專(zhuān)利名稱：陣列基板及顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及顯示器件。
技術(shù)背景近些年來(lái)，薄膜晶體管 液晶顯示器憑借其低功耗，無(wú)輻射等優(yōu)點(diǎn)逐漸成為目前顯示產(chǎn)品市場(chǎng)的主流趨勢(shì)。圖I為一種傳統(tǒng)TFT-IXD中像素的平面結(jié)構(gòu)示意圖，圖Ia和圖Ib分別為圖I中兩個(gè)局部區(qū)域的放大圖，圖2對(duì)應(yīng)于圖I中的A-A'位置的剖視圖，在圖示的像素結(jié)構(gòu)中，公共電極I為板狀電極，像素電極2為條狀電極，像素電極2位于公共電極I上方，像素電極2與公共電極I之間形成邊緣電場(chǎng)Ef，并且公共電極I與像素電極2之間有很大的交疊面積，即公共電極I與像素電極2分別在基板上的投影的重合面積很大，由此在公共電極I和像素電極2之間形成的存儲(chǔ)電容較大，基于該像素結(jié)構(gòu)所形成的顯示器件中易出現(xiàn)與像素的充放電相關(guān)的不良現(xiàn)象，對(duì)于大尺寸高頻率的顯示面板制造而言，該問(wèn)題將會(huì)愈加嚴(yán)重。

實(shí)用新型內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題本實(shí)用新型要解決的首要技術(shù)問(wèn)題是如何增強(qiáng)液晶顯示器件中的液晶光效，以實(shí)現(xiàn)其高透過(guò)率；本實(shí)用新型進(jìn)一步要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何避免像素電極與公共電極間存儲(chǔ)電容過(guò)大所出現(xiàn)的充放電不良的現(xiàn)象。(二)技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種陣列基板，包括形成在基板上的公共電極和像素電極；所述公共電極包括第一公共電極和第二公共電極，所述第一公共電極設(shè)置于所述像素電極下方并通過(guò)絕緣層與所述像素電極隔開(kāi)，所述第二公共電極與所述像素電極同層設(shè)置，所述像素電極為條狀電極，所述第二公共電極為條狀電極且與所述像素電極相互間隔排列。其中，所述第一公共電極為板狀電極。其中，所述像素電極在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第一投影完全落入所述第二投影內(nèi)。其中，所述第一公共電極為條狀電極。其中，所述第一公共電極的寬度小于所述像素電極的寬度；所述像素電極在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第二投影完全落入所述第一投影內(nèi)。其中，所述像素電極在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第一投影寬度方向的兩端區(qū)域分別與兩個(gè)相鄰第二投影的部分區(qū)域重合。[0014]其中，所述第一公共電極的寬度大于相鄰的兩個(gè)像素電極之間開(kāi)口的寬度。其中，所述第一投影與第二投影重合區(qū)域的寬度為6 μ m- ο μ m。其中，每條所述像素電極和第二公共電極分別包括一體形成的兩部分電極，該兩部分電極之間具有一定夾角。本實(shí)用新型還公開(kāi)了一種顯示器件，該顯示器件包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。(三)有益效果上述技術(shù)方案所提供的陣列基板及顯示器件，通過(guò)設(shè)置條狀的像素電極，并在像素電極下方設(shè)置第一公共電極以形成邊緣電場(chǎng)，與像素電極同層設(shè)置條狀第二公共電極且使像素電極與第二公共電極間隔布置，以形成面內(nèi)電場(chǎng)，從而達(dá)到增強(qiáng)液晶光效、實(shí)現(xiàn)高透過(guò)率的技術(shù)效果，高透過(guò)率的陣列基板還能大大節(jié)省顯示器件中背光源的能量損耗，同時(shí)條狀分布的像素電極結(jié)構(gòu)也能夠避免傳統(tǒng)TFT-LCD中像素中心區(qū)域透過(guò)率較低的現(xiàn)象；此外，由于設(shè)置第二公共電極，像素電極的面積相對(duì)減小，從而與第一公共電極的交疊面積會(huì)在一定程度上減少，能夠解決像素結(jié)構(gòu)中由于存儲(chǔ)電容過(guò)大引起的充放電不良等技術(shù)問(wèn)題。

圖I示出了傳統(tǒng)TFT-IXD像素的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖Ia示出了圖I中M區(qū)域的局部放大圖；圖Ib示出了圖I中N區(qū)域的局部放大圖；圖2示出了傳統(tǒng)TFT-IXD中電極與電場(chǎng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3示出了本實(shí)用新型實(shí)施例I中TFT-IXD像素的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4示出了本實(shí)用新型實(shí)施例I中與圖3中k-k'位置對(duì)應(yīng)的剖視結(jié)構(gòu)及電場(chǎng)狀態(tài)不意圖；圖5示出了基于本實(shí)用新型實(shí)施例I的顯示器件對(duì)應(yīng)于圖3中B-B'位置的剖視圖；圖6示出了本實(shí)用新型實(shí)施例2中與圖3中A-A^位置對(duì)應(yīng)的剖視結(jié)構(gòu)及電場(chǎng)狀態(tài)不意圖；圖7示出了基于本實(shí)用新型實(shí)施例2的顯示器件對(duì)應(yīng)于圖3中B-B'位置的剖視圖；圖8示出了本實(shí)用新型實(shí)施例3中與圖3中A-A^位置對(duì)應(yīng)的剖視結(jié)構(gòu)及電場(chǎng)狀態(tài)不意圖；圖9示出了基于本實(shí)用新型實(shí)施例3的顯示器件對(duì)應(yīng)于圖3中B-B'位置的剖視圖。其中，I :公共電極；2 :像素電極；3 :絕緣層；4 :鈍化層；5 :陣列基板；6 :數(shù)據(jù)線；7 :液晶層；8 :遮光膜；9 :彩膜基板；Ef :邊緣電場(chǎng)；EP :面內(nèi)電場(chǎng)。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本實(shí)用新型，但不用來(lái)限制本實(shí)用新型的范圍。實(shí)施例I圖3示出了本實(shí)施例中TFT- IXD中像素的平面結(jié)構(gòu)示意圖，圖4是對(duì)應(yīng)圖3中A-A'位置的剖視圖。參照?qǐng)D示，本實(shí)施例改變了傳統(tǒng)的基板上所設(shè)置的像素電極和公共電極的結(jié)構(gòu)，采用一種新型的結(jié)構(gòu)來(lái)設(shè)置像素電極和公共電極，具體地，像素電極2設(shè)置為條狀電極，公共電極I包括設(shè)置于所述像素電極2下方且通過(guò)絕緣層與所述像素電極2隔開(kāi)的第一公共電極(圖中未標(biāo)示)，以及與所述像素電極2同層設(shè)置的第二公共電極(圖中未標(biāo)示)，所述第二公共電極為條狀電極且與所述像素電極2相互間隔排列。位于所述像素電極2下方的第一公共電極與像素電極2形成邊緣電場(chǎng)Ef，與所述像素電極2同層設(shè)置的第二公共電極與像素電極2形成面內(nèi)電場(chǎng)Ep，邊緣電場(chǎng)與面內(nèi)電場(chǎng)同時(shí)存在，能夠達(dá)到增強(qiáng)液晶光效、實(shí)現(xiàn)高透過(guò)率的技術(shù)效果。進(jìn)一步地，所述第一公共電極設(shè)置為板狀電極；將所述像素電極2在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第一投影完全落入所述第二投影內(nèi)，即所述第一投影與第二投影的重合區(qū)域的面積就是第一投影的面積。因所述像素電極2為條狀電極，每一條狀像素電極2與第一公共電極相交疊的面積(即兩者投影相重合的面積)與現(xiàn)有技術(shù)中板狀像素電極與板狀公共電極間的交疊面積相比大大減小，像素電極2與第一公共電極間形成的存儲(chǔ)電容較小，可以避免由于存儲(chǔ)電容過(guò)大引起的充放電不良等一系列問(wèn)題。本實(shí)施例中，像素電極2為均勻布置的條狀電極，像素電極2與其下方第一公共電極相交疊的區(qū)域的寬度設(shè)置在6 μ m- ο μ m之間，因本實(shí)施例中像素電極2與第一公共電極之間相交疊的區(qū)域完全為像素電極2自身的區(qū)域，所以上述寬度即可以理解為是像素電極2的寬度，像素電極2與第一公共電極之間所形成的存儲(chǔ)電容用于維持像素電極2的電壓，若上述寬度值較大，則形成的存儲(chǔ)電容較大，引起像素電極2充電不良，不易充滿；該寬度值過(guò)小的話，存儲(chǔ)電容則不能夠有效維持像素電極2的電壓?；谏鲜鲫嚵谢?，本實(shí)施例還提供了一種顯示器件，圖5示出了基于上述陣列基板的顯示器件對(duì)應(yīng)于圖3中B-B'位置的剖視圖，參照?qǐng)D示，該顯示器件包括陣列基板5、彩膜基板9以及位于陣列基板5和彩膜基板9之間的液晶層7，具體地，陣列基板5上形成有板狀的第一公共電極、絕緣層3、數(shù)據(jù)線6、鈍化層4、條狀的像素電極2以及與像素電極2同一層面并相互間隔布置的條狀的第二公共電極，彩膜基板9上設(shè)置有遮光膜8。圖3中，每條所述像素電極和第二公共電極分別包括一體形成的兩部分電極，該兩部分電極之間具有一定夾角；即，所述像素電極和第二公共電極都呈彎曲的條狀。上述顯示器件可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。使用上述高透過(guò)率的陣列基板還能大大節(jié)省顯示器件中背光源的能量損耗，同時(shí)條狀分布的像素電極結(jié)構(gòu)也能夠避免傳統(tǒng)TFT-IXD中像素中心區(qū)域透過(guò)率較低的現(xiàn)象。實(shí)施例2圖6示出了本實(shí)施例中對(duì)應(yīng)于圖3中A-A^位置的剖視圖，參照?qǐng)D示，本實(shí)施例的陣列基板結(jié)構(gòu)與實(shí)施例I相似，像素電極2設(shè)置方式不變，與像素電極2同一層面的條狀第二公共電極的設(shè)置方式也不變，其區(qū)別之處在于，本實(shí)施例中的第一公共電極設(shè)置為條狀電極，第一公共電極的寬度小于像素電極2的寬度，所述像素電極2在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第二投影完全落入所述第一投影內(nèi)。本實(shí)施例中，第一公共電極設(shè)計(jì)為比像素電極2寬度小的條狀電極，同樣可以在實(shí)現(xiàn)邊緣電場(chǎng)的前提下，降低存儲(chǔ)電容。像素電極2與第一公共電極相交疊的區(qū)域的寬度也設(shè)置在6 μ m-10 μ m之間，即第一公共電極的寬度設(shè)置為6 μ m-10 μ m之間?；谏鲜鲫嚵谢?，本實(shí)施例提供了一種顯示器件，圖7示出了基于上述陣列基 板的顯示器件對(duì)應(yīng)于圖3中B-B'位置的剖視圖，參照?qǐng)D示，其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例I相似，區(qū)別之處在于基板上第一公共電極的設(shè)置方式改變，與本實(shí)施例的陣列基板上像素電極與公共電極的結(jié)構(gòu)相一致。本實(shí)施例中的陣列基板及其對(duì)應(yīng)的顯示器件，像素結(jié)構(gòu)中所形成的存儲(chǔ)電容小，可以避免由于存儲(chǔ)電容過(guò)大引起的充放電不良等一系列問(wèn)題，并同時(shí)存在邊緣電場(chǎng)Ef和面內(nèi)電場(chǎng)Ep，能夠增強(qiáng)液晶光效從而實(shí)現(xiàn)高透過(guò)率的技術(shù)效果，高透過(guò)率的面板還能大大節(jié)省顯示器件中背光源的能量損耗。實(shí)施例3圖8示出了本實(shí)施例中對(duì)應(yīng)于圖3中A-A^位置的剖視圖，參照?qǐng)D示，本實(shí)施例的陣列基板結(jié)構(gòu)與實(shí)施例I相似，像素電極2設(shè)置方式不變，與像素電極2同一層面的第二公共電極的設(shè)置方式也不變，其區(qū)別之處在于，本實(shí)施例中的第一公共電極設(shè)置為條狀電極，所述像素電極2在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第一投影寬度方向的兩端區(qū)域分別與兩個(gè)相鄰第二投影的部分區(qū)域重合。具體地，所述第一公共電極的寬度大于相鄰的兩個(gè)像素電極2之間開(kāi)口的寬度，同時(shí)，像素電極2的寬度也大于相鄰兩個(gè)第一公共電極之間開(kāi)口的寬度，實(shí)現(xiàn)每一個(gè)第一公共電極與相鄰的兩個(gè)像素電極2均有交疊，每一個(gè)像素電極2與相鄰的兩個(gè)第一公共電極也均有交疊。本實(shí)施例中，第一公共電極與像素電極2的交疊面積較小，交疊區(qū)域的寬度維持在6 μ m-10 μ m之間，同樣可以在實(shí)現(xiàn)邊緣電場(chǎng)的前提下，降低存儲(chǔ)電容?；谏鲜鲫嚵谢?，本實(shí)施例提供了一種顯示器件，圖9示出了基于上述陣列基板的顯示器件對(duì)應(yīng)于圖3中B-B'位置的剖視圖，參照?qǐng)D示，其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例I相似，區(qū)別之處在于基板上第一公共電極的設(shè)置方式改變，與本實(shí)施例的陣列基板上像素電極與公共電極的結(jié)構(gòu)相一致。本實(shí)施例中的陣列基板及其對(duì)應(yīng)的顯示器件，像素結(jié)構(gòu)中所形成的存儲(chǔ)電容小，可以避免由于存儲(chǔ)電容過(guò)大引起的充放電不良等一系列問(wèn)題，并同時(shí)存在邊緣電場(chǎng)Ef和面內(nèi)電場(chǎng)Ep，能夠增強(qiáng)液晶光效從而實(shí)現(xiàn)高透過(guò)率的技術(shù)效果，高透過(guò)率的面板還能大大節(jié)省顯示器件中背光源的能量損耗。由以上實(shí)施例可以看出，本實(shí)用新型實(shí)施例陣列基板及顯示器件中，通過(guò)設(shè)置條狀的像素電極，并在像素電極下方設(shè)置第一公共電極以形成邊緣電場(chǎng)，與像素電極同層設(shè)置條狀第二公共電極且使像素電極與第二公共電極間隔布置，以形成面內(nèi)電場(chǎng)，從而達(dá)到增強(qiáng)液晶光效、實(shí)現(xiàn)高透過(guò)率的技術(shù)效果，高透過(guò)率的陣列基板還能大大節(jié)省顯示器件中背光源的能量損耗，同時(shí)條狀分布的像素電極結(jié)構(gòu)也能夠避免傳統(tǒng)TFT-LCD中像素中心區(qū)域透過(guò)率較低的現(xiàn)象；此外，由于設(shè)置第二公共電極，像素電極的面積相對(duì)減小，從而與第一公共電極的交疊面積會(huì)在一定程度上減少，能夠解決像素結(jié)構(gòu)中由于存儲(chǔ)電容過(guò)大引起的充放電不良等技術(shù)問(wèn)題。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技 術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括形成在基板上的公共電極和像素電極；其特征在于，所述公共電極包括第一公共電極和第二公共電極，所述第一公共電極設(shè)置于所述像素電極下方并通過(guò)絕緣層與所述像素電極隔開(kāi)，所述第二公共電極與所述像素電極同層設(shè)置，所述像素電極為條狀電極，所述第二公共電極為條狀電極且與所述像素電極相互間隔排列。
2.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極為板狀電極。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第一投影完全落入所述第二投影內(nèi)。
4.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極為條狀電極。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極的寬度小于所述像素電極的寬度；所述像素電極在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第二投影完全落入所述第一投影內(nèi)。
6.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第一投影寬度方向的兩端區(qū)域分別與兩個(gè)相鄰第二投影的部分區(qū)域重合。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極的寬度大于相鄰的兩個(gè)像素電極之間開(kāi)口的寬度。
8.如權(quán)利要求3、5或6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一投影與第二投影重合區(qū)域的寬度為6 μ m-10 μ m。
9.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，每條所述像素電極和第二公共電極分別包括一體形成的兩部分電極，該兩部分電極之間具有一定夾角。
10.一種顯示器件，其特征在于，包括上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種陣列基板及顯示器件，所述陣列基板，包括形成在基板上的公共電極和像素電極；所述公共電極包括第一公共電極和第二公共電極，所述第一公共電極設(shè)置于所述像素電極下方并通過(guò)絕緣層與所述像素電極隔開(kāi)，所述第二公共電極與所述像素電極同層設(shè)置，所述像素電極為條狀電極，所述第二公共電極為條狀電極且與所述像素電極相互間隔排列。所述顯示器件，包括上述陣列基板。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK202735641SQ201220451519
公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月5日
發(fā)明者劉莎 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司