專利名稱：焊墊圖案修復設備的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及焊墊圖案修復設備，尤其涉及修復在焊墊電極中的缺陷的焊墊圖案修復設備，焊墊圖案修復設備安裝在彩色濾光基板處且用于輸入檢測信號。
背景技術(shù)：
圖I示出傳統(tǒng)LCD面板10的結(jié)構(gòu)，其包括用于目視檢測的與探針單元的探針接腳接觸的檢測信號輸入焊墊16以及在總測試時與檢測信號輸入焊墊接觸的OLB焊墊16，檢測信號輸入焊墊由以迭層的形式結(jié)合在一起的TFT基板12及彩色濾光基板14所構(gòu)成。焊墊16保持上下層疊地結(jié)合在一起的TAG膜、各向異性導電膜(ACF)、LDI (IXD驅(qū)動IC)及玻璃的結(jié)構(gòu)。
尤其，因為當進行探針臺測試時在探針尖端的接觸區(qū)域中造成刮痕或因為在玻璃劃片或玻璃切割步驟產(chǎn)生的微粒所造成的刮痕或因為在裝載/卸載其它基板的期間產(chǎn)生的刮痕及微粒而在焊墊16中發(fā)生缺陷。然而，由于在基板及作為傳統(tǒng)用來進行修復的地方的腔室之間的間隙保持不變，在修復區(qū)域中的空氣會因為修復區(qū)域及其外部間的壓力差而流出外界，降低工藝合格率。

發(fā)明內(nèi)容
_6] 所欲解決的問題已致力于完成本發(fā)明以提供通過將在進行修復缺陷的區(qū)域中的壓力保持在不變的層級來改善工藝合格率的焊墊圖案修復設備。技術(shù)手段為了解決上述的所欲解決的問題，本發(fā)明提供一種用于修復配備成將信號施加于多個基板中的一者的焊墊電極中的缺陷的設備，包括階臺，基板裝載進階臺的參考面；腔室，第一排放口、保護氣體出口及第二排放口關于激光發(fā)射孔而依序地形成在腔室的下表面中，腔室被裝備在階臺上并移動至焊墊電極的缺陷位置，且腔室在激光發(fā)射孔的中間具有將凈化氣體及原料氣體排出的結(jié)構(gòu)；以及夾鉗，被安裝在階臺上并支撐面向緊密黏附于參考面的基板的表面，其中基板及腔室的下表面之間的間隙在腔室的下表面的內(nèi)部及外部變化。根據(jù)本發(fā)明的基板及腔室之間的間隙在以保護氣體出口所定義的內(nèi)部區(qū)域和從保護氣體出口到第二排放口的范圍的第一及第二外部區(qū)域兩者中變化。根據(jù)本發(fā)明的基板及腔室之間的間隙在關于保護氣體出口而定義的內(nèi)部區(qū)域中與在從保護氣體出口到第二排放口的范圍的第一及第二外部區(qū)域間裝備有夾鉗的第二外部區(qū)域中為相同的。根據(jù)本發(fā)明的基板及腔室關于內(nèi)部區(qū)域而調(diào)整在第一及第二外部區(qū)域中的間隙。此外，還采用被電性連接至焊墊電極且測量電阻的探針尖端。本發(fā)明的焊墊圖案修復設備，若絕緣膜設置在圖案的金屬電極上，則通過使用修正、接觸孔填充及布線來進行修復缺陷。本發(fā)明的焊墊圖案修復設備，若絕緣膜并未設置在圖案的金屬電極上，則通過使用布線來進行修復缺陷。本發(fā)明的焊墊圖案修復設備，若有機物質(zhì)設置在圖案的金屬電極上，則將有機物質(zhì)移除。根據(jù)本發(fā)明的焊墊圖案修復設備將在進行修復缺陷的區(qū)域中的壓力維持于不變的層級，而改善工藝合格率。


所包含的提供本文件的進一步了解及并入在本說明書的一部分且構(gòu)成本說明書 的部分的附加圖式示出本文件的實施例且與說明書一起解釋本文件的原理圖I為傳統(tǒng)IXD面板的簡化圖；圖2及圖3示出根據(jù)本發(fā)明的焊墊圖案修復設備并未運用夾鉗的情況；以及圖4及圖5示出根據(jù)本發(fā)明的焊墊圖案修復設備運用夾鉗的情況。主要組件符號說明100 焊墊圖案修復設備110 階臺120 腔室121 激光發(fā)射孔122 原料氣體出口123 凈化氣體出口124 光學窗口125a 第一排放口125b 第二排放口126 出口130 夾鉗區(qū)域I 第一外部區(qū)域區(qū)域2 內(nèi)部區(qū)域區(qū)域3 第二外部區(qū)域
具體實施例方式以下將結(jié)合附圖來敘述根據(jù)本發(fā)明的焊墊圖案修復裝置的一個實施例。如圖2及圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的焊墊圖案修復設備100包括階臺110、腔室120和驅(qū)動部件及夾鉗130，提供將配備成將信號應用至TFT基板12及彩色濾光基板14間的非重迭TFT基板12的焊墊16電極中的缺陷修復的功能。尤其，焊墊圖案修復設備100涉及將IXD或OLED基板(之后稱作「基板」)與驅(qū)動印刷電路板(PCB)連接的焊墊16且涉及應用于修復發(fā)生在焊墊16的金屬電極中的開放的或短的缺陷的激光化學氣相沉積(CVD)修復設備。
用于修復焊墊16電極中的缺陷的基板12、14裝載進階臺110的上部。為了在裝載時指定參考點，將參考體112運用在階臺110的上表面的一端。此時，參考體112優(yōu)選地形成彎曲的以與基板12、14的一邊的末端接觸。激光發(fā)射孔121形成在腔室120中，且第一排放口 125a、保護氣體出口 126及第二排放口 125b依序形成在腔室120的下表面中。激光發(fā)射孔121裝備在階臺110上且利用驅(qū)動部件(未顯示在圖式中)以沿著X、Y及Z軸移動至焊墊16電極的缺陷位置并在聚焦之后發(fā)射激光。凈化氣體出口 123及原料氣體出口 122形成在激光發(fā)射孔121的中心中。換句話說，激光發(fā)射孔121形成在腔室120中，在其最上部配備有加熱單元(未顯示在圖式中)的激光發(fā)射孔121安裝在腔室120的上側(cè)且作為用來將激光發(fā)射至腔室120的一端的中心的通道。原料氣體出口 122連通來自外部氣體提供單元(未顯示在圖式中)的原料氣體提供線路且從原料氣體提供單元向激光發(fā)射孔121傾斜。噴射從原料氣體出口122排出的金屬原料氣體以聚集在激光發(fā)射孔121的最底部。在腔室120內(nèi)，連接至在原料氣體提供單元的上部處的外部凈化氣體提供單元·(未顯示在圖式中)的凈化氣體出口 123的一端允許凈化氣體流進凈化氣體提供線路。在腔室120中，允許激光通過的光學窗口 124安裝在凈化氣體出口 123的上部中。藉由與腔室120的下表面接觸的O形環(huán)將光學窗口 124固定密閉以防備空氣。在腔室120中，分別形成從激光發(fā)射孔121開始且連接至在腔室120的下表面的排放部件的第一排放口 125a及第二排放口 125b。且以流入方向及排出方向彼此不同的方式將保護氣體出口 126連接至保護氣體提供單元(未顯示在圖式中)。此時，保護氣體出口 126噴射保護氣體以避免在焊墊16的薄膜沉積時損壞基板表面。同時，由于保護氣體出口 126將保護氣體以傾斜角排出至外界，而形成空氣幕，空氣幕避免未反應的氣體及反應的加合物泄漏。雖然未顯示在圖式中，安裝在階臺110處的驅(qū)動部件是將腔室120朝X、Y及Z方向移動的結(jié)構(gòu)組件，其將激光發(fā)射孔121移動至焊墊16電極的缺陷位置。此時，驅(qū)動部件能僅在X及Y方向中移動。夾鉗130安裝在階臺110上并支撐面向緊密地黏附于參考體112的參考面的基板的表面。同時,腔室120的下表面及基板12、14之間的間隙在腔室120的下表面的內(nèi)部及外部變化。因而在進行缺陷修復的區(qū)域中的排出及排放壓力維持在不變的層級。在關于保護氣體出口 126而定義的內(nèi)部區(qū)域(區(qū)域2)中及在從保護氣體出口 126至第二排放口125b的范圍的第一及第二外部區(qū)域(區(qū)域I、區(qū)域3)中，腔室120及基板12、14之間的間隙不同。如此形成間隙以具有避免在內(nèi)部區(qū)域(區(qū)域2)及在包括第一及第二外部區(qū)域(區(qū)域I、區(qū)域3)的處理區(qū)域中的空氣流出至處理區(qū)域的外部以修復在焊墊16電極中的缺陷時產(chǎn)生壓力差的步驟。在此實施例中，假設間隙從安裝在第一外部區(qū)域(區(qū)域I)中的TFT基板12的末端到暴露于內(nèi)部區(qū)域(區(qū)域2)的彩色濾光基板14且到暴露于第二外部區(qū)域(區(qū)域3)的階臺110逐漸地增加。再者，由于腔室120及基板12、14之間的間隙影響在修復焊墊16的金屬電極中缺陷時的沉積，優(yōu)選地將在第一及第二外部區(qū)域(區(qū)域I、區(qū)域3)中的間隙關于內(nèi)部區(qū)域(區(qū)域2)作調(diào)整。同時，殘留的保護氣體、凈化氣體及原料氣體的大部分通過第一排放口 125a而排出。且當基板12、14的厚度假設為O. 5mm時，腔室120及基板12、14之間的間隙，在第一外部區(qū)域(區(qū)域I)中為O. 5mm，在內(nèi)部區(qū)域(區(qū)域2)中為1mm，在第二外部區(qū)域(區(qū)域3)中為I. 5mm。此時，腔室120及基板12、14之間的間隙根據(jù)基板12、14的厚度而增加或減少。以另一不同的方式，在形成在腔室120的下表面及基板12、14之間的間隙中，在安裝于第二外部區(qū)域(區(qū)域3)中的夾鉗130的表面及腔室120的下表面之間的間隙與內(nèi)部區(qū)域(區(qū)域2)相同或類似。意圖通過將在腔室120的下表面及基板12、14的間隙維持在內(nèi)部區(qū)域(區(qū)域2)及第二外部區(qū)域(區(qū)域3)內(nèi)來均勻地控制氣流及壓力(參考圖4及圖5)。也就是說，本發(fā)明的焊墊圖案修復設備100基于在實施沉積工藝的開放區(qū)域中連 接電極的方法而對安裝在基板12上的焊墊16的金屬電極的開放區(qū)域進行修復。且以修正、接觸孔填充及布線的順序進行沉積工藝。此時，若在焊墊16的金屬電極上形成絕緣膜，以修正、接觸孔填充及布線的順序進行沉積工藝，若沒有形成絕緣膜，則能通過僅施加布線而無需運用修正及接觸孔填充來進行缺陷修復。此外，若例如殘留在焊墊16的金屬電極上的黏著劑的有機物質(zhì)存在，通過施加UV激光來移除對應區(qū)域中的有機物質(zhì)，此時，將鑰(Mo)、鎢(W)、銅(Cu)、銀(Ag)及鉻(Cr)作為用于形成電極的金屬來源。再者，對于在基板12上的金屬電極短路的區(qū)域，通過施加切割工藝來將短路區(qū)域修復為電性開放。且在修復在金屬電極中的缺陷之后，進一步通過運用電性連接至焊墊16電極且測量焊墊電極電阻的探針尖端(未顯示在圖式中)來測量在焊墊16的金屬電極的兩端間的電阻并判斷處理是否成功。此外，在各向異性導電膜(ACF)、LDI (IXD驅(qū)動IC)及膜圍繞焊墊16而分離或附加時，可實施缺陷修復。雖然以上已參照本發(fā)明的優(yōu)選實施例來提供本發(fā)明的詳細描述，本發(fā)明的范圍并未被實施例所限制。因此，本發(fā)明所屬技術(shù)領域的通常知識者應了解能以各種方式修改及改變本發(fā)明而不背離本發(fā)明的技術(shù)原理及范疇。
權(quán)利要求
1.一種用于修復在配備成將信號施加于多個基板中的一者的焊墊電極中的缺陷的設備，包括 階臺，所述基板裝載進所述階臺的參考面； 腔室，第一排放口、保護氣體出口及第二排放口關于激光發(fā)射孔而依序地形成在所述腔室的下表面中，所述腔室被裝備在所述階臺上并移動至所述焊墊電極的缺陷位置，且所述腔室在所述激光發(fā)射孔的中間具有將凈化氣體及原料氣體排出的結(jié)構(gòu)；以及 夾鉗，被安裝在所述階臺上并支撐面向緊密黏附于所述參考面的基板的表面， 其中所述基板及所述腔室的下表面之間的間隙在所述腔室的下表面的內(nèi)部及外部變化。
2.如權(quán)利要求I所述的設備，其中所述基板及所述腔室之間的所述間隙在以所述保護氣體出口所定義的內(nèi)部區(qū)域和從所述保護氣體出口到所述第二排放口的范圍的第一及第二外部區(qū)域兩者中變化。
3.如權(quán)利要求I所述的設備，其中所述基板及所述腔室之間的所述間隙在以所述保護 氣體出口所定義的內(nèi)部區(qū)域中與在從所述保護氣體出口到所述第二排放口的范圍的第一及第二外部區(qū)域間裝備有夾鉗的第二外部區(qū)域中均為相同。
4.如權(quán)利要求2或3所述的設備，其中所述基板及所述腔室調(diào)整所述第一及第二外部區(qū)域相對于所述內(nèi)部區(qū)域的所述間隙。
5.如權(quán)利要求I所述的設備，其中還采用被電性連接至所述焊墊電極且測量電阻的探針尖端。
6.如權(quán)利要求I所述的設備，其中當絕緣膜設置在圖案的金屬電極上時，通過使用修正、接觸孔填充及布線來進行修復缺陷。
7.如權(quán)利要求I所述的設備，其中當絕緣膜并未設置在圖案的金屬電極上時，通過使用布線來進行修復缺陷。
8.如權(quán)利要求I所述的設備，其中當有機物質(zhì)設置在圖案的金屬電極上時，則將有機物質(zhì)移除。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種焊墊圖案修復設備。本發(fā)明提供一種用于修復在配備成將信號施加于多個基板中的一者的焊墊電極中的缺陷的設備，包括階臺，基板裝載進階臺的參考面；腔室，第一排放口、保護氣體出口及第二排放口關于激光發(fā)射孔而依序地形成在腔室的下表面中，腔室被裝備在階臺上并移動至焊墊電極的缺陷位置，且腔室在激光發(fā)射孔的中間具有將凈化氣體及原料氣體排出的結(jié)構(gòu)；以及夾鉗，被安裝在階臺上并支撐緊密黏附于參考面的基板的相對面，其中基板及腔室的下表面之間的間隙在腔室的下表面的內(nèi)部及外部變化。根據(jù)本發(fā)明的焊墊圖案修復設備將在進行修復缺陷的區(qū)域中的壓力維持于不變的層級，而改善工藝合格率。
文檔編號G02F1/1345GK102939544SQ201180018013
公開日2013年2月20日 申請日期2011年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月8日
發(fā)明者金仙株, 金宇珍, 樸成勛, 李孝成 申請人:株式會社Cowindst