專利名稱：襯底臺(tái)組件、浸沒光刻設(shè)備以及器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及襯底臺(tái)組件、浸沒光刻設(shè)備以及使用浸沒光刻設(shè)備制造器件的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０?reticle)的圖案形成裝置用于生成將 要形成在所述IC的單層上的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂的步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來福射每一個(gè)目標(biāo)部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。曾有提議將光刻投影設(shè)備中的襯底浸沒到具有相對(duì)高的折射率的液體中(例如水)，以便填充投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空隙。在一實(shí)施例中，液體是蒸餾水，但是也可以使用其他液體。將參照液體描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，其他流體也是適用的，尤其是浸濕流體、不可壓縮的流體和/或具有比空氣折射率高的折射率的流體，期望具有比水高的折射率。不包括氣體的流體是尤其想要的。其重點(diǎn)在于允許對(duì)較小特征進(jìn)行成像，因?yàn)槠毓廨椛湓谝后w中將具有較短的波長(zhǎng)。(液體的效果也可以認(rèn)為是提高系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑(NA)同時(shí)增加了焦深)其他的浸沒液體也有提到，包括其中懸浮有固體(例如，石英)顆粒的水，或具有納米顆粒懸浮物(例如具有最大尺寸為IOnm的顆粒)的液體。懸浮顆?？梢跃哂谢虿痪哂信c其懸浮所在的液體類似或相同的折射率。其他可能合適的液體包括烴，例如芳香烴、氟化烴和/或水溶液。將襯底或襯底和襯底臺(tái)浸入液體浴器(參見，例如美國(guó)專利No. US4, 509，852)意味著在掃描曝光過程中需要加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動(dòng)機(jī)，而液體中的湍流可能會(huì)導(dǎo)致不希望的和不能預(yù)期的效果。在浸沒設(shè)備中，浸沒流體由流體處理系統(tǒng)、器件結(jié)構(gòu)或設(shè)備來處理。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以供給浸沒流體，因而是流體供給系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以至少部分地限制浸沒流體，因而是流體限制系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以提供阻擋件給浸沒流體，因而是阻擋構(gòu)件(例如流體限制結(jié)構(gòu))。在一實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以產(chǎn)生或使用氣流，例如以便幫助控制浸沒流體的流動(dòng)和/或位置。氣流可以形成密封以限制浸沒流體，因而流體處理結(jié)構(gòu)可以稱為密封構(gòu)件；這種密封構(gòu)件可以是流體限制結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，浸沒液體被用作浸沒流體。在這種情況下，流體處理系統(tǒng)可以是液體處理系統(tǒng)。參照前面提到的內(nèi)容，在本段落中提到的有關(guān)流體的限定特征可以被理解成包括有關(guān)液體的限定特征。

發(fā)明內(nèi)容
與襯底接觸的浸沒流體的蒸發(fā)會(huì)引起襯底的冷卻。這種冷卻會(huì)引起襯底的變形。襯底變形會(huì)引起形成在襯底上的圖案的誤差?？刂埔r底臺(tái)的溫度以提供熱至襯底并補(bǔ)償由浸沒液體的蒸發(fā)引起的冷卻。然而，使用這種方法難以提供充分迅速的且精確的補(bǔ)償。期望地，例如提供對(duì)由于浸沒液體的蒸發(fā)引起的襯底冷卻的改進(jìn)的補(bǔ)償。根據(jù)一方面，提供一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以提供氣體至襯底臺(tái)和安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體包括H2。 根據(jù)一方面，提供一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以提供氣體至襯底臺(tái)和安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，和其中襯底臺(tái)包括用以從氣體處理系統(tǒng)供給氣體至襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域的供給口，和用以從所述區(qū)域抽取流體的抽取口，所述抽取口包括外周抽取口，配置成從與襯底的外周鄰近的區(qū)域提供周圍環(huán)境氣體、浸沒流體或兩者的橫向向內(nèi)的流動(dòng)。根據(jù)一方面，提供一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以提供第一氣體至襯底臺(tái)和安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的第一氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，和其中氣體處理系統(tǒng)還配置成提供緩沖氣體作為第二氣體至襯底臺(tái)和安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，所述緩沖氣體具有與第一氣體不同的成分。根據(jù)一方面，提供一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以提供氣體至襯底臺(tái)和安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，和其中襯底臺(tái)包括通孔，所述通孔具有進(jìn)入襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域的開口。根據(jù)一方面，提供一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；氣體處理系統(tǒng)，用以提供氣體至襯底臺(tái)和安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K);和邊緣密封件，用以在襯底之上的區(qū)域和襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域之間的襯底外周邊緣處提供密封，其中所述組件配置成從與襯底的外圍相鄰的區(qū)域提供熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmff/ (m. K)的氣體的橫向向內(nèi)的流動(dòng)。根據(jù)一方面，提供一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以提供氣體至襯底臺(tái)和安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，并且氣體處理系統(tǒng)包括沖洗貯液器，所述沖洗貯液器在大于大氣壓的壓力條件下存儲(chǔ)298K條件下熱導(dǎo)率大于或等于IOOmW/ (m. K)的氣體。根據(jù)一方面，提供一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以提供氣體至襯底臺(tái)和安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，并且氣體處理系統(tǒng)包括重新處理系統(tǒng)，用以從已經(jīng)通過襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域的流體抽取熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體。根據(jù)一方面，提供一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以提供氣體至襯底臺(tái)和安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K);和抽吸貯液器，配置成被保持在部分真空條件下并且能夠選擇性地連接至襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域以從該區(qū)域去除流體。根據(jù)一方面，提供一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和液體處理系統(tǒng)，用以提供液體至襯底臺(tái)和安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，以便在使用時(shí)覆蓋襯底臺(tái)的與襯底直接相對(duì)的部分的表面面積的至少20%。
根據(jù)一方面，提供一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以提供氣體至襯底臺(tái)和安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中襯底臺(tái)包括通孔，所述通孔具有進(jìn)入襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域的開口，和所述組件還包括圍繞所述通孔的開口的通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)，所述通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)形成圍繞所述開口的閉合路徑。根據(jù)一方面，提供一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)和襯底之間的空間的浸沒液體；和提供氣體至襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，其中所述氣體包括H2。根據(jù)一方面，提供一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)和襯底之間的空間的浸沒液體；提供氣體至襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K);和從鄰近襯底外周的區(qū)域提供周圍環(huán)境氣體、浸沒流體或兩者的橫向向內(nèi)的流動(dòng)。根據(jù)一方面，提供一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)和襯底之間的空間的浸沒液體；提供第一氣體至襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中所述第一氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K);和提供緩沖氣體作為第二氣體至襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域，所述緩沖氣體與第一氣體不同的成分。根據(jù)一方面，提供一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)和襯底之間的空間的浸沒液體；和提供氣體至襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，其中襯底臺(tái)包括通孔，所述通孔具有進(jìn)入襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域的開口。根據(jù)一方面，提供一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)和襯底之間的空間的浸沒液體；提供氣體至襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K);在襯底之上的區(qū)域和襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域之間的襯底外周邊緣處進(jìn)行密封；和從鄰近襯底外周的區(qū)域提供在298K條件下熱導(dǎo)率大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體的橫向向內(nèi)的流動(dòng)。根據(jù)一方面，提供一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)和襯底之間的空間的浸沒液體；提供氣體至襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K);和從已經(jīng)通過襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域的流體抽取熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體，以便重新使用所抽取的氣體。根據(jù)一方面，提供一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)和襯底之間的空間的浸沒液體；和提供液體至襯底和支撐襯底的襯底臺(tái)之間的區(qū)域，以便覆蓋襯底臺(tái)的與襯底直接相對(duì)的部分的表面面積的至少20%。根據(jù)一方面，提供一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)和襯底之間的空間的浸沒液體；和提供氣體至襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中襯底臺(tái)包括通孔，所述通孔具有進(jìn)入襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域的開口，和其中通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)圍繞通孔的所述開口，所述通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)圍繞所述開口形成閉合的路徑。


在此僅借助示例，參照所附示意圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，在所附示意圖中，相對(duì)應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相對(duì)應(yīng)的部分，且其中·圖I示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2和圖3示出用于光刻投影設(shè)備中的液體供給系統(tǒng)；圖4示出用于光刻投影設(shè)備中的另一液體供給系統(tǒng)；圖5示出用于光刻投影設(shè)備中的另一液體供給系統(tǒng)；圖6示出用于光刻投影設(shè)備中的另一液體供給系統(tǒng)的橫截面視圖；圖7示出投影系統(tǒng)和用以供給高熱導(dǎo)率氣體至襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域的襯底臺(tái)組件的橫截面視圖；圖8示出襯底臺(tái)中的抽取口和供給口的橫截面視圖；圖9示出具有三個(gè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)的布置的橫截面視圖；圖10示出襯底臺(tái)中的通孔抽取口、通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)以及通孔的橫截面視圖；圖11示出具有三個(gè)通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)的布置的橫截面視圖；圖12示出襯底臺(tái)中的通孔供給口和通孔的橫截面視圖；圖13示出包括邊緣密封件和外周供給口的襯底臺(tái)的橫截面視圖；圖14示出包括具有沖洗貯液器、連接系統(tǒng)以及連續(xù)流動(dòng)系統(tǒng)的氣體處理系統(tǒng)的襯底臺(tái)組件和投影系統(tǒng)的橫截面視圖；圖15示出用以從已經(jīng)通過襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域的流體抽取高熱導(dǎo)率氣體的再處理系統(tǒng)；圖16示出用以提供液體至襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域的液體處理系統(tǒng)的橫截面視圖；圖17示出襯底臺(tái)的上表面的俯視圖，示出圖16的液體處理系統(tǒng)的連接器元件和芯吸結(jié)構(gòu)；圖18示意地示出使用噴霧器將液體應(yīng)用至襯底臺(tái)的表面；和圖19示出在從外部系統(tǒng)而不是通過本地蒸發(fā)提供濕潤(rùn)的空氣至所述區(qū)域的系統(tǒng)中部分水壓力和飽和溫度如何隨著夾持壓力變化的曲線。圖20示出圖8中示出的類型的適于使用緩沖氣體以約束高熱導(dǎo)率氣體的一實(shí)施例。
圖21示出圖10中示出的類型的適于供給緩沖氣體至通孔的實(shí)施例。圖22示出圖12中示出的類型的適于使用緩沖氣體約束高熱導(dǎo)率氣體的一實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式圖I示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光刻設(shè)備。該設(shè)備包括-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)；-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置 (例如掩模)MA，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；-支撐臺(tái)，例如用以支撐一個(gè)或多個(gè)傳感器的傳感器臺(tái)或構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的襯底)W的襯底臺(tái)WT，其與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位(例如襯底W)臺(tái)的表面的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS,其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。所述照射系統(tǒng)IL可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型、靜電型或其他類型的光學(xué)部件，或所有這些部件的組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置MA的取向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機(jī)械的、真空的或其他夾持技術(shù)來保持圖案形成裝置MA。支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng)PS)。在這里任何使用的術(shù)語“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J(rèn)為與更上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上期望的圖案完全相符，例如，圖案包含相移特征或所謂的輔助特征。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，可以獨(dú)立地傾斜每一個(gè)小反射鏡，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述傾斜的反射鏡把圖案賦予到被反射鏡陣列反射的輻射束。這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型光學(xué)系統(tǒng)、反射型光學(xué)系統(tǒng)、反射折射型光學(xué)系統(tǒng)、磁性型光學(xué)系統(tǒng)、電磁型光學(xué)系統(tǒng)和靜電型光學(xué)系統(tǒng)，或所有這些系統(tǒng)的組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。如這里所述的，所述設(shè)備是透射型的(例如采用透射式的掩模)。替換地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如采用如上述的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)或更多臺(tái)(或操作臺(tái)或支撐結(jié)構(gòu))，例如兩個(gè)或更多個(gè)襯底臺(tái)或者一個(gè)或更多個(gè)襯底臺(tái)和一個(gè)或多個(gè)清潔、傳感器或測(cè)量臺(tái)的組合。例如，在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備是多臺(tái)設(shè)備，包括位于投影系統(tǒng)的曝光側(cè)的兩個(gè)或更多個(gè)臺(tái)，每一個(gè)臺(tái)包括和/或保持一個(gè)或多個(gè)物體。在一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)臺(tái)可以保持輻射敏感襯底。在一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)臺(tái)可以保持傳感器以測(cè)量來自投影系統(tǒng)的輻射。在一實(shí)施例中，多臺(tái)設(shè)備包括配置成保持輻射敏感襯底(即襯底臺(tái))的第一臺(tái)和配置成不保持輻射敏感襯底的第二臺(tái)(下文中一般地但不是限制地稱為測(cè)量臺(tái)、傳感器臺(tái)和/或清潔臺(tái))。第二臺(tái)可以包括和/或保持一個(gè)或多個(gè)物體，而不是輻射敏感襯底。這種一個(gè)或多個(gè)物體可以包括選自下列項(xiàng)中的一個(gè)或多個(gè)用以測(cè)量來自投影系統(tǒng)的輻射的傳感器、一個(gè)或多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和/或清潔裝置(用以清潔例如液體限制結(jié)構(gòu))。 在這種“多臺(tái)”(或“多操作臺(tái)”)的機(jī)器中，可以并行地使用多個(gè)臺(tái)，或可以在將一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)用于曝光的同時(shí)，在一個(gè)或更多個(gè)其他臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟。光刻設(shè)備可以具有兩個(gè)或多個(gè)圖案形成裝置臺(tái)(或操作臺(tái)或支撐結(jié)構(gòu))，其可以以類似的方式并行地用于襯底臺(tái)、清潔臺(tái)、傳感器臺(tái)和/或測(cè)量臺(tái)。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備可以包括用以測(cè)量設(shè)備的部件的位置、速度等的編碼器系統(tǒng)。在一實(shí)施例中，所述部件包括襯底臺(tái)。在一實(shí)施例中，所述部件包括測(cè)量和/或傳感器和/或清潔臺(tái)。編碼器系統(tǒng)可以附加地或替換地為干涉儀系統(tǒng)，其在此針對(duì)臺(tái)而言。編碼器系統(tǒng)包括傳感器、變換器或與標(biāo)尺或柵格相關(guān)聯(lián)(例如成對(duì)的)的讀頭。在一實(shí)施例中，可移動(dòng)部件(例如襯底臺(tái)和/或測(cè)量臺(tái)和/或傳感器臺(tái)和/或清潔臺(tái))具有一個(gè)或多個(gè)標(biāo)尺或柵格，并且所述部件相對(duì)其移動(dòng)的光刻設(shè)備的框架具有一個(gè)或多個(gè)傳感器、變換器或讀頭。所述一個(gè)或多個(gè)傳感器、變換器或讀頭與所述標(biāo)尺或柵格協(xié)同操作以確定所述部件的位置、速度等。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備的部件相對(duì)其移動(dòng)的框架具有一個(gè)或多個(gè)標(biāo)尺或柵格，并且可移動(dòng)部件(例如襯底臺(tái)和/或測(cè)量臺(tái)和/或傳感器臺(tái)和/或清潔臺(tái))具有一個(gè)或多個(gè)傳感器、變換器或讀頭，其與所述標(biāo)尺或柵格協(xié)同操作以確定所述部件的位置、速
/又寸。參照?qǐng)D1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)考慮將該源SO作為光刻設(shè)備的組成部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其他情況下，所述源SO可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源SO是汞燈時(shí))。可以將所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整裝置AD。通常，可以對(duì)所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和σ-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其他部件，例如積分器IN和聚光器CO。所述照射器IL可以用于調(diào)節(jié)輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。與源SO類似，照射器IL可以看作或不被看作光刻設(shè)備的一部分。例如，照射器IL可以是光刻設(shè)備的組成部分或可以是與光刻設(shè)備分開的單獨(dú)的實(shí)體。在后一種情形中，光刻設(shè)備可以配置成允許照射器IL安裝其上?？蛇x地，照射器IL是可拆卸的，并且可以單獨(dú)地設(shè)置(例如，通過光刻設(shè)備制造商或其他供應(yīng)商)所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并被圖案形成裝置MA圖案化。已經(jīng)穿過圖案形成裝置MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述PS將輻射束聚焦到襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖I中未明確示出)用于將圖案形成裝置MA相對(duì)于所述輻射束PB的路徑精確 地定位。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精確定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動(dòng)。類似地，襯底臺(tái)WT的移動(dòng)可以通過利用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來實(shí)現(xiàn)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的(至少在曝光期間)?？梢允褂脠D案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Pl、P2來對(duì)準(zhǔn)圖案形成裝置MA和襯底W。雖然所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占用專用的目標(biāo)部分，它們可以設(shè)置在目標(biāo)部分(熟知的劃線對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)之間的位置上。類似的，在提供多于一個(gè)管芯到圖案形成裝置MA上的情形中，圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以設(shè)置在管芯之間。圖示的設(shè)備可以以至少一種下面的模式進(jìn)行應(yīng)用I.在步進(jìn)模式中，在將賦予所述輻射束B的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上的同時(shí)，將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標(biāo)部分C上的同時(shí)，對(duì)支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描(即，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一的動(dòng)態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。掃描方向上的狹縫的尺寸也可以部分地決定目標(biāo)部分C的高度(沿掃描方向)。3.在另一個(gè)模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止?fàn)顟B(tài)，并且在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上的同時(shí)，對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。雖然本申請(qǐng)?jiān)斒隽斯饪淘O(shè)備在制造ICs中的應(yīng)用，應(yīng)該理解到，這里描述的光刻設(shè)備可以有制造具有微米尺度、甚至納米尺度特征的部件的其他應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。用于在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底之間提供液體的布置可以分成三種一般類型。它們是浴器類型布置、所謂局部浸沒系統(tǒng)以及全浸潤(rùn)浸沒系統(tǒng)。在浴器類型布置中，基本上整個(gè)襯底W和可選地襯底臺(tái)WT的一部分浸入到液體浴器中。局部浸沒系統(tǒng)使用液體供給系統(tǒng)，以將液體僅提供到襯底的局部區(qū)域。由液體填滿的空間在平面圖中小于襯底的頂部表面，并且當(dāng)襯底W在液體填充的區(qū)域下面移動(dòng)的時(shí)候，所述區(qū)域相對(duì)于投影系統(tǒng)PS基本上保持靜止。圖2-6示出不同的供給裝置，其可以用于這種系統(tǒng)中。密封特征是為了將液體密封至局部區(qū)域。在PCT專利申請(qǐng)出版物W099/49504中公開一種方法，其公開了用于此的布置。在全浸潤(rùn)布置中，液體是非限制的。襯底臺(tái)的全部或部分以及襯底整個(gè)上表面被覆蓋在浸沒液體中。至少覆蓋襯底的液體的深度小。液體可以是位于襯底上的液體膜，例如液體的薄膜。浸沒液體可以被供給至面對(duì)投影系統(tǒng)的正對(duì)表面(該正對(duì)表面可以是襯底 和/或襯底臺(tái)的表面)以及供給至投影系統(tǒng)的區(qū)域或該區(qū)域內(nèi)。圖2-6中的液體供給裝置中的任一種也可以用于這種系統(tǒng)中。然而，密封特征不存在、沒有起作用、不如正常狀態(tài)有效，或者以其它方式不能有效地僅將液體密封在局部區(qū)域。如在圖2和3中所示的，液體通過至少一個(gè)入口被供給至襯底上，優(yōu)選沿襯底相對(duì)于最終元件的移動(dòng)方向。在已經(jīng)通過投影系統(tǒng)下面之后，通過至少一個(gè)出口去除液體。當(dāng)襯底在所述元件下沿著-X方向掃描時(shí)，液體在元件的+X —側(cè)供給并且在-X —側(cè)去除。圖2是所述布置的示意圖，其中液體通過入口供給，并在元件的另一側(cè)通過與低壓源相連的出口去除。在圖2中，雖然液體沿著襯底相對(duì)于最終元件的移動(dòng)方向供給，但這并不是必須的?？梢栽谧罱K元件周圍設(shè)置各種方向和數(shù)目的入口和出口 ；圖3示出了一個(gè)實(shí)例，其中在最終元件的周圍在每一側(cè)以規(guī)則的重復(fù)方式設(shè)置了四組入口和出口。要注意的是，圖2和3中的箭頭表示液體流動(dòng)的方向。在圖4中示出了另一個(gè)具有液體局部供給系統(tǒng)的浸沒光刻解決方案。液體由位于投影系統(tǒng)PS每一側(cè)上的兩個(gè)槽狀入口供給，由設(shè)置在入口的徑向向外的位置上的多個(gè)離散的出口去除。所述入口可以布置在板上，所述板在其中心有孔，輻射束通過該孔投影。液體由位于投影系統(tǒng)PS的一側(cè)上的一個(gè)槽狀入口提供，而由位于投影系統(tǒng)PS的另一側(cè)上的多個(gè)離散的出口去除，由此造成投影系統(tǒng)PS和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口和出口組合可以依賴于襯底W的移動(dòng)方向(另外的入口和出口組合是不起作用的)。要注意的是，圖4中的箭頭表示液體流動(dòng)的方向以及襯底的方向。另一種已經(jīng)提出的布置是提供具有液體限制結(jié)構(gòu)的液體供給系統(tǒng)，液體限制結(jié)構(gòu)沿著投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺(tái)之間的空間的邊界的至少一部分延伸。圖5中示出這種布置。在一實(shí)施例中，光刻設(shè)備包括液體限制結(jié)構(gòu)，其具有液體去除裝置，液體去除裝置具有用網(wǎng)狀物或類似的多孔材料覆蓋的入口。網(wǎng)狀物或類似的多孔材料提供接觸投影系統(tǒng)的最終元件和可移動(dòng)臺(tái)(例如襯底臺(tái))之間的空間內(nèi)的浸沒液體的孔的二維陣列。在一實(shí)施例中，網(wǎng)狀物或類似的多孔材料包括蜂窩狀結(jié)構(gòu)或其他多邊形網(wǎng)孔。在一實(shí)施例中，網(wǎng)狀物或類似的多孔材料包括金屬網(wǎng)狀物。在一實(shí)施例中，網(wǎng)狀物或類似的多孔材料圍繞光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)的像場(chǎng)周圍延伸。在一實(shí)施例中，網(wǎng)狀物或類似的多孔材料位于液體限制結(jié)構(gòu)的下表面上并且具有面朝向臺(tái)的表面。在一實(shí)施例中，網(wǎng)狀物或類似的多孔材料的下表面的至少一部分基本上平行于臺(tái)的上表面。圖5示意地示出液體局部供給系統(tǒng)或流體處理結(jié)構(gòu)12，其沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺(tái)WT或襯底W之間的空間的邊界的至少一部分延伸。(要說明的是，在下文中提到的襯底W的表面如果沒有特別地規(guī)定，也附加地或可選地表示襯底臺(tái)的表面。)盡管可以在Z方向(在光軸的方向上)上存在一些相對(duì)移動(dòng)，但是流體處理結(jié)構(gòu)12在XY平面內(nèi)相對(duì)于投影系統(tǒng)基本上是靜止的。在一實(shí)施例中，密封被形成在流體處理結(jié)構(gòu)12和襯底W的表面之間，并且可以是非接觸密封，例如氣體密封(這種具有氣體密封的系統(tǒng)在歐洲專利申請(qǐng)出版物EP-A-1，420，298中公開)或液體密封。流體處理結(jié)構(gòu)12至少部分地將液體限制在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W之間的空間11內(nèi)。到襯底W的非接觸密封16可以形成在投影系統(tǒng)PS的像場(chǎng)周圍，使得液體被限制在襯底W和投影系統(tǒng)PS的最終元件之間的空間內(nèi)。該空間11至少部分地由位于投影 系統(tǒng)PS的最終元件的下面和周圍的流體處理結(jié)構(gòu)12形成。液體通過液體入口 13被引入到投影系統(tǒng)PS下面和流體處理結(jié)構(gòu)12內(nèi)的所述空間11中。所述液體可以通過液體出口13去除。流體處理結(jié)構(gòu)12在投影系統(tǒng)的最終元件上面一點(diǎn)延伸。液面高于最終元件，使得能提供液體的緩沖。在一實(shí)施例中，所述流體處理結(jié)構(gòu)12的內(nèi)周的上端處的形狀與投影系統(tǒng)的形狀或投影系統(tǒng)的最終元件的形狀一致，例如可以是圓形。在底部，內(nèi)周與像場(chǎng)的形狀大致一致，例如矩形，雖然并不是必須的。液體通過在使用時(shí)在所述流體處理結(jié)構(gòu)12的底部和襯底W的表面之間形成的氣體密封16而被限制在空間11中。氣體密封由氣體形成。氣體密封中的氣體在負(fù)壓下通過入口 15提供到流體處理結(jié)構(gòu)12和襯底W之間的間隙。氣體通過出口 14抽取。氣體入口15處的過壓、出口 14處的真空水平和間隙的幾何形狀布置成使得形成向內(nèi)的高速氣流16，從而限制液體。氣體作用在流體處理結(jié)構(gòu)12和襯底W之間的液體上的力將液體限制在空間11內(nèi)。入口 /出口可以是圍繞空間11的環(huán)形槽。環(huán)形槽可以是連續(xù)的或非連續(xù)的。氣流16有效地將液體限制在空間11中。這種系統(tǒng)在美國(guó)專利申請(qǐng)出版物US2004-0207824中公開，其通過參考全文并于此。在一實(shí)施例中，流體處理結(jié)構(gòu)12不具有氣體密封。圖6示出流體處理結(jié)構(gòu)12，其是液體供給系統(tǒng)的一部分。流體處理結(jié)構(gòu)12圍繞投影系統(tǒng)PS的最終元件的外周(例如圓周)延伸。部分地限定空間11的表面內(nèi)的多個(gè)開口 20提供液體至空間11。液體在進(jìn)入空間11之前通過側(cè)壁28、22中的開口 29、20而經(jīng)過相應(yīng)的室24、26。在流體處理結(jié)構(gòu)12的底部和正對(duì)表面(例如襯底W、或襯底臺(tái)WT或兩者)之間提供密封。在圖6中，密封裝置配置成提供無接觸密封并且由若干個(gè)部件組成。在投影系統(tǒng)PS的光軸的徑向向外位置處，(可選地)設(shè)置流動(dòng)控制板51，其延伸進(jìn)入空間11。控制板51可以具有開口 55以允許流動(dòng)液體通過；開口 55可以是有利的，如果控制板51沿Z方向移動(dòng)(例如平行于投影系統(tǒng)PS的光軸)。流體處理結(jié)構(gòu)12的面對(duì)(例如相對(duì))所述正對(duì)表面(例如襯底W)的底表面上的流動(dòng)控制板51的徑向向內(nèi)位置處，可以是開口 180。開口 180可以沿朝向正對(duì)表面的方向提供液體。在成像期間，這可以有利于通過用液體填充襯底W和襯底臺(tái)WT之間的間隙來阻止浸沒液體中的氣泡形成。開口 180的徑向向外位置處可以是抽取器組件70，用以從流體處理結(jié)構(gòu)12和正對(duì)表面之間抽取液體。抽取器組件70可以作為單相或雙相抽取器操作。抽取器組件70用作液體的彎液面320的彎液面釘扎特征。抽取器組件的徑向向外位置處可以是氣刀90。在美國(guó)專利申請(qǐng)出版物第US2006/0158627號(hào)中詳細(xì)公開一種抽取器組件和氣刀的布置，這里通過參考全文并入此。作為單相抽取器的抽取器組件70可以包括液體去除裝置、抽取器或入口，例如在美國(guó)專利申請(qǐng)出版物第US2006-0038968號(hào)中詳細(xì)公開的一種，這里通過參考全文并入此。在一實(shí)施例中，液體去除裝置70包括入口 120，其被多孔材料111覆蓋，多孔材料用于將液體和氣體分開以允許單液相的液體抽取。腔121內(nèi)的負(fù)壓被選擇成使得多孔材料111的孔內(nèi)形成的彎液面阻止周圍環(huán)境氣體被抽入液體去除裝置70的腔121內(nèi)。然而，當(dāng)多孔材料111的表面與液體接觸時(shí)，沒有彎液面限制流動(dòng)并且液體可以自由地流入液體去除裝置70的腔121內(nèi)。多孔材料111具有大量的小孔，每一個(gè)小孔具有5-50微米范圍內(nèi)的尺寸，例如寬度(例如直徑)。多孔材料111在將要被去除液體的表面(例如正對(duì)表面，如襯底W的表 面)以上的高度可以保持在50至300微米范圍內(nèi)。在一實(shí)施例中，多孔材料111是至少輕微親液的，即到例如水等浸沒液體的動(dòng)態(tài)接觸角小于90°，期望小于85°，或期望地小于80。。氣刀90的徑向向外位置處可以設(shè)置一個(gè)或多個(gè)出口 210，用以從氣刀90去除氣體和/或去除通過氣刀90逃逸的液體。所述一個(gè)或多個(gè)出口 210可以位于氣刀90的一個(gè)或多個(gè)出口之間。為了便于引導(dǎo)流體(氣體和/或液體)至出口 210，可以在液體限制結(jié)構(gòu)12內(nèi)設(shè)置凹陷220，其方向從氣刀90的出口和/或氣刀90的出口之間朝向出口 210。雖然在圖6中沒有具體示出，但是液體供給系統(tǒng)具有用以處理液體的水平面變化的布置。這使得在投影系統(tǒng)PS和液體限制結(jié)構(gòu)12之間建立的液體(并形成彎液面400)可以被處理并且不會(huì)逃逸。一種處理這種液體的方法是提供疏液(例如疏水)涂層。涂層可以在圍繞投影系統(tǒng)PS的最終光學(xué)元件和/或開口的流體處理結(jié)構(gòu)12的頂部周圍形成帶。該涂層可以在投影系統(tǒng)PS的光軸的徑向向外位置處。疏液(例如疏水)涂層有助于將浸沒液體保持在空間11內(nèi)。附加地或替換地，可以設(shè)置一個(gè)或多個(gè)出口 201以去除相對(duì)于結(jié)構(gòu)12到達(dá)一定高度的液體。另一局部區(qū)域布置是流體處理結(jié)構(gòu)，其使用氣體拖曳原理。所謂的氣體拖曳原理已經(jīng)在例如美國(guó)專利申請(qǐng)出版物US 2008-0212046、US2009-0279060以及US2009-0279062中描述。在那種系統(tǒng)中，抽取孔以期望具有角部的形狀的形式布置。角部可以與優(yōu)選的諸如步進(jìn)或掃描方向等移動(dòng)方向?qū)?zhǔn)。對(duì)于沿優(yōu)選方向的給定速度，相比于兩個(gè)出口垂直于優(yōu)選方向?qū)?zhǔn)的情形，這減小了作用在流體處理結(jié)構(gòu)的表面中的兩個(gè)開口之間的彎液面上的力。然而，本發(fā)明的實(shí)施例可以應(yīng)用于流體處理系統(tǒng)，其在平面上具有任何形狀，或具有諸如以任何形狀布置的抽取開口等部件。在非限制列表中的這種形狀可以包括諸如圓形等橢圓、諸如矩形(例如，正方形)等線性形狀或者諸如菱形等平行四邊形，或具有多于四個(gè)角部(例如四個(gè)或更多個(gè)頂點(diǎn))的有角形狀。在與本發(fā)明的實(shí)施例相關(guān)的US 2008/0212046A1中的系統(tǒng)的變體中，布置開口所形成的有角形狀的幾何形狀允許尖銳的角部(在大約60°和90°之間、期望在75°和90°之間，最期望在75°和85°之間)呈現(xiàn)為角部與掃描和步進(jìn)方向?qū)?zhǔn)。這允許在每個(gè)對(duì)準(zhǔn)角部的方向上的速度的提高。這是因?yàn)闇p少了由于在掃描方向上(例如超過臨界速度所引起的)彎液面的不穩(wěn)定而導(dǎo)致的液體液滴的形成。在角部與掃描和步進(jìn)方向?qū)?zhǔn)的情形中，在兩個(gè)方向上都可以實(shí)現(xiàn)增大的速度。期望地，沿掃描和步進(jìn)方向的移動(dòng)速度可以基本上相等。如上解釋的，浸沒液體從襯底W的表面上的蒸發(fā)可以引起襯底W的冷卻和變形。通過補(bǔ)償冷卻可以減小這種變形。通過例如加熱襯底W可以補(bǔ)償冷卻。例如，可以通過加熱襯底W下面的襯底臺(tái)WT而加熱襯底W。通過運(yùn)轉(zhuǎn)加熱后的流體通過形成在襯底臺(tái)WT內(nèi)的溝道，可以加熱襯底臺(tái)WT。為了在襯底W安裝在襯底臺(tái)WT上時(shí)提供襯底W的平坦度，襯底W和襯底臺(tái)WT之間的接觸面積受到限制。在一實(shí)施例中，通過將襯底W安裝在襯底臺(tái)WT上的突節(jié)上來限制接觸面積。在一實(shí)施例中，接觸面積在1-3%范圍內(nèi)。限制與襯底W的接觸面積能夠減小污染物可以在襯底臺(tái)WT和襯底W之間在襯底臺(tái)WT和襯底W之間的接觸點(diǎn)處找到其行進(jìn)路徑的范圍。然而，限制與襯底W的接觸面積降低了襯底臺(tái)WT和襯底W之間 的熱耦合品質(zhì)。這種熱耦合品質(zhì)的降低能夠降低在襯底臺(tái)WT和襯底W之間轉(zhuǎn)移熱的效率?？梢杂糜谘a(bǔ)償襯底W的冷卻的襯底臺(tái)WT加熱效率因而被降低。甚至在襯底臺(tái)WT的溫度沒有人為地(例如，主動(dòng)地)被控制以補(bǔ)償襯底W中的溫度變化時(shí)，襯底臺(tái)WT的存在也將傾向于減小溫度變化。這是因?yàn)橐r底臺(tái)WT的熱容量通常遠(yuǎn)大于襯底W的熱容量。如果在襯底W和襯底臺(tái)WT之間存在一定熱耦合，則施加至襯底W的熱負(fù)載將在襯底W和襯底臺(tái)WT之間一定程度上共享。因而，襯底W和襯底臺(tái)WT之間的熱耦合將傾向于減小襯底W的溫度變化的幅度。這種效應(yīng)可以稱為“被動(dòng)補(bǔ)償”。改善襯底W和襯底臺(tái)WT之間的熱耦合將有助于改善這種被動(dòng)補(bǔ)償?shù)男?。在一?shí)施例中，提供高熱導(dǎo)率氣體至襯底W和襯底臺(tái)WT之間的區(qū)域。在一實(shí)施例中，用支撐襯底W的突節(jié)的高度、形狀以及間隔近似地限定襯底W和襯底臺(tái)WT之間的區(qū)域的容積。在一實(shí)施例中，在298K(室溫)條件下氣體的熱導(dǎo)率大于或等于IOOmW/(m. K)。IOOmff/(m. K)意味著每米開氏溫度100毫瓦，即每米開氏溫度O. I瓦。這種氣體在下文可以稱為“高熱導(dǎo)率氣體”。在一實(shí)施例中，高熱導(dǎo)率氣體包括=He (氦氣)，其熱導(dǎo)率在室溫條件下為157mW/ (m. K) ；H2 (氫氣)，其熱導(dǎo)率在室溫條件下為187mW/ (m. K);或He和H2的混合物(和可選地一種或多種其他氣體)。高熱導(dǎo)率氣體改善襯底W和襯底臺(tái)WT之間的熱耦合。這種改善的熱I禹合可以減小襯底W中由于上述被動(dòng)補(bǔ)償效應(yīng)帶來的溫度梯度。在一實(shí)施例中，襯底臺(tái)的溫度被主動(dòng)地控制以補(bǔ)償襯底W的所測(cè)量的和/或預(yù)測(cè)的冷卻。在這種實(shí)施例中，改善的熱耦合將改善所執(zhí)行的主動(dòng)補(bǔ)償?shù)男省＠?，可以更加精確地和/或在較短的響應(yīng)時(shí)間情況下執(zhí)行所述補(bǔ)償。在一實(shí)施例中，可以提供一種或多種下面的氣體至襯底w和襯底臺(tái)WT之間的區(qū)域空氣、IS氣和/或氮?dú)?。在一?shí)施例中，與上述一種或多種高熱導(dǎo)率氣體一起提供空氣、気氣和/或氮?dú)庵械囊环N或多種。在一實(shí)施例中，除了上面所說的氣體或氣體混合物中任一種外還提供水蒸汽。圖7示出一實(shí)施例，包括氣體處理系統(tǒng)30以提供氣體至襯底臺(tái)WT和安裝在襯底臺(tái)WT上的襯底W之間的區(qū)域。通過氣體處理系統(tǒng)30提供的氣體具有在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的熱導(dǎo)率、期望在298K的條件下大于150mW/(m. K)的熱導(dǎo)率。在一實(shí)施例中，氣體通過供給管線32被供給至襯底臺(tái)WT并通過抽取管線34抽回。在一實(shí)施例中，供給管線32供給氣體至襯底W和襯底臺(tái)WT之間的區(qū)域的一部分，其中所述部分沿橫向(例如，相對(duì)于襯底W和/或襯底臺(tái)WT的中心的徑向方向)處于抽取管線34抽取氣體所在的區(qū)域的內(nèi)側(cè)。替換地或附加地，供給管線32可以提供氣體至襯底W和襯底臺(tái)WT之間的區(qū)域的另一部分，其中所述另一部分沿橫向在抽取管線34抽取氣體所在的區(qū)域的外側(cè)。通常，氣體可以布置成沿任何方向流動(dòng)。然而，在特定實(shí)施例中，所述流動(dòng)布置成主要是沿橫向向內(nèi)。在其他實(shí)施例中，所述流動(dòng)布置成主要橫向向外。圖8至13是圖7中的布置的襯底臺(tái)區(qū)域的放大視圖。為了清楚起見，未示出支撐襯底W的突節(jié)，但是應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，突節(jié)或其他等價(jià)物是存在的。圖8示出一實(shí)施例，其中襯底臺(tái)WT包括一個(gè)或多個(gè)供給口 38，用以從氣體處理系統(tǒng)30供給氣體至襯底W和襯底臺(tái)WT之間的區(qū)域40。還設(shè)置一個(gè)或多個(gè)抽取口 42以抽取來自區(qū)域40的流體。所述一個(gè)或多個(gè)供給口 38可以連接至位于一個(gè)或多個(gè)供給口 38和供給管線32之間的中間供給腔39。在一實(shí)施例中，中間供給腔39具有多個(gè)輸出端，每一個(gè)輸出端對(duì)應(yīng)多個(gè)供給口 38中的一個(gè)或多個(gè)。中間供給腔39可以具有僅一個(gè)出口至供給管線32。然而，在一實(shí)施例中，中間供給腔39具有多于一個(gè)的出口至供給管線32。在一實(shí)施例中，設(shè)置多個(gè)供給管線32，每一個(gè)具有至單個(gè)中間供給腔或不同的中間供給腔的分離或·單獨(dú)連接裝置。中間供給腔39提供便利的機(jī)構(gòu)用于使用有限數(shù)量的供給管線32 (例如一個(gè)供給管線32)，以供給流體至數(shù)量多于供給管線32數(shù)量的多個(gè)供給口 38 (例如多于一個(gè)供給口 38)。在一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)供給管線32直接連接至一個(gè)或多個(gè)供給口 38，而沒有中間供給腔39。類似地，中間抽取腔43可以設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)抽取口 42和一個(gè)或多個(gè)抽取管線34之間。在一實(shí)施例中，中間抽取腔43具有引導(dǎo)至對(duì)應(yīng)的多個(gè)抽取口 42的多個(gè)出口和引導(dǎo)至抽取管線34的單個(gè)出口。在一實(shí)施例中，中間抽取腔43形成具有與襯底類似的尺寸和形狀的閉合回路。例如，中間抽取腔43可以配置成延伸通過襯底臺(tái)WT的與襯底W的外周邊緣47緊鄰的區(qū)域。例如，中間抽取腔43的軸線可以是圓形的。在圖8示出的布置中，供給口 38和抽取口 42定位成以便提供從靠近襯底W外周47的區(qū)域45的、周圍環(huán)境氣體(例如空氣)或浸沒流體或兩者的橫向向內(nèi)的流動(dòng)(箭頭41)。周圍環(huán)境氣體和/或浸沒流體可以進(jìn)入而通過小的間隙49，間隙49在某些實(shí)施例中可以形成在襯底W的外周47和圍繞所安裝的襯底W的部件(例如用于安裝襯底臺(tái)WT或襯底臺(tái)WT自身的一部分的安裝塊或“編碼器塊”)的上表面之間。供給口 38和抽取口 42配置成在緊鄰(例如沿橫向向內(nèi)的方向緊鄰)抽取口 42(在該實(shí)施例中可以稱為“外周抽取口”，因?yàn)樗鼈儽欢ㄎ怀删o靠被安裝的襯底W的外周47)的區(qū)域內(nèi)提供高傳導(dǎo)率氣體的橫向向外的流動(dòng)(箭頭57表示流動(dòng)方向，陰影區(qū)域示意地表示由高傳導(dǎo)率氣體填充的部分)。在一實(shí)施例中，周圍環(huán)境氣體、浸沒流體或兩者的向內(nèi)流動(dòng)(箭頭41)因此在外周抽取口 42的區(qū)域內(nèi)與高熱傳導(dǎo)率氣體的橫向向外流動(dòng)(箭頭57)相遇。因而，使用相同的抽取口 42可以方便地去除所有這些混合物(交叉陰影部分)，因此不需要附加或額外的抽取口。此外，周圍環(huán)境氣體、浸沒流體或兩者的向內(nèi)流動(dòng)減小了高熱傳導(dǎo)率氣體通過鄰近襯底W的外周47的間隙49逃逸的可能性。因而，可以減小襯底W之上的區(qū)域被高熱傳導(dǎo)率氣體污染的程度或風(fēng)險(xiǎn)。因而，可以減小襯底W之上的區(qū)域內(nèi)的周圍環(huán)境氣體的成分改變引起的測(cè)量設(shè)備(例如干涉儀測(cè)量系統(tǒng))損壞的程度或風(fēng)險(xiǎn)。在一實(shí)施例中，設(shè)置可以從鄰近襯底W的外周47的區(qū)域45抽取走周圍環(huán)境氣體、浸沒流體或兩者的外周抽取口 42可以有利地減小氣泡進(jìn)入襯底W之上的區(qū)域中的浸沒液體內(nèi)的風(fēng)險(xiǎn)。替換地或附加地，外周抽取口 42可以有利地限制浸沒流體朝向襯底W下面的區(qū)域40的中心部分行進(jìn)的程度。因而，設(shè)置外周抽取口 42甚至在沒有氣體處理系統(tǒng)30的情況下也能夠提供期望的功能，以提供高熱導(dǎo)率氣體至襯底W下面的區(qū)域40。配合這種方式，即提供高熱導(dǎo)率氣體至區(qū)域40以便有效地與這些外周抽取口工作的方式，允許用最小量的附加的硬件實(shí)現(xiàn)期望的性質(zhì)。在一實(shí)施例中，襯底臺(tái)WT設(shè)置有外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A、50B，以限制襯底W和襯底臺(tái)WT之間的區(qū)域40的橫向內(nèi)側(cè)部分和橫向外側(cè)部分之間的流體流動(dòng)。在圖示的實(shí)施例中，設(shè)置一對(duì)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50 :內(nèi)側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50B和位于內(nèi)側(cè)結(jié)構(gòu)50B的徑向外側(cè)且完全圍繞內(nèi)側(cè)結(jié)構(gòu)50B的外側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A。對(duì)于內(nèi)側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50B，橫向內(nèi)側(cè)部分是結(jié)構(gòu)50B的右邊的部分，橫向外側(cè)部分是結(jié)構(gòu)50B的左邊的部分。對(duì)于外側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A，橫向內(nèi)側(cè)部分是結(jié)構(gòu)50A的右邊的部分， 橫向外側(cè)部分是結(jié)構(gòu)50A的左邊的部分。在圖示的布置中，抽取口 42位于內(nèi)側(cè)和外側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A、50B之間。在一實(shí)施例中，外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)具有基本上圓形形狀，其位于襯底W的主要部分的徑向外側(cè)(可選地，以襯底W的中心為中心)。流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A、50B的一個(gè)或多個(gè)可以包括在襯底W的若干微米內(nèi)延伸的構(gòu)件。該構(gòu)件和襯底之間的受限制的間隙增大了流動(dòng)阻力，因而限制了跨過流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A、50B的流動(dòng)。流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A和50B便于維持內(nèi)側(cè)流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50B的橫向內(nèi)側(cè)區(qū)域內(nèi)的部分真空。在一實(shí)施例中，部分真空用于將襯底W夾持至襯底臺(tái)WT。在外側(cè)和內(nèi)側(cè)流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A、50B之間設(shè)置一個(gè)或多個(gè)抽取口 42還減小了高熱導(dǎo)率氣體逃逸進(jìn)入襯底W之上的區(qū)域內(nèi)的程度或風(fēng)險(xiǎn)。此外，流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A、50B減小了位于區(qū)域40內(nèi)的高熱導(dǎo)率氣體被通過間隙49進(jìn)入的周圍環(huán)境氣體、浸沒流體或兩者污染的程度或風(fēng)險(xiǎn)。在一實(shí)施例中，設(shè)置僅一個(gè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)。在另一實(shí)施例中，設(shè)置多于兩個(gè)的外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)外周抽取口 42可以在內(nèi)側(cè)和外側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A和50B之間的區(qū)域內(nèi)保持比內(nèi)側(cè)結(jié)構(gòu)50B的橫向內(nèi)側(cè)區(qū)域中保持的真空程度高的真空。在一實(shí)施例中，外側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A幫助阻止高熱導(dǎo)率氣體通過間隙49逃逸至襯底W的測(cè)量系統(tǒng)側(cè)。在圖8示出的布置中，設(shè)置兩個(gè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A、50B，并且在兩個(gè)結(jié)構(gòu)50A、50B之間設(shè)置一個(gè)或多個(gè)外周抽取口 42。然而，在一實(shí)施例中，可以設(shè)置一個(gè)或多個(gè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)，在它們之間具有或沒有外周抽取口 42。在一實(shí)施例中，兩個(gè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50之間可以不設(shè)置外周抽取口 42。在一實(shí)施例中，可以設(shè)置一個(gè)或多個(gè)外周抽取口 42而沒有任何外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50。在一實(shí)施例中，外周抽取口 42可以以閉合路徑布置，例如圍繞襯底W下面的區(qū)域40的主要部分(當(dāng)垂直于襯底W的平面看)。圖9示出襯底的外周區(qū)域的放大視圖，其示出設(shè)置三個(gè)流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)的實(shí)施例內(nèi)側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50B、中間外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50C以及外側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A。中間外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50C在結(jié)構(gòu)50B的橫向外側(cè)(例如完全圍繞)而在結(jié)構(gòu)50A的橫向內(nèi)側(cè)(例如被包圍)。該實(shí)施例的三個(gè)結(jié)構(gòu)50A、50B、50C便于在四個(gè)不同的區(qū)域內(nèi)保持不同的壓力(例如不同的真空水平)1)結(jié)構(gòu)50B的內(nèi)側(cè)區(qū)域；2)結(jié)構(gòu)50B和結(jié)構(gòu)50C之間的區(qū)域；3)結(jié)構(gòu)50C和結(jié)構(gòu)50A之間的區(qū)域；以及4)結(jié)構(gòu)50A的外側(cè)區(qū)域。在一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)外周抽取口 42可以設(shè)置在結(jié)構(gòu)50B和50C之間。在一實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)外周流動(dòng)抽取口 42可以設(shè)置在結(jié)構(gòu)50C和50A之間。在圖示的布置中，一個(gè)或多個(gè)流動(dòng)限制口 42設(shè)置在結(jié)構(gòu)50B和5C之間以及結(jié)構(gòu)50C和50A之間。箭頭63、69、71以及73示意地示出用于這種布置的示例性非限制流動(dòng)圖案。在這種布置中，結(jié)構(gòu)50C和50A之間的外周抽取口 42抽取通過間隙49進(jìn)入的周圍環(huán)境氣體和/或浸沒液體的大部分。因此，結(jié)構(gòu)50C和50B之間的外周抽取口 42比圖8中示出的類型的實(shí)施例接收較少的周圍環(huán)境氣體和/或浸沒液體。因而，高熱導(dǎo)率氣體在由結(jié)構(gòu)50C和50B之間的外周抽取口 42抽取的氣體中的比例高很多，這便于重新使用這種氣體。例如，可以直接重新使用由結(jié)構(gòu)50C和50B之間的外周抽取口 42抽取的氣體(而不需要采取任何步驟首先純化被抽取的氣體)。替換地或附加地，由于較高的起始純度，被抽取的氣體可以更容易地重新處理。在一實(shí)施例中，設(shè)置兩級(jí)的流體抽取(即，結(jié)構(gòu)50A和50C之間的抽取，以及結(jié)構(gòu)50C和50B之間的抽取)還可以減小周圍環(huán)境氣體和/或浸沒液體到達(dá)最內(nèi)側(cè)結(jié)構(gòu)50B的內(nèi)側(cè)區(qū)域的機(jī)會(huì)和/或高熱導(dǎo)率氣體通過間隙49逃逸至襯底W的測(cè)量側(cè)的機(jī)會(huì)。 圖10示意地示出襯底臺(tái)WT位于襯底W下面的部分包括一個(gè)或多個(gè)通孔52 (圖10中僅示出一個(gè)通孔52)的實(shí)施例的示例。這些通孔52可以設(shè)置成便于安裝襯底W和/或例如從襯底臺(tái)WT拆卸襯底W。例如，通孔52可以配置成容納銷(其可以例如稱為“升高銷”)，以將襯底W推離襯底臺(tái)WT和/或允許受控地將襯底W降低到襯底臺(tái)WT上。替換地或附加地，通孔52可以配置成容納一個(gè)或多個(gè)對(duì)準(zhǔn)銷以對(duì)準(zhǔn)襯底臺(tái)WT與襯底臺(tái)WT下面的結(jié)構(gòu)，例如編碼器塊或安裝塊。例如，對(duì)準(zhǔn)銷可以配置成與形成在襯底臺(tái)WT下面的結(jié)構(gòu)中的對(duì)應(yīng)的槽或孔接合。通孔52包括進(jìn)入襯底臺(tái)WT和襯底W之間的區(qū)域40的開口 54。因而，對(duì)于通孔52可以提供路線給周圍環(huán)境氣體以進(jìn)入?yún)^(qū)域40并污染高熱導(dǎo)率氣體。這種污染會(huì)減小氣體的熱導(dǎo)率。因而，污染會(huì)降低襯底臺(tái)WT和襯底W之間的熱耦合的效率。在圖10的布置中，通過設(shè)置一對(duì)圍繞至通孔52的開口 54的通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)60，可以降低被來自通孔52的周圍環(huán)境氣體污染的程度或風(fēng)險(xiǎn)外側(cè)通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)60A和內(nèi)側(cè)通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)60B。例如，外側(cè)通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)60A可以相對(duì)于通孔位于內(nèi)側(cè)通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)60B的徑向外側(cè)(例如外側(cè)結(jié)構(gòu)60A可以以閉合的回路形式完全包圍內(nèi)側(cè)結(jié)構(gòu)60B)。可選地，一個(gè)或多個(gè)通孔抽取孔62設(shè)置在外側(cè)和內(nèi)側(cè)結(jié)構(gòu)60A、60B之間。在一實(shí)施例中，通孔抽取口 62包括中間通孔抽取腔64。中間通孔抽取腔64可以可選地圍繞通孔52以閉合的環(huán)形式(例如圓形或環(huán)形、多邊形或不規(guī)則的閉合路徑)形成。在一實(shí)施例中，設(shè)置多個(gè)通孔抽取口 62，其沿著圍繞通至通孔52的開口 54的閉合路徑。在一實(shí)施例中，圍繞給定通孔52的所有通孔抽取口 62連接至單個(gè)中間通孔抽取腔64。在一實(shí)施例中，中間通孔抽取腔64和氣體處理系統(tǒng)30之間的連接的數(shù)量少于離開單個(gè)中間通孔抽取腔64的通孔抽取口 62的數(shù)量。例如，在氣體處理系統(tǒng)30和中間通孔抽取腔64之間僅有一個(gè)連接。在一實(shí)施例中，由圖9中示出的布置類推，圍繞一個(gè)或多個(gè)通孔中的每一個(gè)可以設(shè)置多于兩個(gè)的流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)。圖11中示出具有中間流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)60C的示例布置，其是鄰近通孔52的區(qū)域的放大視圖。在相鄰?fù)琢鲃?dòng)限制結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域中的至少兩個(gè)內(nèi)可以設(shè)置一個(gè)或多個(gè)通孔抽取口 62。在示出的示例中，在結(jié)構(gòu)60B和60C之間以及結(jié)構(gòu)60C和60A之間的區(qū)域內(nèi)可以設(shè)置一個(gè)或多個(gè)通孔抽取口 62。通過在徑向向內(nèi)方向上緊鄰的流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)(在示出的實(shí)施例中為結(jié)構(gòu)60C)與最外側(cè)結(jié)構(gòu)(在圖示的實(shí)施例中為結(jié)構(gòu)60A)之間的通孔抽取口 62抽取的氣體的純度將增大，因而便于重新使用被抽取的氣體。上面提到的流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)(例如內(nèi)側(cè)、中間、外側(cè)、外周或通孔結(jié)構(gòu))中的任一種可以形成閉合的路徑。應(yīng)該理解，這些路徑可以采用任何閉合的平面圖或回路的形式。例如，這些路徑可以是圓形或環(huán)形、多邊形(例如六邊形)或不規(guī)則的形狀。在如圖10所示的布置中，通孔52被通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)60A、60B兩者圍繞，并且被一個(gè)或多個(gè)通孔抽取口 62圍繞。然而，在一實(shí)施例中，通孔53可以僅被通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu) 圍繞(而沒有任何通孔抽取口 )。在一實(shí)施例，通孔52可以僅被通孔抽取口的環(huán)圍繞(而沒有通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu))。如圖10示意地看到，參考至通孔52的開口 54附近的非陰影部分和區(qū)域40內(nèi)的陰影部分之間的邊界，周圍環(huán)境氣體被通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)60A和/或通孔抽取口 62限制到至通孔52的開口 54的區(qū)域。因而，可以限制區(qū)域40內(nèi)的高傳導(dǎo)率氣體的污染。襯底臺(tái)WT和襯底W之間的熱耦合的干擾因此被限制。圖12示出一種配置，其中襯底臺(tái)WT設(shè)置有通孔供給口 66，其用以以這種方式供給高傳導(dǎo)率氣體至通孔52 :即，使得至少在通孔52的一部分內(nèi)經(jīng)由通孔供給口 66引入的氣體流動(dòng)離開襯底W。在圖示的實(shí)施例中，離開襯底的流動(dòng)是在通孔供給口 66的下面(箭頭65)。在圖12示出的布置中，通孔供給口 66被設(shè)置成以便橫向開口進(jìn)入通孔52。與腔39類似，可以設(shè)置腔68用于通孔供給口 66。提供離開襯底W的高傳導(dǎo)率氣體的流動(dòng)使得周圍環(huán)境氣體更難以通過通孔52行進(jìn)朝向襯底W。因而，可以降低周圍環(huán)境氣體污染區(qū)域40的程度或風(fēng)險(xiǎn)。圖12的布置可以與圖10中的布置結(jié)合使用，例如圖12的布置用于一個(gè)或多個(gè)選定的通孔，而圖10的布置用于其他通孔。在一實(shí)施例中，可以圍繞至通孔52的開口 54設(shè)置流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)59。流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)59可以幫助確保襯底W下面的壓力可以保持在足夠的真空水平，同時(shí)開口 54處的壓力可以較高，例如接近周圍環(huán)境壓力。流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)59可以促進(jìn)高熱導(dǎo)率氣體流離開襯底W(箭頭65)，因而進(jìn)一步降低了周圍環(huán)境氣體污染襯底W下面的區(qū)域40內(nèi)的低熱導(dǎo)率氣體的風(fēng)險(xiǎn)。圖13示出一種布置，其中設(shè)置邊緣密封件72密封周圍部件和襯底W的外周47之間的間隙49。邊緣密封件72可以包括例如薄的環(huán)形部件。邊緣密封件72可以由例如金屬或塑料形成。邊緣密封件72可以是剛性的或柔性的。邊緣密封件72可以是例如自粘結(jié)的。邊緣密封件72可以有利地防止間隙49之上的周圍環(huán)境氣體的污染。在一實(shí)施例中，可以在襯底可以縱向通過邊緣密封件的開放狀態(tài)和閉合狀態(tài)之間驅(qū)動(dòng)邊緣密封件72(在該配置中邊緣密封件72可以稱為“機(jī)械邊緣密封件”)。在具有邊緣密封件72的實(shí)施例中，周圍環(huán)境氣體或浸沒流體不可能通過間隙49進(jìn)入襯底W下面的區(qū)域40 (或至少極大地減小這種可能性的程度)。在這種類型的布置中，因而不再(或較少)需要提供機(jī)構(gòu)阻止或限制區(qū)域40被周圍環(huán)境氣體和/或浸沒流體的污染。在圖13中，在鄰近襯底W的外周47的區(qū)域內(nèi)設(shè)置一個(gè)或多個(gè)外周供給口 74。外周供給口 74配置成提供朝向區(qū)域40的內(nèi)側(cè)區(qū)域的高傳導(dǎo)率氣體的橫向向內(nèi)流動(dòng)。橫向向內(nèi)的流動(dòng)比例如襯底安裝過程期間期望在夾持襯底W的外周部分之前真空夾持襯底W的中心部分的情形中的橫向向外的流動(dòng)更方便。抽取口 76設(shè)置在中心區(qū)域內(nèi)。流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)78可以相對(duì)于一個(gè)或多個(gè)外周供給口 74設(shè)置在橫向向內(nèi)位置處。流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)78可以有助于隔離區(qū)域40的中心部分，并因此便于在該區(qū)域內(nèi)建立部分真空用于夾持襯底W。在一實(shí)施例中，流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)78包括流動(dòng)限制環(huán)。圖14示出一實(shí)施例的示例，包括沖洗貯液器82，其用以在大于大氣壓的壓力(例如大于或等于I. 5倍大氣壓力或更高)條件下存儲(chǔ)高傳導(dǎo)率氣體。設(shè)置連接系統(tǒng)84以連接貯液器82至襯底W和襯底臺(tái)WT之間的區(qū)域40。連接系統(tǒng)84可以配置成例如在貯液器82和區(qū)域40之間提供相對(duì)低流動(dòng)阻力路徑。通過提供低流動(dòng)阻力路徑，高熱導(dǎo)率氣體迅速地流入?yún)^(qū)域40。這種快速流可以稱為“沖洗流”。沖洗流可以有效地從區(qū)域40基本上去除(“沖洗掉”)大部分周圍環(huán)境氣體。在連接至區(qū)域40之前在沖洗貯液器82內(nèi)保持相對(duì)高的壓力(例如大于大氣壓力，例如大于或等于I. 5倍的大氣壓力或更高)還有助于確保氣體快速流入?yún)^(qū)域40。在一實(shí)施例中，該流被允許連續(xù)，直到區(qū)域40內(nèi)的壓力變成基本上等于沖洗貯液器82內(nèi)的壓力。期望地，提供區(qū)域40的快速填充，使得安裝襯底的時(shí)間可以縮短?？s短用以安裝襯底的時(shí)間可以提高產(chǎn)出。在一實(shí)施例中，連接系統(tǒng)84配置成在完成沖洗流動(dòng)(或完成一定程度，例如因?yàn)闆_洗貯液器82內(nèi)的壓力已經(jīng)降到一定水平以下)時(shí)切 換沖洗貯液器82和連續(xù)流源80之間的連接。例如，連接系統(tǒng)84可以配置成關(guān)閉連接沖洗貯液器82至連接系統(tǒng)84的連接裝置79，同時(shí)保留至連續(xù)流源80的連接裝置75開放，或如果其沒有開放，則打開至連續(xù)流源80的連接裝置75。在這種布置中，連續(xù)流源80內(nèi)的壓力將阻止回流。附加地或替換地，止回閥77可以定位在連續(xù)流源80和連接系統(tǒng)84之間。在一實(shí)施例中，在區(qū)域40對(duì)沖洗貯液器82和連續(xù)流源80開放的同時(shí)執(zhí)行沖洗流動(dòng)(其中來自沖洗貯液器82的大部分流大部分用作沖洗流)。在這種情形中連接系統(tǒng)84執(zhí)行的“切換”將對(duì)應(yīng)在連續(xù)流源80和沖洗貯液器82兩者都連接至區(qū)域40時(shí)的狀態(tài)與僅連續(xù)流源80連接至區(qū)域40時(shí)的狀態(tài)之間的切換。連接系統(tǒng)84還可以配置成在其已經(jīng)用于提供氣體至區(qū)域40之后提供來自源80的氣體流至沖洗貯液器82，以便將沖洗貯液器82內(nèi)的壓力轉(zhuǎn)變回至起始?jí)毫?。進(jìn)入?yún)^(qū)域40的氣體體積由沖洗貯液器82的體積和啟動(dòng)沖洗流之前其中氣體被維持所處的壓力確定。這種自限制的行為意味著可以提供快速的氣體流而不需要精細(xì)的控制系統(tǒng)用于避免提供太多的氣體。在一實(shí)施例中，沖洗貯液器82可以如下所列地被使用。在第一階段，襯底W被放置到襯底臺(tái)WT上。隨后通過將周圍環(huán)境氣體從中心區(qū)域抽走來降低襯底W下面的中心區(qū)域內(nèi)的壓力。例如，中心區(qū)域內(nèi)的壓力可以減小至大約O. 5大氣壓力。在第二階段，襯底W下面的外圍區(qū)域的壓力也被減小至大氣壓力以下，例如大約O. 5個(gè)大氣壓。在第三階段，襯底W下面的中心區(qū)域連接至沖洗貯液器82，使得高熱導(dǎo)率氣體在短時(shí)間段內(nèi)進(jìn)入襯底W下面的中心區(qū)域。這將導(dǎo)致襯底W的中心部分下面的壓力迅速地升高。例如，在此階段期間中心區(qū)域內(nèi)的壓力可以升高到大約一個(gè)大氣壓。在第四階段，高熱導(dǎo)率氣體的流動(dòng)被切換為連續(xù)流動(dòng)。連續(xù)流動(dòng)被控制成使得襯底W下面的壓力穩(wěn)定在大氣壓力以下的壓力，使得襯底W被牢固地連接至襯底臺(tái)WT。例如,在此階段期間壓力可以被穩(wěn)定為大約O. 5個(gè)大氣壓力。上述的安裝襯底的方法還可以在不使用沖洗貯液器的情況下使用。例如，在第三階段，使用連續(xù)的供給系統(tǒng)可以供給高熱導(dǎo)率氣體，其中氣體的流動(dòng)被主動(dòng)地或被動(dòng)地控制，以實(shí)現(xiàn)想要的流量。
在一實(shí)施例中，可以設(shè)置抽吸貯液器83以幫助從襯底W和襯底臺(tái)WT之間的區(qū)域40去除流體。抽吸貯液器83可以包括被保持在例如O. I大氣壓或更低的部分真空以下的容積。例如通過打開閥81將抽吸貯液器83連接至襯底W下面的區(qū)域40會(huì)導(dǎo)致流體迅速地從區(qū)域40流入抽吸貯液器83。當(dāng)區(qū)域40和抽吸貯液器83內(nèi)的壓力相等時(shí)或當(dāng)關(guān)閉至抽吸貯液器83的連接時(shí)，流動(dòng)將停止。在一實(shí)施例中，可以被抽取的氣體量依賴于抽吸貯液器83的體積和抽吸貯液器83內(nèi)的初始分壓。因此，不需要提供感測(cè)設(shè)備或控制設(shè)備以確保泵抽動(dòng)作不會(huì)過分多。抽吸貯液器83可以用于例如在襯底安裝操作期間從襯底W下面的區(qū)域抽取周圍環(huán)境氣體。抽吸貯液器83因而可以幫助加速襯底安裝操作。替換地或附加地，抽吸貯液器83可以用于例如在襯底安裝操作期間從抽取高熱導(dǎo)率氣體。抽吸貯液器83因而可以有助于加速襯底安裝過程。真空管線(例如泵)85可以連接至抽吸貯液器83，以允許抽吸貯液器83內(nèi)的部分真空在使用之后被重新建立。圖15示出再處理系統(tǒng)86的示例，用以從已經(jīng)通過襯底W和襯底臺(tái)WT之間的區(qū)域40的流體抽取具有高熱導(dǎo)率的氣體。再處理系統(tǒng)86經(jīng)由入口 87接收將要被重新處理的 流體并經(jīng)由出口 89輸出被抽取的氣體用于重新使用。在一實(shí)施例中，再處理系統(tǒng)86包括分離系統(tǒng)，用以從輸入流體抽取密度比流體中氣體的平均密度低的氣體。通常，在298K條件下具有高于或等于IOOmW/(m. K)的熱導(dǎo)率的氣體的密度將比周圍環(huán)境氣體或浸沒流體的密度低很多。高熱導(dǎo)率氣體將因此傾向于升高至包含周圍環(huán)境氣體、浸沒液體以及高熱導(dǎo)率氣體的混合物的容器的上部。因此，分離系統(tǒng)可以包括分離容器90，其在分離容器90的下部具有廢物出口 96，在分離容器90的上部具有低密度氣體出口 95。被分離系統(tǒng)抽取的氣體的純度，例如經(jīng)由低密度氣體出口 95離開分離容器90的氣體可以通過純度傳感器92進(jìn)行測(cè)量。純度傳感器92可以包括例如熱導(dǎo)率傳感器、密度傳感器或兩者。在一實(shí)施例中，來自純度傳感器92的輸出被輸入至控制系統(tǒng)93，其基于純度傳感器92的輸出控制從分離容器90流出的較低密度氣體的流量。例如，控制系統(tǒng)93可以配置成當(dāng)純度傳感器92指示離開分離容器90的氣體的純度高于特定閾值時(shí)(或當(dāng)熱導(dǎo)率高于特定閾值時(shí)和/或當(dāng)密度低于特定閾值時(shí))打開至出口 89的閥94。當(dāng)純度傳感器指示氣體還不到可接受品質(zhì)時(shí)，控制系統(tǒng)93可以關(guān)閉閥94以停止或限制從分離容器90流出的流動(dòng)。以此方式停止或限制流動(dòng)為分離容器90內(nèi)進(jìn)行的分離過程提供更多的時(shí)間。當(dāng)純度傳感器92指示氣體具有想要的品質(zhì)時(shí)，或因?yàn)殚y94已經(jīng)閉合一定時(shí)間之后，控制系統(tǒng)93可以打開閥94并經(jīng)由出口 89重新開始提供重新處理后的氣體。在一實(shí)施例中，上述的一個(gè)或多個(gè)襯底臺(tái)組件可以用于下面的方法，以用于從襯底臺(tái)拆卸襯底。在第一階段，氣體處理系統(tǒng)30配置成提供高熱導(dǎo)率氣體至襯底W下面的區(qū)域40。第一階段的結(jié)束可以對(duì)應(yīng)例如曝光階段的結(jié)束。在第二階段，氣體處理系統(tǒng)切換至提供沖洗氣體(例如周圍環(huán)境氣體和/或空氣)而不是高熱導(dǎo)率氣體至襯底W下面的區(qū)域40的模式。這個(gè)過程可以是連續(xù)的，直到高熱導(dǎo)率氣體已經(jīng)基本上從襯底W下面的區(qū)域40被沖走。在最后的階段，期望在高熱導(dǎo)率氣體的濃度已經(jīng)下降至特定閾值以下之后，從襯底臺(tái)WT移除襯底W。在一實(shí)施例中，提供沖洗氣體至襯底W下面的區(qū)域40的過程可以持續(xù)一定時(shí)間段、足以確保高熱導(dǎo)率氣體的濃度將已經(jīng)下降至閾值以下。替換地或附加地，可以設(shè)置傳感器以檢測(cè)襯底W下面的區(qū)域40內(nèi)的高熱導(dǎo)率氣體的濃度。例如，通過測(cè)量區(qū)域40內(nèi)的氣體的熱導(dǎo)率，可以估計(jì)高熱導(dǎo)率氣體的濃度。在一實(shí)施例中，周圍環(huán)境氣體持續(xù)地流入?yún)^(qū)域40，直到所測(cè)的熱導(dǎo)率下降到特定閾值水平以下。這些步驟或過程通過在拆除或移除襯底時(shí)釋放高熱導(dǎo)率氣體而降低了襯底W之上的區(qū)域的污染風(fēng)險(xiǎn)。如所認(rèn)識(shí)到的，在將高熱導(dǎo)率氣體供給至襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域并且使用在該區(qū)域內(nèi)的部分真空將襯底夾持至襯底臺(tái)的情形中，以保持部分真空的方式供給高熱導(dǎo)率氣體。例如，可以控制流入?yún)^(qū)域的氣體的流量、流出區(qū)域的氣體的流量或兩者，以幫助確保在所述區(qū)域的至少一部分內(nèi)的壓力低于一個(gè)大氣壓力，例如大約O. 5個(gè)大氣壓。在一實(shí)施例中，通過使用液體的汽化/凝結(jié)或冷凝的潛熱可以提高從襯底臺(tái)轉(zhuǎn)移·熱至襯底的效率。在一實(shí)施例中，這通過提供濕潤(rùn)氣體(例如濕潤(rùn)的空氣)進(jìn)入?yún)^(qū)域40來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)襯底臺(tái)比襯底溫度高時(shí)，則存在液體(例如水)從襯底臺(tái)表面的凈蒸發(fā)和液體在襯底表面上的凈凝結(jié)或冷凝。由于汽化的潛熱，蒸發(fā)過程將有效地從襯底臺(tái)提取熱。由于冷凝的潛熱，冷凝過程將有效地轉(zhuǎn)移熱至襯底。汽化的潛熱與冷凝的潛熱具有相同的大小?？梢詮耐獠吭刺峁駶?rùn)的氣體(即，在區(qū)域40的外部執(zhí)行用以產(chǎn)生蒸汽的蒸發(fā)過程)。然而，這種方法在區(qū)域40內(nèi)的壓力存在波動(dòng)的時(shí)候傾向于導(dǎo)致襯底溫度的波動(dòng)(“夾持壓力”)。圖19是示出區(qū)域40內(nèi)的部分水壓和飽和溫度被預(yù)期如何作為夾持壓力的函數(shù)變化的示例曲線。垂直軸Iio表示部分水壓力，單位mbr。可以想到，通常的部分水壓力將是大約26.4mbr。垂直軸線112表示飽和溫度，單位攝氏度。水平軸114表示夾持壓力，單位mbr。線116表示飽和溫度隨夾持壓力的變化。線118表示部分水壓力隨夾持壓力的變化。如圖所示，相對(duì)小的僅20mbr的夾持壓力增大(或減小)預(yù)期導(dǎo)致大約O. 6攝氏度的飽和溫度的升高(或降低)。飽和溫度的變化將對(duì)襯底溫度具有對(duì)應(yīng)的影響。使用來自外部源的濕潤(rùn)氣體的系統(tǒng)的性能因此受到夾持壓力變化的牽制。在一實(shí)施例中，上述一個(gè)或多個(gè)問題，例如與使用外部濕潤(rùn)氣體源相關(guān)的問題通過用液體在使用時(shí)覆蓋襯底臺(tái)WT的與襯底W相對(duì)的部分的20%或更多來解決。隨后液體蒸汽(例如水蒸汽)經(jīng)由局部蒸發(fā)被提供至區(qū)域40。部分液體(例如水)壓力將僅依賴于可以被精確地控制的襯底臺(tái)WT的溫度。飽和溫度應(yīng)該不再顯著地隨著夾持壓力變化。如上所述，液體可以覆蓋襯底臺(tái)WT的表面的、與襯底W相對(duì)的一部分的至少20%。期望地，覆蓋至少30 %，更期望至少40 %，或更期望是至少50 %。不需要預(yù)浸濕襯底，但是可選地也可以提供。圖16示出用以提供液體至區(qū)域40的液體處理系統(tǒng)的一個(gè)示例。在一實(shí)施例中，液體處理系統(tǒng)包括貯液器104，其包含液體106。連接器元件102設(shè)置用以將液體從貯液器104轉(zhuǎn)移至區(qū)域40。連接器元件102可以例如包括管和/或芯吸結(jié)構(gòu)。連接器元件102可以配置成利用毛細(xì)作用從貯液器104吸入液體至區(qū)域40。替換地或附加地，可以利用不同的機(jī)制將液體106從貯液器104輸運(yùn)至區(qū)域40。例如，在連接器元件102的貯液器末端處的壓力可以布置成高于區(qū)域40處的壓力，使得液體被壓力差推向區(qū)域40。在一實(shí)施例中，連接器元件102連接至或是作為芯吸結(jié)構(gòu)的一部分，芯吸結(jié)構(gòu)覆蓋襯底臺(tái)WT的表面的、在使用時(shí)與襯底W直接相對(duì)的部分的至少20%。芯吸結(jié)構(gòu)可以配置成將液體以薄膜層的方式展開或鋪開在該表面的區(qū)域上?？梢酝ㄟ^例如毛細(xì)作用驅(qū)動(dòng)這種展開或鋪開。在一實(shí)施例中，芯吸結(jié)構(gòu)可以是親液的(例如親水的)。芯吸結(jié)構(gòu)表面與液體(例如水)的接觸角可以例如小于30度。在一實(shí)施例中，芯吸結(jié)構(gòu)可以包括一個(gè)或多個(gè)槽結(jié)構(gòu)，其使用毛細(xì)作用引導(dǎo)液體。在一實(shí)施例中，芯吸結(jié)構(gòu)包括多孔結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，芯吸結(jié)構(gòu)由多孔SiC形成。圖17是示意地示出連接器元件102如何引導(dǎo)至芯吸結(jié)構(gòu)104的俯視圖。在該實(shí)施例中，芯吸結(jié)構(gòu)105具有圓形形狀。然而，芯吸結(jié)構(gòu)105可以具有任何其他形狀。液體蒸汽從相對(duì)熱的襯底臺(tái)行進(jìn)至相對(duì)冷的襯底的速率原理上會(huì)受到在區(qū)域40內(nèi)散播氣體的需要的妨礙。然而，襯底臺(tái)和襯底之間的間隙太小，以致于可以想到這種效應(yīng)是可忽略的。襯底臺(tái)WT上液體層的深度可以是幾百nm最小值的量級(jí)(對(duì)應(yīng)大約O. ImL的體積)。在通常的應(yīng)用中，深度可以是幾微米量級(jí)。在液體層不能均勻地在表面上展開的情形中，例如在芯吸結(jié)構(gòu)的孔(例如具有幾微米孔尺寸的芯吸結(jié)構(gòu))中提供液體層的情形中，最小深度將較大。當(dāng)拆卸襯底時(shí)，襯底可以保持濕潤(rùn)一短的時(shí)間段。然而，液體層將相對(duì)薄并且會(huì)迅速地蒸發(fā)。通過將干燥的氣體(例如空氣)吹到襯底上可以加速蒸發(fā)過程。在此階段的液體蒸發(fā)將類似地引起襯底的冷卻(大約O. 3攝氏度)。然而，在此冷卻期間不進(jìn)行光刻，使得不會(huì)由于該冷卻導(dǎo)致誤差。在一實(shí)施例中，在將襯底W安裝到襯底臺(tái)WT上之前提供液體至襯底臺(tái)WT。這可以以多種方式來完成。圖18示出使用噴霧器108施加液體。在一實(shí)施例中，噴霧器108配置成精細(xì)地分配液體，這有助于迅速地在襯底臺(tái)WT上形成薄的液體層。薄液體層的迅速形成 便于高的產(chǎn)出。噴霧器108可以配置成提供在氣體(例如空氣)中分散的液體(例如水)霧狀物的噴噴射。替換地或附加地，可以使用電噴射施加液體。電噴射不使用氣體輸運(yùn)液體，因而在噴射期間可以施加較低的熱負(fù)載(較小的冷卻)。提供抽取口 42 (例如見圖8、10以及12)和/或外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A、50B可能不足以將流動(dòng)減小至可接受的水平，或阻止高熱導(dǎo)率氣體泄漏至襯底之上的區(qū)域。例如在使用氦氣的情形中，這種泄漏會(huì)降低例如編碼器等測(cè)量系統(tǒng)的精確度。在使用H2的情形中，由于可能的爆炸風(fēng)險(xiǎn)，因此可能存在安全的問題。在一實(shí)施例中，通過供給緩沖氣體至襯底臺(tái)WT和襯底W之間的區(qū)域，可以進(jìn)一步降低高熱導(dǎo)率氣體泄漏的程度或風(fēng)險(xiǎn)。在一實(shí)施例中，高熱導(dǎo)率氣體(例如，在298K時(shí)熱導(dǎo)率大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體)(可以稱為“第一氣體”)具有與緩沖氣體不同的成分，緩沖氣體可以稱為“第二氣體”。在一實(shí)施例中，緩沖氣體用作高熱導(dǎo)率氣體的阻擋件。在一實(shí)施例中，緩沖氣體供給口提供緩沖氣體的“幕簾”，其以圓周的方式圍繞高熱導(dǎo)率氣體。在一實(shí)施例中，幕簾形成閉合回路，可選地是圓形的，可選地定位在襯底邊緣附近。在一實(shí)施例中，緩沖氣體配置成在襯底臺(tái)WT和襯底W之間的區(qū)域內(nèi)沿徑向向內(nèi)的方向流動(dòng)，可選地沿與高熱導(dǎo)率氣體的流動(dòng)方向相反的方向。在一實(shí)施例中，緩沖氣體包括具有較周圍環(huán)境空氣高的熱導(dǎo)率的氣體。在一實(shí)施例中，緩沖氣體包括多于99%的N2。在一實(shí)施例中，緩沖氣體包括多于99%的N2并且高熱導(dǎo)率氣體包括多于99%的氦氣。圖20、21和22示出配置成使用緩沖氣體的示例實(shí)施例。圖20示出上面參照?qǐng)D8描述的類型的實(shí)施例如何適用于緩沖氣體。在圖示的實(shí)施例中，緩沖氣體供給口 120可以提供用于供給緩沖氣體至襯底W下面的區(qū)域。在圖示的布置中，緩沖氣體流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)122還可以設(shè)置用以限制緩沖氣體泄漏到外部環(huán)境。在一實(shí)施例中，緩沖氣體流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)可以如上述那樣應(yīng)用于外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A、50B。在一實(shí)施例中，例如圖20示出的，在也設(shè)置外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A、50B的情形中，緩沖氣體流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A、50B的徑向外側(cè)，可選地以圓周的方式圍繞外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A、50B。在圖示的實(shí)施例中，緩沖氣體配置成沿徑向向內(nèi)流動(dòng)(箭頭124)。在一實(shí)施例中，徑向向內(nèi)流124的方向與高熱導(dǎo)率氣體的徑向向外流57相對(duì)或相反。在圖示的實(shí)施例中,通過配置成抽取高熱導(dǎo)率氣體和緩沖氣體的混合物的抽取口 42驅(qū)動(dòng)緩沖氣體的徑向向內(nèi)流124。在某些其他實(shí)施例中緩沖氣體流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)122被省略。例如，在緩沖氣體的成分使得其將不明顯干擾襯底之上的區(qū)域內(nèi)發(fā)生的過程或步驟(例如測(cè)量過程)的情況下，緩沖氣體流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)122可以被省略，。在圖20中示出的實(shí)施例的變形中，最外側(cè)的外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A被省略。在圖20中示出的實(shí)施例的另一變形中，最外側(cè)的外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50A和緩沖氣體流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)122被省略。在另一變形中，內(nèi)側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)50B也被省略。
圖21示出上面參照?qǐng)D10描述的類型的實(shí)施例如何適用于緩沖氣體。如圖20中示出的示例，設(shè)置緩沖氣體供給口 120和可選的緩沖氣體流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)122。通過從抽取口 42的抽取驅(qū)動(dòng)緩沖氣體的向內(nèi)流動(dòng)124。上面參照?qǐng)D20描述的所有變形也可以被應(yīng)用于圖21的實(shí)施例。附加地或替換地，緩沖氣體126的流動(dòng)可以被提供至通孔52。通過通孔52的緩沖氣體流126減小了聞熱導(dǎo)率氣體和周圍環(huán)境空氣混合或接觸的可能性。在聞熱導(dǎo)率氣體包括氫氣的情形中，由此緩沖氣體可以降低通孔52的區(qū)域內(nèi)爆炸的風(fēng)險(xiǎn)。圖22示出上面參照?qǐng)D12描述的類型的實(shí)施例如何可以適用于緩沖氣體。如圖20和21示出的示例，設(shè)置緩沖氣體供給口 120和可選的緩沖氣體流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)122。通過從抽取口 42的抽取驅(qū)動(dòng)緩沖氣體的向內(nèi)流動(dòng)124。上面參照?qǐng)D20描述的所有變形也可以應(yīng)用于圖22的實(shí)施例。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，上述特征的任一項(xiàng)可以與任何其他特征一起使用，并且不僅是那些明確描述的組合被本申請(qǐng)覆蓋。例如，本發(fā)明的一實(shí)施例可以應(yīng)用于圖2至6的實(shí)施例。雖然本申請(qǐng)?jiān)斒隽斯饪淘O(shè)備在制造ICs中的應(yīng)用，應(yīng)該理解到，這里描述的光刻設(shè)備可以有其它的應(yīng)用，例如制造集成光電系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該看到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層1C，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外輻射(例如具有約365、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))。在允許的情況下，術(shù)語“透鏡”可以認(rèn)為是一個(gè)或多種光學(xué)部件的組合體，包括折射型和反射型光學(xué)部件。雖然上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實(shí)施例，但應(yīng)該理解本發(fā)明可以應(yīng)用到除上面所述以外的情形。例如，本發(fā)明實(shí)施例可以具有包含描述上述方法的一個(gè)或多個(gè)機(jī)器可讀的指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或存儲(chǔ)所述計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的形式(例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤或光盤)。此外，機(jī)器可讀指令可以嵌入在兩個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序中。兩個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序可以存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)不同的存儲(chǔ)器中和/或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)中。這里所說的任何控制器在一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序通過位于光刻設(shè)備的至少一個(gè)部件中的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)處理器讀取時(shí)可以每一個(gè)或組合地操作?？刂破骺梢悦恳粋€(gè)或組合地具有任何合適的配置用于接收、處理以及發(fā)送信號(hào)。一個(gè)或多個(gè)處理器配置成與至少一個(gè)控制器通信。例如，每一個(gè)控制器可以包括一個(gè)或多個(gè)處理器，用于執(zhí)行包括用于上述方法的機(jī)器可讀指令的計(jì)算機(jī)程序?？刂破骺梢园〝?shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，用于存儲(chǔ)這種計(jì)算機(jī)程序，和/或用于容納這種介質(zhì)的硬件。因而控制器可以根據(jù)一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序的機(jī)器可讀指令操作。本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用于任何浸沒光刻設(shè)備，尤其但不排他地應(yīng)用于上述的那些類型以及那些以浴器的形式、僅在襯底的局部表面區(qū)域或以非限制狀態(tài)提供浸沒液體的浸沒光刻設(shè)備。在一非限制的布置中，浸沒液體可以在所述襯底和/或襯底臺(tái)的所述表面上流動(dòng)，使得大致整個(gè)未覆蓋的襯底和/或襯底臺(tái)的表面都被浸濕。在這種非限制浸沒系統(tǒng)中，流體供給系統(tǒng)不限制浸沒液體，或者提供一定比例的浸沒液體限制，但基 本上不是完全的浸沒液體限制。文中所提及的液體供給系統(tǒng)應(yīng)該被廣義地解釋。在特定的實(shí)施例中，它可以是將液體提供至投影系統(tǒng)與襯底和/或襯底臺(tái)之間的空間的機(jī)構(gòu)或者結(jié)構(gòu)的組合。它可以包括一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)、包括一個(gè)或多個(gè)液體開口的一個(gè)或多個(gè)流體開口、用于兩相流的一個(gè)或多個(gè)開口或者一個(gè)或多個(gè)氣體開口的組合。每個(gè)開口可以是通至浸沒空間的入口(或者離開流體處理結(jié)構(gòu)的出口)或者離開浸沒空間的出口(或者通至流體處理結(jié)構(gòu)的入口)。在一實(shí)施例中，空間的表面可以是襯底和/或襯底臺(tái)的一部分，或者空間的表面可以完全地覆蓋襯底和/或襯底臺(tái)的表面，或者空間可以包括襯底和/或襯底臺(tái)。液體供給系統(tǒng)可以可選地進(jìn)一步包括一個(gè)或多個(gè)元件，用于控制液體的位置、量、品質(zhì)、形狀、流量或任何其他特征。根據(jù)以上內(nèi)容，本發(fā)明至少公開了以下方面I. 一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件,包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體包括H2。2. 一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件,包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，其中襯底臺(tái)包括用以從氣體供給系統(tǒng)供給氣體至襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域的供給口，和用以從所述區(qū)域抽取流體的抽取口，所述抽取口包括外周抽取口，所述外周抽取口配置成從與襯底的外周鄰近的區(qū)域提供周圍環(huán)境氣體、浸沒流體或兩者的橫向向內(nèi)的流動(dòng)。3.如方面2所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述供給口和抽取口配置成在與外周抽取口緊鄰的區(qū)域內(nèi)提供通過氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的橫向向外流動(dòng)。4.如方面3所述的襯底臺(tái)組件，還包括閉合路徑形式的外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)，用以限制襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域的、相對(duì)于襯底和/或襯底臺(tái)的中心的橫向內(nèi)側(cè)部分和橫向外側(cè)部分之間的流體流動(dòng)。5.如方面4所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)包括內(nèi)側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)和外側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)，其中所述內(nèi)側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)被所述外側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)包圍。6.如方面5所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述外周抽取口位于內(nèi)側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)與外側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)之間。7.如方面6所述的襯底臺(tái)組件，還包括內(nèi)側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)與外側(cè)外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)之間的中間外周流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)?！?br> 8.如方面7所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述外周抽取口位于相鄰?fù)庵芰鲃?dòng)限制結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域的至少兩個(gè)內(nèi)。9. 一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件,包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以將第一氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的第一氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，其中所述氣體處理系統(tǒng)還配置成將緩沖氣體作為第二氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，所述緩沖氣體具有與第一氣體不同的成分。10.根據(jù)前述方面中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件，其中，熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的所述第一氣體/氣體包括多于99%的氦氣。11.根據(jù)前述方面中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件，還包括緩沖氣體供給口，用于將緩沖氣體供給至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域。12.根據(jù)方面11所述的襯底臺(tái)組件，其中所述緩沖氣體供給口配置成提供緩沖氣體的徑向向內(nèi)流動(dòng)。13.根據(jù)方面11或12所述的襯底臺(tái)組件，其中所述緩沖氣體供給口配置成提供緩沖氣體的幕簾，所述緩沖氣體的幕簾以圓周的方式圍繞熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/ (m. K)的所述第一氣體/氣體。14.根據(jù)方面11-13中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件，還包括緩沖氣體流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)，用以限制緩沖氣體的徑向向外的流動(dòng)。15.根據(jù)方面11-14中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件，配置成將緩沖氣體供給至緩沖氣體供給口，緩沖氣體的成分與熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的第一氣體/氣體的成分不同。16.根據(jù)方面9-15中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述緩沖氣體的熱導(dǎo)率高
于空氣。17.根據(jù)方面9-16中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述緩沖氣體包括多于
99%的 N2。
18. 一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件,包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，其中所述襯底臺(tái)包括通孔，所述通孔具有進(jìn)入襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域的開口。19.根據(jù)方面18所述的襯底臺(tái)組件，還包括圍繞通孔的開口的通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)。20.根據(jù)方面18或19所述的襯底臺(tái)組件，還包括通孔抽取口，用以從與通孔的開口鄰近的區(qū)域抽取流體。
21.根據(jù)方面20所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)包括內(nèi)側(cè)通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)和外側(cè)通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)，兩者都圍繞通孔的開口，所述通孔抽取口位于內(nèi)側(cè)通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)與外側(cè)通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)之間。22.根據(jù)方面21所述的襯底臺(tái)組件，還包括內(nèi)側(cè)通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)與外側(cè)通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)之間的中間通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)。23.根據(jù)方面22所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述通孔抽取口位于相鄰?fù)琢鲃?dòng)限制結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域的至少兩個(gè)內(nèi)。24.根據(jù)方面18-23中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件，還配置成供給緩沖氣體流通過所述通孔朝向所述襯底。25.根據(jù)方面18或19所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述襯底臺(tái)包括通孔供給口，用以將熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/ (m. K)的氣體供給至通孔，使得在至少一部分通孔內(nèi)建立離開襯底的氣體流。26.根據(jù)方面25所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述通孔供給口橫向地開放進(jìn)入所述通孔。27.根據(jù)方面18-26中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述通孔配置成提供對(duì)在安裝襯底或從襯底臺(tái)卸下襯底期間使用的銷的訪問或提供對(duì)相對(duì)于用于襯底臺(tái)的安裝塊對(duì)準(zhǔn)襯底臺(tái)的銷的訪問。28. 一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件,包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K);和邊緣密封件，用以在襯底之上的區(qū)域與襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域之間的襯底的外周邊緣處提供密封，其中所述組件配置成從與襯底的外周鄰近的區(qū)域提供熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/ (m. K)的氣體的橫向向內(nèi)的流動(dòng)。29. 一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件,包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，并且氣體處理系統(tǒng)包括沖洗貯液器，所述沖洗貯液器在大于大氣壓的壓力條件下存儲(chǔ)熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體。30.根據(jù)方面29所述的襯底臺(tái)組件，還包括連接系統(tǒng)，用以將沖洗貯液器連接至安裝在襯底臺(tái)上的襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域，以便將特定量的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/ (m. K)的氣體的沖洗流提供至所述區(qū)域中。31.根據(jù)前述方面中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述氣體處理系統(tǒng)包括連續(xù)流動(dòng)系統(tǒng)，所述連續(xù)流動(dòng)系統(tǒng)用以在基本上恒定的壓力條件下提供連續(xù)的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體流，所述壓力低于大氣壓。32.根據(jù)引用方面30時(shí)的方面31所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述連接系統(tǒng)配置成允許在沖洗流和連續(xù)流之間切換。 33. 一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，并且氣體處理系統(tǒng)包括再處理系統(tǒng)，所述再處理系統(tǒng)用以從已經(jīng)通過襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域的流體抽取熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體。34.如方面33所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述再處理系統(tǒng)包括分離系統(tǒng)，用以從所述流體抽取密度低于所述流體中的氣體平均密度的氣體。35.如方面34所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述分離系統(tǒng)包括分離容器，所述分離容器包括在分離容器下部的廢物出口和在分離容器上部的低密度氣體出口。36.根據(jù)方面33-35中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件，還包括純度傳感器，用以測(cè)量從所述分離系統(tǒng)輸出的較低密度氣體的純度。37.根據(jù)方面36所述的襯底臺(tái)組件，還包括控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)配置成基于所述純度傳感器的輸出控制流出所述分離系統(tǒng)的較低密度氣體的流量。38.根據(jù)方面36或37所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述純度傳感器包括熱導(dǎo)率傳感器或密度傳感器或兩者。39. 一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K);和抽吸貯液器，配置成被保持在部分真空條件下并且能夠選擇性地連接至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域、以從該區(qū)域去除流體。40. 一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和液體處理系統(tǒng)，用以將液體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，以便在使用時(shí)用液體覆蓋襯底臺(tái)的與襯底直接相對(duì)的部分的表面面積的至少20%。41.根據(jù)方面40所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述液體包括水。42.根據(jù)方面40或41所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述液體處理系統(tǒng)包括連接器元件，所述連接器元件用以連接襯底臺(tái)的表面至液體貯液器。43.根據(jù)方面42所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述連接器元件配置成通過毛細(xì)作用從液體貯液器抽取液體至襯底臺(tái)的表面。44.根據(jù)方面40-43中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述襯底臺(tái)包括芯吸結(jié)構(gòu)，配置成通過毛細(xì)作用在所述表面的區(qū)域上展開或鋪開液體。45.根據(jù)方面44所述的襯底臺(tái)組件，其中，所述芯吸結(jié)構(gòu)包括選自下列項(xiàng)的一個(gè)或多個(gè)多孔SiC、槽結(jié)構(gòu)和/或親液合成物。46.根據(jù)方面40-45中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件，還包括氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)。47. 一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括
襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中所述襯底臺(tái)包括通孔，所述通孔具有進(jìn)入襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域的開口，和所述組件還包括圍繞所述通孔的開口的通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)，所述通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)形成圍繞所述開口的閉合路徑。48. 一種浸沒光刻設(shè)備，包括根據(jù)前述方面中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件。49. 一種從根據(jù)方面1-47中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件中的襯底臺(tái)拆卸或移除襯底的方法，所述方法包括下列依次序的步驟使用氣體處理系統(tǒng)將熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體提供至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域；使用氣體處理系統(tǒng)將沖洗氣體提供至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域，以沖洗掉熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體；和當(dāng)熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體的濃度下降至特定閾值以下時(shí)從襯底臺(tái)移除襯底。50. 一種將襯底安裝在根據(jù)方面1-47中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件中的襯底臺(tái)上的方法，所述方法包括下列依次序的步驟將襯底放置在襯底臺(tái)上；在襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域的中心部分中建立低于大氣壓的壓力；在襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域中引入熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體；和在基本上恒定的低于大氣壓的壓力條件下建立通過襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域的恒定的氣體流。51.根據(jù)方面50所述的方法，其中，通過將襯底與襯底臺(tái)之間的所述區(qū)域連接至包含特定量的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體的沖洗貯液器來執(zhí)行引入熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體的步驟。52.根據(jù)方面50或51所述的方法，其中，所述中心部分中的低于大氣壓的壓力還低于襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域內(nèi)的襯底的外周邊緣附近的壓力，并且所述方法還包括在后步驟將外周邊緣處的壓力減小至基本上等于中心部分中的壓力的水平。53. 一種將襯底安裝在根據(jù)方面1-47中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件中的襯底臺(tái)上的方法，所述方法包括下列依次序的步驟將液體施加至襯底臺(tái)的表面；和將襯底放置在襯底臺(tái)上；其中液體覆蓋襯底臺(tái)的與襯底直接相對(duì)的部分的表面面積的至少20%。54.根據(jù)方面53所述的方法，其中，通過使用噴霧器或電噴射施加液體。55. 一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)與襯底之間的空間的浸沒液體；和將氣體提供至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，其中所述氣體包括H2?！?6. 一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)與襯底之間的空間的浸沒液體；和將氣體提供至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/ (m. K);和從與襯底的外周相鄰的區(qū)域提供周圍環(huán)境氣體、浸沒流體或兩者的橫向向內(nèi)的流動(dòng)。57. 一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)與襯底之間的空間的浸沒液體；和將第一氣體提供至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中所述第一氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K);和將緩沖氣體作為第二氣體提供至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域，所述緩沖氣體與第一氣體的成分不同。58. 一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)與襯底之間的空間的浸沒液體；和將氣體提供至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/ (m. K)，其中所述襯底臺(tái)包括通孔，所述通孔具有進(jìn)入襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域的開口。59. 一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)與襯底之間的空間的浸沒液體；和將氣體提供至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/ (m. K)；在襯底之上的區(qū)域與襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域之間的襯底的外周邊緣處進(jìn)行密封；和從與襯底的外周相鄰的區(qū)域提供在298K條件下熱導(dǎo)率大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體的橫向向內(nèi)流動(dòng)。60. 一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)與襯底之間的空間的浸沒液體；和將氣體提供至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/ (m. K);和從已經(jīng)通過襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域的流體抽取熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/ (m. K)的氣體，以便重新使用所抽取的氣體。61. 一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)與襯底之間的空間的浸沒液體；和將液體提供至襯底與支撐襯底的襯底臺(tái)之間的區(qū)域，以便覆蓋襯底臺(tái)的與襯底直接相對(duì)的部分的表面面積的至少20%。62. 一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)與襯底之間的空間的浸沒液體；和將氣體提供至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域，·其中襯底臺(tái)包括通孔，所述通孔具有進(jìn)入襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域的開口，和其中通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)圍繞通孔的所述開口，所述通孔流動(dòng)限制結(jié)構(gòu)圍繞所述開口形成閉合的路徑。上述說明書是為了說明而不是為了限制。因而很顯然，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下本領(lǐng)域技術(shù)人員可以做出本發(fā)明的各種修改。
權(quán)利要求
1.一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括 襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和 氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體包括H2。
2.一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括 襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和 氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)， 其中襯底臺(tái)包括用以從氣體供給系統(tǒng)供給氣體至襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域的供給口，和用以從所述區(qū)域抽取流體的抽取口，所述抽取口包括外周抽取口，所述外周抽取口配置成從與襯底的外周鄰近的區(qū)域提供周圍環(huán)境氣體、浸沒流體或兩者的橫向向內(nèi)的流動(dòng)。
3.一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括 襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和 氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)， 其中所述襯底臺(tái)包括通孔，所述通孔具有進(jìn)入襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域的開口。
4.一種用于浸沒光刻設(shè)備的襯底臺(tái)組件，包括 襯底臺(tái)，用以支撐襯底； 氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K);和 邊緣密封件，用以在襯底之上的區(qū)域與襯底和襯底臺(tái)之間的區(qū)域之間的襯底的外周邊緣處提供密封， 其中所述組件配置成從與襯底的外周鄰近的區(qū)域提供熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/ (m. K)的氣體的橫向向內(nèi)的流動(dòng)。
5.一種浸沒光刻設(shè)備，包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件。
6.一種從根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件中的襯底臺(tái)拆卸或移除襯底的方法，所述方法包括下列依次序的步驟 使用氣體處理系統(tǒng)將熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體提供至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域； 使用氣體處理系統(tǒng)將沖洗氣體提供至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域，以沖洗掉熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體；和 當(dāng)熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體的濃度下降至特定閾值以下時(shí)從襯底臺(tái)移除襯底。
7.—種將襯底安裝在根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的襯底臺(tái)組件中的襯底臺(tái)上的方法，所述方法包括下列依次序的步驟 將襯底放置在襯底臺(tái)上； 在襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域的中心部分中建立低于大氣壓的壓力； 在襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域中引入熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)的氣體；和 在基本上恒定的低于大氣壓的壓力條件下建立通過襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域的恒定的氣體流。
8.一種器件制造方法，包括步驟 將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)與襯底之間的空間的浸沒液體；和將氣體提供至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/ (m. K)，其中所述氣體包括H2。
9.一種器件制造方法，包括步驟 將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)與襯底之間的空間的浸沒液體；和將氣體提供至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大 于或等于IOOmW/ (m. K);和 從與襯底的外周相鄰的區(qū)域提供周圍環(huán)境氣體、浸沒流體或兩者的橫向向內(nèi)的流動(dòng)。
10.一種器件制造方法，包括步驟 將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)與襯底之間的空間的浸沒液體；和將氣體提供至襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于IOOmW/(m. K)， 其中所述襯底臺(tái)包括通孔，所述通孔具有進(jìn)入襯底與襯底臺(tái)之間的區(qū)域的開口。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種襯底臺(tái)組件、浸沒光刻設(shè)備以及器件制造方法。所述襯底臺(tái)組件包括襯底臺(tái)，用以支撐襯底；和氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺(tái)與安裝在襯底臺(tái)上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導(dǎo)率在298K的條件下大于或等于100mW/(m.K)。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102955372SQ201210280770
公開日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月10日
發(fā)明者J·G·C·昆尼, J·H·W·雅各布斯, M·霍本, T·S·M·勞倫特, F·J·J·范鮑克斯臺(tái)爾, S·C·R·德爾克斯, S·N·L·唐德斯 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司