專利名稱：輻射源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及輻射源，其適于與光刻設(shè)備結(jié)合使用，或形成光刻設(shè)備的一部分。更一般地，本發(fā)明還涉及用于生成流體流的布置，以及控制這種布置內(nèi)污染物的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機器。光刻設(shè)備可用于例如制造集成電路(1C)。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。典型地，經(jīng)由成像將所述圖案轉(zhuǎn)移到在所述襯底上設(shè)置的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常，單個襯底將包含連續(xù)形成了圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。 光刻技術(shù)被廣泛認(rèn)為是制造集成電路(IC)和其他器件和/或結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟之一。然而，隨著使用光刻技術(shù)所制造的特征的尺寸變得越來越小，對于實現(xiàn)將要制造的微型的IC或其他器件和/或結(jié)構(gòu)來說，光刻技術(shù)正變成更加關(guān)鍵的因素。圖案印刷的極限的理論估計可以由分辨率的瑞利法則給出，如等式(I)所示CD = k'* 丄(I)
1NA其中λ是所用輻射的波長，NA是用以印刷圖案的投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，Ic1是依賴于工藝的調(diào)節(jié)因子，也稱為瑞利常數(shù)，CD是印刷的特征的特征尺寸(或臨界尺寸)。由等式
(I)可知，特征的最小可印刷尺寸的減小可以由三種方式來實現(xiàn)通過縮短曝光波長λ、通過增大數(shù)值孔徑NA或通過減小Ic1的值。為了縮短曝光波長，并因此減小最小可印刷尺寸，已經(jīng)提出使用極紫外(EUV)輻射源。EUV輻射是具有5-20nm范圍內(nèi)的波長的電磁輻射，例如在13_14nm范圍內(nèi)的波長的電磁輻射。還提出可以使用小于IOnm波長的EUV輻射，例如在5-10nm范圍內(nèi)的波長，諸如6. 7nm或6. 8nm的波長。這種輻射被稱為極紫外輻射或軟x射線輻射?？捎玫脑窗ɡ缂す猱a(chǎn)生的等離子體源、放電等離子體源或基于由電子存儲環(huán)提供的同步加速器輻射的源。通過使用等離子體可以產(chǎn)生EUV輻射。用于產(chǎn)生EUV輻射的輻射系統(tǒng)可以包括用于激發(fā)燃料以提供等離子體的激光器，和用于容納等離子體的源收集器模塊?？梢岳缤ㄟ^引導(dǎo)激光束到燃料上，例如合適的燃料材料(例如錫，目前被認(rèn)為是最有希望的，因此可能是用于EUV輻射源的燃料的選擇)的顆粒(即，液滴)或合適氣體或蒸汽的流(例如Xe氣體或Li蒸汽)，產(chǎn)生等離子體。最終的等離子體發(fā)射輸出輻射，例如EUV輻射，其通過使用輻射收集器進行收集。輻射收集器可以是鏡像的正入射輻射收集器，其接收輻射并將輻射聚焦為束。源收集器模塊可以包括包封結(jié)構(gòu)或室，其布置成提供真空環(huán)境以支持等離子體。這種輻射系統(tǒng)通常稱為激光產(chǎn)生等離子體(LPP)源。在也可以采用使用激光器的可替換的系統(tǒng)中，可以通過使用放電形成的等離子體生成輻射-放電產(chǎn)生等離子體(DPP)源。所提出的LPP輻射源生成連續(xù)的燃料液滴流。輻射源包括用于朝向等離子體形成位置引導(dǎo)燃料液滴的噴嘴。液滴需要以高精度引導(dǎo)至等離子體形成位置，以便確保激光束可以被朝向液滴引導(dǎo)并與液滴接觸。為了實現(xiàn)其，燃料應(yīng)該通過噴嘴而不遭受任何非預(yù)期的或非人為的阻礙或限制。這種阻礙或限制可能由燃料中沉積在噴嘴內(nèi)表面上的污染物引起。污染物可能導(dǎo)致通過噴嘴引導(dǎo)的液滴流不具有一種或多種想要的性質(zhì)，例如期望的軌跡或期望的液滴尺寸、形狀或頻率。結(jié)果，這會導(dǎo)致輻射源整體上不能如想要的那樣起作用，例如不能生成輻射，或不能生成想要的強度的輻射或想要的持續(xù)時間的輻射。雖然已經(jīng)關(guān)于在LPP輻射源中使用的噴嘴描述了多個問題，但是關(guān)于在其他流體(例如液體)流生成器(液滴或是連續(xù)的)中使用的噴嘴，例如在噴墨印刷等中使用的噴嘴，可能遭遇相同或類似的問題。此外，所述問題不限于包括液滴的流-當(dāng)要生成連續(xù)的流時可能遭遇相同或類似的問題。

發(fā)明內(nèi)容
期望消除或減輕現(xiàn)有技術(shù)中的至少一個問題，無論這里或其他地方所提及的，或期望提供一種已有設(shè)備或方法的替換方案。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種輻射源，包括貯液器，配置成保持一體積的燃料；噴嘴，與貯液器流體連接，并配置成沿朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料流；激光器，配置成引導(dǎo)激光輻射到等離子體形成位置處的所述流上以在使用中生成用于生成輻射的等離子體；和燃料污染物控制布置，所述污染物控制布置包括用于生成磁場的磁場生成元件；用于生成電場的電場生成元件；磁場生成元件和電場生成元件一起配置成確保在使用中磁場和電場在燃料內(nèi)的污染物的位置或潛在位置處交疊，并確保磁場和電場的通量線在該位置處不平行以便控制污染物的移動。燃料污染物控制布置可以配置成驅(qū)動污染物離開使其不通過所述噴嘴。燃料污染物控制布置可以配置成驅(qū)動污染物通過噴嘴。燃料內(nèi)的污染物的位置或潛在位置是下述中的一個或更多個位置在噴嘴內(nèi)，或在從貯液器通向至噴嘴的管道內(nèi)；在貯液器內(nèi)，或在貯液器內(nèi)和在噴嘴開口的附近區(qū)域內(nèi)，或在貯液器內(nèi)和在從貯液器通向至噴嘴的管道的開口附近區(qū)域內(nèi)；在貯液器上游的另一貯液器內(nèi)，或在該另一貯液器內(nèi)和在通向至貯液器的管道的開口附近區(qū)域內(nèi)，或在通向至貯液器的管道內(nèi)。磁場生成元件和/或電場生成元件可以適當(dāng)?shù)囟ㄎ怀稍谠撐恢没驖撛谖恢弥車驀@該位置或潛在位置分布。噴嘴和/或通向至噴嘴的管道可以包括機電攪動器或與機電攪動器相連，用于引起噴嘴振動或其中包含的流體振動。機電攪動器可以被與外部電場和/或外磁場屏蔽(即，通過屏蔽件)。磁場生成元件可以包括螺線管，所述螺線管圍繞燃料內(nèi)的污染物的該位置或該潛在位置(例如，用于生成恒定的或變化的磁場)；和/或一個或更多個永磁體(用于生成恒定的磁場)。電場生成布置可以包括下列中的一個或更多個電極；或兩個電極；或，位于燃料內(nèi)的污染物的位置或潛在位置的大體相對側(cè)上的兩個電極；或電容器，該電容器的相對的板定位在燃料內(nèi)的污染物的位置或潛在位置的大體相對側(cè)上。磁場生成元件和/或電場生成元件可以配置成確保在使用中該磁場和/或電場在燃料內(nèi)的污染物的位置或潛在位置處提供基本上均勻的磁場和/或電場。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種光刻設(shè)備，包括照射系統(tǒng)，用于提供輻射束；圖案形成裝置，用于在輻射束的橫截面中賦予輻射束圖案；襯底保持裝置，用于保持襯底；投影系統(tǒng)，用于將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，且其中光刻設(shè)備還包括本發(fā)明的任一方面所述的輻射源或與本發(fā)明的任一方面所述的輻射源相關(guān)聯(lián)。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種流體流生成器，包括貯液器，配置成保持一體積的流體；噴嘴，與貯液器流體連接，并配置成沿一軌跡引導(dǎo)燃料流；和流體污染物控制布置，所述流體污染物控制布置包括用于生成磁場的磁場生成元件；用于生成電場的電場生成元件；磁場生成元件和電場生成元件一起配置成確保在使用中磁場和電場在流體內(nèi)的污染物的位置或潛在位置處交疊，并確保磁場和電場的通量線在該位置處不平行以便控制污染物的移動。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了一種在流體流生成器中的污染物控制方法，所述布置包括配置成保持一體積的流體的貯液器；和與貯液器流體連接并配置成沿一軌跡引導(dǎo)流體流的噴嘴，所述方法包括以下步驟通過建立磁場和電場來控制污染物的移動，其中磁場和電場在流體內(nèi)的污染物的位置或潛在位置處交疊，磁場和電場的通量線在該位置處不平行以便促使流體移動，以便繼而控制包含在流體內(nèi)的污染物的移動。根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供了一種輻射源，包括貯液器，配置成保持一體積的燃料；噴嘴，與貯液器流體連接，并配置成沿朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料流；激光器，配置成引導(dǎo)激光輻射到等離子體形成位置處的所述流上以在使用中生成用于生成輻射的等離子體；和燃料污染物控制布置，所述燃料污染物控制布置包括磁場生成元件，配置成生成磁場；和/或電場生成元件，配置成生成電場；磁場生成元件和/或電場生成元件配置成確保在流體內(nèi)的污染物的位置或潛在位置處設(shè)置了所生成的磁場和/或電場，以控制污染物的移動。根據(jù)本發(fā)明的第六方面，提供了一種流體流生成器，包括貯液器，配置成保持一體積的燃料；噴嘴，與貯液器流體連接，并配置成沿一軌跡引導(dǎo)燃料流；和燃料污染物控制布置，所述污染物控制布置包括磁場生成元件，配置成生成磁場；和/或電場生成元件，配置成生成電場；磁場生成元件和/或電場生成元件配置成確保在流體內(nèi)的污染物的位置或潛在位置處設(shè)置了所生成的磁場和/或電場以控制污染物的移動。根據(jù)本發(fā)明的第七方面，提供了一種流體流生成器內(nèi)污染物控制方法，所述布置包括貯液器，配置成保持一體積的流體；噴嘴，與貯液器流體連接，并配置成沿一軌跡引導(dǎo)流體流；所述方法包括以下步驟通過在流體內(nèi)污染物的位置處或潛在的位置處建立磁場和/或電場控制污染物的移動，用于控制包含在流體內(nèi)的污染物的移動。磁場或電場中的一個可以被從外部施加，其中另一個是在流體/污染物內(nèi)被感應(yīng)出。根據(jù)本發(fā)明的任一方面或更多個方面，燃料或流體可以具有與污染物不同的電導(dǎo)率。根據(jù)本發(fā)明的任一方面或更多個方面，污染物可以是基本上電絕緣體。根據(jù)本發(fā)明的任一方面或更多個方面，燃料或流體可以包括液態(tài)形式的金屬，或液體和金屬的金屬間化合物，或陶瓷，和/或污染物可以包括這種金屬、金屬間化合物或陶瓷的氧化物。根據(jù)本發(fā)明的任一方面或更多個方面，燃料或流體可以是錫或包括錫，和/或其中污染物可以是氧化錫或包括氧化錫。根據(jù)本發(fā)明的任一方面或更多個方面，污染物控制布置可以附加地和/或替換地用作輻射源內(nèi)的過濾器或凈化裝置。污染物控制布置可以附加地和/或替換地描述為過濾器或凈化裝置。應(yīng)該認(rèn)識到，關(guān)于本發(fā)明的任一特定方面所描述的一個或更多個特征可以在合適的情況下應(yīng)用于本發(fā)明的任何其他方面。


現(xiàn)在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實施例，其中，在附圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，且其中圖
料液滴流；圖軌跡的影響
成器；
成器；
成器；
成器；
成器；和成器。
I不出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的光刻設(shè)備；
2是圖1的設(shè)備的更詳細(xì)的視圖，其包括LPP源收集器模塊；
3示意地示出輻射源的噴嘴，其配置成沿朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃
4示意地示出在圖3的噴嘴的內(nèi)表面上的污染物沉積物，和對離開噴嘴的液滴
圖5示意地示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的包括流體污染物控制布置的流體流生
圖6示意地示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的包括流體污染物控制布置的流體流生
圖7示意地示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的包括流體污染物控制布置的流體流生
圖8示意地示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的包括流體污染物控制布置的流體流生
圖9示意地示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的包括流體污染物控制布置的流體流生
圖10示意地示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的包括流體污染物控制布置的流體流生
具體實施例方式圖1示意地示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的包括源收集器模塊SO的光刻設(shè)備LAP。所述光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用以調(diào)節(jié)輻射束B (例如EUV輻射);支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模或掩模版)MA,并與配置用于精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；襯底臺(例如晶片臺)WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如反射式投影系統(tǒng))PS，其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根或多根管芯)上。
照射系統(tǒng)IL可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng)PS)。術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束B的橫截面中賦予輻射束B、以便在襯底W的目標(biāo)部分C上形成圖案的任何裝置。被賦予輻射束的圖案可以與在目標(biāo)部分C中形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置MA的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型和衰減型相移掩模類型以及各種混合掩模類型之類的掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同的方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。與照射系統(tǒng)類似，投影系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其他類型的光學(xué)部件，或其任何組合，對所使用的曝光輻射合適的，或?qū)τ谥T如使用真空的其他因素合適的?？梢云谕麑UV輻射使用真空，因為氣體可能吸收太多的輻射。因此借助真空壁和真空泵可以對整個束路徑提供真空環(huán)境。如這里所示，光刻設(shè)備是反射式(例如采用反射掩模)。光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的掩模臺)的類型。在這種“多臺”機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。參照圖1，所述照射器IL接收從源收集器模塊SO發(fā)出的極紫外輻射束。用以產(chǎn)生EUV光的方法包括但不一定局限于將材料轉(zhuǎn)化為等離子體狀態(tài)，其具有至少一種成分，例如氙、鋰或錫，具有一個或多個在EUV范圍內(nèi)的發(fā)射線。在通常用術(shù)語激光產(chǎn)生等離子體(“LPP”)表示的這樣的一種方法中，所需的等離子體可以通過使用激光束輻射例如具有所需的發(fā)射線的成分的材料的液滴、流或簇的燃料來產(chǎn)生。源收集器模塊SO可以是EUV輻射系統(tǒng)的一部分，包括用于提供激光束和激發(fā)燃料的激光器(在圖1中未示出)。最終的等離子體發(fā)射輸出輻射，例如EUV輻射，其通過使用設(shè)置在源收集器模塊中的輻射收集器收集。激光器和源收集器模塊可以是分立的實體(例如當(dāng)CO2激光器被用于提供用于燃料激發(fā)的激光束時)。在這種情況下，不會將激光器考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)的幫助，將所述輻射束B從激光器傳到源收集器模塊。在其它情況下，所述源SO可以是所述源收集器模塊的組成部分(例如當(dāng)所述源SO是放電產(chǎn)生的等離子體EUV生成器(通常稱為DPP源)時)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整器。通常，可以對所述照射器IL的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和O-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如琢面場和光瞳反射鏡裝置。照射器IL可以用于調(diào)節(jié)輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)MT (例如，掩模臺)上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經(jīng)從圖案形成裝置(例如，掩模)MA反射之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)將輻射束B聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器PS2 (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器PS I用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置(例如，掩模)ΜΑ?？梢允褂醚谀?zhǔn)標(biāo)記Μ1、Μ2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記Ρ1、Ρ2來對準(zhǔn)圖案形成裝置(例如，掩模)ΜΑ和襯底W。圖示的光刻設(shè)備可以用于下列模式中的至少一種 1.在步進模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(B卩，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標(biāo)部分C曝光。2.在掃描模式中，在對支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT和襯底臺WT同步地進行掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(B卩，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)ΜΤ的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。3.在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)ΜΤ保持為基本靜止，并且在對所述襯底臺WT進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式，通常可以采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。圖2更詳細(xì)地示出光刻設(shè)備LAP，包括源收集器模塊S0、照射系統(tǒng)IL以及投影系統(tǒng)PS。源收集器模塊SO構(gòu)造并布置成使得真空環(huán)境可以保持在源收集器模塊SO的包封結(jié)構(gòu)2內(nèi)。激光器4布置用以將激光能量通過激光束6沉積到由燃料源8 (有時稱為燃料流生成器)供給的諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li )的燃料中。錫或其他熔融金屬或金屬間化合物(最可能的是成液滴形式)目前被認(rèn)為是最有希望的并因此可能是用于EUV輻射源的燃料的選擇。激光能量沉積到燃料中在等離子體形成位置12處產(chǎn)生高度電離的等離子體10，其具有幾十電子伏特(eV)的電子溫度。在這些離子退激發(fā)和再結(jié)合期間產(chǎn)生的高能輻射由等離子體10發(fā)射，由近乎正入射的輻射收集器14收集聚焦。激光器4和燃料源8 (和/或收集器14)可以一起被看作成輻射源或包括輻射源，具體地是EUV輻射源。EUV輻射源可以被稱為激光產(chǎn)生等離子體(LPP)輻射源?？梢蕴峁┑诙す馄?未示出)，第二激光器配置用以在激光束6入射到燃料上之前預(yù)先加熱燃料。使用這種方法的LPP源可以稱為雙激光器脈沖(DLP)源。雖然未示出，燃料流生成器將包括配置用以沿朝向等離子體形成位置12的軌跡引導(dǎo)燃料液滴的流的噴嘴或與之相連。被輻射收集器14反射的輻射B被聚焦在虛源點16處。虛源點16通常被稱為中間焦點，并且源收集器模塊SO被布置使得中間焦點16被定位在包封結(jié)構(gòu)2的開口 18處或附近。虛源點16是用于發(fā)射輻射的等離子體10的像。隨后，輻射B穿過照射系統(tǒng)IL，照射系統(tǒng)IL可以包括琢面場反射鏡裝置20和琢面光瞳反射鏡裝置22，布置成在圖案形成裝置MA處提供期望的輻射束B的角分布以及在圖案形成裝置MA處提供期望的輻射強度的均勻性。輻射束在被由支撐結(jié)構(gòu)MT保持的圖案形成裝置MA處反射之后，圖案化的束24被形成并且圖案化的束24通過投影系統(tǒng)PS經(jīng)由反射元件26、28被成像到由晶片平臺或襯底臺WT保持的襯底W上。通常可以在照射系統(tǒng)IL和投影系統(tǒng)PS內(nèi)設(shè)置比圖示更多的元件。此外，可以設(shè)置比圖示更多的反射鏡，例如與圖2中顯示的相比，可以在投影系統(tǒng)PS中設(shè)置1-6個附加的反射元件。圖3示意地示出燃料源的一部分，如參照圖2示出和描述的。燃料源的所述部分被示出為包括管道30，其包括并通向噴嘴32，該噴嘴32配置成沿朝向等離子體形成位置(未示出)的軌跡引導(dǎo)燃料的液滴流34。噴嘴32的穩(wěn)定性和/或阻塞(即，至少部分阻擋)是在使用噴嘴32期間會產(chǎn)生的問題，如同這些噴嘴用于任何噴墨打印應(yīng)用中一樣。阻塞將由燃料中的污染物形成。噴嘴32的阻塞使得噴嘴的壽命受到限制，并因此使燃料流生成器的壽命受到限制(或至少限制了更換、維修的時間限制，或需要清潔的時間限制)，因此可能限制了輻射源的可用性或整個光刻設(shè)備的可用性。最可能的是，燃料流生成器的噴嘴32與形成燃料流生成器的一部分的燃料流動系統(tǒng)中的其他管道等相比，將具有最小的直徑或最小的直徑中的一個(除了，可能，對于在該系統(tǒng)中設(shè)置的過濾器)。因為噴嘴32將具有最小直徑中的一個直徑，在燃料流動系統(tǒng)中的阻塞將可能在噴嘴32處或附近發(fā)生，并且可能在為流動系統(tǒng)中的限制件的噴嘴32內(nèi)發(fā)生?？赡艿氖牵谌剂狭鲃酉到y(tǒng)的更遠的上游處將以某種方式濾除比噴嘴直徑大的阻塞物或類似物。然而，比噴嘴直徑小且在噴嘴內(nèi)的阻塞物可能導(dǎo)致噴嘴的有效幾何形狀改變。有效幾何形狀的改變可能導(dǎo)致所生成的液滴流的參數(shù)改變，例如液滴形狀或尺寸，或最可能是液滴流的軌跡的方向的改變。在許多應(yīng)用中，這些參數(shù)將需要滿足嚴(yán)格的要求。在EUV輻射源中，尤其地，對燃料流生成器的要求在液滴流的軌跡方面將極為嚴(yán)格。例如，在等離子體形成位置處，液滴的位置需要精確至在幾微米內(nèi)，但是同時噴嘴32本身可能需要被定位成距離等離子體形成位置相當(dāng)遠，例如距離為幾十厘米等。這導(dǎo)致液滴流的軌跡的方向穩(wěn)定要求可能小于10微弧度。最終的結(jié)果是，即使沉積在噴嘴內(nèi)表面上的極小的微粒污染物可能改變噴嘴的有效幾何形狀，以致于確保方向穩(wěn)定性的要求不被滿足。這可能又對輻射源的操作產(chǎn)生不利影響并因此對整個光刻設(shè)備產(chǎn)生不利影響，例如在產(chǎn)生輻射方面上。圖4示意地示出與圖3中示出且參考其描述的相同的管道30、噴嘴32以及液滴流34。然而，在圖4中成顆粒36的形式的污染物已經(jīng)沉積在噴嘴32的內(nèi)表面上。這些沉積物導(dǎo)致噴嘴32的有效幾何形狀改變(如上所述)，其繼而導(dǎo)致液滴流34的軌跡改變。顆粒36是污染物的一個示例。污染物可能是成微粒的形式，或可能是可能存在于用于形成液滴流34的燃料中的任何其他物質(zhì)(例如，薄片、結(jié)塊等)。污染物可能源自燃料的氧化。例如，如果燃料是錫，則污染物可以是錫的氧化物顆?；蝾愃莆?。替換地和/或附加地，污染物可能是來自在燃料流動系統(tǒng)內(nèi)上游處使用的設(shè)備的材料的顆?；蝾愃莆?。污染物可能是來自配置用以保持燃料(或這種材料的氧化物)的貯液器的材料，或來自在燃料流路徑內(nèi)設(shè)置的過濾器的材料。本發(fā)明的一個目的是防止噴嘴被污染物阻塞，由此導(dǎo)致噴嘴的有效幾何形狀改變。一種已提出的方案將在燃料流動系統(tǒng)中使用細(xì)化或更細(xì)化的過濾器以防止平均直徑小于噴嘴直徑(即，噴嘴的開口)的污染物到達噴嘴。然而，這之后導(dǎo)致整個燃料流動系統(tǒng)的阻塞(即在該過濾器處)，其可能再次導(dǎo)致需要定期維護或維修燃料流生成器，由此引起輻射源和/或整個光刻設(shè)備的顯著的停工時間。本發(fā)明提供對上述問題的替代方法，其不會(或至少較不可能)導(dǎo)致增加在(包括噴嘴的)燃料流動系統(tǒng)內(nèi)形成阻塞的機會。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種輻射源。輻射源包括燃料流生成器。燃料流生成器包括貯液器，配置成保持一體積的燃料，和與貯液器流體連接的噴嘴，配置成沿朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料流(連續(xù)的燃料流或液滴)。輻射源還包括激光器，配置成引導(dǎo)激光輻射到位于等離子體形成位置處的流上以在使用中生成用于生成輻射的等離子體。輻射源可以與現(xiàn)有輻射源相區(qū)別之處，還在于設(shè)置有燃料污染物控制布置。燃料污染物控制布置包括用于生成磁場的磁場生成元件。還設(shè)置電場生成元件用于生成電場。磁場生成元件和電場生成元件一起配置成確保至少在使用中磁場和電場在燃料內(nèi)的污染物的一個位置處或潛在的位置處交疊。所述元件還配置成確保為磁場和電磁的通量的線在該位置處相對于彼此不平行以便控制污染物的移動。燃料污染物控制布置可以配置成將污染物驅(qū)動離開使其不通過噴嘴(例如，所述布置可以防止污染物流向且流過噴嘴)。這可以允許污染物保持在例如貯液器中，因此防止污染物進入輻射源的可能的對污染物更敏感的區(qū)域，例如等離子體形成位置的附近區(qū)域和包括等離子體形成位置的附近區(qū)域，和/或任何輻射收集器或收集表面。替換地，燃料污染物控制布置可以配置成驅(qū)動污染物通過噴嘴，這可以仍然證明有利于防止污染物在噴嘴內(nèi)積累。在任意配置中，該布置至少幫助防止污染物在噴嘴內(nèi)積累，由此允許噴嘴保持處于令人滿意的操作條件下。本發(fā)明的核心不在于控制污染物移動的物理原理或其他原理。相反，本發(fā)明在于將這些原理應(yīng)用到包括流體流生成器的輻射源或通常應(yīng)用到流體流生成器。可以控制污染物移動所依據(jù)的原理在例如下面的論文中給出H. K. Moffatt和A Sellier的在J.Fluid Mech. (2002)，vol. 464，pp. 279-286 上發(fā)表的論文“Migration of an insulatingparticle under the action of uniform ambient electric and magnetic fields，，。如在該論文中公知且討論的，已經(jīng)在實驗和理論上表明，浸沒在例如不同傳導(dǎo)性的液態(tài)金屬中的顆粒將通過施加的電場和磁場的組合作用被迫使相對于液體遷移。電場驅(qū)動的電流與磁場相互作用以產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)的洛倫茲力。其驅(qū)動液體的流動，該液體施加粘滯應(yīng)力到顆粒上，由此使得顆粒移動至遠處的液體。對該論文和例如其中引用的其他論文進行參考，用于確定控制顆粒(例如污染物)移動所依據(jù)的物理原理。本發(fā)明在于應(yīng)用這些原理，如下文參照圖5至10詳細(xì)討論的。在圖5至10中，為了一致和清楚，相同的特征被給予相同的附圖標(biāo)記。這些圖不以任何特定的比例繪制。圖5示意地示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的輻射源的流體流生成器。流體流生成器包括貯液器40，配置成保持一定體積的在生成輻射中使用的導(dǎo)電燃料42(例如液態(tài)錫)。貯液器40與上文在圖3和4中已經(jīng)示出并參考圖3和4描述的管道30和噴嘴32流體連接(即，能夠供給燃料至管道30和噴嘴32)。再次參考圖5，可以施加壓力至燃料42 (例如機械壓力或流體壓力)以迫使通過噴嘴32噴射燃料42。流體流生成器也設(shè)置有燃料污染物控制布置。流體污染物控制布置包括磁場生成元件44。在該實施例中，磁場生成布置采用圍繞噴嘴32和/或管道30的螺線管44的形式。噴嘴32和/或管道30內(nèi)的燃料42本身可以形成磁場生成元件的至少一部分。還設(shè)置電場生成元件，其在該實施例中采用定位在噴嘴32和/或管道30任一側(cè)的兩個電極46的形式。磁場生成元件44和電場生成元件46配置成確保至少在使用中，磁場和電場在燃料42內(nèi)的污染物36的位置或潛在位置處交疊。潛在位置可以例如在污染物源的下游和/或在沒有燃料污染物控制布置的情況下在污染物的預(yù)期的流動路徑中。該位置可以是一個點、區(qū)域、體積等。此外，根據(jù)上面引用的論文中詳細(xì)描述的原理，磁場生成元件和電場生成元件還一起配置成確保磁場和電磁的通量線在污染物的位置處或潛在位置處不平行，以便控制污染物的移動。通常，為了控制移動，需要生成力，該力依賴于電場和磁場的交叉乘積或向量積(cross product)ο如果通量線彼此平行，則該力將為零。具體地，燃料42中由電場驅(qū)動的電流與磁場相互作用以在流體42上產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)的洛倫茲力。這驅(qū)動施加粘滯應(yīng)力到例如顆粒污染物36上的流動，由此使得污染物36相對于燃料42移動。該移動可以使得污染物36移動至貯液器40內(nèi)的污染物堆50等。在使用中，并且根據(jù)上面討論的原理，生成在噴嘴32或管道30內(nèi)的流體流，其驅(qū)動污染物36離開噴嘴32和/或管道30，并回到貯液器40 (或防止這種污染物36進入噴嘴32和/或管道30)。這確保污染物36不能進入并通過管道30和/或噴嘴32。這也防止污染物36沉積在噴嘴32和/或管道30內(nèi)部，其將改變?nèi)我徽叩挠行缀涡螤?，?或防止污染物36潛在地進入輻射源的對污染物更敏感的區(qū)域。在該實施例中，螺線管44圍繞燃料42內(nèi)的污染物的位置或潛在位置，并且兩個電極46定位在該位置的任一側(cè)上。在該示例中，該位置位于噴嘴32內(nèi)，和/或在從貯液器40通向至噴嘴32的管道30內(nèi)。噴嘴32和/或通向至噴嘴32的管道30與例如貯液器40的尺寸相比可能相對較小(例如在橫截面或通道直徑方面上)。因此，與例如該位置在諸如貯液器42的較大主體內(nèi)的情形相反，在以此方式實施本發(fā)明時可以需要較小的磁場生成布置和/或電場生成布置(和/或較小的電流或場強度等)。然而，當(dāng)然，不同的配置是可以的，如下面參照示出其他實施例的其他圖詳細(xì)討論的那樣。磁場生成布置已經(jīng)被描述成包括圍繞燃料內(nèi)的污染物的位置或潛在位置的螺線管。磁場生成布置可以附加地包括用于提供給螺線管電流流和/或用于確保獲得/可以獲得足夠大的磁場強度的驅(qū)動電子裝置或其他部件。替換地和/或附加地，一個或更多個永磁體可以形成磁場生成布置的一部分。電場生成布置已經(jīng)被描述為包括兩個電極。這兩個電極可以例如位于燃料內(nèi)的污染物的位置或潛在位置的大致相對側(cè)上。例如，電場生成布置可以是或至少部分構(gòu)成電容器，該電容器的相對板位于燃料內(nèi)的污染物的位置或潛在位置的大體相對側(cè)上。在另一實施例中，單個電極可以用于生成電場。電場生成布置可以附加地包括用于提供期望的電勢或電場強度的驅(qū)動電子裝置或其他部件(例如，用于保持電極處于期望的電勢)。優(yōu)選地，磁場生成元件和/或電場生成元件配置成確保至少在使用中所提供的磁場和/或電場在燃料內(nèi)的污染物的位置或潛在位置處是基本上均勻的。這可以幫助提供所需的力，并且控制這些力，以便驅(qū)動期望的燃料流動和因此驅(qū)動污染物移動?，F(xiàn)在將參照圖6-10描述參照圖5示出并描述的實施例的多個變形。如上所述，電場生成元件和磁場生成元件可以圍繞噴嘴或通向至該噴嘴的管道。然而，在一些實施例中，噴嘴和/或通向至該噴嘴的管道可以包括機電攪動器(例如，壓電元件等)或與之相連接，用于引起噴嘴和/或管道的振動，以在使用中確保液滴離開噴嘴(例如，與至少部分連續(xù)的流相反)。這種攪動器的設(shè)置可能需要對流體流生成器稍作重新設(shè)計，如現(xiàn)在將描述的。圖6示意地示出輻射源的流體流生成器，大致如參照圖5示出并描述的。然而，圖6的生成器被示出為附加地包括如上所述的機電攪動器60。機電攪動器60圍繞通向至噴嘴32的管道30的至少一部分，并且可能是圍繞噴嘴32的至少一部分。機電攪動器60可以至少對外部電場敏感，并且可能對外部磁場敏感。這種敏感性可能對在噴嘴32處生成的液滴的性質(zhì)有直接影響，例如對液滴的尺寸或頻率。在不做任何修改的情況下，電場生成元件46和/或磁場生成元件44的設(shè)置可能對攪動器60的操作有直接影響，并因此對由噴嘴32所生成的液滴的性質(zhì)有影響?；诖嗽颍赡芷谕峁┯糜跀噭悠?0的屏蔽件62，以便將攪動器60與(例如由電場生成元件46和/或磁場生成元件44提供的)外部電場和/或磁場屏蔽開。在另一未示出的實施例中，磁場和/或電場生成元件可以定位成使得所生成的任何場(或至少任何場的相當(dāng)大的量)與機電攪動器空間上分開，使得攪動器不受這種場的影響。圖7示出替換的實施例，其中電場生成元件46和/或磁場生成元件44圍繞從貯液器40通向至噴嘴32的(在該實施例中，另一)管道70。另一管道70可以比例如噴嘴32或通向至所述噴嘴的管道30寬。例如，管道30可以是毛細(xì)管或形成毛細(xì)管。另一管道70可以是例如(較寬的)管道或類似物。這種配置的優(yōu)點在于，電場生成元件和/或磁場生成元件圍繞比貯液器40本身更小的物體，由此允許相對小尺寸的這種元件和/或用于操作這種元件的電流等。同時，這種配置還避免在圍繞噴嘴32或通向至噴嘴32的管道30時可能遇到的問題(例如，如果管道30或噴嘴32包括或與上述的機電攪動器相連)。圖8示出在替換的實施例中電場生成元件46和/或磁場生成元件44可以圍繞貯液器40或定位在貯液器的側(cè)面。這可以允許上述的磁場和電場交疊，被定位在貯液器40內(nèi)，或例如更具體地，位于貯液器內(nèi)和噴嘴32的開口附近區(qū)域內(nèi)，或貯液器和從貯液器40通向至噴嘴32的管道30的附近區(qū)域內(nèi)。該實施例可能具有的缺點是，電場生成元件46和/或磁場生成元件44可以必須圍繞或包封較大的主體(例如，貯液器40)，這導(dǎo)致較大的元件和/或較高的驅(qū)動電流、電壓等。然而，一個優(yōu)點可能是，其可能比從諸如管道或噴嘴的較小空間驅(qū)動污染物回到該貯液器的情形，更容易防止污染物離開貯液器。同理，可能需要較小的力控制污染物的移動，至少至阻止污染物朝向噴嘴穿過的程度。圖9示出，在替換的實施例中，污染物控制可以使得防止污染物進入貯液器40。這可能通過在貯液器40的上游(例如通向至貯液器40的管道80的開口附近區(qū)域內(nèi))提供污染物控制布置(成電場生成元件46和磁場生成元件44的形式)來確保。在該實施例(未示出)的變形中，污染物控制布置可以配置成確保電場和磁場被設(shè)置并配置成交疊在圖中示出的貯液器40的上游的另一貯液器內(nèi)；或在另一貯液器內(nèi)和在通向至圖中示出的貯液器40的管道的開口附近區(qū)域中；或在通向至貯液器40 (如圖所示)的管道內(nèi)。這些實施例可能是有利的，因為它們可能導(dǎo)致提供沒有污染物的燃料的貯液器。這可以允許在下游(例如在貯液器和噴嘴之間(或噴嘴內(nèi)))設(shè)置較少的過濾級的過濾器。這可能導(dǎo)致成本和/或維護費用減少，和/或可以允許提高燃料流速或流量等(即，在不存在一個或多個過濾器的情形中)。在另一實施例(未示出)中，貯液器可以以至少兩個部分形成，其中管道連接該兩個部分。電場和磁場生成元件可以配置成防止污染物通過該管道，并且例如進入與貯液器的下游部分相連接的噴嘴。圖10示出與在圖5中示出并參照圖5描述的非常相似的燃料流生成器和污染物控制布置。然而，與圖5中示出的相比，在圖10中污染物控制使得污染物36被驅(qū)動通過噴嘴32并從噴嘴32出來?？梢院唵蔚赝ㄟ^改變通過螺線管44的電流的方向和/或(在其它實施例中)通過適當(dāng)?shù)匾苿涌赡茉O(shè)置在該布置中的一個或更多個永磁體來實現(xiàn)污染物36的移動方向的改變?？梢詢H在污染物實際并不阻擋噴嘴(即，能夠通過噴嘴)時，需要或?qū)嵤﹪L試驅(qū)動污染物通過噴嘴32。將污染物保持在燃料流動系統(tǒng)(例如貯液器內(nèi))可能是期望的，以避免污染物存在于整個光刻設(shè)備和輻射源的更敏感的區(qū)域內(nèi)。然而，在一些情況中，可能期望將污染物沖洗出燃料流動系統(tǒng)，在這種情況下圖10中示出的實施例可以是期望的，例如在清洗生成器期間等。在圖中，貯液器、管道以及噴嘴被示出為具有大致垂直的方向。然而，其他的方向也是可以的，例如基本上水平的方向，或成其他角度的方向。在圖中，噴嘴被示出為通過管道從貯液器延伸。在另一實施例中，噴嘴可以從管道直接延伸，或可以形成管道的一部分(例如噴嘴可以形成在管道的壁中)。正如上面已經(jīng)討論的，本發(fā)明所依據(jù)的物理原理是已知的，因此在這里不做詳細(xì)討論。因此，需要實現(xiàn)所需要的對污染物移動的控制的場強度等可能源自理論考慮，例如在上面提到的論文等中示出的。替換地和/或附加地，可以要求一定程度的反復(fù)試驗、實驗、模型化等以確定以合適方式控制污染物移動的期望的或優(yōu)選的場強度。從前面的段落繼續(xù)，可以不需要電場和磁場的組合使用。例如，本發(fā)明是更一般的且涉及使用(變化的或恒定的)電場和/或(變化的或恒定的)磁場以控制污染物的移動。電場和/或磁場可以被在流體外部產(chǎn)生，例如通過使用與上述的相同類型的設(shè)備。替換地，可以在流體內(nèi)通過僅使用外部施加的電場或外部施加的磁場、使用與上述的相同類型的設(shè)備感應(yīng)磁場和/或電場。配置或布置可以包括但不限于I)直流和恒定磁場的同時施加；
2)交流(即變化的)電流(電場)的施加；3)交流(即變化的)電流和交變(即變化的)磁場的同時施加；4)交變(即變化的)磁場的施加；5)移動的或交變(即變化的)磁場的施加。優(yōu)選的方法可以是上面第2)種形式，其同時施加直流和恒定磁場。這是因為，其可以被理解為最可靠的方法之一，如在論文中討論的M. Reza Afshar, M. RezaAboutaleb1、R.1. L. Guthrie、M.1sac 在 International Journal Of MechanicalSciences, 52(2010) 1107 - 1114 上發(fā)表的論文 “Modeling Of ElectromagneticSeparation Of Inclusions From Molten Metals，，。幾種配置的一個方法在于，交變場感應(yīng)對應(yīng)的或配對的場(counter partfield)，即交變的(S卩，變化的)電場感應(yīng)交變(即，變化的)磁場，反之亦然。這意味著，在某些配置中不必同時施加外部電場和外部磁場。再者，兩個場可以用于例如以與參照附圖詳細(xì)描述的類似方式移動污染物通過周圍的流體，一即引起流體的移動以引起顆粒的移動。再者，本發(fā)明的核心不在于控制污染物移動所依據(jù)的物理原理或其他原理。相反，本發(fā)明在于將這些原理應(yīng)用于包括流體流生成器的輻射源，或通常應(yīng)用至流體流生成器。可以控制污染物移動的附加的或替換的原理例如在下面的論文和其中參考的論文中示出，全部這些論文通過參考并入本文中S. Taniguchi, N. Yoshikawa, K. Takahashi 在 The 15th Riga And 6th PAMIRConference On Fundamental And Applied MHD 上發(fā)表的論文“Application Of EPM ToThe Separation Of Inclusion Particles From Liquid Metal”D. Shu, B. D. Sun, J. Wang, T. X. Li 和 Y. H. Zhou 在 Metallurgical And MaterialsTransactions A Volume 30a, November 1999-2979 上發(fā)表的論文“Study OfElectromagnetic Separation Of Nonmetallic Inclusions From Aluminum Melt，，S. Asai 在 Science And Technology Of Advanced Materials I(2000) 191-200上發(fā)表的論文“Recent Development And Prospect Of Electromagnetic Processing OfMaterials，，M. Reza Afshar, M. Reza Aboutalebi, R.1. L. Guthrie, M.1sac 在 InternationalJournal Of Mechanical Sciences, 52 (2010) 1107 - 1114 發(fā)表的論文 “Modeling OfElectromagnetic Separation Of Inclusions From Molten Metals，，在替換的實施例中，污染物控制布置可能與機械裝置(或其它過濾器)組合使用，以通過應(yīng)用上述原理防止污染物通過或穿過特定的位置。在相關(guān)的實施例中，上述的污染物控制布置可以用作過濾器或凈化裝置，并不是簡單地防止特定類型的所有顆粒通過特定位置或穿過特定位置。例如，控制污染物的移動可能涉及控制特定尺寸或尺寸范圍的污染物的移動。所施加的電磁場強度確定過濾效率，并為特定尺寸顆粒設(shè)定閾值?？梢栽谳椛湓吹姆浅｀徑鼌^(qū)域內(nèi)和/或在輻射源的不同的、相對遠離的部分處串聯(lián)地使用這種類型的多個電磁過濾器，例如在其他實施例中示出的位置和/或該位置的周圍。為了抑制效率和/或尺寸選擇性的原因，可以使用多個過濾器。在這些實施例中，對是或包括液態(tài)錫的燃料、污染物是或包括氧化錫的顆?；蝾愃莆镒龀鰠⒖?。然而，本發(fā)明可應(yīng)用于其他類型的液體/燃料，例如與其中所包含的污染物相比燃料或流體具有不同的電導(dǎo)率，以便允許成功地實施上述討論的控制。電導(dǎo)率差異越大，越容易移動污染物。例如，燃料/液體可以是導(dǎo)體(例如液態(tài)形式的金屬)，和/或污染物可以基本上是電絕緣體(例如該金屬的氧化物)?？刂莆廴疚锏囊苿釉谀承┣闆r下可能需要污染物的移動。在其他實施例中，對移動的控制可以等同于將污染物保持在靜止位置。雖然上面提到的實施例已經(jīng)關(guān)于輻射源進行了描述，但是本發(fā)明可以應(yīng)用于并且尤其用于需要在流體流生成器中使用噴嘴的其它應(yīng)用中，例如在噴墨打印或金屬印刷(例如電路印刷)等的領(lǐng)域中。然而，假定這種設(shè)備對污染物的敏感度，輻射源相關(guān)的實施方式可能是尤其優(yōu)選的。雖然在本文中對光刻設(shè)備用在制造IC (集成電路)做出了具體參考，但是應(yīng)該理解，這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將這里使用的任何術(shù)語“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將此處的公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層1C，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。在允許的情況下，術(shù)語“透鏡”可以表示不同類型的光學(xué)部件中的任何一種或其組合，包括折射式的、反射式的、磁性的、電磁的以及靜電的光學(xué)部件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施例，但應(yīng)該認(rèn)識到，本發(fā)明可以以與上述不同的方式來實現(xiàn)。上述的描述旨在進行解釋，而不是限制性的。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在不脫離下文所闡述的權(quán)利要求的范圍的情況下可以對上述的本發(fā)明進行修改。
權(quán)利要求
1.一種福射源，包括貯液器，配置成保持一體積的燃料；噴嘴，與貯液器流體連接，并配置成沿朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料流； 激光器，配置成引導(dǎo)激光輻射到等離子體形成位置處的所述流上以在使用中生成用于生成輻射的等離子體；和燃料污染物控制布置，所述燃料污染物控制布置包括磁場生成元件，配置成生成磁場；電場生成元件，配置成生成電場；其中磁場生成元件和電場生成元件一起配置成確保在使用中磁場和電場在燃料內(nèi)的污染物的位置或潛在位置處交疊，并確保磁場和電場的通量線在所述位置處不平行以便控制污染物的移動。
2.如權(quán)利要求1所述的輻射源，其中燃料污染物控制布置配置成驅(qū)動污染物離開使其不通過所述噴嘴。
3.如權(quán)利要求1所述的輻射源，其中燃料污染物控制布置配置成驅(qū)動污染物通過噴嘴。
4.如權(quán)利要求1所述的輻射源，其中燃料內(nèi)的污染物的位置或潛在位置是下述中的一個或更多個位置在噴嘴內(nèi)，或在從貯液器通向至噴嘴的管道內(nèi)；在貯液器內(nèi)，或在貯液器內(nèi)和在噴嘴開口的附近區(qū)域內(nèi)，或在貯液器內(nèi)和在從貯液器通向至噴嘴的管道的開口附近區(qū)域內(nèi)；在貯液器上游的另一貯液器內(nèi)，或在該另一貯液器內(nèi)和在通向至貯液器的管道的開口附近區(qū)域內(nèi)，或在通向至貯液器的管道內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的輻射源，其中噴嘴和/或通向至噴嘴的管道包括機電攪動器或與機電攪動器相連接，用于引起噴嘴振動或包含在其中的流體振動，和其中機電攪動器被與外部電場和/或外部磁場屏蔽。
6.如權(quán)利要求1所述的輻射源，其中磁場生成元件包括螺線管，所述螺線管圍繞燃料內(nèi)的污染物的所述位置或所述潛在位置；和/或一個或更多個永磁體。
7.如權(quán)利要求1所述的輻射源，其中電場生成布置包括下述中的一個或更多個電極；或兩個電極；或定位在燃料內(nèi)的污染物的位置或潛在位置的大體相對側(cè)上的兩個電極；或電容器，所述電容器的相對的板定位在燃料內(nèi)的污染物的位置或潛在位置的大體相對側(cè)上。
8.如權(quán)利要求1所述的輻射源，其中磁場生成元件和/或電場生成元件配置成確保在使用中所述磁場和/或電場在燃料內(nèi)的污染物的位置或潛在位置處提供基本上均勻的磁場和/或電場。
9.如權(quán)利要求1所述的輻射源，其中污染物控制布置，或一個或更多個附加的污染物控制布置用作輻射源內(nèi)的過濾器或凈化裝置。
10.一種光刻設(shè)備，包括照射系統(tǒng)，構(gòu)造并布置成提供輻射束；圖案形成裝置，構(gòu)造并布置成在輻射束的橫截面上賦予輻射束圖案；襯底保持裝置，構(gòu)造并布置成保持襯底；投影系統(tǒng)，構(gòu)造并布置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，和其中光刻設(shè)備還包括上述權(quán)利要求中任一項所述的輻射源連接或與上述權(quán)利要求中任一項所述的輻射源連接。
11.一種流體流生成器，包括貯液器，配置成保持一體積的流體；噴嘴，與貯液器流體連接，并配置成沿一軌跡引導(dǎo)流體流；和流體污染物控制布置，所述流體污染物控制布置包括磁場生成元件，構(gòu)造并布置成生成磁場；電場生成元件，構(gòu)造并布置成生成電場；磁場生成元件和電場生成元件一起配置成確保在使用中磁場和電場在流體內(nèi)的污染物的位置或潛在位置處交疊，并確保磁場和電場的通量線在所述位置處不平行以便控制污染物的移動。
12.一種在流體流生成器中的污染物控制方法，所述流體流生成器包括配置成保持一體積的流體的貯液器和與貯液器流體連接并配置成沿一軌跡引導(dǎo)流體流的噴嘴，所述方法包括以下步驟建立磁場和電場以控制污染物的移動,其中在流體內(nèi)污染物的位置處磁場和電場的通量線的交疊被建立；和改變磁場和電場中的至少一個以促使流體內(nèi)污染物的移動。
13.一種流體流生成器中的污染物控制的方法，所述流體流生成器包括貯液器，配置成保持一體積的流體；和噴嘴，與貯液器流體連接，并配置成沿一軌跡引導(dǎo)流體流；所述方法包括以下步驟通過在流體內(nèi)污染物的位置或潛在位置處建立交疊的磁場和電場以控制污染物的移動，磁場和電場的通量線在所述位置處不平行以便促使流體的移動，以便繼而控制包含在流體內(nèi)的污染物的移動。
14.一種流體流生成器內(nèi)污染物控制的方法，所述流體流生成器包括貯液器，配置成保持一體積的流體；和噴嘴，與貯液器流體連接，并配置成沿一軌跡引導(dǎo)流體流；所述方法包括以下步驟通過在流體內(nèi)污染物的位置或潛在位置處建立磁場和/或電場來控制污染物的移動， 用于控制流體內(nèi)所包含的污染物的移動。
15.如前述權(quán)利要求任一項所述的輻射源、光刻設(shè)備、流體流生成器或方法，其中燃料或流體包括錫，和/或其中污染物包括氧化錫。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種輻射源。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種輻射源，包括貯液器，配置成保持一體積的燃料；噴嘴，與貯液器流體連接，并配置成沿朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料流；激光器，配置成引導(dǎo)激光輻射到等離子體形成位置處的所述流上，以在使用中生成用于生成輻射的等離子體；和燃料污染物控制布置，所述污染物控制布置包括用于生成磁場的磁場生成元件；用于生成電場的電場生成元件；磁場生成元件和電場生成元件一起配置成確保在使用中磁場和電場在燃料內(nèi)的污染物的位置或潛在位置處交疊，并確保磁場和電場的通量線在該位置處不平行以便控制污染物的移動。
文檔編號G03F7/20GK103019036SQ20121019089
公開日2013年4月3日 申請日期2012年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月23日
發(fā)明者W·J·麥斯特姆, G·H·P·M·斯溫凱爾斯 申請人:Asml荷蘭有限公司