專利名稱：顯示基板及其制造方法和具有該顯示基板的顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明公開內(nèi)容的實(shí)例實(shí)施方式涉及顯示基板、制造該顯示基板的方法和具有該 顯示基板的顯示設(shè)備。更具體地，實(shí)例實(shí)施方式涉及增強(qiáng)可靠性的顯示基板、制造該顯示基 板的方法和具有該顯示基板的顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示(IXD)設(shè)備具有IXD面板和向IXD面板提供光的背光組件。IXD面 板包括陣列基板、與陣列基板相對(duì)的濾色片基板以及介于陣列基板與濾色片基板之間的液 晶層。柵極線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管(TFT)和像素電極典型地布置在陣列基板上。與像素電 極相對(duì)的公共電極則典型地布置在濾色片基板上。陣列基板接收從外部設(shè)備提供的電信號(hào)，并利用這些電信號(hào)驅(qū)動(dòng)設(shè)置在陣列基板 上的相應(yīng)的柵極線、數(shù)據(jù)線、TFT和像素電極。通常，部分電信號(hào)通過設(shè)置在陣列基板上的連接而傳輸至公共電極。例如，陣列基 板可包括一個(gè)或多個(gè)接收待施加至公共電極的公共電壓的焊盤，并且，陣列基板可包括一 個(gè)或多個(gè)被構(gòu)造為向?yàn)V色片基板的公共電極施加所提供的公共電壓的短路突起或焊盤。短 路突起/焊盤和濾色片基板的公共電極彼此短接，從而將公共電壓施加至濾色片基板的公 共電極。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本公開的一個(gè)方面，顯示基板包括像素電極、有機(jī)層和基本平面化的短接焊 盤結(jié)構(gòu)。像素電極設(shè)置在底基板的顯示區(qū)域中并與連接至柵極線和數(shù)據(jù)線的晶體管電連 接。有機(jī)層設(shè)置在底基板上并設(shè)置在晶體管和像素電極之間。短接焊盤結(jié)構(gòu)設(shè)置在顯示區(qū) 域的外圍區(qū)域中，并包括第一焊盤電極(其包括金屬層)、第一高度補(bǔ)償圖案(其設(shè)置在焊 盤孔區(qū)域中的焊盤電極上)，其中，焊盤孔形成為穿過有機(jī)層。短接焊盤結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括通 過接觸孔與第一焊盤電極電連接的第二焊盤電極，其中接觸孔形成于由第一補(bǔ)償圖案暴露 的區(qū)域處。第二焊盤電極在平面化的補(bǔ)償圖案的高度的頂部上方延伸，以便設(shè)置在疊置的 公共電極下方的預(yù)定距離處。根據(jù)本公開的另一方面，制造顯示基板的方法包括在底基板的顯示區(qū)域中形成 晶體管，并在圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域中形成短接焊盤結(jié)構(gòu)的第一焊盤電極。在第一焊盤 電極上形成第一補(bǔ)償圖案。在形成有晶體管的底基板上形成有機(jī)層。該有機(jī)層具有穿過有 機(jī)層而形成的焊盤孔，與第一焊盤電極相應(yīng)。像素電極形成于有機(jī)層上并與晶體管連接，并 且，第二焊盤電極形成于第一補(bǔ)償圖案上并通過接觸孔與第一焊盤電極連接。接觸孔形成 于由第一補(bǔ)償圖案暴露的區(qū)域處。根據(jù)本公開的另一方面，顯示設(shè)備包括顯示基板、相對(duì)基板和導(dǎo)電密封劑。顯示基 板包括設(shè)置在底基板上且設(shè)置在形成于底基板上的晶體管與像素電極之間的有機(jī)層；短 接焊盤結(jié)構(gòu)，該短接焊盤結(jié)構(gòu)包括第一焊盤電極(其包括金屬層)，設(shè)置在焊盤孔中焊盤電極上的第一高度補(bǔ)償圖案(焊盤孔形成為穿過有機(jī)層)，以及通過接觸孔與第一焊盤電極 電連接的第二焊盤電極，其中接觸孔形成于由第一補(bǔ)償圖案暴露的區(qū)域處。相對(duì)基板面向 顯示基板并包括公共電極。導(dǎo)電密封劑包括將短接焊盤結(jié)構(gòu)與公共電極電連接的導(dǎo)電球， 并且導(dǎo)電密封劑將顯示基板與相對(duì)基板組合在一起。根據(jù)本公開，通過在短接焊盤結(jié)構(gòu)的頂部電極的下方包括高度補(bǔ)償圖案來改進(jìn)短 接焊盤結(jié)構(gòu)的平面化，從而防止顯示基板的短接焊盤和相對(duì)基板的公共電極之間的開路故 障。因此，可增強(qiáng)顯示設(shè)備的可靠性。


通過參照附圖詳細(xì)描述本公開的實(shí)例實(shí)施方式，本公開的以上和其它的特征與優(yōu) 點(diǎn)將變得更顯而易見，附圖中圖1是示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)例實(shí)施方式的顯示設(shè)備的平面圖；圖2是圖1的短接焊盤結(jié)構(gòu)的放大平面圖；圖3是圖1的顯示設(shè)備的橫截面圖；圖4A至圖4E是用于說明圖3顯示基板的制造過程的流程圖；圖5是根據(jù)另一實(shí)例實(shí)施方式的顯示設(shè)備的橫截面圖；圖6是根據(jù)又一實(shí)例實(shí)施方式的顯示設(shè)備的橫截面圖；圖7A至圖7C是用于說明圖6顯示基板的制造過程的流程圖；圖8是根據(jù)又一實(shí)例實(shí)施方式的顯示設(shè)備的橫截面圖；圖9A至圖9C是用于說明圖8顯示基板的制造過程的流程圖；圖10是根據(jù)又一實(shí)例實(shí)施方式的顯示設(shè)備的橫截面圖；圖IlA至圖IlC是用于說明圖10顯示基板的制造過程的流程圖；圖12是根據(jù)又一實(shí)例實(shí)施方式的短接焊盤結(jié)構(gòu)的放大平面圖；以及圖13是根據(jù)又一實(shí)例實(shí)施方式的短接焊盤結(jié)構(gòu)的放大平面圖。
具體實(shí)施例方式下文中將參照附圖更充分地描述根據(jù)本公開的實(shí)施方式。然而，本教導(dǎo)可體現(xiàn)為 許多不同的形式，并且不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的實(shí)例實(shí)施方式。相反，提供這些實(shí)例實(shí) 施方式，使得本公開將是充分和完全的，并將本教導(dǎo)的范圍完全傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。 在附圖中，為了清楚起見，可放大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。應(yīng)理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印爸稀?、與另一元件或?qū)印斑B接” 或“接合”時(shí)，其可直接位于其它元件或?qū)又匣蚺c其直接連接或接合，或者，可以存在插入 元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接”位于另一元件或?qū)又稀⑴c另一元件或?qū)印爸苯舆B 接”或“直接接合”時(shí)，則不存在插入元件或?qū)印Ｔ谌闹?，相似的?biāo)號(hào)表示相似的元件。如 這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)的任何組合和所有組合。應(yīng)理解的是，雖然在這里可用術(shù)語第一、第二、第三等來描述各元件、部件、區(qū)域、 層和/或截面，但是，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或截面不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語 僅用來將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或截面與另一區(qū)域、層或截面區(qū)分開。因此，在不背離本 公開的教導(dǎo)的前提下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或截面可稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或截面。為了便于描述，空間關(guān)系術(shù)語(例如“在…之下”、“在…下方”、“下”、“在…上方”、“上”等)在這里可用來描述一個(gè)元件或特征與圖中所示的另一元件或特征的關(guān)系。應(yīng)理解 的是，這些空間關(guān)系術(shù)語旨在包括設(shè)備在使用或操作中的除了圖中描述的方向以外的不同 方向。例如，如果反轉(zhuǎn)圖中的設(shè)備，那么，被描述為在其它元件或特征“下方”或“之下”的 元件將被定向?yàn)樵谄渌蛱卣鞯摹吧戏健薄Ｒ虼?，示意性術(shù)語“在…下方”可包括上方和 下方兩個(gè)方向。也可以其它方式定向該設(shè)備(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它方向)，并相應(yīng)地解釋 這里使用的空間關(guān)系描述語。這里使用的術(shù)語僅為了描述特定的實(shí)例實(shí)施方式的目的，而不是為了限制本教 導(dǎo)。如這里使用的，單數(shù)形式“一個(gè)、一(a、an)”和“該(the)”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上 下文明確表明不是這樣。將進(jìn)一步理解，術(shù)語“包括”和/或“包含”，當(dāng)用在本說明書中時(shí)， 表示存在所提到的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或另外有一個(gè) 或多個(gè)其它的特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或由它們組成的組。這里，參照剖視圖描述實(shí)例實(shí)施方式，所述剖視圖是理想化實(shí)例實(shí)施方式(和中 間結(jié)構(gòu))的示意圖。這樣，預(yù)計(jì)會(huì)有例如由制造技術(shù)和/或偏差導(dǎo)致的示圖形狀的變化。 因此，本發(fā)明的實(shí)例實(shí)施方式不應(yīng)被解釋為限于這里所示的區(qū)域的特定形狀，而應(yīng)包括例 如由制造導(dǎo)致的形狀變化。例如，被示出為矩形的注入?yún)^(qū)域?qū)⒌湫偷鼐哂袌A形或彎曲特征， 和/或在其邊緣處具有注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)域向非注入?yún)^(qū)域的二元變化。類 似地，由注入形成的掩埋區(qū)域可能在掩埋區(qū)域和進(jìn)行注入的表面之間的區(qū)域中導(dǎo)致一些注 入。因此，圖中所示的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，并且，其形狀并非旨在示出設(shè)備的區(qū)域的實(shí) 際形狀，并且，并非旨在限制本公開的范圍。除非另外定義，否則，這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)都具有與 本發(fā)明所屬領(lǐng)域中的一個(gè)普通技術(shù)人員通常能夠理解的相同的意義。將進(jìn)一步理解，諸如 那些在通常使用的字典中定義的術(shù)語，應(yīng)解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的背景中的意義一致的意 義，并且，將不應(yīng)被解釋為理想化的或過度正式的含義，除非這里是這樣清楚地定義的。圖1是示出了根據(jù)本公開的第一實(shí)例實(shí)施方式的顯示設(shè)備500的平面圖。參照?qǐng)D1，顯示設(shè)備500包括顯示基板100 (也被稱作TFT陣列基板)、疊置于第一 所述基板上的相對(duì)基板200(也被稱作公共電極基板)、以及導(dǎo)電密封劑400，導(dǎo)電密封劑 對(duì)上下基板之間的空間形成基本閉合的邊界，從而有助于容納介于上下基板之間的液晶材 料。顯示基板100包括顯示區(qū)域DA和圍繞顯示區(qū)域DA的多個(gè)外圍區(qū)域PA1、PA2、PA3 和 PA4。顯示區(qū)域DA包括多條在第一方向上延伸的柵極線GL、多條在第二方向上延伸以 與柵極線GL交叉的數(shù)據(jù)線DL、以及多個(gè)像素單元P，每個(gè)像素單元與一對(duì)交叉的柵極線GL 和數(shù)據(jù)線DL電連接。像素單元P (僅示出一個(gè))包括與相應(yīng)的柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL連接 的晶體管TR、限定液晶電容CLC的一個(gè)板的像素電極，其中，該像素電極與晶體管TR電連 接。該像素電極也可限定存儲(chǔ)電容CST的一個(gè)板。對(duì)電荷存儲(chǔ)電容CST的相對(duì)的板或電極 施加存儲(chǔ)公共電壓Vst。第一外圍區(qū)域PAl與每條數(shù)據(jù)線DL的第一端(圖1中的上端)相鄰。第一外圍區(qū)域PAl具有形成于其中的多個(gè)數(shù)據(jù)焊盤部111、113和115(包括接收數(shù)據(jù)信號(hào)的焊盤) 以及多個(gè)扇出部(fan outportion)112、114和116，扇出部與顯示區(qū)域DA的相距更大空間 的數(shù)據(jù)線DL連接并由此將DL與數(shù)據(jù)焊盤部111、113和115中的相應(yīng)一個(gè)連接。第二外圍區(qū)域PA2與第一外圍區(qū)域PAl相對(duì)地設(shè)置在下基板上。換句話說，在圖 1中，其是下外圍區(qū)域。第三外圍區(qū)域PA3與柵極線GL的相應(yīng)的第一端(在圖1中是左端)相鄰。第一柵 極驅(qū)動(dòng)電路131與所有或部分的柵極線GL的第一端電連接，以產(chǎn)生施加至柵極線GL的柵 極信號(hào)。作為選擇，第一柵極驅(qū)動(dòng)電路131可設(shè)置在第三外圍區(qū)域PA3中。另外，替代地， 其上設(shè)置有柵極驅(qū)動(dòng)芯片的多個(gè)柵極線焊盤可以設(shè)置在第三外圍區(qū)域PA3中，以接收第一 驅(qū)動(dòng)芯片131和/或可選的第二驅(qū)動(dòng)芯片133所產(chǎn)生的柵極信號(hào)。第四外圍區(qū)域PA4與第三外圍區(qū)域PA3相對(duì)地設(shè)置。可選的第二柵極驅(qū)動(dòng)電路 133可設(shè)置在第四外圍區(qū)域PA4中，并與所有或部分的柵極線GL的第二端電連接，并可產(chǎn)生 施加至相應(yīng)的柵極線GL的柵極信號(hào)。替代地，其上形成有第二柵極驅(qū)動(dòng)芯片的柵極焊盤可 設(shè)置在第四外圍區(qū)域PA4中。多個(gè)與密封劑接觸(to-the-sealant)的短接焊盤結(jié)構(gòu)151、152、153、巧4和155 設(shè)置在第一、第二、第三和第四外圍區(qū)域PA1、PA2、PA3和PA4的一個(gè)或多個(gè)中。更具體地， 短接焊盤結(jié)構(gòu)151、152、153、巧4和155可設(shè)置在第一、第二、第三和第四外圍區(qū)域PA1、PA2、 PA3和PA4的與相對(duì)基板200和密封劑400重疊的區(qū)域中。短接焊盤結(jié)構(gòu)151、152、153、IM 和155通過密封劑400與相對(duì)基板200電連接。例如，短接焊盤結(jié)構(gòu)151、152、153、巧4和 1 可僅設(shè)置在第一外圍區(qū)域PAl和第二外圍區(qū)域PA2中，如圖1所示。相對(duì)基板200面向顯示基板100。利用導(dǎo)電密封劑400將顯示基板100和相對(duì)基 板200彼此組合在一起，并且液晶材料層(未示出)設(shè)置在顯示基板100和相對(duì)基板200 之間，并利用導(dǎo)電密封劑400密封到該空間中。導(dǎo)電密封劑400設(shè)置在穿過第一、第二、第三和第四外圍區(qū)域PAl、PA2、PA3和PA4 而假設(shè)繪制的密封線上，以將顯示基板100與相對(duì)基板200組合在一起。導(dǎo)電密封劑400包括導(dǎo)電球(CB)，并被設(shè)置為覆蓋設(shè)置于第一、第二、第三和第四 外圍區(qū)域PA1、PA2、PA3和PA4中的短接焊盤結(jié)構(gòu)151、152、153、154和155。短接焊盤結(jié)構(gòu) 151、152、153、巧4和155通過導(dǎo)電球CB與相對(duì)基板200的公共電極電連接(見圖3)。相 對(duì)基板200的公共電極是液晶電容CLC的電極，并通過導(dǎo)電球CB接收施加至短接焊盤結(jié)構(gòu) 151、152、153、154 和 155 的公共電壓 Vcom。圖2是示出了圖1的在密封劑400下方的幾個(gè)短接焊盤結(jié)構(gòu)的放大平面圖。圖3 是圖1顯示設(shè)備的橫截面圖。參照?qǐng)D1、圖2和圖3以及如上所述，顯示設(shè)備500包括顯示基板100、相對(duì)基板 200和導(dǎo)電密封劑400。如圖3所示，顯示基板100包括透明的第一底基板101、薄膜晶體管TR、柵絕緣層 102、晶體管保護(hù)層103、遮光部120、濾色片140、有機(jī)層160、像素電極PE、柱狀間隔件171 和短接焊盤結(jié)構(gòu)151。晶體管TR包括與相鄰的柵極線GL電連接的柵電極GE、設(shè)置在柵電極GE上的半導(dǎo) 體溝道圖案CH、設(shè)置在溝道圖案CH上并與相鄰的數(shù)據(jù)線DA連接的源電極SE、以及設(shè)置在溝道圖案CH上并與源電極SE隔開且與像素電極PE電連接的漏電極DE。柵絕緣層102設(shè)置在柵電極GE和溝道圖案CH之間。保護(hù)層103設(shè)置在第一底基 板101上，以覆蓋源電極SE和漏電極DE。在保護(hù)層103上設(shè)置有晶體管TR的區(qū)域中設(shè)置遮光部120，以阻擋光。另外，遮光 部120可設(shè)置在與設(shè)置有柵極線和數(shù)據(jù)線的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，從而也阻擋光從這些區(qū) 域泄漏。濾色片140設(shè)置在第一底基板101上限定的像素區(qū)域中，以產(chǎn)生彩色光(例如，紅 色、綠色或藍(lán)色)。有機(jī)層160設(shè)置在其上設(shè)置有濾色片140的第一底基板101上。有機(jī)層160設(shè)置 在遮光部120和濾色片140上，以使顯示基板100平面化，并且還密封在濾色片140的著色 劑中。像素電極PE設(shè)置在有機(jī)層160上的像素區(qū)域中，并與晶體管TR電連接。柱狀間隔件171保持顯示基板100和相對(duì)基板200之間的距離。柱狀間隔件171 包括透明的有機(jī)材料。短接焊盤結(jié)構(gòu)151包括第一焊盤電極150a、間隔補(bǔ)償堆疊圖案140a、接觸孔150c 和第二焊盤電極150b。第一焊盤電極150a包括金屬層，該金屬層基本上由與柵極線GL或柵電極GE的金 屬層相同的金屬層形成。替代地，第一焊盤電極150a可包括與數(shù)據(jù)線DL或源電極SE的金 屬層基本相同的金屬層。在本實(shí)例實(shí)施方式中，對(duì)包括與柵極線GL的金屬層基本相同的金 屬層的第一焊盤電極150a進(jìn)行說明。設(shè)置在第一焊盤電極150a上的多個(gè)補(bǔ)償堆疊圖案140a彼此隔開，使得每個(gè)補(bǔ)償 堆疊圖案可以是島形(見圖幻。補(bǔ)償堆疊圖案140a包括與濾色片140的彩色光致抗蝕劑 材料基本相同的彩色光致抗蝕劑材料。例如，補(bǔ)償堆疊圖案140a可設(shè)置在焊盤孔區(qū)域160h 中，該通孔形成為穿過有機(jī)層160并穿過柵絕緣層102，其中，柵絕緣層102設(shè)置在第一焊盤 電極150a上。接觸孔150c形成在補(bǔ)償堆疊圖案140a被隔開的區(qū)域中，使得可通過接觸孔150c 接近第一焊盤電極150a。例如，在未形成補(bǔ)償堆疊圖案140a的區(qū)域中形成接觸孔150c， 因此，接觸孔150c允許第二焊盤電極150b穿過孔150c向下延伸，并由此與第一焊盤電極 150a連接。例如，接觸孔150c的寬度可以基本上等于或小于包括在導(dǎo)電密封劑400中的一 個(gè)導(dǎo)電球CB的尺寸。第二焊盤電極150b包括導(dǎo)電材料，并設(shè)置在有機(jī)層160上，也設(shè)置在被圖案化以 限定補(bǔ)償堆疊圖案140a的濾色片材料(140)上。例如，第二焊盤電極150b包括與像素電 極PE的導(dǎo)電材料基本相同的透明導(dǎo)電材料。第二焊盤電極150b通過在補(bǔ)償堆疊圖案140a 被隔開的區(qū)域中形成的接觸孔150c與第一焊盤電極150a接觸。相對(duì)基板200包括透明的第二底基板201和透明的公共電極210。第二底基板201 包括透明的絕緣基板。公共電極210設(shè)置在第二底基板201上。將包括導(dǎo)電球CB的導(dǎo)電密封劑400構(gòu)造為用作用于設(shè)置于第一基板和第二基板 之間的空間中的液晶材料的密封劑。導(dǎo)電密封劑400設(shè)置在密封線上，以將顯示基板100 與相對(duì)基板200組合在一起。另外，包括在導(dǎo)電密封劑400中的導(dǎo)電球CB用來將短接焊盤結(jié)構(gòu)151的第二焊盤電極150b與公共電極210電連接。利用補(bǔ)償堆疊圖案140a的材料(濾色片材料)的柔性或彈性可以補(bǔ)償短接焊盤 結(jié)構(gòu)151的第二焊盤電極150b和覆于相對(duì)基板200上的公共電極210之間的稍微可變的 距離，從而確保良好的接觸。因此，可防止導(dǎo)電球CB和短接焊盤結(jié)構(gòu)151之間的開路故障 以及導(dǎo)電球CB和公共電極210之間的開路故障。圖4A至圖4E是用于說明圖3顯示基板的制造過程的流程圖。參照?qǐng)D3和圖4A，在第一底基板101上形成第一金屬層，并且，第一金屬層被圖案 化以在第一底基板101上形成第一金屬圖案。第一金屬圖案包括柵極線GL、晶體管TR的柵 電極GE和短接焊盤結(jié)構(gòu)151的第一焊盤電極151a等。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一焊盤電極 151a的一側(cè)的長(zhǎng)度在平面圖中是幾毫米。雖然未在圖中示出，但是第一焊盤電極151a與傳 輸公共電壓Vcom的電壓線電連接，從而對(duì)第一焊盤電極151a施加公共電壓Vcom。接下來，在第一金屬圖案形成于其上的第一底基板101上形成柵絕緣層102，以覆 蓋第一金屬圖案。柵絕緣層102可包括無機(jī)絕緣材料，例如，氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx) 或氮氧化硅(SiOxNy)。參照?qǐng)D3和圖4B，在絕緣層102上順序形成半導(dǎo)體溝道層和第二金屬層。對(duì)溝道 層和第二金屬層同時(shí)進(jìn)行圖案化，以形成第二金屬圖案，從而第二金屬圖案可包括具有溝 道層和第二金屬層的疊層結(jié)構(gòu)。替代地，可利用互不相同的掩模和光刻步驟對(duì)溝道層和第二金屬層圖案化。根據(jù)本實(shí)例實(shí)施方式，第二金屬圖案包括數(shù)據(jù)線DL、源電極SE和漏電極DE。將溝 道圖案CH的未由源電極SE和漏電極DE覆蓋的部分定義為晶體管TR的溝道區(qū)。在第二金屬圖案上形成保護(hù)層103以覆蓋第二金屬圖案。保護(hù)層103可包括無機(jī) 絕緣材料，例如，氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)。參照?qǐng)D3和圖4C，在保護(hù)層103上形成遮光材料層，并且，使遮光材料層圖案化以 形成相應(yīng)的遮光圖案。遮光圖案包括形成于顯示區(qū)域DA中的遮光部120?？上鄳?yīng)于形成 了晶體管TR、柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL的區(qū)域形成遮光部120。遮光部120可形成有暴露晶 體管TR的漏電極DE上的保護(hù)層103的第一孔120c。相應(yīng)于第一孔120c形成穿過保護(hù)層 103的接觸孔，以允許像素電極PE在以下過程中與漏電極DE接觸。接下來，在遮光部120附近或之上形成彩色光致抗蝕劑層，在該位置處，使彩色光 致抗蝕劑層圖案化以形成彩照?qǐng)D案。該彩照?qǐng)D案包括形成于像素區(qū)域中的濾色片圖案140、 以及形成于接觸焊盤結(jié)構(gòu)151的區(qū)域中的補(bǔ)償堆疊圖案140a的圖案化材料。利用相同的彩色光致抗蝕劑層形成的濾色片140和補(bǔ)償堆疊圖案140a的厚度可 以彼此不同。補(bǔ)償堆疊圖案140a形成為具有相對(duì)大的厚度t，從而補(bǔ)償堆疊圖案140a的 頂部可以具有與在以下過程中形成的有機(jī)層160的階梯部基本相同的高度。補(bǔ)償堆疊圖案 140a以島形彼此隔開，并形成在形成有第一焊盤電極150a的區(qū)域上。補(bǔ)償堆疊圖案140a 之間的分隔部140h使保護(hù)層103暴露，以穿過分隔部進(jìn)行蝕刻。補(bǔ)償堆疊圖案140a的階 梯部的高度與圍繞短接焊盤結(jié)構(gòu)151的有機(jī)層160的階梯部的高度基本相同，從而，占據(jù)短 接焊盤結(jié)構(gòu)151的大部分區(qū)域的階梯部可以與周圍的有機(jī)層160的階梯部基本共面。參照?qǐng)D3和圖4D，沉積有機(jī)材料以形成有機(jī)平面化層160。有機(jī)材料沉積在第一 底基板101上，包括在將要形成彩照?qǐng)D案的區(qū)域中。形成穿過位于漏電極DE上方的有機(jī)層160的第二孔區(qū)域140h，并且，相應(yīng)于形成有第一焊盤電極150a的區(qū)域形成穿過有機(jī)層 160的焊盤孔區(qū)域160h。在焊盤孔區(qū)域160h中設(shè)置補(bǔ)償堆疊圖案140a的圖案化濾色片 材料。如圖所示，可將焊盤孔區(qū)域160h形成為將焊盤孔區(qū)域160h的側(cè)壁與補(bǔ)償堆疊圖案 140a隔開。雖然未在圖中示出，但是焊盤孔區(qū)域160h的側(cè)壁可與補(bǔ)償堆疊圖案140a的側(cè) 壁接觸。例如，由補(bǔ)償堆疊圖案140a限定的分隔部140h的水平寬度W大約是10 μ m。接下來參照?qǐng)D3和圖4E，在由穿過有機(jī)層160和穿過補(bǔ)償堆疊圖案140a形成的孔 所暴露的區(qū)域中的保護(hù)層103和柵絕緣層102被蝕刻。例如，蝕刻與第二孔160c (參見圖 7B)相應(yīng)的保護(hù)層103，以暴露漏電極DE，并且，蝕刻與分隔部140h相應(yīng)的保護(hù)層103和柵 絕緣層102，以暴露第一焊盤電極150a。在第一底基板101上形成透明導(dǎo)電層(例如，ΙΤ0、ΙΖ0等)，漏電極DE和第一焊盤 電極150a通過第一底基板暴露，并且形成透明導(dǎo)電圖案。當(dāng)被圖案化時(shí)，透明導(dǎo)電圖案形 成像素電極PE和第二焊盤電極150b。第二焊盤電極150b通過接觸孔150c與第一焊盤電 極150a接觸。接觸孔150c的寬度大約是10 μ m,與分隔部140h的寬度相對(duì)應(yīng)。接下來，在其上形成有透明導(dǎo)電圖案的第一底基板101上形成柱狀間隔件層，并 且，使柱狀間隔件層圖案化，以在顯示區(qū)域DA中形成柱狀間隔件171。柱狀間隔件層可包括 透明材料或不透明材料。例如，相應(yīng)于形成有晶體管TR的區(qū)域形成柱狀間隔件171。有機(jī)層160和補(bǔ)償堆疊圖案140a提供第二焊盤電極150b的變平的和升高的高度 部，使得除了分隔部140h以外的區(qū)域平面化。因此，短接焊盤結(jié)構(gòu)151的平面化的平面圖 尺寸是幾毫米，而接觸孔150c的寬度大約是10 μ m，使得大部分導(dǎo)電球CB分布在補(bǔ)償堆疊 圖案140的升高和平面化的區(qū)域上，由此防止導(dǎo)電球CB和之上的第二基板200之間的開路 故障。短接焊盤結(jié)構(gòu)151的第二焊盤電極150b和相對(duì)基板200的公共電極210可通過包 括導(dǎo)電球CB的導(dǎo)電密封劑400而電短路。在下文中，相同的附圖標(biāo)記將用來表示與本實(shí)例實(shí)施方式中描述的那些部件相同 或相似的部件，因此，將省略任何涉及上述元件的重復(fù)說明，或者僅簡(jiǎn)要描述。圖5是根據(jù)另一實(shí)例實(shí)施方式的顯示設(shè)備的橫截面圖。參照?qǐng)D1和圖5，顯示設(shè)備500A包括顯示基板100A、相對(duì)基板200和導(dǎo)電密封劑 400。顯示基板100A包括第一底基板101、晶體管TR、柵絕緣層102、保護(hù)層103、遮光部 120、濾色片140、有機(jī)層160、像素電極PE、柱狀間隔件173和短接焊盤結(jié)構(gòu)151A。同樣，柱狀間隔件173的材料有助于保持顯示基板100A和相對(duì)基板200之間的均 勻距離。柱狀間隔件173可由透明的絕緣材料或不透明的絕緣材料構(gòu)成。例如，柱狀間隔 件173可設(shè)置在其上設(shè)置有晶體管TR的區(qū)域中。在圖5的實(shí)施方式中，短接焊盤結(jié)構(gòu)151A包括第一焊盤電極150a、第一補(bǔ)償堆疊 圖案140a、接觸孔150c、第二焊盤電極150b和第二補(bǔ)償堆疊圖案173a，其中，第二補(bǔ)償堆疊 圖案173a可由柱狀間隔件173中所使用的相同材料構(gòu)成。第一焊盤電極150a包括金屬層。第一焊盤電極150a包括與柵極線GL基本相同 的金屬層。替代地，第一焊盤電極150a可包括與數(shù)據(jù)線DL基本相同的金屬層。設(shè)置于第一焊盤電極150a上的第一補(bǔ)償堆疊圖案140a以島形彼此隔開。第一補(bǔ) 償堆疊圖案140a包括包含色彩的光致抗蝕劑材料，其與濾色片140中使用的材料基本相同。例如，第一補(bǔ)償堆疊圖案140a可設(shè)置在焊盤孔區(qū)域160h中，該焊盤孔形成為穿過設(shè)置 于第一焊盤電極150a上的有機(jī)層160。接觸孔150c形成于第一補(bǔ)償堆疊圖案140a的分隔區(qū)域中。例如，接觸孔150c形 成于由第一補(bǔ)償堆疊圖案140a暴露的區(qū)域中，以允許第一焊盤電極150a連接至第二焊盤 電極150b。第二焊盤電極150b包括導(dǎo)電材料，并設(shè)置于有機(jī)層160上和補(bǔ)償堆疊圖案140a 上。例如，第二焊盤電極150b包括與像素電極PE基本相同的透明導(dǎo)電材料。第二焊盤電 極150b通過形成于第一補(bǔ)償堆疊圖案140a的分隔區(qū)域中的接觸孔150c而與第一焊盤電 極150a接觸。由與柱狀間隔件173的材料相同的材料構(gòu)成的第二補(bǔ)償堆疊圖案173a用來填充 接觸孔150c的空間，并由此有助于使短接焊盤結(jié)構(gòu)151變平。防止導(dǎo)電球CB下陷到所填充 的接觸孔150c中。因此，防止導(dǎo)電球CB的開路故障。短接焊盤結(jié)構(gòu)151的第二焊盤電極 150b和相對(duì)基板200的公共電極210可通過包括導(dǎo)電球CB的導(dǎo)電密封劑400而電短路。如所提到的，第二補(bǔ)償堆疊圖案173a包括與柱狀間隔件173所使用的材料基本相 同的材料。例如，當(dāng)柱狀間隔件173包括不透明的材料時(shí)，第二補(bǔ)償堆疊圖案173a可阻擋 由第一焊盤電極150a反射的光。因此，通過對(duì)柱狀間隔件173和補(bǔ)償堆疊圖案173a使用 光吸收材料，可防止可能在顯示設(shè)備500A的外圍區(qū)域中產(chǎn)生的眩光(glare)。制造根據(jù)本實(shí)例實(shí)施方式的顯示基板100A的方法與之前的圖4A至圖4E的實(shí)例 實(shí)施方式基本相同。然而，在圖4E中，當(dāng)在其中形成有透明導(dǎo)電圖案的第一底基板101上 形成柱狀間隔件材料時(shí)，使沉積的柱狀間隔件材料圖案化，從而不僅形成柱狀間隔件173， 而且還形成第二補(bǔ)償堆疊圖案173a。在顯示區(qū)域DA中形成柱狀間隔件173，并在接觸孔區(qū) 域150c中形成第二補(bǔ)償堆疊圖案173a，由此填充短接焊盤結(jié)構(gòu)151A的接觸孔150c并使短 接焊盤結(jié)構(gòu)更平。圖6是根據(jù)又一實(shí)例實(shí)施方式的顯示設(shè)備的橫截面圖。參照?qǐng)D1、圖3和圖6，顯示設(shè)備500B包括顯示基板100B、相對(duì)基板200和導(dǎo)電密 封劑400。顯示基板100B包括第一底基板101、晶體管TR、柵絕緣層102、保護(hù)層103、遮光部 120、濾色片140、有機(jī)層160、像素電極PE、柱狀間隔件171和短接焊盤結(jié)構(gòu)151B。短接焊盤結(jié)構(gòu)151B包括第一焊盤電極150a、補(bǔ)償堆疊圖案120a、接觸孔150c和 第二焊盤電極150b。第一焊盤電極150a包括金屬層。第一焊盤電極150a包括與柵極線GL基本相同 的金屬層。替代地，第一焊盤電極150a可包括與數(shù)據(jù)線DL基本相同的金屬層。設(shè)置于第一焊盤電極150a上的補(bǔ)償堆疊圖案120a以島形彼此隔開。補(bǔ)償堆疊圖 案120a包括與遮光部120所使用的材料基本相同的材料。補(bǔ)償堆疊圖案120a可設(shè)置在 焊盤孔區(qū)域160h中，該焊盤孔形成為穿過形成于第一焊盤電極140a上的有機(jī)層160。接觸孔150c形成于補(bǔ)償堆疊圖案120a的分隔區(qū)域中。接觸孔150c形成于由補(bǔ) 償堆疊圖案120a暴露的第一焊盤電極150a中。第二焊盤電極150b包括導(dǎo)電材料，并設(shè)置于有機(jī)層160上和補(bǔ)償堆疊圖案材料 120a上。例如，第二焊盤電極150b包括與像素電極PE基本相同的透明導(dǎo)電材料。第二焊12盤電極150b通過形成于補(bǔ)償堆疊圖案120a的分隔區(qū)域中的接觸孔150c而與第一焊盤電 極150a接觸。因此，短接焊盤結(jié)構(gòu)151的平面圖尺寸可以是幾毫米，而接觸孔150c的寬度大約 是10 μ m，從而大部分導(dǎo)電球CB分布在補(bǔ)償堆疊圖案120a的基本平面化的頂面區(qū)域上，由 此防止導(dǎo)電球CB的開路故障。短接焊盤結(jié)構(gòu)151B的第二焊盤電極150b和相對(duì)基板200 的公共電極210可通過導(dǎo)電密封劑400的導(dǎo)電球CB而電短路。另外，與之前的參照?qǐng)D5的實(shí)例實(shí)施方式一樣，在圖5的實(shí)施方式中，利用與柱狀 間隔件173基本相同的材料填充接觸孔150c的第二補(bǔ)償堆疊圖案173a可以被形成，以去 除接觸孔150c的階梯部。圖7A至圖7C是用于說明圖6顯示基板的制造過程的流程圖。參照?qǐng)D3、圖6和圖7A至圖7C，公開了制造圖6的結(jié)構(gòu)的方法。在圖7A中，在第一 底基板101上形成第一金屬圖案、柵絕緣層102、第二金屬圖案和保護(hù)層103。第一金屬圖案 包括柵極線GL、晶體管TR的柵電極GE和短接焊盤結(jié)構(gòu)151(B)的第一焊盤電極151a。在 其上形成有第一金屬圖案的第一底基板101上形成柵絕緣層102，以覆蓋第一金屬圖案。 柵絕緣層102可包括無機(jī)絕緣材料，例如，氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。通過使溝道層和第二金屬層同時(shí)圖案化來形成第二金屬圖案。第二金屬圖案包括 數(shù)據(jù)線DL、晶體管TR的源電極SE和晶體管TR的漏電極DE。將未被源電極SE和漏電極DE 覆蓋的溝道圖案CH定義為晶體管TR的溝道區(qū)。在其上形成有第二金屬圖案的第一底基板 101上形成保護(hù)層103，以覆蓋第二金屬圖案。保護(hù)層103可包括無機(jī)絕緣材料，例如，氮化 硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)。參照?qǐng)D3、圖6和圖7B，在其上形成有保護(hù)層103的第一底基板101上形成彩色光 致抗蝕劑層，并且，使該彩色光致抗蝕劑層圖案化，以形成彩照?qǐng)D案。該彩照?qǐng)D案包括形成 于像素區(qū)域中的濾色片140。在其上形成有濾色片140的第一底基板101上形成遮光材料層，并且，使遮光材料 層圖案化，以形成期望的遮光圖案。該遮光圖案包括形成于顯示區(qū)域DA中的遮光部120和 形成于第一焊盤電極151a上的補(bǔ)償圖案120a?？上鄳?yīng)于形成有晶體管TR、柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL的區(qū)域形成遮光部120?？稍?第一孔120c上形成遮光部120，該第一孔露出晶體管TR的漏電極DE上的保護(hù)層103。第 一孔120c可用作使像素電極PE在以下過程中與漏電極DE接觸的接觸孔。將補(bǔ)償圖案120a形成為具有厚度t，從而補(bǔ)償圖案120a的階梯部分可以具有與在 以下過程中形成的有機(jī)層160的階梯部基本相同的高度。補(bǔ)償圖案120a以島形彼此隔開， 并形成于其中形成有第一焊盤電極150a的區(qū)域上。補(bǔ)償圖案120a之間的分隔部140h暴 露保護(hù)層103。補(bǔ)償圖案120a的階梯部具有與有機(jī)層160的階梯部基本相同的高度，由此 使短接焊盤結(jié)構(gòu)151(B)的大部分區(qū)域基本上變平。在其上形成有遮光圖案的第一底基板101上形成有機(jī)層160。第二孔160c形成為 穿過漏電極DE上方的有機(jī)層160，并且，相應(yīng)于形成有第一焊盤電極150a的區(qū)域形成穿過 有機(jī)層160的焊盤孔區(qū)域160h。補(bǔ)償圖案120a設(shè)置在焊盤孔區(qū)域160h中。如圖所示，焊 盤孔區(qū)域160h可形成為將限定焊盤孔區(qū)域160h的有機(jī)層160的側(cè)壁與補(bǔ)償圖案120a隔 開。雖然未在圖中示出，但是限定焊盤孔區(qū)域160h的有機(jī)層160的側(cè)壁可與補(bǔ)償圖案120a的側(cè)壁接觸。例如，由補(bǔ)償圖案140a限定的分隔部140h的寬度W大約是10 μ m。參照?qǐng)D3、圖6和圖7C，通過蝕刻其上形成有包括第二孔160c和焊盤孔區(qū)域160h 的有機(jī)層160的第一底基板101，蝕刻保護(hù)層103和柵絕緣層102。蝕刻與第二孔160c相對(duì)應(yīng)的保護(hù)層103，以暴露漏電極，并且，蝕刻與不形成補(bǔ)償 圖案120a的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的保護(hù)層103和柵絕緣層102，以暴露第一焊盤電極150a。在漏電極DE和第一焊盤電極150a被暴露的第一底基板101上形成透明導(dǎo)電層， 并且形成透明導(dǎo)電圖案。該透明導(dǎo)電圖案包括像素電極PE和第二焊盤電極150b。第二焊 盤電極150b通過所形成的接觸孔150c與第一焊盤電極150a接觸。在其上形成有透明導(dǎo)電圖案的第一底基板101上形成柱狀間隔件層，并且，使柱 狀間隔件層圖案化，以在顯示區(qū)域DA中形成柱狀間隔件171。柱狀間隔件層可包括透明的 材料或不透明的材料。例如，相應(yīng)于形成有晶體管TR的區(qū)域形成柱狀間隔件171。使短接焊盤區(qū)域中的有機(jī)層160和補(bǔ)償圖案120a(除了接觸孔150c以外)基本 變平。因此，短接焊盤結(jié)構(gòu)151的平面圖尺寸(例如，頂部與邊緣側(cè))可以是幾毫米，而接 觸孔150c的寬度大約是10 μ m，從而大部分導(dǎo)電球CB分布在補(bǔ)償圖案120a的平面化的區(qū) 域上，以防止導(dǎo)電球CB的開路故障。短接焊盤結(jié)構(gòu)151的第二焊盤電極150b和相對(duì)基板 200的公共電極210可通過包括導(dǎo)電球CB的導(dǎo)電密封劑400而電短路。圖8是根據(jù)又一實(shí)例實(shí)施方式的顯示設(shè)備的橫截面圖。參照?qǐng)D1、圖3和圖8，顯示設(shè)備500C包括顯示基板100C、相對(duì)基板200和導(dǎo)電密 封劑400。這里，如可看到的，高度補(bǔ)償階梯包括層120a和140a。顯示基板100C包括第一底基板101、晶體管TR、柵絕緣層102、保護(hù)層103、遮光部 120、濾色片140、有機(jī)層160、像素電極PE、柱狀間隔件171和短接焊盤結(jié)構(gòu)151D。短接焊盤結(jié)構(gòu)151D包括第一焊盤電極150a、補(bǔ)償圖案CP、接觸孔150c和第二焊 盤電極150b。第一焊盤電極150a包括金屬層。第一焊盤電極150a包括與柵極線GL基本相同 的金屬層。替代地，第一焊盤電極150a包括與數(shù)據(jù)線DL基本相同的金屬層。設(shè)置于第一焊盤電極150a上的補(bǔ)償圖案CP以島形隔開。補(bǔ)償圖案CP包括具有 與濾色片140基本相同的材料的色彩層140a和具有與遮光部120基本相同的材料的遮光 層120a。因此，形成了具有遮光層120a的材料和色彩層140a的材料的疊層結(jié)構(gòu)，其中，可 根據(jù)制造過程改變堆疊順序。補(bǔ)償堆疊圖案CP(120a/140a)可設(shè)置在焊盤孔區(qū)域160h中， 該焊盤孔形成為穿過設(shè)置于第一焊盤電極150a上的有機(jī)層160。補(bǔ)償堆疊圖案CP具有厚度補(bǔ)償升高部分，其設(shè)置在焊盤孔區(qū)域160h中并大致升 至周圍的有機(jī)層160的高度。例如，焊盤孔區(qū)域160h中的補(bǔ)償圖案CP的厚度與焊盤孔區(qū) 域160h周圍的有機(jī)層160的厚度基本相同。在相鄰的補(bǔ)償圖案CP被隔開的區(qū)域中形成接觸孔150c。例如，在第一焊盤電極 150a上未形成補(bǔ)償圖案CP的區(qū)域中形成接觸孔150c。第二焊盤電極150b包括導(dǎo)電材料，并設(shè)置在有機(jī)層160上和CP階梯(120a/140a) 上。例如，第二焊盤電極150b包括與像素電極PE基本相同的透明導(dǎo)電材料。第二焊盤電極 150b通過在未設(shè)置補(bǔ)償圖案CP的區(qū)域中形成的接觸孔150c與第一焊盤電極150a接觸。因此，短接焊盤結(jié)構(gòu)151D的平面圖尺寸是幾毫米，而接觸孔150c的寬度大約是10 μ m,從而大部分導(dǎo)電球CB分布在補(bǔ)償圖案CP的平面化的區(qū)域上，以防止導(dǎo)電球CB的開 路故障。短接焊盤結(jié)構(gòu)151的第二焊盤電極150b和相對(duì)基板200的公共電極210通過導(dǎo) 電密封劑400的導(dǎo)電球CB而電短路。另外，與之前的參照?qǐng)D5的實(shí)例實(shí)施方式一樣，對(duì)于圖8的實(shí)施方式，第二補(bǔ)償圖 案173a可用于利用與不透明的柱狀間隔件173基本相同的材料填充接觸孔150c，這可使接 觸孔150c的區(qū)域進(jìn)一步變平。圖9A至圖9C是用于說明圖8顯示基板的制造過程的流程圖。參照?qǐng)D3、圖8和圖9A，在第一底基板101上形成第一金屬圖案、柵絕緣層102、第 二金屬圖案和保護(hù)層103。第一金屬圖案包括柵極線GL、晶體管TR的柵電極GE和短接焊 盤結(jié)構(gòu)151的第一焊盤電極151a。在其上形成有第一金屬圖案的第一底基板101上形成柵 絕緣層102，以覆蓋第一金屬圖案。柵絕緣層102可包括無機(jī)絕緣材料，例如，氮化硅(SiNx) 和氧化硅(SiOx)。通過使溝道層和第二金屬層同時(shí)圖案化，來形成第二金屬圖案。替代地，可利用彼 此不同的掩模使溝道層和第二金屬層圖案化。第二金屬圖案包括數(shù)據(jù)線DL、晶體管TR的源 電極SE和晶體管TR的漏電極DE。將未被源電極SE和漏電極DE覆蓋的溝道圖案CH定義 為晶體管TR的溝道區(qū)。在其上形成有第二金屬圖案的第一底基板101上形成保護(hù)層103， 以覆蓋第二金屬圖案。保護(hù)層103可包括無機(jī)絕緣材料，例如，氮化硅(SiNx)和/或氧化 硅(SiOx)。參照?qǐng)D3、圖8和圖9B，在其上形成有保護(hù)層103的第一底基板101上形成遮光材 料層，并且，使遮光材料層圖案化，以形成遮光圖案。遮光圖案包括形成于顯示區(qū)域DA中的 遮光部120和形成于第一焊盤電極150a上的遮光層120a。在其上形成有遮光圖案的第一底基板101上形成彩色光致抗蝕劑層，并且，使彩 色光致抗蝕劑層圖案化，以形成彩照?qǐng)D案。該彩照?qǐng)D案包括形成于像素區(qū)域中的濾色片140 和形成于遮光層120a上的色彩層140a。因此，在第一焊盤電極150a上形成具有遮光層 120a和色彩層140a的補(bǔ)償堆疊圖案CP(120a/140a)。補(bǔ)償圖案CP形成為具有厚度t，使得 補(bǔ)償圖案CP的階梯部可以具有與以下過程中形成的周圍的有機(jī)層160的升高部分基本相 同的高度。通過分隔部120h將補(bǔ)償堆疊CP以島形彼此隔開，并且，在形成有第一焊盤電極 150a的區(qū)域上，補(bǔ)償堆疊CP形成在保護(hù)層103上。在不形成補(bǔ)償圖案CP的區(qū)域中所形成 的保護(hù)層103被暴露。補(bǔ)償圖案CP的階梯部具有與有機(jī)層160的升高部分基本相同的高 度，以使短接焊盤結(jié)構(gòu)151D的大部分區(qū)域變平。在其上形成有彩照?qǐng)D案的第一底基板101上形成有機(jī)層160。在漏電極DE上方形 成穿過有機(jī)層160的第二孔160c，并且，相應(yīng)于形成第一焊盤電極150a的區(qū)域形成穿過有 機(jī)層160的焊盤孔區(qū)域160h。補(bǔ)償圖案CP設(shè)置在焊盤孔區(qū)域160h中。如圖所示，焊盤孔 區(qū)域160h可形成為將限定焊盤孔區(qū)域160h的有機(jī)層160的側(cè)壁與補(bǔ)償圖案CP隔開。雖 然未在圖中示出，但是限定焊盤孔區(qū)域160h的有機(jī)層160的側(cè)壁與補(bǔ)償圖案CP的側(cè)壁接 觸。例如，接觸孔150c的寬度W大約是10 μ m。參照?qǐng)D3、圖8和圖9C，對(duì)其上形成有第二孔160c和包括焊盤孔區(qū)域160h的有機(jī) 層160的第一底基板101進(jìn)行蝕刻，以蝕刻穿過保護(hù)層103和柵絕緣層102。15
蝕刻與第二孔160c相應(yīng)的保護(hù)層103，以暴露漏電極DE，并且，對(duì)與不形成補(bǔ)償圖 案CP的區(qū)域相應(yīng)的保護(hù)層103和柵絕緣層102進(jìn)行蝕刻，以暴露第一焊盤電極150a。在通過其暴露漏電極DE和第一焊盤電極150a的第一底基板101上形成透明導(dǎo)電 層，并且形成透明導(dǎo)電圖案，。該透明導(dǎo)電圖案包括像素電極PE和第二焊盤電極150b。第 二焊盤電極150b通過接觸孔150c與第一焊盤電極150a接觸。在其上形成有透明導(dǎo)電圖案的第一底基板101上形成柱狀間隔件層，并且，使柱 狀間隔件層圖案化，以在顯示區(qū)域DA中形成柱狀間隔件171。柱狀間隔件層可包括透明材 料或不透明材料。例如，相應(yīng)于形成有晶體管TR的區(qū)域形成柱狀間隔件171。有機(jī)層160和補(bǔ)償堆疊圖案CP有助于使第二焊盤電極150b的頂面變平，從而使 除了接觸孔150c以外的區(qū)域變平。因此，短接焊盤結(jié)構(gòu)151的尺寸是幾毫米，并且，接觸孔 150c的寬度W大約是10 μ m,從而大部分導(dǎo)電球CB分布在補(bǔ)償圖案CP的平面化的區(qū)域上， 以防止導(dǎo)電球CB的開路缺陷。短接焊盤結(jié)構(gòu)151的第二焊盤電極150b和相對(duì)基板200的 公共電極210可通過包括導(dǎo)電球CB的導(dǎo)電密封劑400而電短路。圖10是根據(jù)又一實(shí)例實(shí)施方式的顯示設(shè)備的橫截面圖。參照?qǐng)D1、圖3和圖10，顯示設(shè)備500D包括顯示基板100D、相對(duì)基板200和導(dǎo)電密 封劑400。顯示基板100D包括第一底基板101、晶體管TR、柵絕緣層102、保護(hù)層103、遮光部 120、濾色片140、有機(jī)層160、像素電極PE、柱狀間隔件171和短接焊盤151E。第一焊盤電極150a包括金屬層。第一焊盤電極150a包括與柵極線GL基本相同 的金屬層。替代地，第一焊盤電極150a包括與數(shù)據(jù)線DL基本相同的金屬層。設(shè)置于第一焊盤電極150a上的補(bǔ)償圖案CP以島形彼此隔開。補(bǔ)償圖案CP包括 具有與濾色片140基本相同的彩色光致抗蝕劑的第一色彩層140a和具有與濾色片140不 同的彩色光致抗蝕劑的第二色彩層140b。可根據(jù)制造工序改變具有第一色彩層140a和第 二色彩層140b的疊層結(jié)構(gòu)的順序?？蓪⒀a(bǔ)償堆疊圖案CP(140a/140b)設(shè)置在焊盤孔區(qū)域 160h中，該焊盤孔區(qū)域形成為穿過設(shè)置于第一焊盤電極150a上的有機(jī)層160。在相鄰的補(bǔ)償圖案CP隔開的區(qū)域中形成接觸孔150c。例如，在第一焊盤電極150a 中未形成補(bǔ)償圖案CP的區(qū)域中，形成接觸孔150c。第二焊盤電極150b包括導(dǎo)電材料，并設(shè)置在有機(jī)層160上。例如，第二焊盤電極 150b包括與像素電極PE基本相同的透明導(dǎo)電材料。第二焊盤電極150b通過形成于未設(shè)置 補(bǔ)償圖案CP的區(qū)域中的接觸孔150c與第一焊盤電極150a接觸。因此，短接焊盤結(jié)構(gòu)151的尺寸是幾毫米，而接觸孔150c的寬度大約是10 μ m,從 而大部分導(dǎo)電球CB分布在補(bǔ)償圖案CP的平面化的區(qū)域上，以防止導(dǎo)電球CB的開路缺陷。 短接焊盤結(jié)構(gòu)151的第二焊盤電極150b和相對(duì)基板200的公共電極210通過導(dǎo)電密封劑 400的導(dǎo)電球CB而電短路。另外，與之前參照?qǐng)D5的實(shí)例實(shí)施方式一樣，圖10的實(shí)施方式可具有第二補(bǔ)償圖 案173a，該第二補(bǔ)償圖案用與不透明的柱狀間隔件173基本相同的材料填充接觸孔150c， 從而使電極150b的頂面進(jìn)一步變平，尤其是使接觸孔150c的區(qū)域周圍變平。圖IlA至圖IlC是用于說明圖10的顯示基板的制造過程的流程圖。參照?qǐng)D3、圖10和圖11A，在第一底基板101上形成第一金屬圖案、柵絕緣層102、第二金屬圖案和保護(hù)層103。第一金屬圖案包括柵極線GL、晶體管TR的柵電極GE和短接 焊盤結(jié)構(gòu)151的第一焊盤電極151a。在其上形成有第一金屬圖案的第一底基板101上形 成柵絕緣層102，以覆蓋第一金屬圖案。柵絕緣層102可包括無機(jī)絕緣材料，例如，氮化硅 (SiNx)和氧化硅(SiOx)。通過使溝道層和第二金屬層同時(shí)圖案化，來形成第二金屬圖案。替代地，可利用 彼此不同的掩模使溝道層和第二金屬層圖案化。第二金屬圖案包括數(shù)據(jù)線DL、晶體管TR 的源電極SE和晶體管TR的漏電極DE。將未被源電極SE和漏電極DE覆蓋的溝道圖案CH 定義為晶體管TR的溝道區(qū)。在其上形成有第二金屬圖案的第一底基板101上形成保護(hù)層 103，以覆蓋第二金屬圖案。保護(hù)層103可包括無機(jī)絕緣材料，例如，氮化硅(SiNx)和氧化 硅(SiOx)。參照?qǐng)D3、圖10和圖11B，在其上形成有保護(hù)層103的第一底基板101上形成遮光 和/或光吸收材料層，并且，使遮光材料層圖案化，以形成遮光圖案。遮光圖案包括形成于 顯示區(qū)域DA中的遮光部120。在其上形成有遮光圖案的第一底基板101上形成第一彩色光致抗蝕劑層，并且， 使第一彩色光致抗蝕劑圖案化，以形成第一彩照?qǐng)D案。第一彩照?qǐng)D案包括形成于像素區(qū)域 中的濾色片140和形成于第一焊盤電極上的第一色彩層140a。然后，在其上形成有第一彩 照?qǐng)D案的第一底基板101上形成不同的第二彩色光致抗蝕劑層，并且，使第二彩色光致抗 蝕劑圖案化，以形成第二彩照?qǐng)D案。第二彩照?qǐng)D案包括形成于與濾色片140相鄰的像素區(qū) 域中的濾色片(未在圖中示出)和形成于第一色彩層140a上的第二色彩層140b。因此， 在第一焊盤電極150a上形成具有第一色彩層140a和第二色彩層140b的補(bǔ)償堆疊圖案 CP(140a/140b)。補(bǔ)償圖案CP形成為具有厚度t，從而補(bǔ)償圖案CP的階梯部可以具有與在 以下過程中形成的有機(jī)層160的階梯部基本相同的高度。通過分隔部120h將補(bǔ)償堆疊CP(140a/140b)以島形彼此隔開，并且，在形成有第 一焊盤電極150a的區(qū)域上，該補(bǔ)償堆疊形成于保護(hù)層103上。在不形成補(bǔ)償圖案CP的區(qū) 域中所形成的保護(hù)層103被暴露。補(bǔ)償圖案CP的階梯部具有與有機(jī)層160的階梯部基本 相同的高度，從而使短接焊盤結(jié)構(gòu)151的大部分區(qū)域變平。在其上形成有第二彩照?qǐng)D案的第一底基板101上形成有機(jī)層160。形成穿過漏電 極DE上方的有機(jī)層160的第二孔160c，并且，相應(yīng)于形成有第一焊盤電極150a的區(qū)域形成 穿過有機(jī)層160的焊盤孔區(qū)域160h。補(bǔ)償圖案CP設(shè)置在焊盤孔區(qū)域160h中。如圖所示， 焊盤孔區(qū)域160h可形成為將限定焊盤孔區(qū)域160h的有機(jī)層160的側(cè)壁與補(bǔ)償圖案CP隔 開。雖然未在圖中示出，但是限定焊盤孔區(qū)域160h的有機(jī)層160的側(cè)壁與補(bǔ)償圖案CP的 側(cè)壁接觸。例如，接觸孔150c的寬度W大約是10 μ m。參照?qǐng)D3、圖10和圖11C，對(duì)其上形成有第二孔160c和包括焊盤孔區(qū)域160h的有 機(jī)層160的第一底基板101進(jìn)行蝕刻，以蝕刻保護(hù)層103和柵絕緣層102。蝕刻與第二孔160c相應(yīng)的保護(hù)層103，以暴露漏電極DE，并且，對(duì)與不形成補(bǔ)償圖 案CP的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的保護(hù)層103和柵絕緣層102進(jìn)行蝕刻，以暴露第一焊盤電極150a。在通過其暴露漏電極DE和第一焊盤電極150a的第一底基板101上形成透明導(dǎo)電 層，并且形成透明導(dǎo)電圖案。該透明導(dǎo)電圖案包括像素電極PE和第二焊盤電極150b。第二 焊盤電極150b通過接觸孔150c與第一焊盤電極150a接觸。
在其上形成有透明導(dǎo)電圖案的第一底基板101上形成柱狀間隔件層，并且，使柱 狀間隔件層圖案化，以在顯示區(qū)域DA中形成柱狀間隔件171。柱狀間隔件層可包括透明材 料或不透明材料。例如，相應(yīng)于形成有晶體管TR的區(qū)域形成柱狀間隔件171。有機(jī)層160和補(bǔ)償圖案CP去除第二焊盤電極150b的下降部分，從而使除了接觸 孔150c以外的區(qū)域基本變平。因此，短接焊盤結(jié)構(gòu)151的尺寸是幾毫米，并且，接觸孔150c 的寬度W大約是10 μ m,從而大部分導(dǎo)電球CB分布在補(bǔ)償圖案CP的平面化的區(qū)域上，以防 止導(dǎo)電球CB的開路缺陷。短接焊盤結(jié)構(gòu)151的第二焊盤電極150b和相對(duì)基板200的公共 電極210可通過包括導(dǎo)電球CB的導(dǎo)電密封劑400而電短路。圖12是根據(jù)又一實(shí)例實(shí)施方式的短接焊盤結(jié)構(gòu)的放大平面圖。根據(jù)本實(shí)例實(shí)施 方式的補(bǔ)償圖案CP的平面結(jié)構(gòu)與之前的根據(jù)圖1至圖4E中的實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP 的平面結(jié)構(gòu)不同，并且，根據(jù)本實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP的橫截面結(jié)構(gòu)可與之前的根據(jù) 圖1至圖IlC中的實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP的橫截面結(jié)構(gòu)基本相同。參照?qǐng)D1和圖12，顯示設(shè)備500E包括短接焊盤結(jié)構(gòu)151E。短接焊盤結(jié)構(gòu)15IE包 括第一焊盤電極150a、補(bǔ)償圖案CP、接觸孔150c和第二焊盤電極150b。補(bǔ)償圖案CP設(shè)置在穿過設(shè)置于第一焊盤電極150a上的有機(jī)層160而形成的孔區(qū) 域160h中，以補(bǔ)償有機(jī)層160的階梯部。通過將形成有第一焊盤電極150a的區(qū)域劃分為 四個(gè)四分之一部分，設(shè)置四個(gè)補(bǔ)償圖案島CP。在四個(gè)補(bǔ)償圖案CP隔開的區(qū)域中限定接觸孔 150c。補(bǔ)償圖案CP有助于去除周圍的有機(jī)層160的下降部分，使得短接焊盤結(jié)構(gòu)151E 中除了接觸孔150c以外的區(qū)域可基本變平。因此，包括在導(dǎo)電密封劑400中的大部分導(dǎo)電 球CB分布在補(bǔ)償圖案CP上，以防止開路缺陷。根據(jù)本實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP可由彩色光致抗蝕劑層形成(與之前的根據(jù) 圖1至圖4E中的實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP類似)，可包括遮光材料層(與之前的根據(jù) 圖6至圖7C中的實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP類似)，可包括由彩色光致抗蝕劑層形成的色 彩層和具有遮光材料層的遮光層(與之前的根據(jù)圖8至圖9C中的實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖 案CP類似)，或者可包括由彼此不同的彩色光致抗蝕劑層形成的第一色彩層和第二色彩層 (與之前的根據(jù)圖10至圖IlC中的實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP類似)。替代地，本實(shí)例實(shí) 施方式可進(jìn)一步包括用透明柱狀間隔件層或不透明柱狀間隔件層填充接觸孔150c的第二 補(bǔ)償圖案(與之前的根據(jù)圖5中的實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP類似)。圖13是根據(jù)又一實(shí)例實(shí)施方式的短接焊盤的放大平面圖。根據(jù)本實(shí)例實(shí)施方式 的補(bǔ)償圖案CP的平面結(jié)構(gòu)與根據(jù)之前的圖1至圖4E中的實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP的 平面結(jié)構(gòu)不同，并且，根據(jù)本實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP的橫截面結(jié)構(gòu)可與根據(jù)之前的圖 1至圖IlC中的實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP的橫截面結(jié)構(gòu)基本相同。參照?qǐng)D1和圖13，顯示設(shè)備500F包括短接焊盤結(jié)構(gòu)151F。短接焊盤結(jié)構(gòu)15IF包 括第一焊盤電極150a、補(bǔ)償圖案CP、接觸孔150c和第二焊盤電極150b。補(bǔ)償圖案CP設(shè)置在穿過設(shè)置于第一焊盤電極150a上的有機(jī)層160而形成的焊盤 孔區(qū)域160h中，以補(bǔ)償有機(jī)層160的階梯部。接觸孔150c形成于補(bǔ)償圖案CP中，并且，第二焊盤電極150b通過接觸孔150c與 第一焊盤電極150a接觸。
在短接焊盤結(jié)構(gòu)151F中，補(bǔ)償圖案CP去除有機(jī)層160的階梯部，使得除了接觸孔 150c以外的區(qū)域變平。因此，包括在導(dǎo)電密封劑400中的大部分導(dǎo)電球CB分布在補(bǔ)償圖案 CP上，以防止開路缺陷。根據(jù)本實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP可由彩色光致抗蝕劑層形成(與之前的根據(jù) 圖1至圖4E中的實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP類似)，可包括遮光材料層(與之前的根據(jù) 圖6至圖7C中的實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP類似)，可包括由彩色光致抗蝕劑層形成的色 彩層和具有遮光材料層的遮光層(與之前的根據(jù)圖8至圖9C中的實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖 案CP類似)，或者可包括由彼此不同的彩色光致抗蝕劑層形成的第一色彩層和第二色彩層 (與之前的根據(jù)圖10至圖IlC中的實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP類似)。替代地，本實(shí)例實(shí) 施方式可進(jìn)一步包括用透明柱狀間隔件層或不透明柱狀間隔件層填充接觸孔150c的第二 補(bǔ)償圖案(與之前的根據(jù)圖5中的實(shí)例實(shí)施方式的補(bǔ)償圖案CP類似)。根據(jù)本公開的各實(shí)例實(shí)施方式，短接焊盤結(jié)構(gòu)的升高部分形成于顯示基板上，以 有助于將顯示設(shè)備的顯示基板與顯示設(shè)備的相對(duì)基板電連接，并防止包括在導(dǎo)電密封劑中 的導(dǎo)電球的開路缺陷。上述內(nèi)容是說明本教導(dǎo)的，并且不應(yīng)解釋為限制本教導(dǎo)。雖然已經(jīng)描述了幾個(gè)實(shí) 例實(shí)施方式，但是相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員從上述內(nèi)容容易理解，在本質(zhì)上不背離本公開的新 穎教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的前提下，可以對(duì)實(shí)例實(shí)施方式進(jìn)行各種修改。因此，所有這些修改旨在包括 在本教導(dǎo)的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求書中，裝置加功能的條款旨在覆蓋這里描述的執(zhí)行所述功 能的結(jié)構(gòu)，不僅是結(jié)構(gòu)等同物，而且是功能上等同的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種第一顯示基板，與隔開的且疊置的第二基板一起使用，其中，在所述第一顯示基 板和所述第二基板之間形成一個(gè)或多個(gè)電接觸連接，所述第一顯示基板具有設(shè)置在相對(duì)于 所述第一顯示基板的底部分的不同高度上的層部分，所述第一顯示基板包括多個(gè)像素電極，設(shè)置在所述第一顯示基板的顯示區(qū)域中，每個(gè)像素電極與設(shè)置在所述 第一顯示基板上的多個(gè)晶體管中的相應(yīng)一個(gè)電連接，每個(gè)晶體管與設(shè)置在所述第一顯示基 板上的多條柵極線中的相應(yīng)一條連接，并與設(shè)置在所述第一顯示基板上的多條數(shù)據(jù)線中的 相應(yīng)一條連接；電絕緣有機(jī)層，設(shè)置在所述第一顯示基板上，所述有機(jī)層包括介于各個(gè)晶體管和其相 應(yīng)的像素電極之間的部分；以及短接焊盤結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第一顯示基板的外圍區(qū)域中，所 述短接焊盤的表面包括第一焊盤電極，設(shè)置在所述第一顯示基板的第一高度部分處；第一高度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第一焊盤電極上，所述第一高度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述 第一顯示基板的焊盤孔區(qū)域內(nèi)，其中，所述焊盤孔區(qū)域由貫穿所述電絕緣有機(jī)層的非顯示 部分的各自的焊盤孔所限定；以及第二焊盤電極，設(shè)置在所述第一顯示基板的第二高度部分處，所述第二高度部分位于 所述第一高度部分的上方，其中，所述第一高度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)介于所述第一焊盤電極和所述第 二焊盤電極之間，并且其中，所述第二焊盤電極通過接觸孔方式與所述第一焊盤電極電連 接，所述接觸孔限定為穿過所述第一高度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的接觸孔暴露區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的第一顯示基板，進(jìn)一步包括柱狀間隔件，由間隔件材料形成并設(shè)置在所述第一顯示基板的顯示區(qū)域中；以及第二高度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第一高度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的接觸孔暴露區(qū)域中，以填充所述 接觸孔暴露區(qū)域，所述第二高度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)由與所述柱狀間隔件基本相同的間隔件材料制 造。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的第一顯示基板，進(jìn)一步包括濾色片材料，所述濾色片材料被 設(shè)置為在相應(yīng)的一個(gè)像素電極的下方限定各自的濾色片，其中，所述第一高度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)至 少包括第一高度限定層，所述第一高度限定層限定所述第一高度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的高度并由基本 上相同的濾色片材料構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的第一顯示基板，進(jìn)一步包括多種不同的濾色片材料，其被設(shè) 置為在相應(yīng)的一個(gè)像素電極的下方限定各自的濾色片，其中，所述第一高度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)至少 包括第一高度限定層和第二高度限定層，所述第一高度限定層和所述第二高度限定層共同 限定所述第一高度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的高度，其中，所述第一高度限定層由與所述多種不同的濾色 片材料中的第一濾色片材料基本上相同的材料組成，并且其中，所述第二高度限定層由與 所述多種不同的濾色片材料中的第二濾色片材料基本上相同的材料組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的第一顯示基板，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述第一顯示基板的設(shè)置 有柵極線和數(shù)據(jù)線的區(qū)域中的遮光材料，其中，所述第一高度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)包括與所述遮光材 料基本相同的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的第一顯示基板，進(jìn)一步包括一種濾色片材料或多種不同的濾色片材料，被設(shè)置為在相應(yīng)的一個(gè)像素電極的下方限 定各自的濾色片；以及遮光材料，設(shè)置在所述第一顯示基板的設(shè)置有柵極線和數(shù)據(jù)線的區(qū)域中，其中，所述第一高度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)至少包括第一高度限定層和第二高度限定層，所述第一 高度限定層和所述第二高度限定層共同限定所述第一高度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的高度，其中，所述第 一高度限定層由與所述一種或多種濾色片材料中的一種基本上相同的材料構(gòu)成，并且其 中，所述第二高度限定層由與所述遮光材料基本上相同的材料構(gòu)成。
7.一種顯示裝置，包括顯示基板，所述顯示基板包括 有機(jī)層，設(shè)置在底基板上并設(shè)置在形成于所述底基 板上的晶體管和像素電極之間； 短接焊盤結(jié)構(gòu)，所述短接焊盤結(jié)構(gòu)包括 第一焊盤電極，包括金屬層；第一高度補(bǔ)償圖案，設(shè)置在焊盤孔中的焊盤電極上，所述焊盤孔形成為穿過所述有機(jī) 層；以及第二焊盤電極，通過接觸孔與所述第一焊盤電極電連接，所述接觸孔形成在由所述第 一高度補(bǔ)償圖案暴露的區(qū)域中；相對(duì)基板，面向所述顯示基板并且包括公共電極；以及導(dǎo)電密封劑，包括導(dǎo)電球，所述導(dǎo)電球?qū)⑺龆探雍副P結(jié)構(gòu)與所述公共電極電連接，并 且所述導(dǎo)電密封劑將所述顯示基板與所述相對(duì)基板組合在一起。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括柱狀間隔件，保持所述顯示基板和所述相對(duì)基板之間的距離；以及 第二補(bǔ)償堆疊圖案，利用與所述柱狀間隔件基本相同的材料填充所述接觸孔上方的空間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，所述柱狀間隔件包括不透明的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括 濾色片，設(shè)置在所述底基板和所述像素電極之間，其中，所述第一高度補(bǔ)償圖案包括與所述濾色片基本相同的彩照材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括濾色片，設(shè)置在所述底基板和所述像素電極之間，其中，所述第一高度補(bǔ)償圖案包括具 有與所述濾色片基本相同的彩照材料的第一色彩層和具有與所述濾色片不同的彩照材料 的第二色彩層。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括 柵極線，與所述晶體管的柵電極連接；數(shù)據(jù)線，與所述柵極線交叉，并與所述晶體管的源電極連接；以及遮光部，設(shè)置在形成有所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域處，以阻擋光，其中，所述第一高度補(bǔ)償圖案包括與所述遮光部的遮光材料基本相同的遮光材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括 柵極線，與所述晶體管的柵電極連接；數(shù)據(jù)線，與所述柵極線交叉，并與所述晶體管的源電極連接；以及 遮光部，設(shè)置在形成有所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域處，以阻擋光，其中，所述第一高度補(bǔ)償圖案包括具有與所述濾色片基本相同的彩照材料的色彩層和 具有與所述遮光部基本相同的遮光材料的遮光層。
全文摘要
本發(fā)明公開顯示基板及其制造方法和具有該顯示基板的顯示設(shè)備。顯示基板包括像素電極、有機(jī)層和短接焊盤結(jié)構(gòu)。像素電極布置在底基板的顯示區(qū)域處，并且，像素電極與連接至柵極線和數(shù)據(jù)線的晶體管電連接。有機(jī)層布置在底基板處，有機(jī)層布置在晶體管和像素電極之間。短接焊盤結(jié)構(gòu)布置在顯示區(qū)域的外圍區(qū)域，短接焊盤結(jié)構(gòu)包括處于較低高度的第一焊盤電極、處于較高高度的第二焊盤電極、以及介于第一和第二焊盤電極之間的第一高度補(bǔ)償堆疊圖案。接觸孔限定為穿過有機(jī)層，使得第二焊盤電極可通過接觸孔與第一焊盤電極電連接。
文檔編號(hào)G02F1/1335GK102043297SQ20101028815
公開日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2010年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月19日
發(fā)明者樸貞恩, 金希駿 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社