī)則。類似地，雖然圖案可以是幾乎不規(guī)則的，但是將難于評(píng)估圖案中的小的不規(guī)則性。在先的SEM可以用于評(píng)估在每個(gè)曝光步驟中被曝光的特征。然而，SEM不夠快，不能滿足在大量制造IC芯片時(shí)的襯底生產(chǎn)量的要求。

發(fā)明內(nèi)容
因此，需要一種用在雙重圖案化技術(shù)中的用于評(píng)估特征的改進(jìn)的方法。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，提供一種配置用于測(cè)量襯底性質(zhì)的檢驗(yàn)設(shè)備、光刻設(shè)備或者光刻單元，一種用于確定襯底上的特征的第一群或第二群的特性的方法，所述第一和第二群名義上(例如，大致上)相同并且在襯底上的單層中形成(例如，制作)單個(gè)圖案， 所述圖案的周期等于所述第一群的特征與所述第二群的最近的特征之間的距離，所述方法包括步驟在所述襯底上形成第一群，所述第一群包括第一目標(biāo)群；在所述襯底上形成第二群，所述第二群包括第二目標(biāo)群，所述第二目標(biāo)群和所述第一目標(biāo)群形成組合的目標(biāo)群； 檢測(cè)從所述組合的目標(biāo)群反射的輻射；以及使用從所述目標(biāo)反射的輻射計(jì)算所述第一群或所述第二群的特性，其中所述第二目標(biāo)群具有相對(duì)于所述第一目標(biāo)群的不對(duì)稱性。以下參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的其他實(shí)施例、特征和優(yōu)點(diǎn)以及本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和操作。應(yīng)該指出的是，本發(fā)明不限于本文中描述的具體實(shí)施例。本文中示出的這些實(shí)施例僅僅是示例的目的?；诒疚闹兴慕虒?dǎo)，另外的實(shí)施例對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。


下面僅通過示例的方式，參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中示意性附圖中相應(yīng)的標(biāo)記表示相應(yīng)的部件。此外，附圖被包含形成說明書的一部分。附圖用于解釋本發(fā)明，并且與說明書的文字描述一起進(jìn)一步用于解釋本發(fā)明的原理，使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠?qū)嵤┖褪褂帽景l(fā)明。圖1示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的光刻單元或光刻簇；圖3示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的第一散射儀；圖4示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的第二散射儀；圖5示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的使用雙重圖案化技術(shù)曝光的圖案；圖6是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的示出零級(jí)衍射圖案的強(qiáng)度如何隨重疊誤差變化的圖線；
圖7a示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的其中第一和第二群之間具有重疊誤差的圖案；圖7b示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的其中第一和第二目標(biāo)群之間具有偏移和重疊誤差的目標(biāo)群；圖示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的間隔物圖案化技術(shù)中的一個(gè)階段以及所得的圖案；圖8b示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的使用間隔物圖案化技術(shù)制造目標(biāo)的一個(gè)階段以及所得的目標(biāo)；圖9示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例制造的目標(biāo)；圖10示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的另一目標(biāo)；以及圖11示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的目標(biāo)。根據(jù)結(jié)合附圖所進(jìn)行的下述詳細(xì)描述，本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更顯而易見， 其中相同的附圖標(biāo)記在全文中表示相應(yīng)的元件。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記通常表示相同的、功能類似的、和/或結(jié)構(gòu)類似的元件。元件首次出現(xiàn)所在的附圖在相應(yīng)的附圖標(biāo)記中由最左邊的數(shù)字指示。
具體實(shí)施例方式本說明書公開了一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例，其中包含了本發(fā)明的特征。所公開的實(shí)施例僅僅是給出本發(fā)明的示例。本發(fā)明的范圍不限于所公開的實(shí)施例。本發(fā)明由所附的權(quán)利要求書限定。所描述的實(shí)施例以及說明書中對(duì)“一實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等的引用表示所描述的實(shí)施例可以包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性，但是每個(gè)實(shí)施例可以不必包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性。此外，這些表述不是必須參考相同的實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合實(shí)施例描述特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，應(yīng)該理解，無論是否詳細(xì)描述，結(jié)合其他實(shí)施例實(shí)施這些特征、結(jié)構(gòu)或特性是在本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)范圍內(nèi)的。本發(fā)明的實(shí)施例可以在硬件、固件、軟件或者其任意組合中實(shí)施。本發(fā)明的實(shí)施例也可以被實(shí)施作為存儲(chǔ)在機(jī)器可讀介質(zhì)上的指令，所述指令可以被一個(gè)或更多個(gè)處理器讀取和執(zhí)行。機(jī)器可讀介質(zhì)可以包括用于以機(jī)器(例如計(jì)算裝置)可讀的形式存儲(chǔ)或傳輸信息的任何機(jī)制。例如，機(jī)器可讀介質(zhì)可以包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)，隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)，磁盤存儲(chǔ)介質(zhì)，光存儲(chǔ)介質(zhì)，閃存裝置，電、光、聲或其他形式的傳播信號(hào)(例如，載波、紅外信號(hào)、 數(shù)字信號(hào)，等等)以及其他。此外，固件、軟件、程序、指令在本文中可以描述為實(shí)施特定動(dòng)作。然而，應(yīng)該理解，這些描述僅僅是為了方便，事實(shí)上這些動(dòng)作是由執(zhí)行固件、軟件、程序、 指令等等的計(jì)算裝置，處理器，控制器或其他裝置產(chǎn)生。然而，在詳細(xì)描述這些實(shí)施例之前，示出可以實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例的示例性環(huán)境是有益的。圖1示意地示出了光刻設(shè)備。所述設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT， 其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，其構(gòu)造用于保持襯底 (例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PL，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT支撐圖案形成裝置，即承載圖案形成裝置的重量。支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語“掩模版”或“掩模”都可以認(rèn)為與更上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(例如，雙臺(tái))或更多個(gè)襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或多個(gè)掩模臺(tái))的類型。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。所述光刻設(shè)備可以是這種類型，其中襯底的至少一部分可以由具有相對(duì)高的折射率的液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒液體還可以施加到光刻設(shè)備的其他空間中，例如掩模和投影系統(tǒng)之間的空間。浸沒技術(shù)在本領(lǐng)域是熟知的，用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。這里所用的術(shù)語“浸沒”并不意味著結(jié)構(gòu)，例如襯底，必須被浸入到液體內(nèi)，而僅意味著在曝光期間液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。參照?qǐng)D1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈春退稣丈淦鱅L、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對(duì)所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件， 例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器IL用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái)MT)上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模MA)上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。已經(jīng)穿過掩模MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PL，所述投影系統(tǒng)將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器、二維編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對(duì)于所述輻射束B的路徑精確地定位掩模MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)掩模臺(tái)MT的移動(dòng)。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，掩模臺(tái)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的。可以使用掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Pl、P2來對(duì)準(zhǔn)掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下，所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間。可以將所示的設(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對(duì)掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于掩模臺(tái)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PL的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一動(dòng)態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)， 而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一種模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺(tái)MT保持為基本靜止，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、 或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。
也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。如圖2所示，光刻設(shè)備LA形成光刻單元LC(有時(shí)也稱為光刻元或者光刻簇)的一部分，光刻單元LC還包括用以在襯底上執(zhí)行曝光前和曝光后處理的設(shè)備。通常，這些設(shè)備包括用以沉積抗蝕劑層的旋涂器SC、用以對(duì)曝光后的抗蝕劑的顯影的顯影器DE、激冷板CH 和烘烤板BK。襯底輸送裝置或機(jī)械手RO從輸入/輸出口 1/01、1/02拾取襯底，然后在不同的處理設(shè)備之間移動(dòng)所述襯底，并將襯底移動(dòng)到光刻設(shè)備的進(jìn)料臺(tái)LB。經(jīng)常統(tǒng)稱為軌道的這些裝置處在軌道控制單元TCU的控制之下，所述軌道控制單元TCU自身由管理控制系統(tǒng)SCS控制，所述管理控制系統(tǒng)SCS也經(jīng)由光刻控制單元LA⑶控制光刻設(shè)備。因此，不同的設(shè)備可以被操作用于將生產(chǎn)量和處理效率最大化。為了由光刻設(shè)備曝光的襯底被正確地和一致地曝光，需要檢驗(yàn)經(jīng)過曝光的襯底以測(cè)量性質(zhì)，例如連續(xù)層之間的重疊誤差、線寬、臨界尺寸(CD)等。如果檢測(cè)到誤差，可以對(duì)后續(xù)襯底的曝光進(jìn)行調(diào)整(尤其是如果檢驗(yàn)?zāi)軌虮蛔銐蜓杆俚赝瓿梢允雇慌蔚钠渌r底仍處于待曝光狀態(tài)時(shí))。并且，已經(jīng)曝光過的襯底也可以被剝離并被重新加工(例如， 以提高產(chǎn)率)，或被遺棄，由此避免在已知存在缺陷的襯底上進(jìn)行曝光。在僅僅襯底的一些目標(biāo)部分存在缺陷的情況下，可以僅對(duì)那些完好的目標(biāo)部分進(jìn)行進(jìn)一步曝光。檢驗(yàn)設(shè)備用于確定襯底的性質(zhì)，并且尤其用于確定不同襯底或相同襯底的不同層的性質(zhì)是如何層層變化的。檢驗(yàn)設(shè)備可以集成到光刻設(shè)備LA或光刻單元LC中或可以是單獨(dú)的裝置。為了實(shí)現(xiàn)最快速的測(cè)量，期望檢驗(yàn)設(shè)備在曝光后立即測(cè)量曝光后的抗蝕劑層的性質(zhì)。然而，抗蝕劑中的潛像具有非常低的對(duì)比度，使得在抗蝕劑的已經(jīng)被輻射曝光的部分和那些還沒有曝光的部分之間折射率僅存在非常小的差異，并且不是所有的檢驗(yàn)設(shè)備都具有足夠的靈敏度進(jìn)行潛像的有用的測(cè)量。因此，測(cè)量可以在曝光后的烘烤步驟(PEB)之后進(jìn)行，所述曝光后的烘烤步驟通常是在經(jīng)過曝光的襯底上進(jìn)行的第一步驟，且增加了抗蝕劑的經(jīng)過曝光和未經(jīng)曝光的部分之間的對(duì)比度。在該階段，抗蝕劑中的圖像可以被稱為半潛在的。也能夠?qū)?jīng)過顯影的抗蝕劑圖像進(jìn)行測(cè)量(在此時(shí)抗蝕劑的曝光部分或者未曝光部分已經(jīng)被去除)，或者在諸如刻蝕等圖案轉(zhuǎn)移步驟之后進(jìn)行測(cè)量。后一種可選方案限制了有缺陷的襯底進(jìn)行重新加工的可能性，但是仍舊可以提供有用的信息。圖3示出散射儀，其可以用于本發(fā)明的實(shí)施例。散射儀包括寬帶(白光)輻射投影裝置2，其將輻射投影到襯底W上。反射的輻射通至光譜儀檢測(cè)器4，光譜儀檢測(cè)器4測(cè)量鏡面反射輻射的光譜10(強(qiáng)度是波長的函數(shù))。根據(jù)該數(shù)據(jù)，引發(fā)所檢測(cè)的光譜的結(jié)構(gòu)或輪廓可以通過處理單元PU(例如通過嚴(yán)格耦合波分析和非線性回歸，或通過與圖3底部示出的模擬光譜進(jìn)行比較)進(jìn)行重建。通常，對(duì)于所述重建，所述結(jié)構(gòu)的通常形式是已知的， 且一些參數(shù)根據(jù)所述結(jié)構(gòu)的制作工藝的知識(shí)來假定，僅留有一些結(jié)構(gòu)參數(shù)根據(jù)散射測(cè)量數(shù)據(jù)來確定。這種散射儀可以被配置為正入射散射儀或斜入射散射儀?？梢杂糜诒景l(fā)明的另一個(gè)散射儀如圖4所示。在該裝置中，由輻射源2發(fā)出的輻射采用透鏡系統(tǒng)12、通過干涉濾光片13和偏振器17被聚焦，由部分反射表面16反射并經(jīng)由具有高數(shù)值孔徑(NA)(例如至少大約0. 9或至少大約0. 95)的顯微鏡物鏡15聚焦到襯底W上。浸沒式散射儀甚至可以具有數(shù)值孔徑超過1的透鏡。然后，所反射的輻射透射通過部分反射表面16進(jìn)入檢測(cè)器18，以便檢測(cè)散射光譜。檢測(cè)器可以位于在透鏡系統(tǒng)15的焦距處的后投影光瞳平面11上，然而，光瞳平面可以替代地用輔助的光學(xué)元件(未示出)在檢測(cè)器上重新成像。所述光瞳平面是在其中輻射的徑向位置限定入射角而角位置限定輻射的方位角的平面。所述檢測(cè)器是二維檢測(cè)器，以使得可以測(cè)量襯底目標(biāo)30的二維角散射光譜。在一種示例中，檢測(cè)器18是電荷耦合器件(CCD)或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)傳感器的陣列，且可以采用例如每幀40毫秒的積分時(shí)間。參考束經(jīng)常被用于例如測(cè)量入射輻射的強(qiáng)度。為此，當(dāng)輻射束入射到分束器16上時(shí)，輻射束的一部分透射通過所述分束器、作為參考束朝向參考反射鏡14行進(jìn)。然后，所述參考束被投影到同一檢測(cè)器18的不同部分上。一組干涉濾光片13可用于在如大約405-790nm或甚至更小(例如大約 200-300nm)的波長范圍中選擇感興趣的波長。干涉濾光片可以是可調(diào)諧的，而不是包括一組不同的濾光片。光柵可以被用于替代干涉濾光片。檢測(cè)器18可以測(cè)量單一波長處或窄波長范圍內(nèi)的被散射光的強(qiáng)度，所述強(qiáng)度分別位于多個(gè)波長處，或者所述強(qiáng)度在一個(gè)波長范圍上被積分。進(jìn)而，檢測(cè)器可以分別地測(cè)量橫向磁場(chǎng)和橫向電場(chǎng)偏振光的強(qiáng)度和/或在橫向磁場(chǎng)和橫向電場(chǎng)偏振光之間的相位差。能夠采用給出大的展度的寬帶光源(即具有寬范圍的光頻率或波長以及由此而生的色彩)，由此允許多個(gè)波長的混合。在寬帶上的多個(gè)波長中的每個(gè)波長具有* S的帶寬和至少2* δ (即兩倍帶寬)的間距。多個(gè)輻射“源”可以是已經(jīng)被使用光纖束分割的擴(kuò)展輻射源的不同部分。以這樣的方式，角度分辨散射光譜可以并行地在多個(gè)波長處被測(cè)量。 例如，可以測(cè)量包含比二維光譜更多的信息的三維光譜(諸如波長和兩個(gè)不同的角度)。這允許更多的信息被測(cè)量，這增加量測(cè)過程的魯棒性。這在歐洲專利No. 1，628，164Α中進(jìn)行了更詳細(xì)的描述，通過參考將該文獻(xiàn)全文并入本文中。襯底W上的目標(biāo)30可以是被印刷的光柵，以使得在顯影之后，條紋由實(shí)抗蝕劑線形成。所述條紋可以替代地被蝕刻到所述襯底中。該圖案對(duì)于光刻投影設(shè)備(尤其是投影系統(tǒng)PL)中的色差和照射對(duì)稱度敏感，且這種像差的存在將表明其自身在所印刷的光柵中的變化。相應(yīng)地，所印刷的光柵的散射測(cè)量數(shù)據(jù)被用于重建光柵。光柵的參數(shù)(例如線寬和線形)可以被輸入到重建過程中，所述重建過程由處理單元PU根據(jù)印刷步驟和/或其他的散射測(cè)量過程的知識(shí)來實(shí)現(xiàn)。為了區(qū)分用在雙重圖案化中的兩個(gè)群(population)，需要在兩個(gè)群之間引入差異或不對(duì)稱性。在圖fe中示出規(guī)則圖案，其中兩個(gè)群相同并且形成規(guī)則圖案。然而，如果在第一群和第二群之間存在小的重疊誤差，則很難檢測(cè)，因?yàn)榱慵?jí)衍射圖案(用在大多數(shù)散射測(cè)量應(yīng)用中)基本上不發(fā)生變化。零衍射級(jí)圖案的強(qiáng)度變化示出在圖6中。如從圖6中可以看出，對(duì)于小重疊誤差，重疊誤差的給定改變所引起的衍射圖案的改變是小的(即，零重疊誤差附近的梯度是可以忽略的)。然而，對(duì)于大重疊誤差，重疊誤差的同樣的給定改變， 將導(dǎo)致衍射圖案的大的改變。類似地，例如，如果使用者希望評(píng)估其他輪廓參數(shù)，諸如兩個(gè)群中的一個(gè)群的側(cè)壁角度或者臨界尺寸，則很難區(qū)分兩個(gè)群以評(píng)估它們的臨界尺寸或者側(cè)壁角度。圖7a和7b示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例曝光的圖案。圖7a示出主要圖案，其中具有由第一群A和第二群B構(gòu)成的單一圖案。然而，在第二群的定位中存在小的重疊誤差 0V。圖7b示出用在本發(fā)明的第一實(shí)施例中的目標(biāo)。已經(jīng)形成第一目標(biāo)群，然后形成第二目標(biāo)群。第二目標(biāo)群相對(duì)于第一目標(biāo)群具有偏移Δ。這樣，第二目標(biāo)群相對(duì)于第一目標(biāo)群的定位偏差等于所述偏移△加上重疊誤差0V。這就是所引入的不對(duì)稱性，其意味著確定重疊誤差容易得多。檢測(cè)零級(jí)衍射圖案，并且相對(duì)于所期望的衍射圖案的偏差用于確定重疊誤差。可選地，更容易區(qū)分兩個(gè)群，由此測(cè)量兩個(gè)群的特性，諸如每個(gè)群的臨界尺寸或者側(cè)壁角度。雖然已經(jīng)使用兩個(gè)群描述了上述的實(shí)施例，即，使用LELE或者LFLE過程制造的兩個(gè)群，但是也可以等同地應(yīng)用于雙重圖案化的間隔物方法。圖8a和8b示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的雙重圖案化的間隔物方法。在圖8a中，間隔物21用于生成抗蝕劑22之間的間隔并且由此生成規(guī)則的圖案。圖8b示出間隔物21太小且因此在任一群的相鄰特征或任何參數(shù)之間具有重疊誤差OV的情形。因此，上述的實(shí)施例的方法可以類似地用于確定該重疊誤差。通過特意地修改間隔物的尺寸以及所評(píng)估的特征的任何特性，諸如間隔物尺寸的誤差所引入的那些特征特性，將引入已知的偏移。所述偏移可以是任何值，但是應(yīng)該小于圖案的周期。例如，對(duì)于周期為大約16nm 的圖案，希望的偏移是大約5-lOnm。對(duì)于重疊誤差的改進(jìn)的計(jì)算，可以有多個(gè)目標(biāo)(例如，每個(gè)目標(biāo)具有其自身的目標(biāo)群)，每個(gè)目標(biāo)具有不同的引入的偏移。本發(fā)明的另一實(shí)施例示出在圖9中。如所看到的，第二群B具有比第一群A更大的臨界尺寸。再次引入該不對(duì)稱性使得更容易區(qū)分兩個(gè)群并由此評(píng)估每個(gè)群的特性。雖然圖 9示出第二群具有更大的臨界尺寸，然而，它同樣也可以具有更小的臨界尺寸或者其可選的其他特性(諸如變化的側(cè)壁角度)。實(shí)際上，將會(huì)影響零級(jí)衍射圖案的任何特性可以是變化的，以便產(chǎn)生這樣的不對(duì)稱性。類似于第一實(shí)施例，可以有多個(gè)目標(biāo)，每個(gè)目標(biāo)具有與第二目標(biāo)群不同的臨界尺寸。圖10示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一目標(biāo)群，其中已經(jīng)引入偏移并且第二群的臨界尺寸是變化的。這將更容易區(qū)分不同的群并由此測(cè)量每個(gè)群的重疊誤差和特性。本發(fā)明的還一實(shí)施例示出在圖11中，其中示出另一目標(biāo)群。如所看到的，第二群中每個(gè)第三條線是缺失的。這也引入不對(duì)稱性，使得更容易區(qū)分兩個(gè)群。如以上討論的，該實(shí)施例涉及將不對(duì)稱性引入目標(biāo)群中。以上列舉了諸如缺失線、 偏移和臨界尺寸變化等不對(duì)稱性的具體示例，然而引入不對(duì)稱性的任何方法都是適合的。 兩個(gè)群之間的不對(duì)稱性的其他示例是第二群的高度不同于第一群的高度?？蛇x地，不同的材料可以用于不同的群。此外，本發(fā)明不限于僅僅使用兩個(gè)群，當(dāng)具有三個(gè)或更多個(gè)群時(shí)同樣可以應(yīng)用本發(fā)明。雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造IC，但是應(yīng)該理解到這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、 液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在這種替代應(yīng)用的情況中， 可以將這里使用的任何術(shù)語“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。雖然上面詳述了本發(fā)明的實(shí)施例在光學(xué)光刻術(shù)中的應(yīng)用，但是應(yīng)該注意到，本發(fā)明可以有其它的應(yīng)用，例如壓印光刻，并且只要情況允許，不局限于光學(xué)光刻。在壓印光刻中，圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖案?？梢詫⑺鰣D案形成裝置的拓?fù)溆∷⒌教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有約365、355、248、193、157或126nm的波長)和極紫外(EUV)輻射(例如，具有 5-20nm范圍內(nèi)的波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。在情況允許的情況下，術(shù)語“透鏡”可以認(rèn)為是各種類型光學(xué)部件的任一個(gè)或組合，包括折射、反射、磁性、電磁和靜電光學(xué)部件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明可以以與上述不同的方式來實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的一個(gè)或多個(gè)機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或具有存儲(chǔ)其中的所述計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤或光盤)的形式。結(jié)論應(yīng)該理解的是，“具體實(shí)施方式
”部分、而不是“發(fā)明內(nèi)容”和“摘要”部分用于解釋權(quán)利要求?！鞍l(fā)明內(nèi)容”和“摘要”部分可以描述一個(gè)或多個(gè)、但不是所有的發(fā)明人所想到的本發(fā)明的示例性實(shí)施例，因此這兩個(gè)部分不以任何方式限制本發(fā)明以及所附權(quán)利要求。通過示出實(shí)施具體功能及其關(guān)系的功能容納塊的幫助，以上描述了本發(fā)明。這些功能容納塊的界限在本文中已經(jīng)被任意地限定，以方便描述?？梢韵薅蛇x的界限，只要具體功能及其關(guān)系被正確地實(shí)施。具體實(shí)施例的前述描述將完全地披露本發(fā)明的一般性質(zhì)，使得通過應(yīng)用本領(lǐng)域內(nèi)的知識(shí)，不需要過多的實(shí)驗(yàn)，其他人就能夠容易地在不偏離本發(fā)明的一般概念的情況下修改和/或改造這些具體實(shí)施例的各種應(yīng)用。因此，基于文中所給出的教導(dǎo)和引導(dǎo)，這樣的改造和修改在所公開的實(shí)施例的等同物的意義和范圍內(nèi)。應(yīng)該理解的是，文中的措詞和術(shù)語是為了描述而不是用于進(jìn)行限制，使得本說明書的措詞和術(shù)語由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)教導(dǎo)和引導(dǎo)來解釋。本發(fā)明的廣度和范圍應(yīng)該不由上述示例性實(shí)施例中的任一個(gè)來限定，而應(yīng)該僅僅根據(jù)所附的權(quán)利要求及其等同物來限定。
權(quán)利要求
1.一種用于確定襯底上的特征的第一群或者第二群的特性的方法，所述第一群和第二群名義上相同并且在襯底上的單層中形成單個(gè)圖案，所述圖案的周期等于所述第一群的特征與所述第二群的最近的特征之間的距離，所述方法包括步驟在所述襯底上形成第一群，所述第一群包括第一目標(biāo)群；在所述襯底上形成第二群，所述第二群包括第二目標(biāo)群，所述第二目標(biāo)群和所述第一目標(biāo)群形成組合的目標(biāo)群；檢測(cè)從所述組合的目標(biāo)群反射的輻射；以及使用從所述目標(biāo)反射的輻射計(jì)算所述第一群或所述第二群的特性，其中所述第二目標(biāo)群具有相對(duì)于所述第一目標(biāo)群的不對(duì)稱性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述不對(duì)稱性包括所述第一目標(biāo)群的特征與所述第二目標(biāo)群目標(biāo)的最近的特征之間的距離等于所述周期減去偏移。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述不對(duì)稱性包括所述第二目標(biāo)群的特征的臨界尺寸與所述第一目標(biāo)群的臨界尺寸不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述不對(duì)稱性包括所述第一目標(biāo)群或所述第二目標(biāo)群去除掉每第η個(gè)特征，其中η是大于1的有限數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述不對(duì)稱性還包括所述第一群目標(biāo)或所述第二群目標(biāo)去除掉每第η個(gè)特征，其中η是大于1的有限數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述特性是第一或第二群的臨界尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述特性是所述第二群的定位誤差。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述特性是第一群或者第二群的側(cè)壁角度。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一群包括第二第一目標(biāo)群，所述第二群包括第二第二目標(biāo)群，第二第二目標(biāo)群相對(duì)于第二第一目標(biāo)群的偏移不同于第一第二目標(biāo)群相對(duì)于第一第一目標(biāo)群的偏移。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一群包括第二第一目標(biāo)群，所述第二群包括第二第二目標(biāo)群，第二第二目標(biāo)群相對(duì)于第二第一目標(biāo)群的臨界尺寸不同于第一第二目標(biāo)群相對(duì)于第一第一目標(biāo)群的臨界尺寸。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述不對(duì)稱性包括所述第二群的高度不同于所述第一群的高度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述不對(duì)稱性包括所述第二群由與所述第一群的材料不同的材料制成。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第一群的步驟包括曝光所述襯底的步驟和處理所述襯底的步驟，形成所述第二群的步驟包括曝光所述襯底的第二步驟和處理所述襯底的第二步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第一群的步驟包括曝光所述襯底的步驟和凍結(jié)所述襯底的步驟，形成所述第二群的步驟包括曝光所述襯底的第二步驟和處理所述襯底的第二步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第一群和形成所述第二群同時(shí)進(jìn)行。
16.一種方法，包括步驟在襯底上產(chǎn)生第一群，所述第一群包括第一目標(biāo)群；在襯底上產(chǎn)生第二群，所述第二群包括第二目標(biāo)群； 產(chǎn)生包括第一目標(biāo)群和第二目標(biāo)群的組合目標(biāo)群； 檢測(cè)從組合目標(biāo)群反射的輻射；以及使用分別從第一目標(biāo)群或第二目標(biāo)群反射的輻射確定第一群或第二群的特性； 其中第一群和第二群大體上一致并且在襯底上的單一層中形成單一圖案，所述單一圖案的周期等于第一群的特征與第二群的最近的特征之間的距離，以及其中第二目標(biāo)群具有相對(duì)于第一目標(biāo)群的不對(duì)稱性。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述不對(duì)稱性包括第一目標(biāo)群的特征與第二目標(biāo)群的最近的特征之間的距離。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述不對(duì)稱性包括第二目標(biāo)群的特征的臨界尺寸與第一目標(biāo)群的臨界尺寸不同。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述不對(duì)稱性包括所述第一目標(biāo)群或所述第二目標(biāo)群去除掉每第η個(gè)特征，其中η是大于1的有限數(shù)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述不對(duì)稱性還包括所述第一群目標(biāo)或所述第二群目標(biāo)去除掉每第η個(gè)特征，其中η是大于1的有限數(shù)。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述特性是第一或第二群的臨界尺寸。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述特性是所述第二群的定位誤差。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述特性是第一群或者第二群的側(cè)壁角度。
24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中， 所述第一群包括第二個(gè)第一目標(biāo)群； 所述第二群包括第二個(gè)第二目標(biāo)群；以及第二個(gè)第二目標(biāo)群相對(duì)于第二個(gè)第一目標(biāo)群的偏移不同于第一個(gè)第二目標(biāo)群相對(duì)于第一個(gè)第一目標(biāo)群的偏移。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中， 所述第一群包括第二個(gè)第一目標(biāo)群； 所述第二群包括第二個(gè)第二目標(biāo)群；以及第二個(gè)第二目標(biāo)群相對(duì)于第二個(gè)第一目標(biāo)群的臨界尺寸不同于第一個(gè)第二目標(biāo)群相對(duì)于第一個(gè)第一目標(biāo)群的臨界尺寸。
26.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述不對(duì)稱性包括所述第二群的高度不同于所述第一群的高度。
27.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述不對(duì)稱性包括所述第二群由與所述第一群的材料不同的材料制成。
28.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中， 形成所述第一群的步驟包括曝光所述襯底， 處理所述襯底；以及形成所述第二群的步驟包括 曝光所處理過的襯底。
29.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成所述第一群的步驟包括 曝光所述襯底，和凍結(jié)所述襯底；以及形成所述第二群的步驟包括 曝光所述襯底。
30.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成所述第一群和形成所述第二群基本上同時(shí)進(jìn)行。
全文摘要
第一目標(biāo)群和第二目標(biāo)群蝕刻在襯底中。第二目標(biāo)群具有相對(duì)于第一目標(biāo)群的不對(duì)稱性。這能夠允許區(qū)分不同的目標(biāo)群并且確定不同目標(biāo)群的特性。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102265220SQ200980152725
公開日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2009年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月30日
發(fā)明者A·基爾, C·李維斯, H·范拉爾霍溫, H·麥根斯, J·奎達(dá)克爾斯, J·范德爾斯, 毛瑞特斯·范德查爾 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司