專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置，尤其涉及一種顯示裝置的陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
圖1示出公知液晶顯示面板的陣列基板的上視圖，柵極線(gate lines) 12由一金屬層形成，而數(shù)據(jù)線(data lines) 11、源極電極IlS與漏極電極IlD則由另一金屬層形成，像素電極14形成于相鄰的兩條柵極線12與相鄰的兩條數(shù)據(jù)線11所定義的像素區(qū)P內(nèi)，在形成數(shù)據(jù)線11、源極電極IlS及漏極電極IlD的金屬層與像素電極14之間具有鈍態(tài)保護(hù)層(passivation layer)(未示出)，為了讓漏極電極IlD與像素電極14產(chǎn)生電性連接,需要在漏極電極IlD的上方形成接觸孔(contact hole) 16于鈍態(tài)保護(hù)層中，并將像素電極14填充于接觸孔16內(nèi)，以與漏極電極IlD電性連接。為了承接接觸孔16，漏極電極IlD需要具有一凸出的金屬圖案IlP設(shè)置于像素區(qū)P內(nèi)，然而，漏極電極IlD凸出的金屬圖案IlP會造成公知液晶顯示面板的開口率下降。此外，在公知液晶顯示面板的陣列基板的外圍區(qū)域，形成柵極線12的金屬層與形成數(shù)據(jù)線11、源極電極IlS及漏極電極IlD的另一金屬層通常需要進(jìn)行電性連接，以符合電路設(shè)計(jì)的要求。由于在公知液晶顯示面板的陣列基板的外圍區(qū)域上，這兩層金屬層的位置沒有重疊的區(qū)域，因此需要在這兩層金屬層上方的絕緣層及鈍態(tài)保護(hù)層內(nèi)形成多個(gè)接觸孔，分別暴露出這兩層金屬層，并利用形成像素電極14的透明電極材料填充這些接觸孔，以電性連接位于外圍區(qū)域的這兩層金屬層。然而，形成像素電極14的透明電極材料的電阻值較高，因此會造成外圍區(qū)域的電路的電阻值增加。 另外，在公知的液晶顯示面板中，還具有彩色濾光片(color filter ;簡稱CF)基板與陣列基板對向設(shè)置，在彩色濾光片基板與陣列基板之間需要設(shè)置間隔物(spacer)，以控制這兩片基板之間的間距，間隔物通常是利用感光材料形成于彩色濾光片基板上，稱為彩色濾光片上的間隔物(spacer on CF ;簡稱S0C)，因此需要一道光掩模以及一道曝光與顯影工藝去完成彩色濾光片上的間隔物的制作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種顯示裝置及其制造方法，其特點(diǎn)在于顯示區(qū)內(nèi)不需設(shè)置接觸孔，因此無需于顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置承接接觸孔的金屬圖案，借此可以克服公知液晶顯示面板的問題，增加顯示裝置的開口率，降低陣列基板外圍區(qū)域的電路的電阻值，以及減少顯示裝置的工藝步驟，并節(jié)省制造成本。依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提供一種顯示裝置，顯示裝置具有顯示區(qū)及圍繞顯示區(qū)的外圍區(qū)，顯示裝置包括第一金屬層設(shè)置于顯示區(qū)及外圍區(qū)；絕緣層設(shè)置于顯示區(qū)及外圍區(qū)，覆蓋第一金屬層；圖案化半導(dǎo)體層設(shè)置于顯示區(qū)的絕緣層上；第二金屬層設(shè)置于圖案化半導(dǎo)體層上及外圍區(qū)的絕緣層上；透明導(dǎo)電層直接覆蓋位于顯示區(qū)的第二金屬層；以及保護(hù)層全面性地覆蓋第二金屬層、圖案化半導(dǎo)體層及透明導(dǎo)電層，其中保護(hù)層包含第一部分、第二部分及貫穿孔，且第一部分的高度大于第二部分的高度。依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提供一種顯示裝置的制造方法，顯示裝置具有顯示區(qū)及圍繞顯示區(qū)的外圍區(qū)，其制造方法包括形成第一金屬層于顯示區(qū)及外圍區(qū)；形成絕緣層于顯示區(qū)及外圍區(qū)，覆蓋第一金屬層；形成圖案化半導(dǎo)體層于顯示區(qū)的絕緣層上；形成第二金屬層于圖案化半導(dǎo)體層上及外圍區(qū)的絕緣層上；形成透明導(dǎo)電層直接覆蓋位于顯示區(qū)的第二金屬層；以及形成保護(hù)層，全面性地覆蓋第二金屬層、圖案化半導(dǎo)體層及透明導(dǎo)電層，其中保護(hù)層包含第一部分、第二部分及貫穿孔，且第一部分的高度大于第二部分的高度。本發(fā)明可增加顯示裝置的開口率，降低外圍電路的電阻值，減少顯示裝置的工藝步驟，并節(jié)省制造成本。為了讓本發(fā)明的上述目的、特征、及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1是示出公知的液晶顯示面板的陣列基板的上視圖。圖2是示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，顯示裝置的陣列基板的局部上視圖。圖3是示出沿著圖2的剖面線A-A’，本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板的局部剖面示意圖。圖4是示出依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，顯示裝置的陣列基板的局部上視圖。圖5是示出沿著圖4的剖面線B-B’，本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板的局部剖面示意圖。圖6A至圖6J是示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，制造顯示裝置的各中間階段的剖面示意圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下12、GL 柵極線；11、DL 數(shù)據(jù)線；I IS、IIOS 源極電極；11DU10D 漏極電極；IlP 漏極電極IlD凸出的金屬圖案；14U12P 像素電極；16 接觸孔；P 像素區(qū)；1、U 薄膜晶體管；100 第一基板；100A 顯示區(qū)；100B 外圍區(qū)；102 第一金屬層；102G 柵極；102B 第一金屬層的外圍電路；
104 絕緣層；106 半導(dǎo)體層、圖案化半導(dǎo)體層；108 歐姆接觸層；110 第二金屬層；IlOB 第二金屬層的外圍電路；112 透明導(dǎo)電層；112B 透明導(dǎo)電層圖案；114 保護(hù)層；114A 保護(hù)層的第一部分；114B 保護(hù)層的第二部分；114C 保護(hù)層的貫穿孔；120 第一光致抗蝕劑層、圖案化第一光致抗蝕劑層；122 圖案化第一光致抗蝕劑層的第一部分；124 圖案化第一光致抗蝕劑層的第二部分；126 圖案化第一光致抗蝕劑層的貫穿孔；128 開口；130、150 半調(diào)式掩模；130A、150A 不透光圖案；130BU50B 半透光圖案；130C、150C 透光圖案；140 第二光致抗蝕劑層、圖案化第二光致抗蝕劑層；160 框膠；200 第二基板；300 顯示介質(zhì)層；400 顯示裝置。
具體實(shí)施例方式參閱圖2，其示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，顯示裝置的陣列基板的局部上視圖。圖2中所顯示的薄膜晶體管(thin-film transistor ;簡稱TFT) I為I型元件(I typedevice)，其包含柵極(未示出)、絕緣層(未示出)、圖案化半導(dǎo)體層106、源極電極IlOS及漏極電極110D。如圖2所示，兩條相鄰的柵極線GL與兩條相鄰的數(shù)據(jù)線DL之間定義出像素區(qū)(pixel) P，柵極(未示出)、柵極線GL由第一金屬層102 (參閱圖3)形成，數(shù)據(jù)線DL、源極電極IlOS及漏極電極IlOD則由第二金屬層110 (參閱圖3)形成，像素電極112P由透明導(dǎo)電層112(參閱圖3)形成，像素電極112P設(shè)置于像素區(qū)P內(nèi)，且延伸至漏極電極IlOD上，在像素電極112P與漏極電極IlOD之間沒有鈍態(tài)保護(hù)層存在，像素電極112P直接覆蓋漏極電極IlOD而產(chǎn)生電性連接。因此，依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在漏極電極IlOD上方不需設(shè)置接觸孔，漏極電極IlOD不需因承接接觸孔而額外增加金屬圖案在像素區(qū)P內(nèi)，因此漏極電極IlOD不會占據(jù)像素區(qū)P，借此可以提高顯示裝置的開口率。圖3是示出沿著圖2的剖面線A-A’，本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板的局部剖面示意圖。形成柵極(未示出)、柵極線GL的第一金屬層102形成于第一基板100上，絕緣層104形成于第一金屬層102上，圖案化半導(dǎo)體層106形成于絕緣層104上，圖案化半導(dǎo)體層106例如為非晶硅層(a-Si)，源極電極IlOS與漏極電極IlOD形成于圖案化半導(dǎo)體層106上。此外，在源極電極110S、漏極電極IlOD與圖案化半導(dǎo)體層106之間還具有歐姆接觸層(ohmic contact layer) 108,歐姆接觸層108可以是N型重?fù)诫s的娃層(N+_Si)。形成像素電極112P的透明導(dǎo)電層112直接覆蓋漏極電極110D，且像素電極112P與圖案化半導(dǎo)體層106部分地重疊。保護(hù)層114全面性地覆蓋在源極電極110S、漏極電極110D、圖案化半導(dǎo)體層106、像素電極112P及絕緣層104上。參閱圖4，其示出依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，顯示裝置的陣列基板的局部上視圖。圖4中所示的薄膜晶體管U為U型元件(U type device),其包含柵極(未示出)、絕緣層(未示出)、圖案化半導(dǎo)體層106、源極電極IlOS及漏極電極110D。如圖4所示，兩條相鄰的柵極線GL與兩條相鄰的數(shù)據(jù)線DL之間定義出像素區(qū)P，柵極(未示出)、柵極線GL由第一金屬層102(參閱圖5)形成，數(shù)據(jù)線DL、源極電極IlOS及漏極電極IlOD則由第二金屬層110(參閱圖5)形成，像素電極112P由透明導(dǎo)電層112(參閱圖5)形成，像素電極112P設(shè)置于像素區(qū)P內(nèi)，且延伸至漏極電極IlOD上，在像素電極112P與漏極電極IlOD之間沒有鈍態(tài)保護(hù)層存在，像素電極112P直接覆蓋部分的漏極電極IlOD而產(chǎn)生電性連接。因此，依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在漏極電極IlOD上方不需設(shè)置接觸孔，漏極電極IlOD不需因承接接觸孔而額外增加金屬圖案在像素區(qū)P內(nèi)，因此漏極電極IIOD不會占據(jù)像素區(qū)P，借此可以提高顯示裝置的開口率。圖5是示出沿著圖4的剖面線B-B’，本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板的局部剖面示意圖。形成柵極(未示出)、柵極線GL的第一金屬層102形成于第一基板100上，絕緣層104形成于第一金屬層102上，圖案化半導(dǎo)體層106形成于絕緣層104上，形成源極電極IlOS與漏極電極IlOD的第二金屬層110形成于圖案化半導(dǎo)體層106上，此外，在源極電極110S、漏極電極IlOD與圖案化半導(dǎo)體層106之間還具有歐姆接觸層108。形成像素電極112P的透明導(dǎo)電層112直接覆蓋部分的漏極電極110D，且像素電極112P與圖案化半導(dǎo)體層106之間沒有重疊。保護(hù)層114全面性地覆蓋在源極電極110S、漏極電極110D、圖案化半導(dǎo)體層106、像素電極112P及絕緣層104上。圖6A至圖6J是示出依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，制造顯示裝置的各中間階段的剖面示意圖，其中薄膜晶體管是以U型元件為例進(jìn)行說明，然而，此制造方法也可以應(yīng)用在其他類型的薄膜晶體管，例如I型元件。圖6A至圖6J是示出顯示裝置的顯示區(qū)100A以及圍繞顯示區(qū)100A的外圍區(qū)100B，在顯示區(qū)100A中僅繪制一個(gè)薄膜晶體管元件作為代表，在外圍區(qū)100B中則為顯示裝置的外圍電路。參閱圖6A，首先提供第一基板100，作為陣列基板的基底，首先在第一基板100上沉積第一金屬層102，并且利用光刻與蝕刻工藝將第一金屬層102圖案化，在顯示區(qū)100A形成柵極102G、柵極線(未不出)，同時(shí)在外圍區(qū)100B形成由第一金屬層102制成的外圍電路102B。接著，在第一金屬層102上覆蓋絕緣層104，并且在絕緣層104上依序形成半導(dǎo)體層106、歐姆接觸層108以及第一光致抗蝕劑層120。在第一光致抗蝕劑層120上方提供半調(diào)式掩模(halftone mask) 130,半調(diào)式掩模130可以是灰階光掩模(gray photomask)、半調(diào)式光掩模(halftone photomask)或具有狹縫(slit)的光掩模，其具有光線穿透率約為0%的不透光圖案130A、光線穿透率約為50%的半透光圖案130B以及光線穿透率約為100%的透光圖案130C。利用半調(diào)式掩模130對第一光致抗蝕劑層120進(jìn)行曝光及顯影工藝，形成圖案化的第一光致抗蝕劑層120，如圖6B所示。圖案化的第一光致抗蝕劑層120包含第一部分122形成于顯示區(qū)100A的薄膜晶體管元件區(qū)上，亦即位于柵極102G的上方，第二部分124形成于薄膜晶體管元件區(qū)以外的顯示區(qū)100A與外圍區(qū)100B上，以及貫穿孔(through hole) 126形成于外圍區(qū)100B的第一金屬層102的電路102B上方，其中第一部分122對應(yīng)至不透光圖案130A，第二部分124對應(yīng)至半透光圖案130B，而貫穿孔126則對應(yīng)至透光圖案130C，使得第一部分122的高度大于第二部分124的高度，而貫穿孔126內(nèi)則無第一光致抗蝕劑層120存在。參閱圖6C，利用圖案化第一光致抗蝕劑層120作為掩模，經(jīng)由圖案化第一光致抗蝕劑層120的貫穿孔126(參閱圖6B)對外圍區(qū)100B的絕緣層104、半導(dǎo)體層106及歐姆接觸層108進(jìn)行蝕刻工藝，形成開口 128，暴露出外圍區(qū)100B內(nèi)由第一金屬層102形成的電路102B。接著,可使用氧氣灰化(O2 asher)的方式除去圖案化第一光致抗蝕劑層120的第二部分124，于第二部分124完全除去之后，剩余的第一部分122的高度也會降低，如圖6D所示。接著，使用圖案化第一光致抗蝕劑層120剩余的第一部分122作為掩模，對半導(dǎo)體層106及歐姆接觸層108進(jìn)行蝕刻工藝，在顯示區(qū)100A形成圖案化的半導(dǎo)體層106及圖案化的歐姆接觸層108，然后將剩余的第一部分122剝除，如圖6E所示。參閱圖6F,在第一基板100上方沉積第二金屬層110,并利用光刻與蝕刻工藝將第二金屬層110圖案化，在顯示區(qū)100A形成源極電極110S、漏極電極IlOD及數(shù)據(jù)線(未示出)，同時(shí)在外圍區(qū)100B形成由第二金屬層110制成的外圍電路110B。此時(shí)，在源極電極IlOS與漏極電極IlOD之間的部分歐姆接觸層108以及部分圖案化半導(dǎo)體層106利用蝕刻工藝除去。參閱圖6G,在第一基板100上方沉積透明導(dǎo)電層112,并利用光刻與蝕刻工藝將透明導(dǎo)電層112圖案化，在顯示區(qū)100A形成像素電極112P，像素電極112P直接覆蓋部分的漏極電極110D，同時(shí)在外圍區(qū)100B也形成透明導(dǎo)電層圖案112B，透明導(dǎo)電層圖案112B直接覆蓋由第二金屬層110制成的外圍電路110B。在另一實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙饘賹?10的材料為活性較低的金屬材料，則在外圍電路IlOB上不需形成透明導(dǎo)電層圖案112B來保護(hù)外圍電路IlOB0參閱圖6H，在第一基板100上方涂布第二光致抗蝕劑層140，第二光致抗蝕劑層140的材料為絕緣感光材料，在第二光致抗蝕劑層140上方提供半調(diào)式掩模150，其具有光線穿透率約為0%的不透光圖案150A、光線穿透率約為50%的半透光圖案150B以及光線穿透率約為100%的透光圖案150C。利用半調(diào)式掩模150對第二光致抗蝕劑層140進(jìn)行曝光及顯影工藝，形成保護(hù)層114，如圖61所示。保護(hù)層114包含第一部分114A形成于顯示區(qū)100A的不透光區(qū)域上，例如為薄膜晶體管元件U的上方，或者如圖2和圖4所示的柵極線GL或數(shù)據(jù)線DL的上方，或者對應(yīng)至黑色矩陣層(black matrix ;簡稱BM)的位置而設(shè)置。保護(hù)層114還具有貫穿孔114C形成于外圍區(qū)IOOB的透明導(dǎo)電層圖案112B上，且貫穿孔114C暴露出透明導(dǎo)電層圖案112B。在另一實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙饘賹?10的材料為活性較低的金屬材料，外圍電路IlOB上不需要透明導(dǎo)電層圖案112B保護(hù)，此時(shí)貫穿孔114C暴露出位于外圍區(qū)100B的部分外圍電路IlOB0此外，保護(hù)層114還包含第二部分114B，形成于第一部分114A與貫穿孔114C以外的顯示區(qū)100A與外圍區(qū)100B上，其中第一部分114A對應(yīng)至不透光圖案130A，第二部分114B對應(yīng)至半透光圖案130B，而貫穿孔114C則對應(yīng)至透光圖案130C，使得第一部分114A的高度大于第二部分114B的高度。參閱圖6J，提供第二基板200與第一基板100對向設(shè)置，第二基板200例如為彩色濾光片基板，在第二基板200與第一基板100之間填充顯示介質(zhì)層300，例如為液晶層，并且在外圍區(qū)100B設(shè)置框膠160密封顯示介質(zhì)層300，完成顯示裝置400的制作。如圖6J所示，保護(hù)層114的第一部分114A可作為第二基板200與第一基板100之間的間隔物(spacer),第一部分114A稱為陣列基板上的間隔物(spacer on array ;簡稱SOA)，可支撐第二基板200。保護(hù)層114的第二部分114B則可以保護(hù)第一基板100上的全部元件，而保護(hù)層114的貫穿孔114C則暴露出外圍區(qū)100B的透明導(dǎo)電層圖案112B或直接暴露出外圍電路110B，使得顯示裝置400的外部電路(未示出)經(jīng)由貫穿孔114C與外圍區(qū)100B的外圍電路IlOB產(chǎn)生電性連接。當(dāng)?shù)诙饘賹?10的材料為活性較高的金屬材料時(shí)，透明導(dǎo)電層圖案112B可以保護(hù)由第二金屬層110制成的外圍電路110B，避免外圍電路IlOB外露而被侵蝕。此外，在外圍區(qū)100B由第二金屬層110形成的外圍電路IlOB經(jīng)由絕緣層104的開口 128與由第一金屬層102形成的外圍電路102B直接接觸而產(chǎn)生電性連接，借此將外部電路的電性信號傳送至顯示裝置400而顯示圖像。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所提供的顯示裝置及其制造方法，在形成漏極電極IlOD的第二金屬層110與形成像素電極112P的透明導(dǎo)電層112之間沒有鈍態(tài)保護(hù)層存在，像素電極112P直接接觸漏極電極IlOD而產(chǎn)生電性連接，因此，相較于公知液晶顯示面板的漏極電極，本發(fā)明實(shí)施例的漏極電極IlOD不需要為了承接接觸孔而額外形成位于像素區(qū)P內(nèi)的金屬圖案，因此可增加顯示裝置400的開口率。同時(shí)，相較于公知液晶顯示面板的工藝，本發(fā)明的實(shí)施例可節(jié)省一道形成鈍態(tài)保護(hù)層的沉積工藝，以及一道形成鈍態(tài)保護(hù)層內(nèi)的接觸孔的蝕刻工藝。此外，依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，位于外圍區(qū)100B由第二金屬層110形成的外圍電路IlOB是經(jīng)由絕緣層104的開口 128與由第一金屬層102形成的外圍電路102B直接接觸而產(chǎn)生電性連接。相較于公知液晶顯示面板必須使用透明電極材料，并透過個(gè)別的接觸孔電性連接位于外圍區(qū)的第一金屬層與第二金屬層，由于公知液晶顯示面板所使用的透明電極材料的電阻值較金屬材料的電阻值高，因此，本發(fā)明實(shí)施例的外圍區(qū)100B的外圍電路的電阻值較公知液晶顯示面板的外圍電路的電阻值低，可節(jié)省顯示裝置的電力。同時(shí)，由于本發(fā)明實(shí)施例的外圍區(qū)100B的絕緣層104的開口 128是利用半調(diào)式掩模130對第一光致抗蝕劑層120進(jìn)行曝光及顯影工藝，然后利用圖案化的第一光致抗蝕劑層120作為掩模蝕刻絕緣層104而形成，因此不會增加光掩模的數(shù)目。另外，本發(fā)明的實(shí)施例還利用半調(diào)式掩模150對第二光致抗蝕劑層140進(jìn)行曝光及顯影工藝而形成保護(hù)層114，保護(hù)層114的第一部分114A可以作為間隔物，第二部分114B則可用于保護(hù)陣列基板上的全部元件，相較于公知的液晶顯示面板，本發(fā)明的實(shí)施例不需要為了形成間隔物而另外多一道光掩模以及一道曝光與顯影工藝，間隔物與保護(hù)層可同時(shí)形成，因此，本發(fā)明的實(shí)施例可減少一道間隔物的工藝步驟，并降低制造成本。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置及其制造方法可以增加顯示裝置的開口率，降低外圍電路的電阻值，以及減少顯示裝置的工藝步驟，并節(jié)省制造成本。雖然本發(fā)明已揭示較佳實(shí)施例如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，具有一顯示區(qū)及圍繞該顯示區(qū)的一外圍區(qū)，該顯示裝置包括 一第一金屬層，設(shè)置于該顯示區(qū)及該外圍區(qū)； 一絕緣層，設(shè)置于該顯示區(qū)及該外圍區(qū)，覆蓋該第一金屬層； 一圖案化半導(dǎo)體層，設(shè)置于該顯示區(qū)的該絕緣層上； 一第二金屬層，設(shè)置于該圖案化半導(dǎo)體層上及該外圍區(qū)的該絕緣層上； 一透明導(dǎo)電層，直接覆蓋位于該顯示區(qū)的該第二金屬層；以及一保護(hù)層，全面性地覆蓋該第二金屬層、該圖案化半導(dǎo)體層及該透明導(dǎo)電層，其中該保護(hù)層包含一第一部分、一第二部分及一貫穿孔，且該第一部分的高度大于該第二部分的高度。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中位于該圖案化半導(dǎo)體層上的該第二金屬層上方無接觸孔，且該顯示區(qū)內(nèi)無該第二金屬層。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中位于該外圍區(qū)的該絕緣層具有一開口，暴露出該第一金屬層，且位于該外圍區(qū)的該第二金屬層經(jīng)由該開口直接接觸該第一金屬層。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括 一第一基板，設(shè)置于該第一金屬層下方； 一第二基板，與該第一基板對向設(shè)置；以及 一顯不介質(zhì)層，設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中該保護(hù)層的該第一部分為支撐該第二基板的一間隔物，設(shè)置于該顯示區(qū)的一不透光區(qū)。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中該保護(hù)層的該貫穿孔設(shè)置于該外圍區(qū)，且暴露出位于該外圍區(qū)的該第二金屬層。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中該透明導(dǎo)電層還包括一部分直接覆蓋位于該外圍區(qū)的該第二金屬層。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中該保護(hù)層的該貫穿孔設(shè)置于該外圍區(qū)，且暴露出位于該外圍區(qū)的該透明導(dǎo)電層的該部分。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中該保護(hù)層的材料包括絕緣感光材料。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中該透明導(dǎo)電層與該圖案化半導(dǎo)體層部分地重疊。
11.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中該透明導(dǎo)電層與該圖案化半導(dǎo)體層沒有重疊。
12.—種顯示裝置的制造方法，其中該顯示裝置具有一顯示區(qū)及圍繞該顯示區(qū)的一外圍區(qū)，該制造方法包括 形成一第一金屬層于該顯示區(qū)及該外圍區(qū)； 形成一絕緣層于該顯示區(qū)及該外圍區(qū)，覆蓋該第一金屬層； 形成一圖案化半導(dǎo)體層于該顯示區(qū)的該絕緣層上； 形成一第二金屬層于該圖案化半導(dǎo)體層上及該外圍區(qū)的該絕緣層上； 形成一透明導(dǎo)電層，直接覆蓋位于該顯示區(qū)的該第二金屬層；以及形成一保護(hù)層，全面性地覆蓋該第二金屬層、該圖案化半導(dǎo)體層及該透明導(dǎo)電層，其中該保護(hù)層包含一第一部分、一第二部分及一貫穿孔，且該第一部分的高度大于該第二部分的高度。
13.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置的制造方法，其中位于該圖案化半導(dǎo)體層上的該第二金屬層上方無接觸孔形成，且該顯示區(qū)內(nèi)無該第二金屬層形成。
14.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置的制造方法，其中形成該圖案化半導(dǎo)體層的步驟包括 形成一半導(dǎo)體層于該顯示區(qū)及該外圍區(qū)，覆蓋該絕緣層； 在該顯示區(qū)及該外圍區(qū)涂布一第一光致抗蝕劑層，覆蓋該半導(dǎo)體層； 提供一第一半調(diào)式掩模，對該第一光致抗蝕劑層進(jìn)行一曝光與顯影工藝，形成一圖案化光致抗蝕劑層，其中該圖案化光致抗蝕劑層包含一第一部分、一第二部分及一貫穿孔，該第一部分的高度大于該第二部分的高度，且該貫穿孔位于該外圍區(qū)的該第一金屬層之上；除去該圖案化光致抗蝕劑層的該第二部分，留下該第一部分； 利用該圖案化光致抗蝕劑層的該第一部分作為掩模，蝕刻該半導(dǎo)體層；以及 除去該圖案化光致抗蝕劑層的該第一部分，形成該圖案化半導(dǎo)體層。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置的制造方法，其中該第一半調(diào)式掩模具有一不透光圖案、一半透光圖案以及一透光圖案，且其中該不透光圖案對應(yīng)至該圖案化光致抗蝕劑層的該第一部分，該半透光圖案對應(yīng)至該圖案化光致抗蝕劑層的該第二部分，且該透光圖案對應(yīng)至該圖案化光致抗蝕劑層的該貫穿孔。
16.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置的制造方法，還包括經(jīng)由該圖案化光致抗蝕劑層的該貫穿孔蝕刻該外圍區(qū)的該半導(dǎo)體層及該絕緣層，在該半導(dǎo)體層及該絕緣層中形成一開口，暴露出位于該外圍區(qū)的該第一金屬層。
17.如權(quán)利要求16所述的顯示裝置的制造方法，其中在形成該圖案化半導(dǎo)體層之后，還包括將形成于該外圍區(qū)的該絕緣層上的該第二金屬層填充在該絕緣層的該開口中，與位于該外圍區(qū)的該第一金屬層直接接觸。
18.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置的制造方法，其中形成該保護(hù)層的步驟包括 在該顯示區(qū)及該外圍區(qū)涂布一第二光致抗蝕劑層，覆蓋該第二金屬層、該圖案化半導(dǎo)體層及該透明導(dǎo)電層；以及 提供一第二半調(diào)式掩模，對該第二光致抗蝕劑層進(jìn)行一曝光與顯影工藝，形成該保護(hù)層。
19.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置的制造方法，其中該第二半調(diào)式掩模具有一不透光圖案、一半透光圖案以及一透光圖案，且其中該不透光圖案對應(yīng)至該保護(hù)層的該第一部分，該半透光圖案對應(yīng)至該保護(hù)層的該第二部分，且該透光圖案對應(yīng)至該保護(hù)層的該貫穿孔。
20.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置的制造方法，還包括 提供一第一基板，其中該第一金屬層形成于該第一基板上； 提供一第二基板，與該第一基板對向設(shè)置，且面對該保護(hù)層；以及 在該第一基板與該第二基板之間填充一顯不介質(zhì)層。
21.如權(quán)利要求20所述的顯示裝置的制造方法，其中該保護(hù)層的該第一部分為支撐該第二基板的一間隔物，且該保護(hù)層的該第一部分的位置對應(yīng)至該顯示區(qū)的一不透光區(qū)。
22.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置的制造方法，其中該透明導(dǎo)電層還包括一部分直接覆蓋位于該外圍區(qū)的該第二金屬層。
23.如權(quán)利要求22所述的顯示裝置的制造方法，其中該保護(hù)層的該貫穿孔形成于該外圍區(qū)，且暴露出位于該外圍區(qū)的該透明導(dǎo)電層的該部分。
24.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置的制造方法，其中該保護(hù)層的該貫穿孔形成于該外圍區(qū)，且暴露出位于該外圍區(qū)的該第二金屬層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置，具有顯示區(qū)及外圍區(qū)，特點(diǎn)在于顯示區(qū)內(nèi)無需設(shè)置接觸孔，因此無需于顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置承接接觸孔的金屬圖案，借此可提高開口率，顯示裝置包括第一金屬層設(shè)置于顯示區(qū)及外圍區(qū)，絕緣層覆蓋第一金屬層，圖案化半導(dǎo)體層設(shè)置于顯示區(qū)的絕緣層上，第二金屬層設(shè)置于圖案化半導(dǎo)體層上及外圍區(qū)的絕緣層上，透明導(dǎo)電層直接覆蓋第二金屬層，以及保護(hù)層全面性地覆蓋第二金屬層、圖案化半導(dǎo)體層及透明導(dǎo)電層，其中保護(hù)層包含第一部分、第二部分及貫穿孔，且第一部分的高度大于第二部分的高度。此外，本發(fā)明還提供顯示裝置的制造方法。本發(fā)明可增加顯示裝置的開口率，降低外圍電路的電阻值，減少顯示裝置的工藝步驟，并節(jié)省制造成本。
文檔編號G02F1/1333GK103033997SQ20111035955
公開日2013年4月10日 申請日期2011年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月6日
發(fā)明者吳榮彬, 吳健豪, 陳柏孝 申請人:瀚宇彩晶股份有限公司