專利名稱：耐用的無機(jī)吸收式紫外柵偏振器的制作方法
耐用的無機(jī)吸收式紫外柵偏振器
本申請是申請日為2008年3月3日，發(fā)明名稱為“耐用的無機(jī)吸收式紫外柵偏振 器”的中國專利申請CN200880021401. 8 (PCT/US2008/055685進(jìn)入中國國家階段的申請)的 分案申請，在此請求原案的相關(guān)優(yōu)先權(quán)權(quán)益。技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般涉及無機(jī)的電介質(zhì)吸收式柵偏振器，特別關(guān)注這樣的偏振器在電磁波 譜的紫外(UV)部分中的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
為了使光偏振，或者使光的正交偏振方向分離，已經(jīng)發(fā)展了各種類型的偏振器或 偏振分束器(PBS)。Macneille PBS是基于沿著高折射率立方體(該P(yáng)BS被構(gòu)造于其中)的 對角線在薄膜界面處實(shí)現(xiàn)Brewster角行為。這樣的Macneille PBS不產(chǎn)生散光,但具有窄 的接收角，并且成本和重量很高。這樣的器件可通過對玻璃和薄膜的合適選擇而被制造為 從電磁波譜的紅外范圍經(jīng)可見光范圍直至紫外范圍內(nèi)起作用。
其他類型的偏振器也常用于光譜的可見和紅外部分，包括長鏈聚合物偏振器、線 柵偏振器、Glan Thompson晶體偏振器等等。然而,不能類似地向光譜的紫外(UV)部分(特 別是小于約350nm的波長)提供可行的高性能偏振器。
與可見和紅外(IR)相比，這種可行的偏置器的缺乏限制了偏振的UV光在科學(xué)、技 術(shù)和工業(yè)中的應(yīng)用。然而，為了支持UV輻射在諸如半導(dǎo)體制造、平板液晶顯示器(IXD)制 造等的工業(yè)加工中的增加的應(yīng)用，對UV偏振器的需求日益劇烈。在一些UV輻射加工中所 需的偏振器類型必須具有適當(dāng)?shù)慕邮战?，必須能夠給出大于約20:1的透射對比率和對所 希望偏振的大于約30%的透射效率，并且在高強(qiáng)度環(huán)境中經(jīng)歷有效的時(shí)間周期(至少1-2個(gè) 月)。還希望該偏振器具有這樣的方便的形狀因子(例如玻片形式)，其允許使用最有效的光 學(xué)幾何結(jié)構(gòu)。雖然在可見光譜內(nèi)通過線柵偏振器技術(shù)或多種其他偏振技術(shù)可容易地滿足這 樣的性能水平，但出乎意料地，要在UV范圍內(nèi)滿足甚至該低的性能要求也證明是困難的。
對該需求的一種解決方案是使用“玻片堆”偏振器，其通過組裝一系列玻片且將該 堆設(shè)置在UV輻射的Brewster角的位置處而形成，以通過P偏振的透射和S偏振的反射而 產(chǎn)生偏振光束。該方法可給出希望的光學(xué)效率和對比率，但過于昂貴且笨重，并且尚未被證 明是實(shí)用的解決方案。
與在可見和IR中應(yīng)用的那些商業(yè)可用偏振器類似的鋁線柵偏振器曾被認(rèn)為可用 于滿足該需求。然而，經(jīng)驗(yàn)表明，線柵技術(shù)的當(dāng)前技術(shù)狀態(tài)是不能勝任的。已經(jīng)在240nm與 300nm波長之間的UV應(yīng)用中測試了來自多個(gè)制造商的具有最低為約IOOnm的柵周期的線柵 偏振器，這些線柵偏振器不能滿足以上所有要求。特別地，它們不能給出在有效的時(shí)間周期 內(nèi)持續(xù)給出希望的對比度水平。基本問題看起來在于與柵周期相比短的波長(在250nm下 比率僅為2. 5:1)以及對快速地(例如約幾個(gè)小時(shí))將柵中的鋁金屬線轉(zhuǎn)變成氧化鋁線(此時(shí) 偏振器幾乎完全喪失其偏振功能)的工業(yè)UV環(huán)境的苛求，該短的波長消極地影響對比度和透射性能。
另一個(gè)提議是，在線柵偏振器附近簡單地添加分隔吸收層或者用吸收層涂覆線柵 偏振器。參見專利7，206，059。但這樣的偏振器使用線。
其他UV偏振器(例如Glan Thompson Alpha BB0)雖然滿足科學(xué)應(yīng)用，但不能滿足 光學(xué)效率、接收角方面的要求，并且對于工業(yè)應(yīng)用而言也過于昂貴。因此，當(dāng)前不存在滿足 UV光的工業(yè)應(yīng)用的需要的完全可接受的且實(shí)用的UV偏振器。發(fā)明內(nèi)容
已經(jīng)公認(rèn)，發(fā)展這樣的偏振器或偏振分束器將是有利的，其具有大于約20:1的透 射和/或反射對比度，具有適當(dāng)?shù)慕邮战?，可在相?dāng)長的時(shí)間段內(nèi)耐受高溫和UV光中固有 的較高能量的光子，具有合理的物理形式(例如玻片形式)，并且可以以適當(dāng)?shù)某杀局圃煲?應(yīng)用于工業(yè)加工。另外，已經(jīng)公認(rèn)，發(fā)展無機(jī)的電介質(zhì)的偏振器將是有利的，以避免由于強(qiáng) 的UV環(huán)境而氧化金屬(例如鋁)和破壞有機(jī)材料(例如聚合物)。
本發(fā)明提供一種紫外的吸收式無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器器件。在基底上方設(shè)置至少 兩個(gè)層的疊層。所述至少兩個(gè)層中的每一個(gè)由無機(jī)的且為電介質(zhì)的材料形成。所述至少兩 個(gè)層的相鄰層具有不同的折射率。所述至少兩個(gè)層中的至少一個(gè)是不連續(xù)的，從而形成形 序雙折射(form-birefringent)層,其具有周期小于約400nm的平行脊的陣列。所述至少 兩個(gè)層中的另一個(gè)與所述形序雙折射層不同，其由對紫外光譜光學(xué)吸收的材料形成，從而 限定吸收層。
在另一方面中，本發(fā)明提供一種紫外的吸收式無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器器件，其具 有設(shè)置在基底上方的至少兩個(gè)層的疊層。所述至少兩個(gè)層中的每一個(gè)由無機(jī)的且為電介質(zhì) 的材料形成。所述至少兩個(gè)層的相鄰層具有不同的折射率。所述至少兩個(gè)層中的至少一個(gè) 是不連續(xù)的，從而形成周期小于約400nm的平行脊的陣列。每個(gè)脊具有透射層，其由對紫 外光譜光學(xué)不吸收的材料形成；以及吸收層，其由對紫外光譜光學(xué)吸收的材料形成。
根據(jù)另一方面，本發(fā)明提供一種紫外的吸收式無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器器件，其具 有設(shè)置在基底上方的至少兩個(gè)層的疊層。所述疊層的每一個(gè)層由無機(jī)的且為電介質(zhì)的材料 形成。所述疊層的相鄰層具有不同的折射率。所述疊層的所有層是不連續(xù)的，從而形成形 序雙折射層，其具有周期小于約400nm的平行脊的陣列。所述周期和不同的折射率使得所 述疊層將入射的紫外射束基本偏振為兩個(gè)正交偏振方向且透射或反射所述偏振中的一者。 所述疊層的至少一個(gè)層由對紫外光譜光學(xué)吸收的材料形成，從而基本吸收所述偏振方向中 的另一者。


通過結(jié)合附圖而在下面給出的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見， 這些附圖通過實(shí)例而一起示例出本發(fā)明的特征；并且其中
圖1a是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的吸收式無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器的示意性截面 側(cè)視圖1b是圖1a的偏振器的一個(gè)實(shí)例的掃描電子圖像；
圖1c是圖1a的偏振器的預(yù)期性能(理論計(jì)算)的圖
圖
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圖截面?zhèn)纫晥D
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圖1d是其脊由Nb205形成的圖1a的偏振器的預(yù)期性能(理論計(jì)算)的圖；Ie是其脊具有IOOnm的周期的圖1a的偏振器的預(yù)期性能(理論計(jì)算)的圖；If是圖1a的偏振器的實(shí)際性能的圖；2是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的另一吸收式無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器的示意性 3a是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的另一吸收式無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器的示意性 3b是圖3a的偏振器的預(yù)期性能(理論計(jì)算)的圖；4a是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的另一吸收式無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器的示意性 4b是圖4a的偏振器的預(yù)期性能(理論計(jì)算)的圖；5a是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的另一吸收式無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器的示意性 5b是圖5a的偏振器的一個(gè)實(shí)例的掃描電子圖像；5c是圖5a的偏振器的預(yù)期性能(理論計(jì)算)的圖；6是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的另一吸收式無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器的示意性7是制造圖1a的偏振器的方法的示意圖；以及8是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例使用圖1a的偏振器的紫外曝光系統(tǒng)的示意圖。
為清楚起見夸大了附圖中的各種特征。
現(xiàn)在將參考并在此使用特定的語言描述所示例的示例性實(shí)施例。然而應(yīng)該理解， 并不旨在由此限制本發(fā)明的范圍。
具體實(shí)施方式

定義
在此使用術(shù)語電介質(zhì)表示非金屬光學(xué)材料，其典型地由金屬氧化物、金屬氮化物、 金屬氟化物或其他類似的材料構(gòu)成。另外，認(rèn)為各種形式的碳，例如石墨、金剛石、玻璃碳等，也是本發(fā)明的范圍內(nèi)的一種電介質(zhì)。
描述
如上所述，已經(jīng)公認(rèn)，存在對改進(jìn)的偏振器，特別是用于紫外(UV)應(yīng)用的偏振器的需求。由于即使是無機(jī)偏振器，例如線柵偏振器，也尚未成功地滿足在UV光譜中的該特殊需求，因此著眼于該應(yīng)用要求是有用的，以發(fā)展獨(dú)特地工作在UV光譜中的偏振器，該偏振器不關(guān)注或不可用于電磁波譜的其他部分中。特別地，應(yīng)注意，在一些UV應(yīng)用中對對比率和透射效率的要求比在可見或紅外(IR)光譜中的應(yīng)用所要考慮的可接受的性能水平低得多。這打開了使用更具有獨(dú)創(chuàng)性的途徑的可能性，或許甚至涉及吸收性材料，在可見或IR 應(yīng)用中通常不考慮這些吸收性材料，因?yàn)樗鼈儗傮w的光效率具有強(qiáng)的消極影響。
如圖1a和Ib中所示例的，根據(jù)本發(fā)明以示例性實(shí)施方式示出了一般由10表示的吸收式無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器?？扇绱伺渲闷衿?0，以便入射的UV光束(用“UV”表示) 基本偏振為基本分隔的正交偏振方向，并且基本吸收偏振中的一種。例如，偏振器可被配置為透射一種偏振方向(例如具有P偏振方向的UV光)且吸收另一種偏振方向(例如具有s偏振方向的UV光)，如圖1a中所示。如上所述，可將s偏振方向取向?yàn)榕c偏振器的脊平行，同時(shí)可將P偏振方向取向?yàn)榕c這些脊正交或垂直。這樣的偏振器10可用于半導(dǎo)體制造、平板液晶顯示器(IXD)制造等領(lǐng)域中。
偏振器10可包括設(shè)置在基底22上方的膜層18a和18b的疊層14，該基底22承載且支持這些層。疊層14包括至少兩個(gè)層，包括至少一個(gè)透射或非光學(xué)吸收層18a以及至少一個(gè)對于紫外光譜光學(xué)吸收的層18b。透射層18a可直接設(shè)置在基底上，或者設(shè)置在比吸收層18b更靠近基底的位置處，以使透射層設(shè)置在吸收層與基底之間。層18a和18b可由無機(jī)的電介質(zhì)材料形成。偏振器的無機(jī)的電介質(zhì)材料可抵制由UV射束引起的諸如氧化的劣化。另外，基底22可由無機(jī)的電介質(zhì)材料形成，例如熔融硅石，以進(jìn)一步避免由UV光引起的基底的劣化。由此，整個(gè)偏振器可為無機(jī)的電介質(zhì)，或者僅由無機(jī)的電介質(zhì)材料形成。
透射層18a也可由至少在UV光譜區(qū)中光學(xué)透射的材料形成。類似地，基底可由對 UV光譜區(qū)光學(xué)透射的材料形成。
至少透射層18a可為不連續(xù)的，從而形成形序雙折射層26，其具有限定柵32的平行脊30的陣列。脊30由諸如二氧化硅(Si02)的無機(jī)的電介質(zhì)材料形成。在一個(gè)方面中， 脊30的周期P小于UV射束的波長，或者小于400nm。在另一方面中，脊30或柵32的周期 P小于UV射束的波長的一半，或者小于200nm。在另一方面中，脊或柵可具有小于160nm的周期P。脊30的該結(jié)構(gòu)(周期、寬度、厚度、以及相鄰層的不同折射率)與UV射束相互作用， 以將UV射束基本偏振成兩個(gè)正交的偏振方向。在一個(gè)方面中，柵32基本透射偏振方向中的一者(例如P偏振方向)，同時(shí)基本吸收另一個(gè)偏振方向(例如s偏振方向),如下所述?；蛘?，該柵可基本反射s偏振方向，同時(shí)基本吸收P偏振方向。
吸收層18b包括對于UV光譜區(qū)光學(xué)吸收的材料，例如二氧化鈦(Ti02)。由此，吸收層18b基本吸收UV射束的偏振方向中的一者，例如s偏振方向。吸收層18b也可為不連續(xù)的，其具有形成柵32的一部分的平行脊30的陣列。如下面將更詳細(xì)描述的，通過允許一次蝕刻所有的層，將吸收層32形成為柵32可簡化制造。吸收層的光學(xué)吸收材料可包括碲化鎘、鍺、締化鉛、氧化娃、締、二氧化鈦、娃、硫化鎘、硒化鋅、硫化鋅、及其組合。
每個(gè)層或柵的材料具有折射率η或有效折射率。相鄰的層或柵具有不同的折射率 Cn1 Φ η2)或者不同的有效折射率。另外，第一層18a可具有與基底22的折射率\不同的折射率Ii1 (H1^ns)0層的疊層可具有這樣的兩個(gè)層的基本模式，其具有兩種折射率、兩種厚度(可以不同或相同)以及兩種不同的材料，其中一種材料在UV光譜中所關(guān)注的光譜區(qū)中顯示為光學(xué)吸收。該基本 模式可被重復(fù)，從而形成具有多于一個(gè)層對的結(jié)構(gòu)。還應(yīng)理解，可在該層對之下或在該層對之上添加連續(xù)的光學(xué)薄膜材料(未示出)的其他層，以提供其他光學(xué)益處。
另外，每一層的厚度可被設(shè)計(jì)為對于UV光譜中的希望的光譜范圍使光學(xué)性能(透射效率和對比率)最優(yōu)化。例如，如圖1a中所示，透射層18a的厚度h小于吸收層18b的厚度t2。
雖然疊層14被示出為具有兩個(gè)膜層18a_b，但應(yīng)理解，疊層中的膜層的數(shù)目可以改變。在一個(gè)方面中，疊層可以具有三個(gè)至二十個(gè)層。相信小于二十個(gè)層可以實(shí)現(xiàn)希望的偏振。位于基底上方的疊層中的所有膜層的厚度可以小于2微米。
二層膜不連續(xù)，從而形成具有平行脊30的陣列的形序雙折射結(jié)構(gòu)。這些脊的間距或周期P小于受處理的波長，并且在一個(gè)方面中小于受處理的波長的一半。對于UV光應(yīng)用 (λ ^ 100-400nm)，這些脊的間距或周期P在一個(gè)方面中可小于400nm，在另一方面中可小于200nm,并且在又一方面中可小于160nm。由此,偏振器10將入射的UV光束分離成兩個(gè)正交偏振方向，其中具有s偏振方向(平行于脊長度取向的偏振方向)的光被吸收得最多,其中一些能量被反射，而具有P偏振方向(垂直于脊長度取向的偏振方向)的光被大量透射或通過，少量能量被吸收。(當(dāng)然應(yīng)理解，這兩種偏振的分離可以不是完全的，并且可以存在損耗或者不希望的偏振方向的量被反射和/或透射)。另外，應(yīng)注意，其間距小于光波長一半的柵或脊陣列的作用不像衍射光柵(其間距大于光波長的約一半)。由此，柵偏振器可避免衍射。此外，相信這樣的周期還可避免共振效應(yīng)或其他光學(xué)異常。
如圖1a中所示，所有的膜層都不連續(xù)且形成平行脊30的陣列。脊30可通過插入溝槽、間隙或凹槽34而被分隔。在這種情況下，溝槽34延伸穿過膜層18a-18b這兩層直到基底22。由此，每個(gè)脊30由兩個(gè)層形成。另外，所有的膜層為形序雙折射。如以下所討論的，這樣的配置可便于制造。
雖然脊30被示出為矩形的，但是當(dāng)然應(yīng)理解，這些脊和溝槽34可以呈現(xiàn)各種其他形狀，如圖1b中所示。例如，這些脊和凹槽可以為梯形的、圓形的、部分正弦曲線狀，等等。
可以不填充或用空氣(n=l)填充溝槽34?；蛘撸捎脤θ肷涞腢V光光學(xué)透射的材料填充溝槽34。
在一個(gè)方面中，位于基底上方的疊層中的所有膜層的厚度小于I微米。由此，柵偏振器10可以很薄，以用于緊湊的應(yīng)用中。
相信膜層的雙折射特征以及相鄰膜層的不同折射率會(huì)使得柵偏振器10基本分離入射光的偏振方向，基本吸收和反射s偏振方向的光,并且基本透射或通過P偏振方向的光 (其中有可接受量的吸收)。另外，相信可以調(diào)整膜層的數(shù)目、膜層的厚度以及膜層的折射率來改變柵偏振器的性能特征，只要這些層中的至少一個(gè)吸收入射的UV光。
參考圖lc，示出了具有120nm周期的圖1a和Ib的偏振器10的預(yù)測性能(具體地， 透射率和對比度)。可以看出，在250-350nm的光譜范圍內(nèi) ，偏振器10的透射率大于40%，其中當(dāng)大于310nm時(shí)，透射率增加。另外，對比率的峰值(350)位于約270nm的波長處。參考圖le，示出了具有IOOnm周期的圖1a和Ib的偏振器10的預(yù)測性能。可以看出，透射率大于 30%，并且當(dāng)大于300nm時(shí)，透射率增加。另外，對比度的峰值位于260nm處。參考圖ld，示出了其中脊由Nb205形成的圖1a和Ib的偏振器10的預(yù)測性能?？梢钥闯觯?50_350nm 的光譜范圍內(nèi)，偏振器的透射率大于30%，并且當(dāng)大于290nm時(shí)，透射率增加。另外，對比率的峰值(400以上)位于約250nm的波長處。由此，可以看出，可選擇不同的材料來將偏振器調(diào)制至特定的波長。
參考圖2，根據(jù)本發(fā)明以示例性實(shí)施方式示出了總體由IOb表示的另一吸收式無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器。上面的描述在此引入作為參考。與基底22b整體地形成偏振層18a、 脊30b和柵32b (例如，通過蝕刻超過吸收層18b而進(jìn)入基底中)。由于需要沉積較少的層， 因此該偏振器IOb較容易制造。由此，偏振器包括多個(gè)脊，這些脊形成在基底22b本身中， 或從基底22b本身延伸。形成在膜層中或膜層的疊層14b中的脊可以沉積在基底的脊上方或者受到基底的脊的承載?；椎募箍梢韵薅ň娱g的溝槽或凹槽，這些凹槽可與膜層的溝槽對準(zhǔn)。利用該配置，基底的一部分可形成形序雙折射層?？赏ㄟ^蝕刻基底，例如，通過過蝕刻上述各層，形成脊或溝槽。
參考圖3a，根據(jù)本發(fā)明以示例性實(shí)施方式示出了總體由IOc表示的另一吸收式無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器或偏振分束器。上面的描述在此引入作為參考。偏振器IOc包括不連續(xù)層18a-c的疊層14c。頂部和底部層18c和18a可以為透射層，且可以為不連續(xù)的，從而形成具有限定柵26的脊30的陣列的形序雙折射層32。吸收層18b可以設(shè)置在這兩個(gè)偏振柵之間。
參考圖3b，示出了圖3a的偏振器IOc的預(yù)測性能?？梢钥闯?，偏振器IOc類似于圖1a的偏振器10。
參考圖4a，根據(jù)本發(fā)明以示例性實(shí)施方式示出了總體由IOd表示的另一吸收式無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器或者偏振分束器。上面的描述在此引入作為參考。偏振器IOd包括不連續(xù)層18a-18f的疊層14d，從而形成具有限定柵的脊30的陣列的形序雙折射層。這些層在非吸收層18a、18c和18e與吸收層18b、18d和18f之間交替。
參考圖4b，示出了圖4a的偏振器IOd的預(yù)測性能。可以看出，在250_350nm的范圍內(nèi)，透射率大于百分之三十。另外，對比度的峰值(120)位于270nm的波長處。
實(shí)例I
參考圖la，示出了吸收式無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器10的第一非限制性實(shí)例。
柵偏振器10具有設(shè)置在基底22上方的兩個(gè)膜層18a和18b。這些膜層由無機(jī)的電介質(zhì)材料形成，即，層18a由二氧化娃(SiO2)(在266nm下，n ^1. 6, k ^ O)形成,層 18b由二氧化鈦(TiO2)(在266nm下，n ^ 2. 7，k ^1. 3)形成。這兩個(gè)層分別具有20nm和 130nm的厚度(^和^)。由此，整個(gè)疊層具有約150nm的厚度(t總)。這兩個(gè)薄膜層都是不連續(xù)的，且形成平行脊30的陣 列26。由此，所有的層都是不連續(xù)的，且一起產(chǎn)生形序雙折射層。脊的間距或周期P為118nm，且占空比(周期與脊寬度的比率)為O. 48，或者脊寬度為 57nm。選擇氧化鈦(TiO2)材料的原因在于其光學(xué)指標(biāo)及其對入射的UV輻射的光學(xué)吸收特性。形序雙折射結(jié)構(gòu)將優(yōu)先反射和吸收s偏振而透射P偏振，其中可接受量的能量損失或被吸收。將在與法線成從約0°入射(或正入射)到約75°的角度的入射角范圍內(nèi)發(fā)生該希望的性能。
表I示出了在波長(λ )為266nm的入射UV光以0°、15°和30°的入射角入射的情況下圖1a的偏振器10的性能。
表I一實(shí)例I
權(quán)利要求
1.一種紫外的吸收式無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器器件，包括 a)基底； b)設(shè)置在所述基底上方的至少兩個(gè)層的疊層； c)所述至少兩個(gè)層中的每一個(gè)由無機(jī)的且為電介質(zhì)的材料形成； d)所述至少兩個(gè)層的相鄰層具有不同的折射率； e)所述至少兩個(gè)層是不連續(xù)的，從而形成形序雙折射層，其具有周期小于大約400nm的平行脊的陣列； f)所述至少兩個(gè)層中的至少一個(gè)由針對紫外光譜的光學(xué)吸收性材料形成，其限定吸收層； g)其中所述器件基本透射一個(gè)偏振方向且基本吸收另一個(gè)偏振方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述形序雙折射層之一包括二氧化硅；并且其中所述光學(xué)吸收性材料包括二氧化鈦。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，還包括至少三個(gè)層，該至少三個(gè)層中的兩個(gè)不連續(xù)，從而形成形序雙折射層，光學(xué)吸收性材料的吸收層設(shè)置在所述形序雙折射層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，還包括所述形序雙折射層和光學(xué)吸收性材料的層的多個(gè)交替層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，還包括第三平面化層，其設(shè)置在所述脊和在所述脊之間限定的間隙的上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述器件具有大于20:1的透射對比率和大于30%的透射效率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述光學(xué)吸收性材料選自碲化鎘、鍺、碲化鉛、氧化娃、締、二氧化鈦、娃、硫化鎘、硒化鋅、硫化鋅、及其組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中由所述至少兩個(gè)層中的一個(gè)形成的脊與所述基底形成為整體，并包括所述基底中的脊。
全文摘要
本發(fā)明是耐用的無機(jī)吸收式紫外柵偏振器。無機(jī)的電介質(zhì)柵偏振器器件(10，10b，10c，10d，10e，10f)包括設(shè)置在基底(22)上方的膜層(18a，18b)的疊層(14，14b，14c，14d，14e，14f)。每個(gè)膜層由無機(jī)的且為電介質(zhì)的材料形成。每個(gè)相鄰膜層具有不同的折射率。所述膜層中的至少一個(gè)是不連續(xù)的，從而形成形序雙折射層(26)，其具有周期小于400nm的平行脊(30)的陣列。另一層不同于所述形序雙折射層，其由對紫外光譜光學(xué)吸收的材料形成。
文檔編號G02B5/30GK103033870SQ20121057455
公開日2013年4月10日 申請日期2008年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月22日
發(fā)明者E·加德納, 汪斌, M·戴維斯, J·D·小格雷格 申請人:莫克斯泰克公司