電路連接材料及使用該電路連接材料的安裝體的制造方法
【專利摘要】提供能夠剝離期望的剝離膜的電路連接材料及使用該電路連接材料的安裝體的制造方法。具有第1粘接劑層（11）和含有表面調(diào)整劑的第2粘接劑層（12），常溫時（25℃），粘貼在第1粘接劑層（11）側(cè)的第1剝離膜（21）的剝離力小于粘貼在第2粘接劑層（12）側(cè)的第2剝離膜（22）的剝離力。由此，在常溫時，可以剝離第1剝離膜（21），在加熱時，可以剝離第2剝離膜（22）。
【專利說明】電路連接材料及使用該電路連接材料的安裝體的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及連接電子部件的電路連接材料以及使用該電路連接材料的安裝體的 制造方法。本申請以在日本于2012年3月30日申請的日本專利申請?zhí)柼卦?012 - 79543 為基礎(chǔ)主張優(yōu)先權(quán)，通過參照該申請，引用到本申請中。

【背景技術(shù)】
[0002] -直以來，作為將電子部件與基板連接的電路連接材料，采用例如在剝離膜 涂敷了分散有導(dǎo)電性粒子的粘合劑樹脂的帶狀的各向異性導(dǎo)電膜（ACF:Anisotropic Conductive Film)。
[0003] 各向異性導(dǎo)電膜用在例如接合柔性印刷基板（FPC)或1C芯片的端子與形成在LCD (Liquid Crystal Display)面板的玻璃基板上的ΙΤ0 (銦錫氧化物：Indium Tin Oxide)電 極的、所謂的玻璃上薄膜（FOG)、玻璃上芯片（COG)等。
[0004] 另外，近年來，采用了使用如下各向異性導(dǎo)電膜提高導(dǎo)電性粒子的捕獲效率的技 術(shù)，該各向異性導(dǎo)電膜為層疊具有導(dǎo)電性粒子的ACF層和由絕緣性樹脂構(gòu)成的NCF層的2 層結(jié)構(gòu)(例如，參照專利文獻1至3。）。
[0005] 圖10是用于說明以現(xiàn)有的2層結(jié)構(gòu)的各向異性導(dǎo)電膜進行的連接的截面圖。該各 向異性導(dǎo)電膜具有層疊具有導(dǎo)電性粒子的ACF層111和由絕緣性樹脂構(gòu)成的NCF層112的 2層結(jié)構(gòu)。另外，出于防止灰塵附著等的目的，在ACF層111側(cè)粘貼蓋膜121，在NCF層112 側(cè)粘貼基底膜122。通常，基底膜122/NCF層112的剝離力設(shè)定為比蓋膜121/ACF層111的 剝離力大，以在使用時，蓋膜121側(cè)能剝離。
[0006] 在使用該2層結(jié)構(gòu)的各向異性導(dǎo)電膜的情況下，首先，剝離蓋膜121，將ACF層111 粘貼在玻璃基板130。接著，剝離基底膜122,將NCF層112粘貼在FPC140。
[0007] 壓接時，F(xiàn)PC140的端子141進入NCF層112,進而在ACF層111中夾入導(dǎo)電性粒 子而與ΙΤ0電極131電連接。因此，流入電子部件的端子間的導(dǎo)電性粒子數(shù)減少，與單層結(jié) 構(gòu)相比，即便導(dǎo)電性粒子為少量，也能提高連接端子捕獲的導(dǎo)電性粒子的比例(粒子捕獲效 率)。
[0008] 另一方面，如圖11所示，在將ACF層111粘貼在FPC140、將NCF層112粘貼在玻璃 基板130的情況下，導(dǎo)電性粒子的捕獲效率會下降。
[0009] 因此，在現(xiàn)有的2層結(jié)構(gòu)的各向異性導(dǎo)電膜中，根據(jù)與玻璃基板130、FPC140的哪 一個先粘接，需要預(yù)先調(diào)整與蓋膜121、基底膜122的剝離力，另外，在調(diào)整剝離力之后，粘 接順序會被限定。
[0010] 作為不限定粘接順序的方法，如圖12所示，可考慮采用NCF層112A/ACF層111/ NCF層112B的3層結(jié)構(gòu)，但是導(dǎo)電性粒子的捕獲效率會變低。
[0011] 現(xiàn)有技術(shù)文獻 專利文獻 專利文獻1 :日本特開2009 - 170898號公報； 專利文獻1 :日本特開2008 - 248065號公報； 專利文獻1 :日本特開平11 一 241049號公報。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 發(fā)明要解決的課題 本發(fā)明鑒于這樣的現(xiàn)有的問題而提出，提供能夠剝離期望的剝離膜的電路連接材料以 及使用該電路連接材料的安裝體的制造方法。
[0013] 用于解決課題的方案 本件發(fā)明人銳意進行了研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過向電路連接材料的一方的最外層的粘接劑 層配合抑制加熱時剝離力增加的表面調(diào)整劑，能夠剝離期望的剝離膜。
[0014] 即，本發(fā)明所涉及的電路連接材料，其特征在于，包括第1粘接劑層、和包含表面 調(diào)整劑的第2粘接劑層，常溫時，粘貼在所述第1粘接劑層側(cè)的第1剝離膜的剝離力，小于 粘貼在所述第2粘接劑層側(cè)的第2剝離膜的剝離力。
[0015] 另外，本發(fā)明所涉及的安裝體的制造方法，其特征在于，包括：剝離工序，剝離電路 連接材料的第1剝離膜或第2剝離膜，所述電路連接材料具有第1粘接劑層、和含有表面調(diào) 整劑的第2粘接劑層，常溫時，粘貼在所述第1粘接劑層側(cè)的所述第1剝離膜的剝離力，小 于粘貼在所述第2粘接劑層側(cè)的所述第2剝離膜的剝離力；以及壓接工序，將在所述剝離工 序中剝離的所述電路連接材料的第1粘接劑層側(cè)或第2粘接劑層側(cè)預(yù)貼在第1電子部件， 隔著所述電路連接材料，將所述第1電子部件和所述第2電子部件壓接，在所述剝離工序 中，常溫下剝離所述第1剝離膜，并通過加熱而剝離所述第2剝離膜。
[0016] 發(fā)明效果 依據(jù)本發(fā)明，由于在電路連接材料的一方的最外層的粘接劑層配合抑制加熱時剝離力 增加的表面調(diào)整劑，使另一方最外層的粘接劑層側(cè)的常溫時的剝離力較小，所以能夠根據(jù) 溫度剝離期望的剝離膜。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017] 圖1是示出本實施方式所涉及的電路連接材料的截面圖； 圖2是說明常溫時的電路連接材料中的剝離膜的剝離的截面圖； 圖3是說明加熱時的電路連接材料中的剝離膜的剝離的截面圖； 圖4是用于說明根據(jù)加熱剝離第2剝離膜22時的連接的圖； 圖5是用于說明常溫下剝離第1剝離膜21時的連接的圖； 圖6是示出實施例1的粘接劑片相對于溫度的剝離力的關(guān)系的圖表； 圖7是示出實施例2的粘接劑片相對于溫度的剝離力的關(guān)系的圖表； 圖8是示出比較例1的粘接劑片相對于溫度的剝離力的關(guān)系的圖表； 圖9是示出比較例2的粘接劑片相對于溫度的剝離力的關(guān)系的圖表； 圖10是用于說明以現(xiàn)有的2層結(jié)構(gòu)的各向異性導(dǎo)電膜進行的連接的截面圖； 圖11是用于說明以現(xiàn)有的2層結(jié)構(gòu)的各向異性導(dǎo)電膜進行的連接的截面圖； 圖12是用說明以3層結(jié)構(gòu)的各向異性導(dǎo)電膜進行的連接的截面圖。

【具體實施方式】
[0018] 以下，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式按下述順序進行詳細說明。
[0019] 1.電路連接材料及其制造方法 2. 安裝體的制造方法 3. 實施例 < 1.電路連接材料及其制造方法> 首先，利用圖1至圖3,對能夠選擇本實施方式所涉及的電路連接材料的粘接劑層的功 能進行說明。
[0020] 圖1是示出本實施方式所涉及的電路連接材料的截面圖。該電路連接材料具有第 1粘接劑層11、和包含表面調(diào)整劑的第2粘接劑層12,常溫時（25°C)，粘貼在第1粘接劑層 11側(cè)的第1剝離膜21的剝離力小于粘貼在第2粘接劑層12側(cè)的第2剝離膜22的剝離力。
[0021] 圖2是說明常溫時的電路連接材料中的剝離膜21的剝離的截面圖。由于常溫時 粘貼在第1粘接劑層11側(cè)的第1剝離膜21的剝離力小于粘貼在第2粘接劑層12側(cè)的第 2剝離膜22的剝離力，因此能夠剝離第1剝離膜21。
[0022] 另外，圖3是說明加熱時的電路連接材料中的剝離膜22的剝離的截面圖。由于加 熱時粘貼在第1粘接劑層11側(cè)的第1剝離膜21的剝離力大于粘貼在第2粘接劑層12側(cè) 的第2剝離膜的剝離力，因此能夠剝離第2剝離膜22。這是因為配合到第2粘接劑層12的 表面調(diào)整劑會抑制加熱時的剝離力的增加。
[0023] 這樣本實施方式所涉及的電路連接材料，可以根據(jù)常溫時或加熱時的溫度而剝離 期望的剝離膜21、22,因此能夠選擇第1粘接劑層11和第2粘接劑層12的哪一個先粘接。
[0024] 作為本實施方式所涉及的電路連接材料的應(yīng)用例，可舉出使第1粘接劑層11或第 2粘接劑層12的任一個中含有導(dǎo)電性粒子的2層結(jié)構(gòu)的各向異性導(dǎo)電膜，考慮到妨礙表面 調(diào)整劑的功能的可能性，優(yōu)選使第1粘接劑層11含有導(dǎo)電性粒子。
[0025] 將本實施方式所涉及的電路連接材料適用于2層結(jié)構(gòu)的各向異性導(dǎo)電膜的情況 下，例如，在第1粘接劑層11為含有導(dǎo)電性粒子的ACF (Anisotropic Conductive Film) 層、第2粘接劑層為不含有導(dǎo)電性粒子的NCF (Non Conductive Film)層的情況下，常溫下 可以剝離ACF層表面，并通過加熱可以剝離NCF層表面。另一方面，在第1粘接劑層11為 不含有導(dǎo)電性粒子的NCF層、第2粘接劑層為含有導(dǎo)電性粒子的ACF層的情況下，常溫下可 以剝離NCF層表面，并通過加熱可以剝離ACF層表面。
[0026] 接著，對本實施方式所涉及的電路連接材料的具體例進行詳細說明。作為具體例 示出的電路連接材料，具有層疊含有導(dǎo)電性粒子的第1粘接劑層11和含有表面調(diào)整劑的第 2粘接劑層12的2層結(jié)構(gòu)，在第1粘接劑層11側(cè)粘貼有第1剝離膜21，在第2粘接劑層12 側(cè)粘貼有第2剝離膜22。
[0027] 第1粘接劑層11在含有膜形成樹脂、聚合性樹脂、和聚合引發(fā)劑的粘接劑組合物 中分散有導(dǎo)電性粒子。
[0028] 膜形成樹脂相當(dāng)于平均分子量為10000以上的高分子量樹脂，出于膜形成性的觀 點，優(yōu)選平均分子量為10000?80000左右。作為膜形成樹脂，苯氧樹脂、聚酯氨基甲酸酯 樹脂（# U 7 T > 夕 >樹脂)、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、丁 醛樹脂等的各種樹脂，這些既可以單獨使用，也可2種以上組合使用。相對于粘接劑組合物 100質(zhì)量份，膜形成樹脂的含有量通常為30?80質(zhì)量份，優(yōu)選為40?70質(zhì)量份。
[0029] 聚合性樹脂為自由基聚合性樹脂、氧離子催化聚合性樹脂等，可根據(jù)用途適當(dāng)選 擇。
[0030] 自由基聚合性樹脂是具有通過自由基來聚合的官能團的物質(zhì)，可舉出環(huán)氧丙烯酸 酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等，這些既可以單獨使用，也可以2種以上組合使用。相 對于粘接劑組合物1〇〇質(zhì)量份，自由基聚合性樹脂的含有量通常為10?60質(zhì)量份，優(yōu)選為 20?50質(zhì)量份。
[0031] 氧離子催化聚合性樹脂能夠使用1官能性環(huán)氧化合物、含多環(huán)環(huán)氧樹脂、脂肪族 類環(huán)氧樹脂等。特別優(yōu)選將雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、酚醛清 漆型環(huán)氧樹脂等的環(huán)氧樹脂單獨或混合使用。
[0032] 聚合引發(fā)劑根據(jù)聚合性樹脂等，可以適當(dāng)選擇自由基聚合引發(fā)劑、陽離子硬化劑 等。
[0033] 自由基聚合引發(fā)劑可以使用公知的材料，其中可以優(yōu)選使用有機過氧化物。作為 有機過氧化物，可舉出過氧化酮縮醇類、二?；^氧化物類、過氧化二碳酸酯類、過氧化酯 類、二烷基過氧化物類、氫過氧化物類、硅烷基過氧化物類等，這些既可以單獨使用，也可以 2種以上組合使用。相對于粘接劑組合物100質(zhì)量份，自由基聚合引發(fā)劑的含有量通常為 0. 1?30質(zhì)量份，優(yōu)選為1?20質(zhì)量份。
[0034] 陽離子硬化劑能夠使用陽離子種使環(huán)氧樹脂末端的環(huán)氧基開環(huán)，使環(huán)氧樹脂彼此 自交聯(lián)的材料。作為這樣的陽離子硬化劑，芳香族锍鹽、芳香族重氮鎗鹽、碘鎗鹽、鱗鹽、硒 鎗鹽等的鎗鹽。特別是，芳香族锍鹽在低溫下的反應(yīng)性優(yōu)異，適用期長，因此適合作為陽離 子硬化劑。
[0035] 另外，作為其他的添加組合物，優(yōu)選添加硅烷偶合劑。作為硅烷偶合劑，可以采用 環(huán)氧類、氨類、巰/硫類、脲類等。由此，能夠提高有機材料和無機材料在界面上的粘接性。 另外，也可以添加無機填料。作為無機填料，可以使用硅石、滑石、氧化鈦、碳酸鈣、氧化鎂 等，無機填料的種類無特別限定。通過無機填料的含有量，能夠控制流動性，從而提高粒子 捕獲率。另外，出于緩沖接合體的應(yīng)力的目的，也可以適當(dāng)使用橡膠成分等。
[0036] 接著，對第2粘接劑層12進行說明。第2粘接劑層是含有表面調(diào)整劑的粘接劑組 合物，利用表面調(diào)整劑來抑制加熱時的剝離力的增加。
[0037] 表面調(diào)整劑是所謂的涂平（leveling)劑，具有在表面移動并降低表面張力的功 能。作為表面調(diào)整劑，可舉出硅酮類、丙烯酸類、氟類等，這些中，出于表面張力下降能力、相 容性的觀點，優(yōu)選使用硅酮類表面調(diào)整劑。
[0038] 作為硅酮類表面調(diào)整劑的具體例，聚酯改性甲基烷基聚硅氧烷、聚酯改性聚二甲 基硅氧烷、聚醚改性聚二甲基硅氧烷、聚醚改性聚甲基烷基聚硅氧烷等。這些中，出于熱穩(wěn) 定性的觀點，優(yōu)選使用聚酯改性甲基烷基聚硅氧烷。
[0039] 另外，相對于粘接劑組合物100質(zhì)量份，硅酮類表面調(diào)整劑的配合量通常為 0. 01?10質(zhì)量份，優(yōu)選為0. 05?5質(zhì)量份。如果硅酮類表面調(diào)整劑的配合量過少，就得不 到加熱時的剝離力增加的抑制效果，如果配合量過多，則膜性惡化。
[0040] 另外，第2粘接劑層12的粘接劑組合物，與第1粘接劑層11相同，含有膜形成樹 月旨、聚合性樹脂、和聚合引發(fā)劑。另外，膜形成樹脂、聚合性樹脂、及聚合引發(fā)劑，優(yōu)選使用與 第1樹脂同樣材料。
[0041 ] 第1剝離膜21及第2剝離膜22由例如將硅酮等的剝離劑涂敷在PET (聚 對苯二甲酸乙二醇酯：Poly Ethylene Terephthalate)、OPP (定向聚丙烯：0riented Polypropylene)、PMP (聚一4 -甲基戊烯一1 :Poly - 4 - methylpentene - 1)、PTFE (聚 四氟乙烯：Polytetrafluoroethylene)等的基體材料上的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成。另外，第1剝離 膜21及第2剝離膜22的剝離力，可以通過例如硅酮等的剝離劑的種類、基體材料的表面粗 糙度（Rz)等來調(diào)整。
[0042] 接著，對由上述的電路連接材料構(gòu)成的各向異性導(dǎo)電膜的制造方法進行說明。本 實施方式中的各向異性導(dǎo)電膜的制造方法，粘合含有導(dǎo)電性粒子的第1粘接劑層11和含有 表面調(diào)整劑的第2粘接劑層12。
[0043] 具體而言，包括生成含有導(dǎo)電性粒子的第1粘接劑層11的工序、生成含有表面調(diào) 整劑的第2粘接劑層12的工序、以及粘貼第1粘接劑層11和第2粘接劑層12的工序。
[0044] 在生成第1粘接劑層11的工序中，向溶劑中溶解含有膜形成樹脂、聚合性樹脂、和 聚合引發(fā)劑并分散有導(dǎo)電性粒子的粘接劑組合物。作為溶劑，能夠使用甲苯、乙酸乙酯等、 或者這些的混合溶劑。在調(diào)整第1粘接劑層11的樹脂組合物后，利用棒涂機、涂敷裝置等 來涂敷到第1剝離膜21上。
[0045] 接著，用熱烤箱、加熱干燥裝置等來干燥涂敷到第1剝離膜21上的樹脂組合物。由 此，能夠得到厚度5?50 μ m左右的第1粘接劑層11。
[0046] 另外，生成第2粘接劑層12的工序與第1粘接劑層11相同，向溶劑中溶解含有膜 形成樹脂、聚合性樹脂、聚合引發(fā)劑、和表面調(diào)整劑的粘接劑組合物，在調(diào)整第2粘接劑層 12的樹脂組合物后，將它涂敷到第2剝離膜上，使溶劑揮發(fā)而得到第2粘接劑層12。
[0047] 接著，在粘貼第1粘接劑層11和第2粘接劑層12的工序中，將第1粘接劑層11 與第2粘接劑層12粘貼而層疊，制作出2層結(jié)構(gòu)的各向異性導(dǎo)電膜。
[0048] 這樣通過粘貼第1粘接劑層和第2粘接劑層，第1粘接劑層11與第2粘接劑層12 層疊，能夠得到第1剝離膜21粘貼到第1粘接劑層11側(cè)、第2剝離膜22粘貼到第2粘接 劑層12側(cè)的結(jié)構(gòu)的各向異性導(dǎo)電膜。
[0049] 此外，在上述實施方式中，將第1粘接劑層和第2粘接劑層粘貼而制造，但是并不 限于此，在形成一個粘接劑層后，涂敷另一個粘接劑層的樹脂組合物，并干燥而制造也可。
[0050] < 2.安裝體的安裝方法> 接著，對采用上述的電路連接材料的電子部件的安裝方法進行說明。本實施方式中的 電子部件的安裝方法，利用電路連接材料來連接第1電子部件與第2電子部件，該電路連接 材料具有第1粘接劑層11、和含有表面調(diào)整劑的第2粘接劑層12,常溫時，粘貼在第1粘接 劑層11側(cè)的第1剝離膜21的剝離力小于粘貼在第2粘接劑層12側(cè)的第2剝離膜22的剝 離力。
[0051] 即，本實施方式中的電子部件的安裝方法，包括：剝離工序，剝離電路連接材料的 第1剝離膜21或第2剝離膜22 ;壓接工序，將在剝離工序中剝離的電路連接材料的第1粘 接劑層側(cè)或第2粘接劑層側(cè)預(yù)貼到第1電子部件，隔著電路連接材料壓接第1電子部件和 第2電子部件。
[0052] 剝離工序中，常溫下剝離第1剝離膜21，通過加熱剝離第2剝離膜22。另外，在剝 離工序中，加熱電路連接材料時，為了防止預(yù)料之外的硬化反應(yīng)，優(yōu)選從第2剝離膜22側(cè)加 熱。
[0053] 壓接工序中，將第1粘接劑層側(cè)11或第2粘接劑層12側(cè)預(yù)貼于第1電子部件。例 如，在第1粘接劑層11為含有導(dǎo)電性粒子的ACF層，第2粘接劑層12為不含有導(dǎo)電性粒子 的NCF層的情況下，粘接第1粘接劑層側(cè)11的電子部件，有例如ΙΤ0 (Indium Tin Oxide) 涂層玻璃、IZ0 (銦鋅氧化物：Indium Zinc Oxide)涂層玻璃、SiNx (氮化硅）涂層玻璃等。 另外，粘接第2粘接劑層側(cè)12的電子部件，例如為柔性印刷基板（FPC)、1C芯片等。
[0054] 圖4是用說明通過加熱剝離第2剝離膜22時的連接的圖。在第1粘接劑層11為 含有導(dǎo)電性粒子的ACF層，第2粘接劑層12為不含有導(dǎo)電性粒子的NCF層的情況下，如圖 4所示，因為第2剝離膜22的剝離，首先，NCF層側(cè)預(yù)貼到FPC40的電極41上。此時，需要 修復(fù)（repair)的情況下，不交換主體側(cè)的玻璃基板30而交換部件側(cè)的FPC40既可，因此工 序上變得有利。
[0055] 另外，圖5是用于說明常溫下剝離第1剝離膜21時的連接的圖。在第1粘接劑層 11為含有導(dǎo)電性粒子的ACF層，第2粘接劑層12為不含有導(dǎo)電性粒子的NCF層的情況下， 如圖5所示，因為第1剝離膜21的剝離，首先，ACF層側(cè)預(yù)貼到玻璃基板30的電極31上。 此時，需要修復(fù)的情況下，與以往同樣，必須交換主體側(cè)的玻璃基板30。
[0056] 這樣在本實施方式中的電子部件的安裝方法中，根據(jù)對玻璃基板30、FPC40的哪 一個先粘接電路連接材料，而能夠選擇第1粘接劑層11和第2粘接劑層12,電路連接材料 對被粘接體的粘接順序變得不受限定。
[0057] [實施例] < 3.實施例> 以下，對本發(fā)明的實施例進行說明。在本實施例中，制作層疊了含有導(dǎo)電性粒子的ACF 層和含有表面調(diào)整劑的NCF層的2層結(jié)構(gòu)的粘接片，并進行了粘貼在ACF層側(cè)的蓋膜及粘 貼在NCF層的基底膜的剝離力的測定。另外，對于利用粘接片來連接FPC和ΙΤ0涂層玻璃 的安裝體，進行了粒子捕獲效率的測定以及導(dǎo)通電阻的測定。此外，本發(fā)明并不限定于這些 實施例。
[0058] 如下進行剝離力的測定、粒子捕獲效率的測定及導(dǎo)通電阻的測定。
[0059][剝離力的測定] 將各粘接片切開至lcm寬度，用雙面膠將它固定在厚度0. 7mm的玻璃板。在測定蓋膜 的剝離力的情況下，剝離基底膜，并且用雙面膠來固定NCF層面。另外，在測定基底膜的剝 離力的情況下，剝離蓋膜，并且用雙面膠來固定ACF層面。
[0060] 將實驗片設(shè)置在加熱到實驗溫度的加熱板上，以速度300mm/min沿90°上方向剝 離蓋膜或基底膜，測定此時的剝離力。
[0061] [粒子捕獲效率的測定及導(dǎo)通電阻的測定] 對安裝體的連接部分的FPC端子捕獲的粒子數(shù)進行計數(shù)，從每單位面積的粒子數(shù)算出 粒子捕獲效率。另外，對于安裝體，利用4端子法測定了流過電流1mA時的連接電阻值。
[0062] [實施例1] (ACF層的制作） 使導(dǎo)電性粒子分散于由苯氧樹脂（品名：YP50,東都化成社制)60質(zhì)量份、自由基聚合性 樹脂（品名：M - 315,東亞合成社制）35質(zhì)量份、硅烷偶合劑（品名：KBM - 503,信越硅酮社 制）2質(zhì)量份、反應(yīng)引發(fā)劑（品名：PERHEXA ( "一?今寸）C，日本油脂社制）2質(zhì)量份構(gòu)成的 組合物中，制作了厚度8 μ m的ACF層。
[0063] (NCF層的制作） 制作了由苯氧樹脂（品名：YP50,東都化成社制）60質(zhì)量份、自由基聚合性樹脂（品名： Μ - 315,東亞合成社制)35質(zhì)量份、硅烷偶合劑（品名：ΚΒΜ - 503,信越硅酮社制)2質(zhì)量份、 反應(yīng)引發(fā)劑（品名：PERHEXA C，日本油脂社制）2質(zhì)量份、硅酮類表面調(diào)整劑（品名：ΒΥΚ315， 畢克化學(xué)日本（匕' 7^ S - '7' \パV)社制）2質(zhì)量份構(gòu)成的、厚度16 μ m的NCF層。
[0064] (粘接劑片的制作） 利用輥式層壓裝置在輥溫度45°C下層壓ACF層和NCF層，制作了蓋膜/ACF層/NCF層 /基底膜的結(jié)構(gòu)的粘接劑片。
[0065] 蓋膜、基底膜使用厚度50 μ m的PET (硅酮處理)。另外，基底膜使用常溫狀態(tài)下基 底膜/NCF層側(cè)的剝離力大于蓋膜/ACF層側(cè)的材料。
[0066](安裝體的制作） 利用實施例1的粘接劑片，進行了評價用的FPC( 50 μ mP，Cu 8 μ mt - Sn鍍層，38 μ mt) 和評價用的ΙΤΟ涂層玻璃（整個表面ΙΤΟ覆蓋，玻璃厚度0.7mm)的接合。首先，將切開 至1.5mm寬度的粘接片加熱到50°C，剝離基底膜，將粘接劑片的NCF層側(cè)預(yù)貼于FPC。接 著，剝離蓋膜，將粘接劑片的ACF層側(cè)粘貼在ΙΤ0涂層玻璃，并預(yù)固定。隨后，用加熱工具 (heat tool)以1. 5mm寬度，作為緩沖材料使用由100 μ m厚度的聚四氟乙烯構(gòu)成的片材， 在180°C - 3. 5MPa - 6sec (工具速度10mm/sec，工作臺溫度40°C)的條件進行壓接，制作 了安裝體。
[0067] (評價結(jié)果） 表1中示出實施例1的評價結(jié)果。常溫時的蓋膜及基底膜的剝離力分別為8mN/cm、 27mN/cm，50°C加熱時的蓋膜及基底膜的剝離力分別為175mN/Cm、115mN/cm。
[0068] 另外，圖6中示出剝離力相對于實施例1的粘接劑片的溫度的關(guān)系。由該圖表可以 確認，在含有硅酮類表面調(diào)整劑的NCF層側(cè)(基底膜側(cè))，抑制了加熱導(dǎo)致的剝離力的增大， ACF層側(cè)與NCF層側(cè)的剝離力的強弱關(guān)系反轉(zhuǎn)。因而，確認了實施例1的粘接劑片在常溫時 剝離蓋膜、在加熱時剝離基底膜。
[0069] 另外，利用實施例1的粘接劑片的安裝體的FPC端子的粒子捕獲率為58 %，導(dǎo)通電 阻為1. 4 Ω。
[0070] [實施例2] 除了將NCF層的硅酮類表面調(diào)整劑（品名：BYK315,畢克化學(xué)日本社制）變更為0. 1質(zhì) 量份以外，與實施例1同樣地制作了粘接劑片。另外，利用實施例2的粘接劑片，以與實施 例1同樣的順序制作了安裝體。
[0071] (評價結(jié)果） 表1中示出實施例2的評價結(jié)果。常溫時的蓋膜及基底膜的剝離力分別為lOmN/cm、 32mN/cm，50°C加熱時的蓋膜及基底膜的剝離力分別為170mN/Cm、148mN/cm。
[0072] 另外，圖7中示出剝離力相對于實施例2的粘接劑片的溫度的關(guān)系。從該圖表可以 確認，在含有硅酮類表面調(diào)整劑的NCF層側(cè)(基底膜側(cè))，抑制了加熱導(dǎo)致的剝離力的增大， ACF層側(cè)與NCF層側(cè)的剝離力的強弱關(guān)系反轉(zhuǎn)。因而，確認了實施例2的粘接劑片，在常溫 時剝離蓋膜，在加熱時剝離基底膜。
[0073] 另外，利用實施例2的粘接劑片的安裝體的FPC端子的粒子捕獲率為54 %，導(dǎo)通電 阻為1. 4 Ω。
[0074] [比較例1] (ACF層的制作） 使導(dǎo)電性粒子分散于由苯氧樹脂（品名：YP50,東都化成社制)60質(zhì)量份、自由基聚合性 樹脂（品名：Μ - 315,東亞合成社制）35質(zhì)量份、硅烷偶合劑（品名：ΚΒΜ - 503,信越硅酮社 制)2質(zhì)量份、反應(yīng)引發(fā)劑（品名：PERHEXA C，日本油脂社制)2質(zhì)量份構(gòu)成的組合物中，制作 了厚度8μπι的ACF層。
[0075] (NCF層的制作） 制作了由苯氧樹脂（品名：ΥΡ50,東都化成社制）60質(zhì)量份、自由基聚合性樹脂（品名： Μ - 315,東亞合成社制)35質(zhì)量份、硅烷偶合劑（品名：ΚΒΜ - 503,信越硅酮社制)2質(zhì)量份、 反應(yīng)引發(fā)劑（品名：PERHEXA C，日本油脂社制）2質(zhì)量份構(gòu)成的、厚度16μπι的NCF層。
[0076] (粘接劑片的制作） 利用輥式層壓裝置在輥溫度45°C下層壓ACF層與NCF層，制作了蓋膜/ACF層/NCF層 /基底膜的結(jié)構(gòu)的粘接劑片。
[0077] 蓋膜，基底膜采用了厚度50 μ m的PET (硅酮處理)。另外，基底膜使用了在常溫狀 態(tài)下，基底膜/NCF層側(cè)的剝離力大于蓋膜/ACF層側(cè)的材料。
[0078](安裝體的制作） 利用比較例1的粘接劑片進行了評價用的FPC (50 μ mP，Cu 8 μ mt - Sn鍍層，38 μ mt) 和評價用的ΙΤΟ涂層玻璃（整個表面ΙΤΟ覆蓋，玻璃厚度0. 7mm)的接合。首先，將切開至 1. 5mm寬度的粘接片加熱至50°C，剝離蓋膜，將粘接劑片的ACF層側(cè)預(yù)貼于FPC。接著，剝離 基底膜，將粘接劑片的NCF層側(cè)粘貼在ΙΤ0涂層玻璃，并預(yù)固定。隨后，用加熱工具以1. 5mm 寬度，作為緩沖材料使用l〇〇ym厚度的由聚四氟乙烯構(gòu)成的片材，在180°C - 3. 5MPa - 6sec (工具速度10mm/sec，工作臺溫度40°C)的條件下進行壓接，制作了安裝體。
[0079] (評價結(jié)果） 在表1中示出比較例1的評價結(jié)果。常溫時的蓋膜及基底膜的剝離力分別為9mN/cm、 35mN/cm，50°C加熱時的蓋膜及基底膜的剝離力分別為168mN/Cm、255mN/cm。
[0080] 另外，圖8中示出剝離力相對于比較例1的粘接劑片的溫度的關(guān)系。從該圖表可 以確認，隨著溫度的上升而ACF層側(cè)和NCF層側(cè)的兩者的剝離力增大，剝離力的強弱關(guān)系沒 有反轉(zhuǎn)。因而，確認了比較例1的粘接劑片在常溫時及加熱時這種情況下，蓋膜都剝離。
[0081] 另外，利用比較例1的粘接劑片的安裝體的FPC端子的粒子捕獲率為35 %，導(dǎo)通電 阻為2. 4 Ω。
[0082] [比較例2] 與比較例1同樣地制作了 ACF層及NCF層。用輥式層壓裝置，在輥溫度45°C下進行層 壓，制作了蓋膜/NCF層/ACF層/NCF層/基底膜的結(jié)構(gòu)的粘接劑片。
[0083] 蓋膜、基底膜采用了厚度50 μ m的PET (硅酮處理)。另外，基底膜使用了在常溫狀 態(tài)下基底膜/NCF層側(cè)的剝離力大于蓋膜/ACF層側(cè)的材料。另外，利用比較例2的粘接劑 片以與比較例1同樣的順序制作了安裝體。
[0084] (評價結(jié)果） 在表1中示出比較例2的評價結(jié)果。常溫時的蓋膜及基底膜的剝離力分別為8mN/cm、 30mN/cm，50°C加熱時的蓋膜及基底膜的剝離力分別為172mN/Cm、260mN/cm。
[0085] 另外，圖9中示出剝離力相對于比較例2的粘接劑片的溫度的關(guān)系。從該圖表可 以確認，隨著溫度的上升而NCF層側(cè)與NCF層側(cè)兩者的剝離力增大，剝離力的強弱關(guān)系沒有 反轉(zhuǎn)。因而，確認了比較例1的粘接劑片在常溫時及加熱時這兩種情況下，蓋膜都剝離。
[0086] 另外，用比較例2的粘接劑片的安裝體的FPC端子的粒子捕獲率為28%，導(dǎo)通電阻 為 3· 5Ω。
[0087] [表 1]

【權(quán)利要求】
1. 一種電路連接材料，具有第1粘接劑層和含有表面調(diào)整劑的第2粘接劑層， 常溫時，粘貼在所述第1粘接劑層側(cè)的第1剝離膜的剝離力小于粘貼在所述第2粘接 劑層側(cè)的第2剝離膜的剝離力。
2. 如權(quán)利要求1所述的電路連接材料，加熱時，粘貼在所述第1粘接劑層側(cè)的第1剝離 膜的剝離力大于粘貼在所述第2粘接劑層側(cè)的第2剝離膜的剝離力。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的電路連接材料，所述表面調(diào)整劑為硅酮類表面調(diào)整劑。
4. 如權(quán)利要求1至3的任一項所述的電路連接材料，所述第1粘接劑層含有導(dǎo)電性粒 子。
5. -種安裝體的制造方法，包括： 剝離工序，剝離電路連接材料的第1剝離膜或第2剝離膜，所述電路連接材料具有第1 粘接劑層和含有表面調(diào)整劑的第2粘接劑層，常溫時，粘貼在所述第1粘接劑層側(cè)的所述第 1剝離膜的剝離力小于粘貼在所述第2粘接劑層側(cè)的所述第2剝離膜的剝離力；以及 壓接工序，將在所述剝離工序中剝離的所述電路連接材料的第1粘接劑層側(cè)或第2粘 接劑層側(cè)預(yù)貼于第1電子部件，隔著所述電路連接材料壓接所述第1電子部件和第2電子 部件， 在所述剝離工序中，在常溫下剝離所述第1剝離膜，通過加熱剝離所述第2剝離膜。
【文檔編號】G02F1/1345GK104204124SQ201380018276
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2013年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月30日
【發(fā)明者】北村久美子 申請人:迪睿合電子材料有限公司