光布線基板、光布線基板的制造方法、以及光學(xué)模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供光布線基板、光布線基板的制造方法、以及光學(xué)模塊，雖然在布線圖案的一部分形成反射面，但能夠與安裝部件的小型化對應(yīng)。其中，光布線基板具備由樹脂構(gòu)成的絕緣體層；與由金屬構(gòu)成的導(dǎo)體層，其層疊于絕緣體層，并具有相對于光纖的光軸傾斜的反射面，在導(dǎo)體層形成有第一布線圖案和第二布線圖案，第一布線圖案包含供光電轉(zhuǎn)換元件的第一電極連接的第一連接部，第二布線圖案包含供光電轉(zhuǎn)換元件的第二電極連接的第二連接部，第一布線圖案與第二布線圖案之間的距離在第一連接部與第二連接部之間最窄，第一連接部與第二連接部之間的距離比導(dǎo)體層的厚度方向的尺寸短。
【專利說明】光布線基板、光布線基板的制造方法、以及光學(xué)模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及形成有布線圖案的光布線基板及其制造方法、以及具有光布線基板的 光學(xué)模塊。

【背景技術(shù)】
[0002] 以往，公知有使電氣布線圖案化，并安裝有光電轉(zhuǎn)換元件的光學(xué)模塊(例如，參照 專利文獻(xiàn)1。）。
[0003] 專利文獻(xiàn)1所記載的光學(xué)模塊具備：由絕緣樹脂層以及形成于絕緣樹脂層的表面 的金屬層構(gòu)成的基板、安裝于該基板的光電轉(zhuǎn)換元件、與光纖光學(xué)連接的光導(dǎo)波路、以及形 成有對在光纖以及光導(dǎo)波路的內(nèi)部傳播的光進(jìn)行反射的反射面的光信號(hào)路轉(zhuǎn)換部件。為了 從光導(dǎo)波路向光電轉(zhuǎn)換元件側(cè)，或從光電轉(zhuǎn)換元件向光導(dǎo)波路側(cè)高精度地反射光信號(hào)，使 光信號(hào)路轉(zhuǎn)換部件的高度與光導(dǎo)波路的厚度方向的尺寸(光纖的外徑)一致。對于布線圖案 的形成方法而言，以與布線圖案一致的方式形成抗蝕圖案，并通過蝕刻形成布線圖案。
[0004] 現(xiàn)有專利文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2009-151072號(hào)公報(bào)
[0006] 在專利文獻(xiàn)1所記載的光布線基板中，需要另外搭載光信號(hào)路轉(zhuǎn)換部件，因此導(dǎo) 致部件件數(shù)以及作業(yè)工時(shí)增加。因此，本申請的發(fā)明人得到在布線圖案的一部分形成反射 面，并由該反射面改變在光纖中傳播的光的光路的構(gòu)思。在該情況下，需要由與反射面的高 度(光纖的外徑）對應(yīng)的厚度的金屬層形成布線圖案，需要使鄰接的布線圖案接近的部分的 間隙與金屬層的厚度對應(yīng)地?cái)U(kuò)寬。例如，在將金屬層的厚度設(shè)為70 μ m的情況下，為了由蝕 刻高精度地形成布線圖案，優(yōu)選將鄰接的布線圖案之間的距離確保在70 μ m以上。
[0007] 另一方面，伴隨著近年來的信息處理裝置、通信裝置等電子設(shè)備中的部件的高密 度化，光電轉(zhuǎn)換元件的小型化也在進(jìn)展，從而光電轉(zhuǎn)換元件的電極焊盤之間的距離變窄。在 使用上述的較厚的金屬層形成布線圖案的情況下，若光電轉(zhuǎn)換元件的電極焊盤之間的距離 比布線圖案的間的距離窄，則無法將光電轉(zhuǎn)換元件安裝在布線圖案上。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 于是，本發(fā)明的目的在于，提供光布線基板、光布線基板的制造方法、以及光學(xué)模 塊，雖然在布線圖案的一部分形成反射面，但能夠與安裝部件的小型化對應(yīng)。
[0009] 本發(fā)明以解決上述課題為目的，提供一種光布線基板，該光布線基板具備：由樹脂 構(gòu)成的絕緣體層；以及由金屬構(gòu)成的導(dǎo)體層，其層疊于上述絕緣體層，并具有相對于光纖的 光軸傾斜的傾斜面，在上述導(dǎo)體層形成有包含供光電轉(zhuǎn)換元件的第一電極連接的第一連接 部的第一布線圖案、和包含供上述光電轉(zhuǎn)換元件的第二電極連接的第二連接部的第二布線 圖案，上述第一布線圖案與上述第二布線圖案之間的距離在上述第一連接部與上述第二連 接部之間最窄，上述第一連接部與上述第二連接部之間的距離比上述導(dǎo)體層的厚度方向的 尺寸短。
[0010] 另外，本發(fā)明以解決上述課題為目的，提供一種光學(xué)模塊，該光學(xué)模塊具備上述光 布線基板；以及倒裝安裝于上述光布線基板的上述光電轉(zhuǎn)換元件。
[0011] 另外，本發(fā)明以解決上述課題為目的，提供一種上述光布線基板的制造方法，具 有：在上述絕緣體層的表面形成上述導(dǎo)體層的工序；以及去除上述導(dǎo)體層的一部分形成上 述第一布線圖案以及上述第二布線圖案的工序，形成上述第一布線圖案以及上述第二布線 圖案的工序包括：在上述導(dǎo)體層以在上述第一連接部與上述第二連接部之間最窄，并且上 述第一連接部與上述第二連接部之間的距離比上述導(dǎo)體層的厚度方向的尺寸短的方式涂 敷抗蝕劑的工序；以及由蝕刻去除上述導(dǎo)體層的未涂敷上述抗蝕劑的部分的工序。
[0012] 本發(fā)明的效果如下。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明所涉及的光布線基板、光布線基板的制造方法、以及光學(xué)模塊，雖然在 布線圖案的一部分形成反射面，但能夠與安裝部件的小型化對應(yīng)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014] 圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的光布線基板、以及具備該光布線基板 的光學(xué)模塊的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。
[0015] 圖2是圖1的A-A線剖視圖。
[0016] 圖3 (a)是圖1的B-B線剖視圖，圖3 (b)是圖3 (a)的C部放大圖。
[0017] 圖4是圖1的光電轉(zhuǎn)換元件及其周邊部的放大圖。
[0018] 圖5 (a)?圖5 (c)是表不光布線基板的形成工序的剖視圖。
[0019] 圖6 (a)?圖6 (c)是表示光布線基板的形成工序的俯視圖。
[0020] 圖7表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的光布線基板、以及具備該光布線基板的 光學(xué)模塊的結(jié)構(gòu)例，且是從光纖的長邊方向觀察的俯視圖。
[0021] 圖8表示第二實(shí)施方式所涉及的光學(xué)模塊，圖8 (a)是剖視圖，圖8 (b)是圖8 (a) 的D部放大圖。
[0022] 圖9 (a)?圖9 (d)是表示第二實(shí)施方式所涉及的光布線基板的形成工序的剖視 圖。
[0023] 符號(hào)說明
[0024] 卜光學(xué)模塊，2-導(dǎo)體層，2a_表(外表）面，2b_背面，3-絕緣體層，3a_主面，4-按 壓部件，5-光纖，5a-前端面，10-光布線基板，10a-安裝面，11-光電轉(zhuǎn)換兀件，12-半導(dǎo)體 電路元件，20-收納部，20a-支承面，21-第一布線圖案，22-第二布線圖案，22a-反射面， 23-半導(dǎo)體電路兀件用布線圖案,25-鍍鎳層,26-鍍金層,51-芯部，52-包層，61-第一導(dǎo) 體層，61a_表面，61b_背面，62-第二導(dǎo)體層，62a_表面，62b_背面，63-絕緣體層，63a_第 一主面，63b_第二主面，63c_端面，110-主體部，111-第一電極，112-第二電極，113-第三 電極，114-受發(fā)光部，120-主體部，121-焊盤電極，121a-焊盤電極，200a-傾斜面，210-去 除部分，211-第一連接部，213-第三連接部，222-第二連接部，600-收納部，600a-支承面， 60la-反射面，610-去除部，610a-傾斜面，611 -凹部，612-鍍鎳層，613-鍍金層，L-光路。

【具體實(shí)施方式】
[0025] 第一實(shí)施方式
[0026] 圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的光布線基板、以及具備該光布線基板 的光學(xué)模塊的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。
[0027] 光學(xué)模塊1的結(jié)構(gòu)
[0028] 該光學(xué)模塊1具備光布線基板10、倒裝安裝于光布線基板10的安裝面10a的光電 轉(zhuǎn)換元件11、以及與光電轉(zhuǎn)換元件11電連接的半導(dǎo)體電路元件12。
[0029] 光電轉(zhuǎn)換元件11在主體部110設(shè)有多個(gè)電極(在本實(shí)施方式中為第一電極111、第 二電極112、以及第三電極113)。第一電極111以及第三電極113與形成于光布線基板10 的安裝面l〇a的第一布線圖案21電連接。第二電極112與形成于光布線基板10的安裝面 10a的第二布線圖案22電連接。光電轉(zhuǎn)換元件11安裝在與形成于第二布線圖案22的一部 分的反射面22a對置的位置。
[0030] 在本實(shí)施方式中，光電轉(zhuǎn)換元件11的與光纖5的長邊方向平行的方向的尺寸例如 是350 μ m，與光纖5的長邊方向垂直的方向的尺寸例如是250 μ m。第一電極111與第二電 極112之間的距離(最短距離）例如是40?50 μ m。
[0031] 光電轉(zhuǎn)換元件11是將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，或是將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的元件。 作為前者的例子，能夠列舉半導(dǎo)體激光元件、LED (Light Emitting Diode:發(fā)光二極管)等 發(fā)光元件。另外，作為后者的例子，能夠列舉光電二極管等受光元件。光電轉(zhuǎn)換元件11構(gòu) 成為，從設(shè)于光布線基板10的安裝面l〇a側(cè)的受發(fā)光部114向與光布線基板10垂直的方 向射出或入射光。
[0032] 半導(dǎo)體電路元件12倒裝安裝于光布線基板10的安裝面10a，在主體部120上設(shè)有 多個(gè)(在本實(shí)施方式中為10個(gè)）焊盤電極121。多個(gè)焊盤電極121分別與半導(dǎo)體電路元件 用布線圖案23電連接。多個(gè)焊盤電極121中的信號(hào)傳輸用的一個(gè)焊盤電極121a與連接有 光電轉(zhuǎn)換元件11的第二電極112的第二布線圖案22連接，由此，半導(dǎo)體電路元件12與光 電轉(zhuǎn)換元件11電連接。
[0033] 在光電轉(zhuǎn)換元件11是將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)的元件的情況下，半導(dǎo)體電路元件 12是驅(qū)動(dòng)光電轉(zhuǎn)換兀件11的驅(qū)動(dòng)1C。在光電轉(zhuǎn)換兀件11是將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的兀 件的情況下，半導(dǎo)體電路元件12是將從光電轉(zhuǎn)換元件11輸入的信號(hào)進(jìn)行放大的接收1C。
[0034] 此外，在光布線基板10上除了光電轉(zhuǎn)換元件11以及半導(dǎo)體電路元件12之外，還 可以安裝連接器、IC (Integrated Circuit)、或有源元件（晶體管等)、無源元件（電阻器、電 容器等）等電子部件。
[0035] 光纖5配置成，其前端面與形成于第二布線圖案22的反射面22a對置，被按壓部 件4從光布線基板10的安裝面10a的上方按壓。
[0036] 光布線基板10的結(jié)構(gòu)
[0037] 圖2是圖1的A-A線剖視圖。圖3 (a)是圖1的B-B線剖視圖，圖3 (b)是圖3 (a)的C部放大圖。
[0038] 光布線基板10具備：由樹脂構(gòu)成的絕緣體層3 ;以及由金屬構(gòu)成的導(dǎo)體層2,其層 疊于絕緣體層3的主面3a，并具有相對于光纖5的光軸傾斜的傾斜面200a。在本實(shí)施方式 中，傾斜面200a與絕緣體層3的主面3a所成的角是45°。
[0039] 導(dǎo)體層2例如由銅等良好導(dǎo)電性的金屬構(gòu)成，其厚度方向的尺寸Η在70 μ m以上。 其中，導(dǎo)體層2的厚度方向的尺寸Η優(yōu)選70?80 μ m。
[0040] 在本實(shí)施方式中，如圖3 (b)所示，在導(dǎo)體層2的表面2a層疊有由鎳（Ni)構(gòu)成的 鍍鎳層25以及由金（Au)構(gòu)成的鍍金層26。同樣，對于形成于導(dǎo)體層2的傾斜面200a而言， 也在其表面層疊有鍍鎳層25以及鍍金層26。反射面22a形成于鍍金層26的最外表面。
[0041] 在導(dǎo)體層2形成有前述的第一布線圖案21、第二布線圖案22、以及半導(dǎo)體電路元 件用布線圖案23。另外，在導(dǎo)體層2形成有收納部20,該收納部20將光纖5導(dǎo)向傾斜面 200a (反射面22a)，并收納光纖5的端部。反射面22a形成于與配置于收納部20的光纖5 的芯部51對置的位置。
[0042] 如圖3(a)所不，在從芯部51射出在光纖5內(nèi)傳播的光時(shí)，反射面22a將該射出光 反射至光電轉(zhuǎn)換元件11側(cè)。在光電轉(zhuǎn)換元件11為受光元件的情況下，由反射面22a反射 后的光從設(shè)于光電轉(zhuǎn)換元件11的主體部110的受發(fā)光部114入射至光電轉(zhuǎn)換元件11內(nèi)， 光電轉(zhuǎn)換元件11將由該入射光得到的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
[0043] 另外，在光電轉(zhuǎn)換元件11為發(fā)光元件的情況下，光電轉(zhuǎn)換元件11將從半導(dǎo)體電路 元件12輸出的電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，并從受發(fā)光部114射出表示該光信號(hào)的光。該射出光 被反射面22a反射至光纖5的前端面5a側(cè)并射入芯部51內(nèi)，在光纖5內(nèi)傳播。在圖3(a) 中，以點(diǎn)劃線表不將光纖5作為傳輸介質(zhì)的光的光路L。
[0044] 絕緣體層3例如由聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成，其厚度例如是38 μ m。絕緣體層3具有支 撐收納于光纖收納部20的光纖5的支承面20a。更具體而言，光纖收納部20貫通導(dǎo)體層2 的厚度方向的整體，絕緣體層3的主面3a露出。因此，絕緣體層3的主面3a的一部分形成 為光纖收納部20的支承面20a。
[0045] 光纖5具有芯部51以及包層52。在本實(shí)施方式中，光纖5的芯部51的直徑例如 是50μπι，包層52的徑向的厚度例如是15μπι。即，光纖5的直徑(將芯部51以及包層52 加在一起的直徑）是80 μ m，是與導(dǎo)體層2的厚度方向的尺寸Η相同程度的尺寸。
[0046] 光纖收納部20由按壓部件4從導(dǎo)體層2的上方覆蓋，光纖5由填充在光纖收納部 20內(nèi)的粘合劑等固定。在本實(shí)施方式中，光纖5的包層52的外周面與光纖收納部20的內(nèi) 表面接觸。
[0047] 圖4是圖1的光電轉(zhuǎn)換元件11及其周邊部的放大圖。此外，在圖4中，以雙點(diǎn)劃 線表示光電轉(zhuǎn)換元件11的外形。
[0048] 形成于導(dǎo)體層2的第一布線圖案21具有供光電轉(zhuǎn)換元件11的第一電極111連接 的第一連接部211、以及供光電轉(zhuǎn)換元件11的第三電極113連接的第三連接部213。第一 連接部211以外緣的一部分與圓狀的第一電極111對應(yīng)的方式形成為圓弧狀。同樣地，第 三連接部213以外緣的一部分與圓狀的第三電極113對應(yīng)的方式形成為圓弧狀。第一連接 部211和第三連接部213之間的距離設(shè)定為與第一電極111和第三電極113之間的距離對 應(yīng)。
[0049] 形成于導(dǎo)體層2的第二布線圖案22具有供光電轉(zhuǎn)換元件11的第二電極112連接 的第二連接部222。第二連接部222與前述的第一連接部211以及第三連接部213同樣地， 以外緣的一部分與圓狀的第二電極112對應(yīng)的方式形成為圓弧狀。
[0050] 第一布線圖案21與第二布線圖案22之間的距離在第一連接部211與第二連接部 222之間最窄，第一連接部211與第二連接部222之間的距離(最短距離）D 2比導(dǎo)體層2的 厚度方向的尺寸Η (參照圖3 (a))短（D2〈H)。在本實(shí)施方式中，第一布線圖案21與第二布 線圖案22之間的距離Di除了第一連接部211與第二連接部222之間之外，均在導(dǎo)體層2的 厚度方向的尺寸Η以上（Di彡H)。
[0051] 光布線基板10的制造方法
[0052] 接下來，參照圖5以及圖6對光布線基板10的制造方法進(jìn)行說明。
[0053] 圖5 (a)?圖5 (c)是表不光布線基板10的形成工序的剖視圖。圖6 (a)?圖 6 (C)是表不光布線基板10的形成工序的俯視圖。
[0054] 光布線基板10的制造工序具有：在絕緣體層3的主面3a形成導(dǎo)體層2的第一工 序；去除導(dǎo)體層2的一部分形成第一布線圖案21、第二布線圖案22、半導(dǎo)體電路元件用布線 圖案23、以及收納部20的第二工序；在導(dǎo)體層2形成傾斜面200a以及收納部20的第三工 序；以及在導(dǎo)體層2的表面2a以及傾斜面200a層疊鍍鎳層25以及鍍金層26的第四工序。 以下，對第一工序?第四工序進(jìn)行更加詳細(xì)的說明。
[0055] 在第一工序中，如圖5 (a)以及圖6 (a)所示，在絕緣體層3的主面3a的整體例 如通過粘合、蒸鍍、或非電解鍍覆來形成導(dǎo)體層2。在本實(shí)施方式中，導(dǎo)體層2主要由具有良 好導(dǎo)電性的銅（Cu)構(gòu)成。
[0056] 在第二工序中，如圖5 (b)以及圖6 (b)所示，通過蝕刻去除導(dǎo)體層2的一部分， 分別形成第一布線圖案21、第二布線圖案22、半導(dǎo)體電路元件用布線圖案23、以及收納部 20。更具體而言，具有：在導(dǎo)體層2的與去除部分210對應(yīng)的部分以外涂敷抗蝕劑的工序； 以及由蝕刻去除導(dǎo)體層2的未涂敷抗蝕劑的部分的工序。
[0057] 在涂敷抗蝕劑的工序中，以在第一連接部211與第二連接部222之間最窄，并且第 一連接部211與第二連接部222之間的距離D 2比導(dǎo)體層2的厚度方向的尺寸Η短的方式 (D2〈H)將抗蝕劑涂敷在導(dǎo)體層2上。
[0058] 在由蝕刻去除導(dǎo)體層2的工序中，通過蝕刻使未涂敷抗蝕劑部分的導(dǎo)體層2溶解。 由此，與去除部分210對應(yīng)的導(dǎo)體層2溶解，僅留下第一布線圖案21、第二布線圖案22、省 略圖示的半導(dǎo)體電路元件用布線圖案23、以及與收納部20對應(yīng)的導(dǎo)體層2。此時(shí)，絕緣體 層3的主面3a的一部分作為收納部20的支承面20a形成。
[0059] 在第三工序中，如圖5 (c)以及圖6 (c)所不，從導(dǎo)體層2的表面2a朝向背面2b 傾斜地切削導(dǎo)體層2,從而形成傾斜面200a。
[0060] 在第四工序中，在導(dǎo)體層2的表面2a以及傾斜面200a的表面實(shí)施鎳（Ni)以及金 (Au)的鍍覆，形成鍍鎳層25以及鍍金層26。該鍍鎳以及鍍金等例如能夠通過非電解鍍覆 來進(jìn)行。在鍍金層26的最外表面形成反射面22a。
[0061] 實(shí)施方式的作用以及效果
[0062] 根據(jù)以上說明的實(shí)施方式，得到以下的作用以及效果。
[0063] 形成于光布線基板10的第一布線圖案21與第二布線圖案22之間的距離在第一 連接部211與第二連接部222之間最窄，使第一連接部211與第二連接部222之間的距離 比導(dǎo)體層2的厚度方向的尺寸Η短（D 2〈H)，從而即使光電轉(zhuǎn)換元件11的第一電極111與第 二電極112之間的距離與導(dǎo)體層2的厚度方向的尺寸Η相等，也能夠?qū)⒐怆娹D(zhuǎn)換元件11安 裝在第一布線圖案21以及第二布線圖案22上。
[0064] 也就是，從蝕刻液的液體通過性的觀點(diǎn)來看例如很難在第一布線圖案21與第二 布線圖案22并排的較長的區(qū)間范圍內(nèi)將第一布線圖案21與第二布線圖案22之間的距離 形成為比導(dǎo)體層2的厚度方向的尺寸Η窄，但在使第一布線圖案21與第二布線圖案22之 間的距離在第一連接部211與第二連接部222之間局部地比尺寸Η短的情況下，能夠沒問 題地對第一布線圖案21與第二布線圖案22之間進(jìn)行蝕刻。這可以認(rèn)為是因?yàn)槿绻谝徊?線圖案21與第二布線圖案22之間比尺寸Η窄的區(qū)間短，則蝕刻液經(jīng)由該區(qū)間的周邊部流 動(dòng)而可進(jìn)行蝕刻。由此，即使在形成有較厚的導(dǎo)體層2的光布線基板10中，也能夠與小型 的光電轉(zhuǎn)換元件11的安裝對應(yīng)。
[0065] 第二實(shí)施方式
[0066] 接下來，參照圖7?圖9對本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。在圖7?圖9中，對 具有與在第一實(shí)施方式所涉及的光布線基板10中說明的功能相同的功能的部位標(biāo)注共用 的附圖標(biāo)記，并省略其重復(fù)的說明。
[0067] 圖7表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的光布線基板6、以及具備該光布線基板 的光學(xué)模塊1的結(jié)構(gòu)例，且是從光纖5的長邊方向觀察的俯視圖。圖8表示第二實(shí)施方式 所涉及的光學(xué)模塊1，圖8 (a)是剖視圖，圖8 (b)是圖8 (a)的D部放大圖。
[0068] 本實(shí)施方式所涉及的光布線基板6具備：由樹脂構(gòu)成的絕緣體層63 ;由金屬構(gòu)成 的第一導(dǎo)體層61，其層疊于絕緣體層63的第一主面63a，并具有相對于光纖5的光軸傾斜 的傾斜面610a ;以及第二導(dǎo)體層62,其配置為隔著絕緣體層63與第一導(dǎo)體層61平行。絕 緣體層63對第一導(dǎo)體層61與第二導(dǎo)體層62之間進(jìn)行絕緣。
[0069] 第一導(dǎo)體層61例如由銅等良好導(dǎo)電性的金屬構(gòu)成，其厚度例如是40?80 μ m。在 本實(shí)施方式中，如圖8 (b)所示，在第一導(dǎo)體層61的表面61a層疊有由鎳（Ni)構(gòu)成的鍍鎳 層612以及由金（Au)構(gòu)成的鍍金層613。同樣地，對于形成于第一導(dǎo)體層61的傾斜面610a 也在其表面層疊有鍍鎳層612以及鍍金層613。反射面601a形成于鍍金層613的最外表 面。
[0070] 與第一實(shí)施方式同樣地，在第一導(dǎo)體層61形成有第一布線圖案21、第二布線圖案 22、以及半導(dǎo)體電路元件用布線圖案23,在第二布線圖案22的一部分形成有傾斜面610a (反射面601a)。該傾斜面610a (反射面601a)形成于與光纖5的芯部51對置的位置。
[0071] 絕緣體層63例如由聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成。如圖8 (b)所示，絕緣體層63的 厚度方向的尺寸h是光纖5的包層52的徑向的厚度尺寸t2的0. 8倍以上1. 2倍以下 (0. 8 X t2 < & < 1. 2 X t2)。在本實(shí)施方式中，絕緣體層63的厚度方向的尺寸例如是38 μ m。
[0072] 在光布線基板6且在第一導(dǎo)體層61以及絕緣體層63的厚度方向的整體范圍內(nèi)形 成有沿著光纖5的長邊方向延伸并收納光纖5的至少一部分的收納部600。在該收納部600 的一端(終端）的絕緣體層63形成有與光纖5的包層52對置的端面63c。
[0073] 第二導(dǎo)體層62例如由銅等良好導(dǎo)電性的金屬構(gòu)成，并具有支撐收納于收納部600 的光纖5的支承面600a。更具體而言，收納部600貫通第一導(dǎo)體層61以及絕緣體層63的 厚度方向的整體范圍，第二導(dǎo)體層62的背面62b露出。因此，第二導(dǎo)體層62的背面62b的 一部分作為收納部600的支承面600a形成。此外，與第一導(dǎo)體層61同樣地，對于第二導(dǎo)體 層62而言也可以形成布線圖案。
[0074] 圖9 (a)?圖9 (d)是表示第二實(shí)施方式所涉及的光布線基板6的形成工序的剖 視圖。
[0075] 本實(shí)施方式所涉及的光布線基板6的制造工序具有：在絕緣體層63的第一主面 63a形成第一導(dǎo)體層61，并且在絕緣體層63的第二主面63b形成第二導(dǎo)體層62的第一工 序；去除第一導(dǎo)體層61的一部分形成布線圖案(第一布線圖案21、第二布線圖案22、以及半 導(dǎo)體電路元件用布線圖案23)，并且形成成為收納部600的凹部611的第二工序；在第一導(dǎo) 體層61形成傾斜面610a的第三工序；在厚度方向的整體范圍內(nèi)將相當(dāng)于凹部611的底面 的絕緣體層63去除直至第二導(dǎo)體層62,從而形成收納部600,并且形成與光纖5的包層52 對置的端面63c的第四工序；以及在第一導(dǎo)體層61、第二導(dǎo)體層62、以及傾斜面610a層疊 鍍鎳層612以及鍍金層613的第五工序。以下，對第一工序?第五工序進(jìn)行更加詳細(xì)的說 明。
[0076] 在第一工序中，如圖9 (a)所示，例如通過粘合、蒸鍍、或非電解鍍覆而在絕緣體層 63的第一主面63a的整體形成第一導(dǎo)體層61，在絕緣體層63的第二主面63b的整體形成 第二導(dǎo)體層62。在本實(shí)施方式中，第一導(dǎo)體層61以及第二導(dǎo)體層62主要由具有良好導(dǎo)電 性的銅（Cu)構(gòu)成。
[0077] 在第二工序中，如圖9 (b)所示，由蝕刻去除第一導(dǎo)體層61的一部分，形成第一布 線圖案21、第二布線圖案22以及半導(dǎo)體電路元件用布線圖案23,并且形成成為收納部600 的凹部611。更具體而言，在第一導(dǎo)體層61的與去除部分610對應(yīng)的部分以及與凹部611 對應(yīng)的部分以外涂敷抗蝕劑，由蝕刻使未涂敷抗蝕劑部分的第一導(dǎo)體層61溶解。
[0078] 與第一實(shí)施方式同樣地，在涂敷抗蝕劑的工序中，以在第一連接部211與第二連 接部222之間最窄，并且第一連接部211與第二連接部222之間的距離比第一導(dǎo)體層61的 厚度方向的尺寸短的方式將抗蝕劑涂敷在第一導(dǎo)體層61的表面61a上。
[0079] 在由蝕刻去除第一導(dǎo)體層61的工序中，由蝕刻使未涂敷抗蝕劑部分的第一導(dǎo)體 層61溶解。由此，與去除部分610以及凹部611對應(yīng)的第一導(dǎo)體層61溶解，而僅留下第一 布線圖案21、第二布線圖案22、半導(dǎo)體電路元件用布線圖案23、以及與凹部611對應(yīng)的第一 導(dǎo)體層61。
[0080] 此外，在本工序中，與第一導(dǎo)體層61同樣地，也可以由蝕刻去除第二導(dǎo)體層62的 一部分，并在第二導(dǎo)體層62形成布線圖案。
[0081] 在第三工序中，如圖9 (c)所不，從第一導(dǎo)體層61的表面61a朝向背面61b傾斜 地切削第一導(dǎo)體層61，從而形成傾斜面610a。
[0082] 在第四工序中，如圖9 (d)所示，從與相當(dāng)于凹部611的底面的絕緣體層63的第 一主面63a垂直的方向照射激光。更具體而言，例如能夠使用受激準(zhǔn)分子激光、UV激光(紫 外線激光)作為該激光。通過激光的照射，在絕緣體層63形成收納光纖5的收納部600,并 且形成有收納部600的終端的端面63c。該激光的強(qiáng)度是能夠照射切削（照射光來進(jìn)行切 肖IJ)絕緣體層63的強(qiáng)度，而不照射切削第二導(dǎo)體層62的強(qiáng)度。因此，第二導(dǎo)體層62的背 面62b的未被該激光的照射去除而留下的部分作為收納部600的支承面600a形成。在本 實(shí)施方式中，端面63c形成為與收納部600的支承面600a (第二導(dǎo)體層62的背面62b)垂 直，從而成為在將光纖5插入收納部600時(shí)的定位。
[0083] 在第五工序中，與第一實(shí)施方式同樣地，在第一導(dǎo)體層61的表面61a、傾斜面 610a、以及第二導(dǎo)體層62的表面62a實(shí)施鎳（Ni)、金（Au)等的鍍覆，形成鍍鎳層612以及 鍍金層613。該鍍鎳以及鍍金等例如能夠通過非電解鍍覆來進(jìn)行。在鍍金層613的最外表 面形成反射面601a。
[0084] 第二實(shí)施方式的作用以及效果
[0085] 在以上說明的第二實(shí)施方式中，也能夠得到與第一實(shí)施方式的作用以及效果相同 的作用以及效果。
[0086] 實(shí)施方式的總結(jié)
[0087] 接下來，引用實(shí)施方式的附圖標(biāo)記等記載從以上說明的實(shí)施方式把握的技術(shù)思 想。但以下記載的各附圖標(biāo)記等并不將權(quán)利要求的范圍的構(gòu)成要素限定于實(shí)施方式所具體 示出的部件等。
[0088] [1] 一種光布線基板10,具備：由樹脂構(gòu)成的絕緣體層3 ;以及由金屬構(gòu)成的導(dǎo)體 層2,其層疊于上述絕緣體層3,并具有相對于光纖5的光軸傾斜的傾斜面200a，在上述導(dǎo)體 層2形成有包含供光電轉(zhuǎn)換元件11的第一電極111連接的第一連接部211的第一布線圖 案21、以及包含供上述光電轉(zhuǎn)換元件11的第二電極112連接的第二連接部222的第二布線 圖案22,上述第一布線圖案21與上述第二布線圖案22之間的距離在上述第一連接部211 與上述第二連接部222之間最窄，上述第一連接部211與上述第二連接部222之間的距離 D2比上述導(dǎo)體層2的厚度方向的尺寸Η短。
[0089] [2]根據(jù)[1]所記載的光布線基板10,上述導(dǎo)體層2的厚度方向的尺寸Η是40 μ m 以上。
[0090] [3] -種光學(xué)模塊1，具備[1]或[2]所記載的光布線基板10、以及倒裝安裝于上 述光布線基板10的上述光電轉(zhuǎn)換兀件11。
[0091] [4] 一種[1]或[2]所記載的光布線基板10的制造方法，具有：在上述絕緣體層 3的表面3a形成上述導(dǎo)體層2的工序、以及去除上述導(dǎo)體層2的一部分形成上述第一布線 圖案21以及上述第二布線圖案22的工序，形成上述第一布線圖案21以及上述第二布線圖 案22的工序包括：在上述導(dǎo)體層2以在上述第一連接部211與上述第二連接部222之間最 窄，并且上述第一連接部211與上述第二連接部222之間的距離D 2比上述導(dǎo)體層2的厚度 方向的尺寸Η短的方式涂敷抗蝕劑的工序；以及由蝕刻去除上述導(dǎo)體層2的未涂敷上述抗 蝕劑的部分的工序。
[0092] 以上，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但上述所記載的實(shí)施方式并不限定要求 保護(hù)的范圍所涉及的發(fā)明進(jìn)行。另外，應(yīng)注意不限于在實(shí)施方式中說明的特征的結(jié)合的全 部均是用于解決發(fā)明的課題的手段所必須的這一點(diǎn)。
[0093] 在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，能夠適當(dāng)?shù)丶右宰冃蔚貙?shí)施本發(fā)明。例如，在上 述實(shí)施方式中，對在光布線基板10搭載了一個(gè)光學(xué)模塊1的情況進(jìn)行了說明，但并不局限 于此，也可以在光布線基板10形成多個(gè)光學(xué)模塊構(gòu)造。
[0094] 另外，在上述實(shí)施方式中，光纖5的包層52的外周與按壓部件4的凹部40的內(nèi)表 面40a以及絕緣體層3的主面3a接觸，但光纖5被填充在凹部40內(nèi)的粘合劑等固定，因此 包層52的外周也可以不與按壓部件4的凹部40的內(nèi)表面40a以及絕緣體層3的主面3a 接觸。
[0095] 另外，在上述實(shí)施方式中，光布線基板10主要由絕緣體層3以及導(dǎo)體層2構(gòu)成，但 并不限于此，也可以在絕緣體層3的背面一側(cè)形成形成有布線圖案的導(dǎo)體層。在該情況下， 布線的操作性提高。
[0096] 另外，在上述實(shí)施方式中，雖對導(dǎo)體層2為銅（Cu)的情況進(jìn)行了說明，但并不限于 此，導(dǎo)體層2的一部分或者全部例如也可以為鋁（A1)。另外，鍍層(鍍鎳層25以及鍍金層 26)中的材質(zhì)也不限定于上述的材質(zhì)。絕緣體層3的材質(zhì)也不局限于聚酰亞胺，例如也可以 是 PET (Polyethylene terephthalate:聚對苯二甲酸乙二醇酯）。
【權(quán)利要求】
1. 一種光布線基板，其特征在于，具備： 由樹脂構(gòu)成的絕緣體層；以及 由金屬構(gòu)成的導(dǎo)體層，其層疊于所述絕緣體層，并具有相對于光纖的光軸傾斜的傾斜 面， 在所述導(dǎo)體層形成有第一布線圖案和第二布線圖案，所述第一布線圖案包含供光電轉(zhuǎn) 換元件的第一電極連接的第一連接部，所述第二布線圖案包含供所述光電轉(zhuǎn)換元件的第二 電極連接的第二連接部， 所述第一布線圖案與所述第二布線圖案之間的距離在所述第一連接部與所述第二連 接部之間最窄， 所述第一連接部與所述第二連接部之間的距離比所述導(dǎo)體層的厚度方向的尺寸短。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光布線基板，其特征在于， 所述導(dǎo)體層的厚度方向的尺寸是40 μ m以上。
3. -種光學(xué)模塊，其特征在于，具備： 權(quán)利要求1或2所述的光布線基板；以及 倒裝安裝于所述光布線基板的所述光電轉(zhuǎn)換元件。
4. 一種光布線基板的制造方法，該光布線基板的制造方法是權(quán)利要求1或2所述的光 布線基板的制造方法， 所述光布線基板的制造方法的特征在于，具有： 在所述絕緣體層的表面形成所述導(dǎo)體層的工序；以及 去除所述導(dǎo)體層的一部分形成所述第一布線圖案以及所述第二布線圖案的工序， 形成所述第一布線圖案以及所述第二布線圖案的工序包括： 在所述導(dǎo)體層以在所述第一連接部與所述第二連接部之間最窄，并且所述第一連接部 與所述第二連接部之間的距離比所述導(dǎo)體層的厚度方向的尺寸短的方式涂敷抗蝕劑的工 序；以及由蝕刻去除所述導(dǎo)體層的未涂敷所述抗蝕劑的部分的工序。
【文檔編號(hào)】G02B6/42GK104142543SQ201410058615
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2014年2月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月7日
【發(fā)明者】石川浩史, 平野光樹, 安田裕紀(jì) 申請人:日立金屬株式會(huì)社