專利名稱:濾光片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實用新型涉及數(shù)碼相機(jī)等光學(xué)儀器使用的一種濾光片,特別與其中的紫外線或紅外線截止濾光片有關(guān)。
背景技術(shù):
數(shù)碼相機(jī)是通過C-MOS和CXD把拍照的對象從模擬對象轉(zhuǎn)化為成數(shù)字式,這種情 形下作為C-MOS和CCD需要使用一種紅外線截止濾光片即IR濾光片,采取IR濾光片的目 的是為了防止拍照時紅外線領(lǐng)域信息的攝入,如果沒有這種IR濾光片或IR濾光片性能不 良的話,肉眼看不到的信息也會被攝入,因此IR濾光片的性能不容忽視。為了滿足上述截 止紅外線的需要,通常在濾光片的玻璃基片上設(shè)置有紅外線截止膜。但現(xiàn)有技術(shù)中上述濾 光片的紅外線截止膜所采取的技術(shù)方式不盡合理,雖然對紅外線有一定的截止作用,但對 紫外線確不能進(jìn)行有效地截止,還有待于進(jìn)一步改進(jìn)。
實用新型內(nèi)容本實用新型的任務(wù)在于提供濾光片。其技術(shù)解決方案是一種濾光片,包括玻璃基片,在玻璃基片的某一側(cè)面或兩側(cè)面制備第一膜層,在第 一膜層上制備第二膜層;第二膜層為交互層,第二膜層的厚度為4300 4900nm。上述第一膜層為氟化鎂膜層;上述交互層由氧化鈦膜層與二氧化硅膜層交替制備 形成,其中,交互層的最外側(cè)為二氧化硅膜層;上述第二膜層中,氧化鈦膜層與二氧化硅膜 層兩者的層數(shù)合計為41 49層。本實用新型的有益技術(shù)效果是本實用新型采取上述成膜方式,經(jīng)驗證采取折射率在1. 49 1. 54范圍內(nèi)的光學(xué) 玻璃基片,紫外線領(lǐng)域或紅外線領(lǐng)域的透過率均小于1 %,能夠更為有效地截止紫外線領(lǐng)域 或紅外線領(lǐng)域的信息攝入。此外,最下層采取氟化鎂膜層,可以提高成膜與玻璃基片的附著性與緊密度即密 著性好。
以下結(jié)合附圖
與具體實施方式
對本實用新型作進(jìn)一步說明圖為本實用新型的一種實施方式的剖示結(jié)構(gòu)原理示意圖。
具體實施方式
結(jié)合附圖,一種濾光片,包括玻璃基片1,在玻璃基片1的一個側(cè)面制備第一膜層 2,第一膜層2為氟化鎂膜層,膜層的厚度一般為18 20nm。在第一膜層上制備第二膜層 3,第二膜層為由氧化鈦膜層300與二氧化硅膜層301交替制備形成的交互層,如若先制備一層氧化鈦膜層,則在該層氧化鈦膜層上制備一層二氧化硅膜層,然后再在該層二氧化硅膜層上制備一層氧化鈦膜層,如此交替進(jìn)行下去,當(dāng)氧化鈦膜層與二氧化硅膜層兩者的層 數(shù)合計為41、42、45、46、47或49層、第二膜層的厚度為4300、4400、4500、4800或4900nm時 即告完成,此時,只要保證第二膜層(整個交互層)的最外側(cè)為二氧化硅膜層即可。上述各膜層的制備可采取現(xiàn)有技術(shù)中的有關(guān)鍍膜技術(shù)方式如真空蒸鍍法,或磁控 管濺鍍法等實施。除上述實施方式外,濾光片也可以這樣實施,即在玻璃基片的兩側(cè)面均設(shè)置有上 述方式中的第一膜層與第二膜層。
權(quán)利要求一種濾光片,包括玻璃基片,其特征在于在所述玻璃基片的某一側(cè)面或兩側(cè)面制備第一膜層,在第一膜層上制備第二膜層;第二膜層為交互層,第二膜層的厚度為4300~4900nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾光片,其特征在于所述第一膜層為氟化鎂膜層;所述交互 層由氧化鈦膜層與二氧化硅膜層交替制備形成,其中,交互層的最外側(cè)為二氧化硅膜層;上 述第二膜層中,氧化鈦膜層與二氧化硅膜層兩者的層數(shù)合計為41 49層。
專利摘要本實用新型公開一種濾光片,在玻璃基片的某一側(cè)面或兩側(cè)面制備第一膜層,在第一膜層上制備第二膜層;第二膜層為交互層,第二膜層的厚度為4300~4900nm。第一膜層為氟化鎂膜層;所述交互層由氧化鈦膜層與二氧化硅膜層交替制備形成,其中,交互層的最外側(cè)為二氧化硅膜層;上述第二膜層中,氧化鈦膜層與二氧化硅膜層兩者的層數(shù)合計為41~49層。本實用新型采取上述成膜方式,經(jīng)驗證采取折射率在1.49~1.54范圍內(nèi)的光學(xué)玻璃基片,紫外線領(lǐng)域或紅外線領(lǐng)域的透過率均小于1%,能夠更為有效地截止紫外線領(lǐng)域或紅外線領(lǐng)域的信息攝入。
文檔編號G02B5/20GK201576107SQ20102010295
公開日2010年9月8日 申請日期2010年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月28日
發(fā)明者中山恭司, 石田克則 申請人:青島豪雅光電子有限公司