專(zhuān)利名稱(chēng)：一種陣列基板及液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
隨著高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)(Advanced Super Dimension Switch,ADS)液晶顯不產(chǎn)品需求量越來(lái)越大，對(duì)功耗的要求也越來(lái)越高，這就要求像素單元開(kāi)口率達(dá)到一個(gè)更高的水平來(lái)降低功耗。除了通過(guò)工藝的控制，設(shè)計(jì)的改進(jìn)已成為增大開(kāi)口率的重要途徑。傳統(tǒng)添加公共電極走線的ADS產(chǎn)品中，公共電極走線通過(guò)過(guò)孔周期性和公共電極線的ITO層連接，起到并聯(lián)電阻減小電阻的作用。參考圖1，其柵線101朝向各自像素單元A (該區(qū)域由一柵線101、兩條縱向數(shù)據(jù)線102和一公共電極線103圍成)，不能有效利用空間，同時(shí)源電極連接像素電極的過(guò)孔B在像素單元顯示區(qū)域A內(nèi)。同時(shí)為了防止漏光，往往通過(guò)彩膜側(cè)的黑矩陣BM (圖中未示出)來(lái)遮擋，但同時(shí)很大程度上減小了開(kāi)口率，并且因?yàn)閷?duì)盒精度問(wèn)題，往往會(huì)造成過(guò)孔處的漏光。另外，傳統(tǒng)添加公共電極走線的ADS產(chǎn)品中，柵線位置上一行的BM擋住薄膜晶體管TFT和走線，導(dǎo)致形狀不規(guī)則，和公共電極上一行平整的BM不一致，這樣在最終的成品中會(huì)形成橫紋，進(jìn)而相鄰行的亮度差異導(dǎo)致在整個(gè)屏幕上顯示異常。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板及液晶顯示面板，用以增大像素單元開(kāi)口率，避免因?yàn)橄噜徯泻诰仃囆螤畈煌斐傻娘@示出現(xiàn)橫紋，提高顯示質(zhì)量。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵線，以及由數(shù)據(jù)線和柵線圍設(shè)形成的像素單元，所述像素單元包括TFT和像素電極，所述TFT包括柵電極、源電極和漏電極，所述源電極與所述數(shù)據(jù)線連接，其中，相鄰兩行柵線位于被驅(qū)動(dòng)的相鄰兩行像素單元之間，所述漏電極與所述像素電極的連接處對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)同一列的所述相鄰兩像素單元的相鄰兩行柵線之間或柵線上。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板，包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和陣列基板，其中陣列基板為上述的陣列基板。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板及液晶顯示面板，通過(guò)將像素電極和TFT漏極連接位置設(shè)置在相鄰像素單元的柵線之間或柵線上，并將像素單元上下相鄰的兩個(gè)像素單元的柵極交錯(cuò)相向，由于上下相鄰兩個(gè)像素單元TFT相向，所以BM遮擋的邊緣和柵極線邊緣平行，會(huì)形成和公共電極對(duì)應(yīng)的寬度相同的外形平整的BM遮擋，這樣所有像素單元的開(kāi)口大小相同外觀一致，避免了相鄰行BM差異而產(chǎn)生的橫紋。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖2 Ca)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板結(jié)構(gòu)的俯視不意圖；[0011]圖2 (b)為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種TFT陣列基板結(jié)構(gòu)的俯視不意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種采用L型TFT的陣列基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種采用U型TFT的陣列基板結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板的各個(gè)制備步驟完成時(shí)的陣列基板的結(jié)構(gòu)剖面圖，該剖面對(duì)應(yīng)圖3中a-a’方向；圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板的各個(gè)步驟完成時(shí)的陣列基板的結(jié)構(gòu)剖面圖，右側(cè)虛線框中部分對(duì)應(yīng)圖3中C中心的截面；圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種TFT陣列基板的首I]面不意圖；圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種液晶顯不面板的俯視不意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板及液晶顯示面板，用以增大像素單元開(kāi)口率，避免因?yàn)橄噜徯泻诰仃嚥煌斐傻娘@示出現(xiàn)橫紋，提高顯示質(zhì)量。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵線，以及由數(shù)據(jù)線和柵線圍設(shè)形成的像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管TFT和像素電極，所述TFT包括柵電極、源電極和漏電極，所述源電極與所述數(shù)據(jù)線連接，其中，相鄰兩行柵線位于被驅(qū)動(dòng)的相鄰兩行像素單元之間，所述漏電極與所述像素電極的連接處對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)同一列的所述相鄰兩像素單元的相鄰兩行柵線之間或柵線上。進(jìn)一步的，所述漏電極與所述像素電極通過(guò)第一過(guò)孔連接。進(jìn)一步的，所述柵線包括凸起結(jié)構(gòu)，驅(qū)動(dòng)同一列的所述相鄰兩像素單元的所述相鄰兩行柵線的凸起結(jié)構(gòu)交錯(cuò)相向。進(jìn)一步的，所述相鄰兩行柵線中的上一行柵線驅(qū)動(dòng)所述相鄰兩行像素單元中位于下一行的像素單元，所述相鄰兩行柵線中的下一行柵線驅(qū)動(dòng)所述相鄰兩行像素單元中位于上一行的像素單元，或者也可以是上行柵線驅(qū)動(dòng)上行像素單元，下行柵線驅(qū)動(dòng)下行像素單
J Li ο進(jìn)一步的，所述基板還包括公共電極線，相鄰兩行公共電極線之間相隔所述相鄰兩行像素單元，所述公共電極線通過(guò)第二過(guò)孔與公共電極連接。進(jìn)一步的，所述公共電極線與公共電極連接的過(guò)孔的數(shù)量至少為兩個(gè)，一般情況下，公共電極由透明電極材料如ITO形成，而ITO的電阻一般較大，而公共電極線一般與柵線金屬層GATE層同層制作，電阻較小。因此將公共電極線與公共電極連接可以降低公共電極的電阻，從而提高信號(hào)的響應(yīng)，并且，公共電極線的數(shù)量越多越好，以與像素單元的列數(shù)相同為最佳，因?yàn)楣搽姌O線采用金屬制作，較公共電極層的材料的電阻較小，因而公共電極線的數(shù)量越多，電阻就會(huì)越小，在具體實(shí)施過(guò)程中，公共電極線的數(shù)量與像素單元的列數(shù)相同為最佳，若數(shù)量超過(guò)像素單元的列數(shù)，在工藝上就需要額外的遮擋，反而增加成本。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，所述實(shí)施例是為了說(shuō)明本實(shí)用新型，但不限制本實(shí)用新型。如圖2 (a)所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板，包括交叉設(shè)置的柵線101和數(shù)據(jù)線102、公共電極線103以及由數(shù)據(jù)線和柵線圍設(shè)形成的像素單元A (圖僅示出相鄰兩列像素單元中的上下兩個(gè)像素單元Al、A2)，每個(gè)像素單元A包括一個(gè)TFT和一個(gè)像素電極；且數(shù)據(jù)線102位于相鄰兩列像素單元之間，如圖中所示，數(shù)據(jù)線102驅(qū)動(dòng)相鄰兩列像素單元中左邊一列的A2和右邊一列的Al ;相鄰兩行柵線101位于驅(qū)動(dòng)的相鄰兩行像素單元之間，該相鄰兩行像素單元中位于同一列的TFT的柵極交錯(cuò)相向，相鄰兩行公共電極線103之間相隔兩行像素單元，其中，同一列的相鄰兩個(gè)像素單元A1、A2的柵線101，圖示中的位于上一行的1011、下一行的1012的凸起位置相向排列，其中，柵線1011驅(qū)動(dòng)像素單元A2，柵線1012驅(qū)動(dòng)像素單元Al。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所述的柵線是具有凸起的，僅是以該具有凸起的柵線為例進(jìn)行說(shuō)明，但并不限制本實(shí)用新型，例如，也可以采用一字型柵線，只要不脫離本實(shí)用新型的宗旨即可。同時(shí)，如圖2 (a)中所示，位于同一列上一行的像素單元的TFT的漏電極與像素電極的第一過(guò)孔連接位置BI，位于像素單元A2的TFT的柵線1011的區(qū)域內(nèi)，在透光方向上，該過(guò)孔位置BI的投影完全落在下一行的像素單元的柵線1011的投影內(nèi)，即保證過(guò)孔完全位于柵線對(duì)應(yīng)的黑矩陣的遮擋之下，不會(huì)影響開(kāi)口率；同樣的，對(duì)于像素單元A2，其TFT的漏電極與像素電極的第一過(guò)孔連接位置B2，位于像素單元Al的TFT的柵線1012的區(qū)域內(nèi)，在透光方向上，該過(guò)孔位置B2的投影完全落在下一行的像素單元的柵線1012的投影內(nèi)；或者，TFT漏極與像素電極連接的過(guò)孔也可以位于上述相鄰的柵線之間，只要保證過(guò)孔能夠落在柵線對(duì)應(yīng)的黑矩陣的投影內(nèi)，就可以保證過(guò)孔位置不會(huì)影響開(kāi)口率，在具體實(shí)施時(shí)，也就不需要再額外增加對(duì)過(guò)孔位置的遮擋。對(duì)于公共電極線103，從圖2 Ca)中可以看出，該公共電極線上具有第二過(guò)孔位置C，該第二過(guò)孔位置C處，即為公共電極(圖中未示出)與公共電極線的連接位置。通過(guò)在TFT基板側(cè)的上述設(shè)計(jì)，能夠保證在彩膜基板側(cè)相應(yīng)的黑矩陣的形狀相同，即由于相鄰兩行柵線和公共電極線是間隔排列的，當(dāng)公共電極線與相鄰兩行柵線所占用TFT陣列基板的區(qū)域相同時(shí)，所對(duì)應(yīng)的黑矩陣也就可以相應(yīng)設(shè)計(jì)成相同的形狀，也就保證了相鄰行的黑矩陣形狀相同，在顯示時(shí)就不會(huì)出現(xiàn)因相鄰行黑矩陣不同而造成的橫紋。同時(shí)，若像素電極與漏電極采用過(guò)孔連接，那么通過(guò)上述的設(shè)計(jì)不會(huì)額外的增加相應(yīng)的黑矩陣進(jìn)行遮擋，增大了開(kāi)口率。圖2 (a)所示的TFT陣列基板，還可以采用如圖2 (b)所示的變形。其中，區(qū)別僅在柵線的凸起位置不同。另外，圖2 (a)和圖2 (b)中所示的TFT采用的是一字型TFT，本實(shí)用新型并不限制與此結(jié)構(gòu)的TFT，例如還可以采用L型和U型的TFT，分別如圖3和圖4所示。需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板中數(shù)據(jù)線的連接并不限于上述及附圖中的連接方式，也可以采用其他的數(shù)據(jù)線連接形狀；漏電極和像素電極也可以不通過(guò)過(guò)孔連接，也可以采取其他的方式，如通過(guò)搭接的方式進(jìn)行連接，只要實(shí)現(xiàn)連接即可。下面結(jié)合陣列基板的剖面圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述。具體地，參照?qǐng)D5，為采用L型TFT的像素結(jié)構(gòu)的TFT陣列基板的剖面圖(其對(duì)應(yīng)圖3所示的采用L型TFT的像素結(jié)構(gòu)a-a’方向)，包括步驟SI至步驟S8每一步驟完成時(shí)對(duì)應(yīng)的剖面圖。需要說(shuō)明的是，該制備方法是以像素電極與漏電極以過(guò)孔連接為例進(jìn)行說(shuō)明的，但并不限制本實(shí)用新型。如圖所示，該陣列基板的制備方法，包括:步驟SI，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，具體可以為經(jīng)過(guò)濺射曝光刻蝕的方法，在玻璃基板上制備出柵極Gate層，其中包括所述柵線101，如圖5中圖SI所示；本實(shí)用新型的實(shí)施例中所稱(chēng)的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂布、掩模、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝，光刻膠以正性光刻膠為例，但是這并非對(duì)本實(shí)用新型的限制。步驟S2，形成GI絕緣層，具體可以為經(jīng)過(guò)氣相沉積方法，制備出GI絕緣層，覆蓋玻璃基板和上述Gate層，如圖5中圖S2所示；步驟S3，在GI上制備ACT層，如圖5中圖S3左側(cè)所示；步驟S4，形成包括源電極與漏電極的數(shù)據(jù)線SD層，如圖5中圖S4左側(cè)所示，源電極與數(shù)據(jù)線連接，漏電極一端搭接在右側(cè)Gate線的上表面，如圖5中圖S4右側(cè)所示；步驟S5,在SD層上形成Resin絕緣層,覆蓋源、漏電極及GI絕緣層，并在漏電極末端形成過(guò)孔，如圖5中圖S5右側(cè)所示；步驟S6，制備出第一透明電極，第一透明電極具體為像素電極，該像素電極通過(guò)Resin過(guò)孔連接在SD層上，將像素電極與漏電極連接，其過(guò)孔連接位置為B，如圖5中圖S6右側(cè)所示；步驟S7，第一透明電極上形成1st ITOPVX絕緣層，該P(yáng)VX絕緣層覆蓋Resin絕緣層和第一透明電極1st IT0，如圖5中圖S7所示；步驟S8，PVX上表面形成第二透明電極2nd ITO作為公共Vcom電極，如圖5中S8右側(cè)所示，與第一透明電極1st ITO形成存儲(chǔ)電容及電場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶偏轉(zhuǎn)，同時(shí)，完整的圖5中S8為對(duì)應(yīng)圖3所示的采用L型TFT的像素結(jié)構(gòu)a_a’方向的TFT陣列基板的剖面圖，過(guò)孔位置B對(duì)應(yīng)圖3中的過(guò)孔位置B。需要說(shuō)明的是，上述SD和ACT是分別形成的，但也可以?xún)蓚€(gè)使用一個(gè)Mask形成，在實(shí)施過(guò)程中，具體工藝順序和過(guò)程也可以變化，只要最終實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型提供的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)即可。較佳地，參照?qǐng)D3中，在公共電極線的區(qū)域內(nèi)有一過(guò)孔C，此過(guò)孔是連接公共電極和公共電極線的。具體地，參見(jiàn)圖6右側(cè)虛線框中所示的各個(gè)步驟完成時(shí)的剖面圖，結(jié)合上述柵線位置對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)的制備步驟，在公共電極線區(qū)域內(nèi)的過(guò)孔的制備過(guò)程為:步驟SI中，在Gate層中包括公共電極線103，如圖6中SI右側(cè)所示；在公共電極的上方，經(jīng)過(guò)步驟S2、S5、S7之后，該公共電極的上表面從下到上分別沉積了 G1、Resin、PVX三層絕緣層，同時(shí)，在步驟S7中，將這三層刻蝕出過(guò)孔C，如圖6中S7右側(cè)所示；需要說(shuō)明的是，得到過(guò)孔C的工藝流程，可以通過(guò)一次刻蝕得到，也可以采用三層分別刻蝕得到，本申請(qǐng)實(shí)施例不做限定。在步驟S8中，沉積2nd ITO作為Vcom電極，將此Vcom電極與位于GATE層的公共電極線連接，如圖6中S8右側(cè)C所示；較佳地，每一公共電極線區(qū)域內(nèi)，其過(guò)孔C的數(shù)量最少有兩個(gè)，最優(yōu)為陣列基板的像素單元的列數(shù)，并且該過(guò)孔周期性排列。采用如圖6中S8所示的結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型在像素區(qū)域增加了橫向gate層Vcom走線，并且周期性與Vcom電極導(dǎo)通，極大程度上降低了 Vcom電阻，防止串?dāng)_(cross talk)等由于Vcom電阻增大導(dǎo)致的不良現(xiàn)象的發(fā)生。需要說(shuō)明的是，在上述的TFT結(jié)構(gòu)中，采用2nd ITO作為Vcom電極，本實(shí)用新型還可以采用1st ITO作為Vcom電極，采用1st ITO作為Vcom電極的TFT陣列基板的剖面圖如圖7所示。另外，上述工藝中Resin絕緣層、PVX絕緣層等各絕緣層也可以采取其他材料，只要起到絕緣的作用即可。上述的像素結(jié)構(gòu)及包括該像素結(jié)構(gòu)的TFT陣列基板，應(yīng)用于本實(shí)用新型提供的一種液晶顯示面板，即該顯示面板包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和上述的陣列基板。較佳地，該液晶顯示面板，在透光方向上，所述TFT陣列基板上柵線的投影落在彩膜基板上黑矩陣的投影內(nèi)。較佳地，所述液晶顯示面板，在彩膜基板側(cè)，所述柵線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣與所述公共電極線對(duì)應(yīng)的黑矩陣形狀相同。參見(jiàn)圖8，為液晶顯示面板中同一列上下四個(gè)像素單元的俯視圖，其中虛線框?qū)?yīng)彩膜側(cè)的黑矩陣，柵極線位置對(duì)應(yīng)BM與柵極線走線外沿相平，整體形態(tài)平整，與公共電極走線位置對(duì)應(yīng)的BM —致，因此相鄰行的顯示像素單元的大小也相同，不會(huì)出現(xiàn)橫紋。針對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的柵極驅(qū)動(dòng)方法，包括:對(duì)于位于相鄰兩行像素單元之間的相鄰兩行柵線，先掃描相鄰兩行柵線中位于下一行的柵線，再掃描相鄰兩行柵線中位于上一行的柵線；或者，先掃描相鄰兩行柵線中位于上一行的柵線，再掃描相鄰兩行柵線中位于下一行的柵線。
具體地，參考圖8，所示為上下相鄰的四個(gè)像素單元，以及柵線1011、1012、1013U014o Gate柵極線的驅(qū)動(dòng)順序如果為正向掃描應(yīng)該是1012-1011-1014-1013……依此類(lèi)推，從而保證像素單元的開(kāi)啟順序?yàn)閺纳系较拢鐬榉聪驋呙鑴t應(yīng)該為1013-1014-1011-1012......依此類(lèi)推。綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板及液晶顯示面板，通過(guò)將像素電極和TFT漏極連接位置設(shè)置在相鄰像素單元的柵線之間或柵線上，并將像素單元上下相鄰的兩個(gè)像素單元的柵極交錯(cuò)相向，由于上下相鄰兩個(gè)像素單元TFT相向，所以BM遮擋的邊緣和柵極線邊緣平行，會(huì)形成和公共電極對(duì)應(yīng)的寬度相同的外形平整的BM遮擋，這樣所有像素單元的開(kāi)口大小相同外觀一致，避免了相鄰行BM差異而產(chǎn)生的橫紋，同時(shí)當(dāng)像素電極和漏電極通過(guò)過(guò)孔連接時(shí)，也避免了因?yàn)榉乐惯^(guò)孔漏光而特意增加的遮擋，增大了開(kāi)口率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵線，以及由數(shù)據(jù)線和柵線圍設(shè)形成的像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管TFT和像素電極，所述TFT包括柵電極、源電極和漏電極，所述源電極與所述數(shù)據(jù)線連接，其特征在于:相鄰兩行柵線位于被驅(qū)動(dòng)的相鄰兩行像素單元之間，所述漏電極與所述像素電極的連接處對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)同一列的所述相鄰兩像素單元的相鄰兩行柵線之間或柵線上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述漏電極與所述像素電極通過(guò)第一過(guò)孔連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線包括凸起結(jié)構(gòu)，驅(qū)動(dòng)同一列的所述相鄰兩像素單元的所述相鄰兩行柵線的凸起結(jié)構(gòu)交錯(cuò)相向。
4.根據(jù)權(quán)利要 求1所述的陣列基板，其特征在于，所述相鄰兩行柵線中的上一行柵線驅(qū)動(dòng)所述相鄰兩行像素單元中位于下一行的像素單元，所述相鄰兩行柵線中的下一行柵線驅(qū)動(dòng)所述相鄰兩行像素單元中位于上一行的像素單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述基板還包括公共電極線，相鄰兩行公共電極線之間相隔所述相鄰兩行像素單元，所述公共電極線通過(guò)第二過(guò)孔與公共電極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線與公共電極連接的所述第二過(guò)孔的數(shù)量至少為兩個(gè)。
7.一種液晶顯示面板，包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為如權(quán)利要求Γ6任一權(quán)利要求所述的陣列基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于，在透光方向上，所述柵線的投影落在所述彩膜基板上黑矩陣的投影內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于，在彩膜基板側(cè)，所述柵線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣與所述公共電極線位置對(duì)應(yīng)的黑矩陣相同。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種陣列基板及液晶顯示面板，用以增大像素區(qū)域開(kāi)口率，避免因?yàn)橄噜徯泻诰仃囆螤畈煌斐傻娘@示出現(xiàn)橫紋，提高顯示質(zhì)量。所述TFT陣列基板，包括交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵線，以及由數(shù)據(jù)線和柵線圍設(shè)形成的像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管TFT和像素電極，所述TFT包括柵電極、源電極和漏電極，所述源電極與所述數(shù)據(jù)線連接，其特征在于相鄰兩行柵線位于被驅(qū)動(dòng)的相鄰兩行像素單元之間，所述漏電極與所述像素電極的連接處對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)同一列的所述相鄰兩像素單元的相鄰兩行柵線之間或柵線上。所述液晶顯示面板包括上述陣列基板。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK202948237SQ20122069084
公開(kāi)日2013年5月22日 申請(qǐng)日期2012年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月13日
發(fā)明者姜文博, 董學(xué), 薛海林, 陳小川 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司