專利名稱：表面發(fā)射激光器、陣列、光學(xué)掃描裝置和成像設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的特定方面涉及表面發(fā)射激光器、表面發(fā)射激光器陣列、包括表面發(fā)射激光器或者表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)掃描裝置和包括光學(xué)掃描裝置的成像設(shè)備。
背景技術(shù)：
包括作為光源的激光器成像設(shè)備廣泛用于電子照相記錄。用于電子照相記錄的典型的成像設(shè)備包括光學(xué)掃描裝置，其通過由光源發(fā)出并被偏轉(zhuǎn)器偏轉(zhuǎn)的光束掃描感光鼓的表面以在感光鼓表面上形成潛象。這樣的光學(xué)掃描裝置包括光學(xué)系統(tǒng)，其包括掃描透鏡。如果進(jìn)入光學(xué)系統(tǒng)的光的偏振態(tài)不穩(wěn)定，那么從成像設(shè)備輸出的圖像的質(zhì)量會(huì)被降級(jí)。為了防止或者減少該問題，已經(jīng)提出各種用于控制從表面發(fā)射激光器發(fā)出的光的偏振態(tài)的方法。在第一方法中，其被認(rèn)為是最有希望的方法，使用傾斜襯底(例如，見專利文獻(xiàn)1和非專利文獻(xiàn)1)。在第二方法中，各向異性應(yīng)力施加到有源層(例如，見專利文獻(xiàn)2和3)。在第三方法中，使用具有矩形或者橢圓形狀的選擇性氧化層(例如，見專利文獻(xiàn) 4-6)。在第四方法中，使用具有非均一厚度的選擇性氧化層(例如，見專利文獻(xiàn)7)。但是，第一方法缺乏穩(wěn)定性。例如，對(duì)于第一方法，當(dāng)激光器的溫度變高或者激光器長時(shí)間工作時(shí)，光的偏振態(tài)變得不穩(wěn)定。對(duì)于第二方法，其中引線(wire)可以被拉出的方向受到限制，并且不能使用各向同性的干蝕刻來形成臺(tái)面(mesa)。結(jié)果，這增加激光器的成本。第三方法不利地影響光束的形狀(截面形狀)。對(duì)于第四方法，不能使用金屬有機(jī)化學(xué)蒸汽沉積(MOCVD)來生產(chǎn)激光器。結(jié)果，這增加生產(chǎn)成本。[專利文獻(xiàn)1]日本專利No. 4010095[專利文獻(xiàn)2]日本專利No. 3606059[專利文獻(xiàn)3]日本專利申請(qǐng)公開No.2006-13366[專利文獻(xiàn)4]日本專利No. 3799667[專利文獻(xiàn)5]日本專利No.3551718[專利文獻(xiàn)6]日本專利No. 2891133[專利文獻(xiàn)7]日本專利No. 38OO852[非專利文獻(xiàn)1]T. Ohtosh, Τ. Kuroda, A. Niwa和S. Tsuji的“在具有應(yīng)變量子阱的表面發(fā)射激光器中光學(xué)增益對(duì)晶體取向的相關(guān)性(D^endence of optical gain on crystal orientation in surface-emitting lasers with strained quant μ m wells)，，， App 1. Phys. Lett. 65 (15)，1994 年 10 月 10 日。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供表面發(fā)射激光器、表面發(fā)射激光器陣列、包括表面發(fā)射激光器或者表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)掃描裝置和包括光學(xué)掃描裝置的成像設(shè)備，其解決或者減少現(xiàn)有技術(shù)的限制和不利所致的一種或多種問題。根據(jù)本發(fā)明的一方面，表面發(fā)射激光器包括襯底和堆疊在襯底上的多層半導(dǎo)體層，并配置得以在垂直于襯底的方向發(fā)光。襯底的主平面的法線相對(duì)于其中一個(gè)晶體取向 <100>朝向其中一個(gè)晶體取向<111>傾斜。半導(dǎo)體層包括諧振器結(jié)構(gòu)，其包括有源層；和半導(dǎo)體多層鏡，該半導(dǎo)體多層鏡堆疊在諧振器結(jié)構(gòu)上并包括限制結(jié)構(gòu)，其中電流通過區(qū)域由氧化區(qū)域圍繞，氧化區(qū)域包括至少一種氧化物，其通過氧化包含鋁的選擇性氧化層的一部分而產(chǎn)生。由氧化所致的應(yīng)變場(chǎng)至少存在于圍繞電流通過區(qū)域的氧化區(qū)域的附近的一部分中。在應(yīng)變場(chǎng)中，在平行于襯底表面并垂直于其中一個(gè)晶體取向<100>和其中一個(gè)晶體取向<111>的第一軸方向的應(yīng)變值不同于在垂直于法線和第一軸方向二者的第二軸方向的應(yīng)變值。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的激光打印機(jī)的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2是示出圖1所示的光學(xué)掃描裝置的示意圖；圖3是示出圖2所示的光源的表面發(fā)射激光器的視圖；圖4A和4B是示出圖3所示的襯底的視圖；圖5是圖3所示的有源層周圍部分的放大圖；圖6是圖3所示的上半導(dǎo)體DBR的一部分的放大圖；圖7是沿著圖3的線A-A剖開的表面發(fā)射激光器的截面視圖；圖8是示出通過頂顯微鏡觀察到的氧化層和電流通過區(qū)域的圖形；圖9是示出氧化速率比和偏振抑制比之間的關(guān)系的曲線；圖IOA是沿著圖7的線A-A剖開的氧化物限制結(jié)構(gòu)的截面視圖；圖IOB是示出Syl和Sy2的示例性值的表；圖IlA是沿著圖7的線B-B剖開的氧化物限制結(jié)構(gòu)的截面視圖；圖IlB是示出Sxl和&c2的示例性值的表；圖IlC是示出Syl和的示例性值的表；圖12是圖3所示的表面發(fā)射激光器中的陰極發(fā)光的測(cè)量峰值波長的曲線；圖13是示出根據(jù)對(duì)比例1的表面發(fā)射激光器中的陰極發(fā)光的測(cè)量峰值波長的曲線.
一入 ，圖14是示出根據(jù)對(duì)比例2的表面發(fā)射激光器中的陰極發(fā)光的測(cè)量峰值波長的曲線.
一入 ，圖15是示出選擇性氧化層的氧化長度和厚度之間的關(guān)系的曲線；圖16是示出表面發(fā)射激光器陣列的視圖；圖17是示出圖16所示的光發(fā)射體的二維布置的視圖；圖18是沿著圖17的線A-A剖開的光發(fā)射體的截面視圖；以及圖19是示出彩色打印機(jī)的結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的激光打印機(jī)1000的結(jié)構(gòu)的示意圖。激光打印機(jī)1000包括光學(xué)掃描裝置1010、感光鼓1030、充電器1031、顯影輥 1032、轉(zhuǎn)印充電器1033、放電單元1034、清潔單元1035、色粉盒1036、饋紙輥1037、饋紙托盤1038、抵靠輥對(duì)1039、定影輥1041、紙張彈出輥1042、紙張接收托盤1043、通信控制單元 1050和用于控制其它部件的打印機(jī)控制單元1060。這些部件布置在打印機(jī)外殼1044中的相應(yīng)位置中。通信控制單元1050控制通過例如網(wǎng)絡(luò)與上游設(shè)備(例如，個(gè)人電腦)的雙向通
fn °感光鼓1030為圓筒狀，其表面覆蓋有感光層，感光層由光束進(jìn)行掃描。感光鼓 1030配置得以在圖1所示的箭頭方向旋轉(zhuǎn)。充電器1031、顯影輥1032、轉(zhuǎn)印充電器1033、放電單元10；34和清潔單元10；34定位為靠近感光鼓1030的表面并沿著感光鼓1030的轉(zhuǎn)動(dòng)方向以上述順序排列。充電器1031對(duì)感光鼓1030的表面均勻充電。光學(xué)掃描裝置1010通過光束照射通過充電器1031充電的感光鼓1030的表面，光束根據(jù)來自上游設(shè)備的圖像信息進(jìn)行調(diào)制。結(jié)果，在感光鼓1030的表面上形成對(duì)應(yīng)圖像信息的潛象。形成的潛象隨著感光鼓1030旋轉(zhuǎn)向著顯影輥1032移動(dòng)。光學(xué)掃描裝置1010 的結(jié)構(gòu)稍后描述。色粉盒1036包含色粉并供應(yīng)色粉到顯影輥1032。顯影輥1032使得從色粉盒1036供應(yīng)的色粉附著到形成在感光鼓1030上的潛象上，從而顯影潛象。顯影的潛象(在此及后稱作色粉圖像)隨著感光鼓1030旋轉(zhuǎn)向著轉(zhuǎn)印充電器1033移動(dòng)。饋紙托盤1038容納記錄紙張1040。饋紙輥1037定位為靠近饋紙托盤1038并從饋紙托盤1038將記錄紙張1040 —張一張地饋送到抵靠輥對(duì)1039。抵靠輥對(duì)1039臨時(shí)保持從饋紙輥1037饋送的記錄紙張1040并根據(jù)感光鼓1030的旋轉(zhuǎn)將紙張1040饋送到感光鼓1030和轉(zhuǎn)印充電器1033之間的間隙中。具有與色粉極性相反的極性的電壓施加到轉(zhuǎn)印充電器1033以電吸引在感光鼓 1030上的色粉到記錄紙張1040。換句話說，電壓使得感光鼓1030上的色粉圖像轉(zhuǎn)印到記錄紙張1040上。具有轉(zhuǎn)印的圖像的記錄紙張1040傳遞到定影輥1041。定影輥1041施加熱和壓力到記錄紙張1040，從而將色粉圖像定影到記錄紙張 1040上。然后，記錄紙張1040由紙張彈出輥1042彈出并堆疊在紙張接收托盤1043中上。放電單元1034對(duì)感光鼓1030表面放電。清潔單元1035將殘留在感光鼓1030表面上的色粉(殘余色粉)移除。在殘余色粉移除后，感光鼓1030的表面返回到面對(duì)充電器1031的位置。下面描述光學(xué)掃描裝置1010的示例性結(jié)構(gòu)。如圖2所示，光學(xué)掃描裝置1010包括偏轉(zhuǎn)器側(cè)掃描透鏡11a、圖像表面?zhèn)葤呙柰哥Rlib、多角鏡13、光源14、耦合透鏡15、光圈擋片16、變形透鏡17、反射鏡18和掃描控制單元(未示出)。這些部件布置在殼體30中的相應(yīng)位置中。在下面的描述中，對(duì)應(yīng)主掃描方向的方向稱作“主方向”，對(duì)應(yīng)副掃描方向的方向稱作“副方向”。耦合透鏡15大致校準(zhǔn)從光源14發(fā)出的光束。光源14和耦合透鏡15固定到由鋁制成的保持器，從而結(jié)合為一個(gè)單元。光圈擋片16具有用于限制通過耦合透鏡15的光束的直徑的光圈。變形透鏡17使得通過光圈擋片16的光圈的光束由反射鏡18反射并在副方向聚焦在多角鏡13的偏轉(zhuǎn)表面附近。布置在光源14和多角鏡13之間的光路中的光學(xué)系統(tǒng)也稱作偏轉(zhuǎn)器前光學(xué)系統(tǒng)。 在該實(shí)施例中，偏轉(zhuǎn)器前光學(xué)系統(tǒng)包括耦合透鏡15、光圈擋片16、變形透鏡17和反射鏡18。例如，多角鏡13是具有18毫米的內(nèi)接圓半徑的六面鏡，其中六面鏡子的每一面用作偏轉(zhuǎn)表面。多角鏡13當(dāng)以恒定的速率圍繞平行于副方向的軸旋轉(zhuǎn)時(shí)偏轉(zhuǎn)來自反射鏡18 的光束。偏轉(zhuǎn)器側(cè)掃描透鏡Ila布置在由多角鏡13偏轉(zhuǎn)的光束的路徑中。圖像表面?zhèn)葤呙柰哥Rlib布置在通過偏轉(zhuǎn)器側(cè)掃描透鏡Ila的光束的路徑中。通過圖像表面?zhèn)葤呙柰哥Rlib的光束在感光鼓1030表面上形成光點(diǎn)。形成的光點(diǎn)隨著多角鏡13旋轉(zhuǎn)在感光鼓1030的縱向方向移動(dòng)。換句話說，感光鼓1030被光點(diǎn)掃描。光點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)方向是主掃描方向，感光鼓1030的旋轉(zhuǎn)方向是副掃描方向。布置在多角鏡13和感光鼓1030之間的光路中的光學(xué)系統(tǒng)也稱作掃描光學(xué)系統(tǒng)。 在該實(shí)施例中，掃描光學(xué)系統(tǒng)包括偏轉(zhuǎn)器側(cè)掃描透鏡Ila和圖像表面?zhèn)葤呙柰哥Rlib。再者，一個(gè)或多個(gè)彎曲鏡可設(shè)置在偏轉(zhuǎn)器側(cè)掃描透鏡Ila和圖像表面?zhèn)葤呙柰哥Rlib之間的光路中和/或在圖像表面?zhèn)葤呙柰哥Rlib和感光鼓1030之間的光路中。光源14包括圖3中舉例示出的表面發(fā)射激光器100。在本申請(qǐng)中，激光振蕩方向稱作Z軸方向，垂直于Z軸方向的平面中的兩個(gè)正交方向稱作X軸方向和Y軸方向。表面發(fā)射激光器100具有在780nm波段的設(shè)計(jì)振蕩波長，并包括襯底101、下半導(dǎo)體DBR103、下間隔層104、有源層105、上間隔層106、上半導(dǎo)體DBR(半導(dǎo)體多層鏡)107和接觸層109。襯底101是具有鏡面拋光表面的n-GaAs單晶襯底。如圖4A所示，鏡面拋光表面的法線相對(duì)于晶體取向[100]向著晶體取向[111]A傾斜15度(Θ = 15度)。換句話說，襯底101是傾斜的襯底。在該實(shí)施例中，如圖4B所示，襯底101定位成以使得晶體取向W1-1] 對(duì)應(yīng)+X方向，晶體取向W-ii]對(duì)應(yīng)-χ方向。同樣地，假定X軸方向是期望的偏振方向。下半導(dǎo)體DBR103經(jīng)由緩沖層(未示出)堆疊在襯底101的+Z側(cè)上，并包括40. 5 對(duì)主要由n-AIAs形成的低折射率層103a和主要由Ii-Ala3Giia7As形成的高折射率層。在每對(duì)折射率層之間，設(shè)置具有逐漸改變的組分且厚度為20nm的組分梯度層(未示出)以降低電阻。每一折射率層和鄰接的組分梯度層的一半的組合光學(xué)厚度是λ/4，其中λ表示振蕩波長。當(dāng)層的光學(xué)厚度為λ/4時(shí)，該層的實(shí)際厚度為λ/4Ν，其中N表示該層介質(zhì)的折射率。下間隔層104堆疊在下半導(dǎo)體DBR103的+Z側(cè)上并主要由未摻雜的 (Al0. iGa0.9) 0.5In0.5P 組成。
7
有源層105堆疊在下間隔層104的+Z側(cè)上，并且如圖5中舉例所示，包括三層量子阱層10 和四層阻擋層10恥。每一量子阱層10 主要由feJnPAs組成，其引起0. 7% 的壓縮應(yīng)變并具有大約780nm的波段間隙波長。每一阻擋層10 主要由G^l68Ina 32P組成， 其引起0.6%的拉伸應(yīng)變。隨著應(yīng)變?cè)龃螅乜昭ê洼p空穴的波段離差(band dispersion)增大。結(jié)果，這增大增益，減小閾值，并提高效率(增大功率)。這還改善載流子限制能力并降低閾值，從而使得可能降低上半導(dǎo)體DBR107的反射力，其導(dǎo)致功率的進(jìn)一步增大。上間隔層106堆疊在有源層105的+Z側(cè)上，并主要由未摻雜的(Al。, ^a0.9) 0.5In0.5P 形成。下間隔層104、有源層105和上間隔層106形成具有一個(gè)波長的光學(xué)厚度的諧振器結(jié)構(gòu)。有源層105定位在諧振器結(jié)構(gòu)中間，其對(duì)應(yīng)于電場(chǎng)駐波分布的波峰以實(shí)現(xiàn)高受激發(fā)射概率。上半導(dǎo)體DBR107堆疊在上隔板層106的+Z側(cè)上并包括23對(duì)低折射率層和高折射率層。在每對(duì)折射率層之間，設(shè)置具有逐漸改變的組分的組分梯度層(未示出)以降低電阻。如圖6中舉例所示，選擇性氧化層108主要由p-AlAs組成并具有30nm的均一厚度，其插入到上半導(dǎo)體DBR107的低折射率層之一中。選擇性氧化層108插入到從上間隔層 106的第三低折射率層中，其位于距上間隔層106的5 λ /4的光學(xué)距離上。包括選擇性氧化層108的低折射率層和鄰接的組分梯度層的一半的組合光學(xué)厚度為3 λ/4。同時(shí)，除了包括選擇性氧化層108的低折射率層和鄰接的組分梯度層的一半之外，上半導(dǎo)體DBR107的每個(gè)折射率層的組合光學(xué)厚度為λ/4。同樣如圖6所示，中間層107m主要由P-Ala81G^ll9As形成并具有38nm的厚度，其設(shè)置在選擇性氧化層108的-Z和+Z側(cè)上。如圖6所示，包括選擇性氧化層108的低折射率層還包括主要由P-Ala7Giia3As組成并與中間層107m相鄰地定位的層107c (在此及后稱作低折射層107c)。在上半導(dǎo)體DBR107中，107a表示除了包括選擇性氧化層108的低折射率層之外的低折射率層。低折射率層107a主要由P-Ala9GiiaiAs組成。同樣地，在上半導(dǎo)體DBR107 中，107b表示高折射率層。高折射率層107b主要由P-Ala3Giia7As組成。接觸層109堆疊在上半導(dǎo)體DBR107的+Z側(cè)上并主要由p-GaAs組成。在此及后，通過將多層半導(dǎo)體層堆疊在襯底101上形成的結(jié)構(gòu)，如上所述，稱作 “層疊結(jié)構(gòu)”。下面概述生產(chǎn)表面發(fā)射激光器100的示例性方法。(1)如上所述的層疊結(jié)構(gòu)通過金屬有機(jī)化學(xué)蒸汽沉積(MOCVD)或者分子束外延 (MBE)生長晶體而生產(chǎn)。在該例子中，三甲基鋁(TMA)、三甲基鎵(TMG)、三甲基銦(TMI)用作族III材料， 磷化氫(PH3)和三氫化砷(AsH3)用作族V材料。再者，四溴化碳(CBr4)和二甲基鋅(DMZn) 用作用于P類型摻雜物材料，硒化氫(H2Se)用作用于η類型摻雜物的材料。對(duì)于載流子氣， 使用H2。對(duì)于MOCVD方法，通過控制供應(yīng)的源氣的量可以容易地形成如組分梯度層的結(jié)構(gòu)。 因此，作為用于包括半導(dǎo)體DBR的表面發(fā)射激光器的晶體生長方法，MOCVD方法比MBE方法更加優(yōu)選。再者，對(duì)于MOCVD方法，通過控制供應(yīng)的源氣的量以及供應(yīng)源氣的持續(xù)時(shí)間，而不是如同在MBE方法中使用高真空，可以生長晶體。因此，MOCVD方法同樣適于批量生產(chǎn)。(2)在層疊結(jié)構(gòu)的表面上形成具有20 μ m邊長的正方形光阻圖案。(3)形狀象四棱柱的臺(tái)面通過ECR蝕刻形成，ECR蝕刻采用Cl2氣體將正方形光阻圖案作為光掩模。在該例子中，蝕刻停止在下間隔層104中(見圖3)。臺(tái)面的尺寸(一邊的長度)優(yōu)選地大于或等于ΙΟμπι。如果臺(tái)面太小，在操作期間產(chǎn)生的熱量積聚，激光器的性能會(huì)被降級(jí)。(4)去除光掩模。(5)層疊機(jī)構(gòu)通過水蒸氣進(jìn)行熱處理。在該例子中，假定其中布置有層疊結(jié)構(gòu)的臺(tái)面的溫度為380°C，氧化時(shí)間為37分鐘。通過熱處理，在選擇性氧化層108中的鋁(Al) 從臺(tái)面的圓周表面選擇性地氧化，結(jié)果，由Al的氧化層(氧化區(qū)域)108a圍繞的未氧化的區(qū)域108留在臺(tái)面的中心(見圖幻。換句話說，其中光發(fā)射體驅(qū)動(dòng)電流的路徑被限制在臺(tái)面的中心部分的氧化物限制結(jié)構(gòu)得以形成。也就是，未氧化的區(qū)域108b用作電流通過區(qū)域 (電流注入?yún)^(qū)域)。(6)主要由SiN或者SiO2組成的保護(hù)層111通過化學(xué)蒸汽沉積(CVD)形成(見圖 3)。(7)用聚酰亞胺112平整該層疊結(jié)構(gòu)(見圖3)。(8)用于ρ電極113的開口形成在臺(tái)面的上側(cè)中。在該例子中，光阻形成在臺(tái)面的上側(cè)，并且與要形成的開口相對(duì)應(yīng)的光阻的那部分通過曝光而被去除。然后，通過BHF蝕刻保護(hù)層111以形成開口。(9)具有ΙΟμπι邊長的正方形光阻圖案形成在臺(tái)面的上側(cè)的區(qū)域上以用作光輸出部分，用于P電極113的材料被沉積。作為用于ρ電極113的材料，可以使用由Cr、Auai和 Au形成的多層薄膜或者由Ti、Pt和Au組成的多層薄膜。(10)在光輸出部分上的電極材料被提去(lift off)以形成ρ電極113(見圖3)。(11)襯底101的底面被打磨到預(yù)定厚度(例如，大約100 μ m)，然后形成n_電極 114(見圖3)。在該例子中，由AuGe、Ni和Au形成的多層薄膜用于η電極114。(12)ρ電極113和η電極114之間的歐姆導(dǎo)通通過退火實(shí)現(xiàn)。結(jié)果，臺(tái)面變?yōu)楣獍l(fā)射體。(13)然后，其中形成有多個(gè)表面發(fā)射激光器100的層疊結(jié)構(gòu)被切成片。在測(cè)試中，上述產(chǎn)生的表面發(fā)射激光器100發(fā)出線偏振光，并且光的偏振方向在期望的X軸方向穩(wěn)定。從表面發(fā)射激光器100發(fā)出的光束的形狀(遠(yuǎn)場(chǎng)圖案FFP)為大致圓形的。圖7是沿著圖3的線A-A剖開的表面發(fā)射激光器100的截面視圖。在圖7中，dyl 表示氧化層108a的+Y端和電流通過區(qū)域108b的+Y端之間的距離；dy2表示氧化層108a 的-Y端和電流通過區(qū)域108b的-Y端之間的距離；dxl表示氧化層108a的+X端和電流通過區(qū)域108b的+X端之間的距離；dx2表示氧化層108a的-X端和電流通過區(qū)域108b的-X 端之間的距離。使用頂顯微鏡測(cè)量距離，測(cè)量結(jié)果表明dy2 > dyl, dx2 ^ dxl > dyl。在此，dyl對(duì)應(yīng)在-γ方向進(jìn)行的氧化的長度(氧化長度或者距離)，dy2對(duì)應(yīng)在+Y 方向進(jìn)行的氧化的長度，dxl對(duì)應(yīng)在-X方向進(jìn)行的氧化的長度，dx2對(duì)應(yīng)在+X方向進(jìn)行的氧化的長度。因?yàn)檠趸瘯r(shí)間恒定，氧化長度隨著氧化速率增大而增大。因此，上面的測(cè)量結(jié)果表明在-Y方向的氧化速率慢于在+Y、+X和-χ方向的氧化速率。同樣地，根據(jù)測(cè)量結(jié)果，dyl/dxl (氧化速率比)為0.95。圖9示出在僅氧化條件變化的實(shí)驗(yàn)中氧化速率比和偏振抑制比之間的關(guān)系。偏振抑制比是在期望的偏振方向上光的強(qiáng)度與在垂直于期望的偏振方向的方向上光的強(qiáng)度的比。例如，對(duì)于復(fù)印機(jī)，通常需要大約20dB的偏振抑制比。如圖9所示，氧化速率比從0. 95 逐漸增大。當(dāng)氧化速率比達(dá)到大約0.98時(shí)偏振抑制比開始減小，并且當(dāng)氧化速率比達(dá)到 0. 995時(shí)變得小于20dB。當(dāng)氧化速率比大于或者等于0. 995時(shí)，偏振態(tài)非常不穩(wěn)定，并且當(dāng)產(chǎn)生的熱量或者工作時(shí)間達(dá)到特定值時(shí)，偏振方向旋轉(zhuǎn)。該實(shí)施例的表面發(fā)射激光器100 的偏振抑制比大于或者等于20dB。圖IOA是沿著圖7的線A-A剖開的氧化物限制結(jié)構(gòu)的截面視圖。氧化層108a的截面通過透射電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行觀測(cè)。根據(jù)觀測(cè)結(jié)果，氧化層108a的截面在氧化處理方向稍微向下傾斜。在圖IOB中，Syl表示氧化層108a在電流通過區(qū)域108b的+Y側(cè)上的厚度，Sy2表示氧化層108a在電流通過區(qū)域108b的-Y側(cè)上的厚度。厚度Syl和Sy2在沿著Y軸的不同位置進(jìn)行測(cè)量。如圖IOB所示，在距相應(yīng)的氧化端點(diǎn)相同距離處，Syl大于 Sy2。圖IlA是沿著圖7的線B-B的氧化物限制結(jié)構(gòu)的截面視圖。在圖IlB中，Sxl表示氧化層108a在電流通過區(qū)域108b的-X側(cè)上的厚度，Sx2表示氧化層108a在電流通過區(qū)域108b的+X側(cè)上的厚度。厚度Sxl和Sx2在沿著X軸的不同位置進(jìn)行測(cè)量。如圖IlB 所示，Sxl和Sx2在距相應(yīng)的氧化端點(diǎn)相同距離處大致相同。同樣地，如圖IlC所示，在距相應(yīng)氧化端點(diǎn)相同距離處，Sxl和Sx2小于Syl。同時(shí)，通過上述選擇性氧化形成的應(yīng)變場(chǎng)可以例如從通過TEM獲得的選取區(qū)域的電子衍射圖像檢測(cè)。根據(jù)所獲得的該實(shí)施例的表面發(fā)射激光器100的選取區(qū)域的電子衍射圖像，由選擇性氧化所致的應(yīng)變場(chǎng)在氧化端點(diǎn)附近更大，在氧化端點(diǎn)附近觀測(cè)到應(yīng)變場(chǎng)對(duì)有源層105的影響。這意味著局部應(yīng)變已經(jīng)通過選擇性氧化施加到有源層105。本發(fā)明的發(fā)明人通過使用陰極發(fā)光(CL)技術(shù)測(cè)量施加到有源層105的局部應(yīng)變的程度(應(yīng)變量)。圖12是示出在沿著Y軸方向的各個(gè)位置處表面發(fā)射激光器100上的有源層105中的陰極發(fā)光的測(cè)量峰值波長的曲線。如圖12所示，在對(duì)應(yīng)氧化端點(diǎn)附近的位置上的峰值波長關(guān)于在對(duì)應(yīng)電流通過區(qū)域108b的區(qū)域中的峰值波長的變化(在此及后稱作“偏移量”) 是正的。這表明拉伸應(yīng)力在位置Fl和F2上存在。再者，在+Y側(cè)上位置Fl處的偏移量Π 大于在-Y側(cè)上位置F2處的偏移量f2。換句話說，在位置Fl的拉伸應(yīng)力大于在位置F2的拉伸應(yīng)力。認(rèn)為，拉伸應(yīng)力中的差異是由Syl和Sy2之間的差異(Syl > Sy2)所致。在feilnAsP情形中，陰極發(fā)光中大約Inm的偏移量對(duì)應(yīng)大約0. 02%的應(yīng)變量(見， 例如，M. Watanabe, H. Matsuura 禾口 N. Shimada 的“Investigation of tensile-strained InGaAIP multiquant μ m-well active regions by photoluminescence measurements，，； J. Appi. Phys. 76 (12)，1994 年 12 月 15 日)。在該實(shí)施例的表面發(fā)射激光器100中，在Fl位置的偏移量fl大于在位置F2的偏移量f2大約Inm(見圖12)。這表明具有大約0. 02%各向異性的局部應(yīng)變已經(jīng)施加到表面
10發(fā)射激光器100的有源層105。圖13是示出根據(jù)對(duì)比例1在降級(jí)的表面發(fā)射激光器中的陰極發(fā)光的測(cè)量峰值波長的曲線。在圖13中，大約ΙΟμπι的峰值波長的降低被認(rèn)為是由于降級(jí)導(dǎo)致的發(fā)射強(qiáng)度降低所致，因此被忽略。在這種情形中，在對(duì)應(yīng)氧化端點(diǎn)附近的位置F3和F4的偏移量大致是相同的，并且施加到有源層的局部應(yīng)變的各向異性為大約0. 002%。對(duì)比例1的表面發(fā)射激光器的光的偏振態(tài)不穩(wěn)定。圖14是示出具有比表面發(fā)射激光器100的氧化層更厚的氧化層的對(duì)比例2的表面發(fā)射激光器中的陰極發(fā)光的測(cè)量峰值波長的曲線。在這種情形中，在對(duì)應(yīng)氧化端點(diǎn)附近的位置F5和F6處的偏移量二者都為大約3nm。3nm的偏移量對(duì)應(yīng)大約0. 06%的應(yīng)變量。 在60°C用固定在1. 4mff的輸出功率在對(duì)比例2的表面發(fā)射激光器上進(jìn)行壽命測(cè)試，激光器的壽命是數(shù)百小時(shí)。與典型的表面發(fā)射激光器的數(shù)千小時(shí)的壽命相比，對(duì)比例2的表面發(fā)射激光器的壽命明顯短。對(duì)于數(shù)百小時(shí)的壽命，表面發(fā)射激光器不能滿足成像設(shè)備的要求。 這樣，如果施加到表面發(fā)射激光器的有源層用于偏振控制的局部應(yīng)變量變得0. 06%那么大，表面發(fā)生激光器的壽命會(huì)降低。同樣地，類似的結(jié)果利用如下的表面發(fā)射激光器獲得， 在該表面發(fā)射激光器中氧化層布置得比在表面發(fā)射激光器100中更靠近有源層。在具有應(yīng)變量子阱結(jié)構(gòu)的典型的有源層中，應(yīng)變通過例如間隔層進(jìn)行補(bǔ)償，并且在平面中是均一的。因此，在這樣的有源層中應(yīng)變對(duì)壽命的影響以不同于上述的局部應(yīng)變的方式進(jìn)行測(cè)量。影響表面發(fā)射激光器的壽命的應(yīng)變是由局部氧化所致的局部應(yīng)變，因此不能通過典型的光致發(fā)光技術(shù)量化。這樣的局部應(yīng)變的量化通過本發(fā)明的發(fā)明人的研究在表面發(fā)射激光器上利用陰極發(fā)光技術(shù)已經(jīng)變?yōu)榭赡?。如上所述，該?shí)施例的表面發(fā)射激光器100包括襯底101，其主平面的法線相對(duì)于晶體取向[100]向著晶體取向[111]傾斜15度；以及堆疊在襯底101上的層疊結(jié)構(gòu)。層疊結(jié)構(gòu)包括氧化物限制結(jié)構(gòu)，其包括氧化層108a。應(yīng)變場(chǎng)至少在氧化層108a的附近的一部分中通過氧化形成。在應(yīng)變場(chǎng)中，在X軸方向(第一軸方向)的應(yīng)變量不同于在Y軸方向 (第二軸方向)中的應(yīng)變量。借助該結(jié)構(gòu)，在有源層105中的量子阱示出光學(xué)特性，該光學(xué)特性是由襯底101所致的光學(xué)各向異性和由氧化層108a的附近的應(yīng)變場(chǎng)所致的光學(xué)各向異性的總和。結(jié)果，這使得穩(wěn)定光束的偏振態(tài)而不會(huì)影響光束的形狀且不會(huì)增加生產(chǎn)成本成為可能。當(dāng)使用傾斜的襯底時(shí)，選擇性地氧化包括Al的選擇性氧化層的速率表明在平面中各向異性(in-plane anisotropy) 0通過各種實(shí)驗(yàn)，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)氧化速率在平面中的各向異性取決于氧化條件而變化很大。再者，本發(fā)明人在精確控制氧化速率的方法上進(jìn)行了詳細(xì)研究，并發(fā)現(xiàn)這樣的氧化條件，在該條件下，電流通過區(qū)域的形狀變得二軸對(duì)稱，即使當(dāng)氧化速率表現(xiàn)出在平面中各向異性時(shí)。借助具有二軸對(duì)稱形狀的電流通過區(qū)域， 輸出光束的偏振方向趨于對(duì)準(zhǔn)二軸之一。換句話說，其變得更容易控制光的偏振。在第一軸方向(在此，X軸方向)的氧化速率，在負(fù)第二軸方向(在此，-Y方向) 的氧化速率和在正第二軸方向(在此，+Y方向)的氧化速率彼此不同，并且它們的數(shù)量級(jí)取決于氧化條件而變化。通過各種氧化條件形成氧化層并通過TEM觀測(cè)來測(cè)量氧化層的厚度，通過頂顯微鏡測(cè)量其氧化速率(氧化長度)，并通過CL技術(shù)測(cè)量應(yīng)變量。結(jié)果表明，不管氧化條件如何，隨著氧化層厚度增大，應(yīng)變量變得更大且氧化速率變得更慢(氧化長度變得更短)。認(rèn)為，如果氧化速率慢，氧化在厚度方向進(jìn)行，從而增大體積收縮，其導(dǎo)致應(yīng)變量增大。表面發(fā)射激光器以與表面發(fā)射激光器100大致相同的方式制備，除了選擇性氧化層的厚度分別變?yōu)?2nm和34nm，測(cè)量距離dyl、dy2、dxl和dx2。根據(jù)測(cè)量結(jié)果，dxl和dx2 為大約10 μ m，并大致相同，不管選擇性氧化層的厚度如何。同樣地，如圖15所示，dyl小于dxl大約0.5 μ m，而不管選擇性氧化層的厚度如何。再者，發(fā)現(xiàn)，dxl和dy2之間的差異 (Ady2)隨著選擇性氧化層厚度增大而增大。這表明dy2取決于選擇性氧化層厚度而變化。 這樣，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，氧化速率的各向異性取決于選擇性氧化層的厚度而變化，即使當(dāng)氧化條件不變時(shí)。本實(shí)施例的光學(xué)掃描裝置1010包括光源14，該光源14包括表面發(fā)射激光器100， 因此可以穩(wěn)定地執(zhí)行光學(xué)掃描。本實(shí)施例的激光打印機(jī)1000包括光學(xué)掃描裝置1010，因此可以形成高質(zhì)量的圖像。可用于本發(fā)明的氧化條件并不限于生產(chǎn)表面發(fā)射激光器100的方法中步驟(5)所述的那些?？梢允褂萌魏窝趸瘲l件，只要其中在X軸方向的應(yīng)變量不同于在Y軸方向的應(yīng)變量的應(yīng)變場(chǎng)可以通過至少在氧化層108a的附近的一部分中選擇性的氧化而形成。本發(fā)明并不限于上述其中期望的偏振方向是X軸方向的實(shí)施例。例如，利用襯底 101相對(duì)于{100}平面的特定傾斜方向和特定傾斜角，期望的偏振方向可變?yōu)閅軸方向。選擇性氧化層的材料并不限于上面實(shí)施例中所述的p-AlAs。例如，選擇性氧化層還可以包括 Ga (例如，P-Al0.98Ga0. 02As)。選擇性氧化層108的插入點(diǎn)并不限于如上述實(shí)施例中所述的距上間隔層 1065 λ /4的光學(xué)距離的位置。例如，選擇性氧化層108可以插入距上間隔層1063 λ /4或者 7入/4的光學(xué)距離的位置。與激光振蕩方向垂直的臺(tái)面的截面并不限于上述正方形。例如，臺(tái)面的截面可以具有圓形、橢圓形或者矩形形狀。在上面的實(shí)施例中，襯底101的主平面的法線相對(duì)于晶體取向[100]朝向晶體取向[111]傾斜15度。但是，本發(fā)明并不限于上面公開的實(shí)施例。襯底101的主平面的法線可以相對(duì)于任何一個(gè)晶體取向<100>朝向任何一個(gè)晶體取向<111>傾斜任何角度。在任何情形中，氧化條件可以根據(jù)傾斜方向和角度確定以使得在X軸方向和在Y軸方向的應(yīng)變量變得不同。再者，光源14可包括如圖16所示的表面發(fā)射激光器陣列500，而不是表面發(fā)射激光器100。在表面發(fā)射激光器陣列500中，多個(gè)光發(fā)射體(在這個(gè)例子中，32個(gè)光發(fā)射體)布置在相同的襯底上。在圖16中，箭頭Μ(Μ方向)表示主方向，箭頭S(S方向)表示副方向。 發(fā)射體的數(shù)量并不限于32。如圖17所示，光發(fā)射體布置為四排。在每一排中，以相同間隔沿著T方向布置八個(gè)光發(fā)射體，該T方向從M方向向著S方向傾斜。四排的光發(fā)射體以間隔d布置在S方向， 以使得如果所有的光發(fā)射體正交地投影于在S方向延伸的虛擬的線上，突起的光發(fā)射體以間隔c布置。這樣，32個(gè)光發(fā)射體二維布置。在本申請(qǐng)中，光發(fā)射體之間的間隔由光發(fā)射體中心之間的距離表示。在這個(gè)例子中，間隔c是3 μ m，間隔d是M μ m，在M方向在光發(fā)射體之間的間隔 x(見圖 17)為 30μ 。圖18是沿著圖17的線A-A剖開的光發(fā)射體的截面視圖。如圖18所示，每個(gè)光發(fā)射體具有與上述表面發(fā)射激光器100的結(jié)構(gòu)大致相同的結(jié)構(gòu)。因此，在表面發(fā)射激光器陣列500中的每個(gè)光發(fā)射體可以以與表面發(fā)射激光器100大致相同的方式生產(chǎn)。換句話說，表面發(fā)射激光器陣列500通過集成多個(gè)表面發(fā)射激光器100而生產(chǎn)，因此具有與表面發(fā)射激光器100大致相同的優(yōu)點(diǎn)。如上所述，在表面發(fā)射激光器陣列500中，當(dāng)正交地投影在沿著副方向延伸的虛擬的線上時(shí)，光發(fā)射體以間隔c布置。通過以適當(dāng)?shù)臅r(shí)序打開光發(fā)射體，光發(fā)射體在感光鼓 1030上提供在副掃描方向中以規(guī)則的間隔排列的光點(diǎn)陣列。假定間隔c為3 μ m且光學(xué)掃描裝置1010的光學(xué)系統(tǒng)的放大率為1. 8，該結(jié)構(gòu)使得能夠以4800dpi的分辨率掃描。掃描分辨率或者打印質(zhì)量可以通過在主方向增加光發(fā)射體的數(shù)量，通過減小間隔d從而減小光發(fā)射體的間隔c，或者通過減小光學(xué)系統(tǒng)的放大率而進(jìn)一步提高。在主掃描方向的掃描間隔可以通過控制光發(fā)射體的打開時(shí)序而容易地調(diào)節(jié)。該結(jié)構(gòu)允許激光打印機(jī)1000形成具有更高點(diǎn)密度的圖像而不會(huì)降低打印速率。 再者，對(duì)于不變的點(diǎn)密度，上述結(jié)構(gòu)使得可能增大打印速率。再者，因?yàn)閬碜怨獍l(fā)射體的光束的偏振態(tài)穩(wěn)定且均一，所以激光打印機(jī)1000可以穩(wěn)定地形成高質(zhì)量圖像。同時(shí)，相鄰光發(fā)射體之間的間隙優(yōu)選地為5μπι或者更大以電分離或者空間分離光發(fā)射體。如果間隙太小，在生產(chǎn)過程中變得難以控制蝕刻過程。臺(tái)面的大小(一側(cè)長度) 優(yōu)選地大于或等于10 μ m。如果臺(tái)面太小，在操作過程中產(chǎn)生的熱量積聚，激光器的性能會(huì)降級(jí)。光發(fā)射體的振蕩波長并不限于上述實(shí)施例中的780nm波段。光發(fā)射體的振蕩波長可以根據(jù)感光鼓1030的特性而變化。表面發(fā)射激光器100和表面發(fā)射激光器陣列500還可用于除了成像設(shè)備之外的應(yīng)用。在這樣的情形中，振蕩波長可以例如變化為650nm波段、850nm波段、980nm波段、1. 3 μ m 波段或者1. 5 μ m波段，取決于應(yīng)用。在上面的實(shí)施例中，表面發(fā)射激光器100可以由表面發(fā)射激光器陣列替代，其中具有與表面發(fā)射激光器100大致相同的結(jié)構(gòu)的每個(gè)光發(fā)射體一維布置。本發(fā)明的成像設(shè)備并不限于上面實(shí)施例的激光打印機(jī)1000。換句話說，光學(xué)掃描裝置1010可以結(jié)合在其它類型的成像設(shè)備中。例如，可以使用直接在記錄介質(zhì)(例如紙張)上形成圖像的成像設(shè)備，該記錄介質(zhì)當(dāng)被激光束照射時(shí)顯影顏色。再者，可以使用利用銀膜作為圖像載體的成像設(shè)備。在使用銀膜的成像設(shè)備中，潛象通過光學(xué)掃描形成在銀膜上，并且形成的潛象以與鹵化銀照相大致相同的方式顯影。然后，顯影的圖像通過印刷工藝如同在鹵化銀照相中地轉(zhuǎn)印到照相紙上。這樣的成像設(shè)備可以用作例如光盤制造設(shè)備或者用于繪制CT掃描圖像的光學(xué)繪圖器。再者，本發(fā)明可以應(yīng)用到包括多個(gè)感光鼓的彩色打印機(jī)。圖19是示出彩色打印機(jī)2000的結(jié)構(gòu)的示意圖。彩色打印機(jī)2000是串聯(lián)式彩色打印機(jī)，其通過重疊四種顏色(黑色、青色、品紅色和黃色)而形成全色圖像。彩色打印機(jī)2000包括用于黑色的感光鼓K1、充電器K2、顯影單元K4、清潔單元K5和轉(zhuǎn)印單元K6 ；用于青色的感光鼓Cl、充電器C2、顯影單元C4、清潔單元C5和轉(zhuǎn)印單元C6 ；用于品紅色的感光鼓Ml、充電器M2、顯影單元M4、清潔單元M5和轉(zhuǎn)印單元M6 ；用于黃色的感光鼓Y1、充電器Y2、顯影單元W、清潔單元TO和轉(zhuǎn)印單元Y6 ；光學(xué)掃描裝置2010 ；轉(zhuǎn)印帶2080和定影單元2030。感光鼓在圖19所示的箭頭方向旋轉(zhuǎn)；并且充電器、顯影單元、轉(zhuǎn)印單元和清潔單元沿著相應(yīng)的感光鼓的旋轉(zhuǎn)方向布置。充電器對(duì)相應(yīng)的感光鼓表面均一充電。感光鼓的充電表面通過光學(xué)掃描裝置2010掃描以形成潛象。然后，顯影單元將在相應(yīng)的感光鼓上的潛象顯影以形成不同顏色的色粉圖像。轉(zhuǎn)印單元轉(zhuǎn)印不同顏色的色粉圖像到轉(zhuǎn)印帶2080上的記錄紙張上以形成彩色圖像，定影單元2030將彩色圖像定影到記錄紙張上。光學(xué)掃描裝置2010包括用于每種顏色的具有與光源14大致相同的結(jié)構(gòu)的光源。 因此，光學(xué)掃描裝置2010具有與光學(xué)掃描裝置1010的優(yōu)點(diǎn)大致相同的優(yōu)點(diǎn)。同樣地，因?yàn)椴噬蛴C(jī)2000包括光學(xué)掃描裝置2010，所以彩色打印機(jī)2000提供與激光打印機(jī)1000大致相同的優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)，在彩色打印機(jī)2000中，由于部件的制造誤差和組裝誤差，會(huì)發(fā)生顏色錯(cuò)位。 假定光學(xué)掃描裝置2010的每個(gè)光源包括類似于表面發(fā)射激光器陣列500的表面發(fā)射激光器陣列，這樣的顏色錯(cuò)位可以通過改變待打開的光發(fā)射體而被校正或者降低。如上所述，本發(fā)明的一方面提供了表面發(fā)射激光器和表面發(fā)射激光器陣列，其可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定光束的偏振態(tài)而不會(huì)影響光束的形狀而且不會(huì)增大生產(chǎn)成本。同樣地，本發(fā)明的一方面提供了可以穩(wěn)定地執(zhí)行光學(xué)掃描的光學(xué)掃描裝置。再者，本發(fā)明的一方面提供可以形成高質(zhì)量圖像的成像設(shè)備。本發(fā)明并不限于特定公開的實(shí)施例，在不超出本發(fā)明的范圍的前提下可以進(jìn)行變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種表面發(fā)射激光器，包括襯底，其具有主平面，所述主平面的法線相對(duì)于其中一個(gè)晶體取向<100>朝向其中一個(gè)晶體取向<111>傾斜，其中所述表面發(fā)射激光器配置成在垂直于所述襯底的方向發(fā)光； 以及堆疊在所述襯底上的多層半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括諧振器結(jié)構(gòu)，該諧振器結(jié)構(gòu)包括有源層，以及半導(dǎo)體多層鏡，該半導(dǎo)體多層鏡堆疊在所述諧振器結(jié)構(gòu)上并包括限制結(jié)構(gòu)，其中電流通過區(qū)域由包括至少氧化物的氧化區(qū)域圍繞，該氧化物通過氧化包含鋁的選擇性氧化層的一部分所產(chǎn)生，其中由所述氧化所致的應(yīng)變場(chǎng)至少在圍繞所述電流通過區(qū)域的所述氧化區(qū)域附近的一部分中存在；以及在所述應(yīng)變場(chǎng)中，在平行于所述襯底的表面且垂直于所述其中一個(gè)晶體取向<100>和所述其中一個(gè)晶體取向<111> 二者的第一軸方向上的應(yīng)變量不同于在垂直于所述法線和所述第一軸方向二者的第二軸方向上的應(yīng)變量。
2.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器，其中，其中已經(jīng)在所述第一軸方向進(jìn)行氧化的氧化區(qū)域的一部分的厚度小于其中已經(jīng)在所述第二軸方向進(jìn)行氧化的氧化區(qū)域的一部分的厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器，其中所述半導(dǎo)體層通過在氧化之前進(jìn)行蝕刻而成形為臺(tái)面，以使得至少所述選擇性氧化層在該臺(tái)面的橫向側(cè)暴露；以及在垂直于其中光發(fā)射的方向的平面中，在所述第二軸方向的氧化速率慢于在所述第一軸方向的氧化速率。
4.如權(quán)利要求2所述的表面發(fā)射激光器，其中，其中已經(jīng)向著所述第二軸方向的一端進(jìn)行氧化的氧化區(qū)域的所述部分的第一部分的厚度大于其中已經(jīng)向著所述第二軸方向的另一端進(jìn)行氧化的氧化區(qū)域的所述部分的第二部分的厚度。
5.如權(quán)利要求4所述的表面發(fā)射激光器，其中，當(dāng)在所述第一軸方向的氧化速率為1 時(shí)，向著所述第二軸方向的一端的氧化速率小于0. 995。
6.一種表面發(fā)射激光器陣列，包括多個(gè)如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的表面發(fā)射激光
7.一種用于光學(xué)掃描目標(biāo)表面的光學(xué)掃描裝置，包括光源，該光源包括如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的表面發(fā)射激光器；偏轉(zhuǎn)器，該偏轉(zhuǎn)器配置成偏轉(zhuǎn)從所述光源發(fā)出的光；和掃描光學(xué)系統(tǒng)，該掃描光學(xué)系統(tǒng)配置成將通過所述偏轉(zhuǎn)器偏轉(zhuǎn)的光聚焦在所述目標(biāo)表面上。
8.一種用于光學(xué)掃描目標(biāo)表面的光學(xué)掃描裝置，包括光源，該光源包括如權(quán)利要求6所述的表面發(fā)射激光器陣列；偏轉(zhuǎn)器，該偏轉(zhuǎn)器配置成偏轉(zhuǎn)從所述光源發(fā)出的光；和掃描光學(xué)系統(tǒng)，該掃描光學(xué)系統(tǒng)配置成將通過所述偏轉(zhuǎn)器偏轉(zhuǎn)的光聚焦在所述目標(biāo)表面上。
9.一種成像設(shè)備，包括 至少一個(gè)圖像載體；和如權(quán)利要求7所述的光學(xué)掃描裝置，該光學(xué)掃描裝置被配置成根據(jù)圖像信息用光掃描所述至少一個(gè)圖像載體。
10.如權(quán)利要求9所述的成像設(shè)備，其中，所述圖像信息是多色圖像信息。
11.一種成像設(shè)備，包括 至少一個(gè)圖像載體；和如權(quán)利要求8所述的光學(xué)掃描裝置，該光學(xué)掃描裝置被配置成根據(jù)圖像信息用光掃描所述至少一個(gè)圖像載體。
12.如權(quán)利要求11所述的成像設(shè)備，其中，所述圖像信息是多色圖像信息。
全文摘要
本發(fā)明公開了表面發(fā)射激光器、陣列、光學(xué)掃描裝置和成像設(shè)備，其中所述表面發(fā)射激光器包括襯底和堆疊在襯底上的多層半導(dǎo)體層。襯底的主平面的法線相對(duì)于其中一個(gè)晶體取向朝向其中一個(gè)晶體取向傾斜。所述半導(dǎo)體層包括諧振器結(jié)構(gòu)，其包括有源層；和半導(dǎo)體多層鏡，其堆疊在諧振器結(jié)構(gòu)上。半導(dǎo)體多層鏡包括限制結(jié)構(gòu)，其中電流通過區(qū)域由包括至少氧化物的氧化區(qū)域圍繞，該氧化物通過氧化包含鋁的選擇性氧化層的一部分產(chǎn)生。由氧化所致的應(yīng)變場(chǎng)存在于至少氧化區(qū)域附近的一部分中。在應(yīng)變場(chǎng)中，在第一軸方向的應(yīng)變量不同于在第二軸方向的應(yīng)變量。
文檔編號(hào)G03G15/04GK102324695SQ201110273300
公開日2012年1月18日 申請(qǐng)日期2009年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月13日
發(fā)明者佐藤俊一, 原坂和宏, 牧田憲吾, 石井稔浩, 菅原悟, 軸谷直人 申請(qǐng)人:株式會(huì)社理光