光布線基板、光布線基板的制造方法、以及光模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供能夠抑制光纖的小徑化，且能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化的光布線基板、光布線基板的制造方法、以及光模塊。其中，光布線基板（3）具備：由樹脂構(gòu)成的絕緣體層（33）；以及第一導(dǎo)體層（31），其由金屬構(gòu)成并層疊于上述絕緣體層（33），具有相對于光纖（5）的光軸傾斜的傾斜面（310a）；上述絕緣體層（33）具有與上述光纖（5）的包層（52）對置的端面（33c），上述第一導(dǎo)體層（31）的上述傾斜面（310a）形成于與上述光纖（5）的芯部（51）對置的位置。
【專利說明】光布線基板、光布線基板的制造方法、以及光模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及收納光纖的光布線基板及其制造方法、以及具有光布線基板的光模 塊。

【背景技術(shù)】
[0002] 以往，例如為了實(shí)現(xiàn)信息處理裝置間的通信的高速化等，不斷普及如下的光通信， 即，使用光纖作為信號傳輸介質(zhì)，在信號的發(fā)送側(cè)將電信號轉(zhuǎn)換為光信號，在信號的接收側(cè) 將光信號轉(zhuǎn)換為電信號，由此來進(jìn)行通信。作為用于進(jìn)行電信號和光信號的轉(zhuǎn)換的光電轉(zhuǎn) 換模塊，本 申請人:提出了專利文獻(xiàn)1所記載的光電轉(zhuǎn)換模塊。
[0003] 專利文獻(xiàn)1所記載的光電轉(zhuǎn)換模塊具備基板(光布線基板)、與光纖光學(xué)耦合的光 電轉(zhuǎn)換元件。在基板的表面形成有用于安裝光電轉(zhuǎn)換元件的電極圖案、以及包括用于限制 光纖的位置的限制圖案的導(dǎo)體圖案。
[0004] 另外，在導(dǎo)體圖案形成有用于使光電轉(zhuǎn)換元件和光纖光學(xué)耦合的反射面。該反射 面是使形成了磨粒層的具有錐狀的刀面的刀片旋轉(zhuǎn)且使其沿基板移動(dòng)，磨削導(dǎo)體圖案的端 面而形成的。從光纖射出的光在反射面被反射至光電轉(zhuǎn)換元件側(cè)，入射至光電轉(zhuǎn)換元件。
[0005] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2013-76987號公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 在專利文獻(xiàn)1所記載的光電轉(zhuǎn)換模塊中，為了在導(dǎo)體圖案的端面形成反射面，光 纖需要使用在對光進(jìn)行傳播的芯部及包圍其外側(cè)的包層中，至少芯部具有與反射面對置的 直徑的光纖。換句話說，為了反射從芯部的端面射出的光，并使該光高效地入射至光電轉(zhuǎn)換 元件，如在專利文獻(xiàn)1中參照圖3在說明書第22段中所說明的那樣，將光纖的直徑設(shè)為D， 將芯部的直徑設(shè)為d，將導(dǎo)體圖案的厚度設(shè)為T1時(shí)，需要滿足以Tl > (D+d)/2表示的關(guān)系。
[0007] 另一方面，若增厚導(dǎo)體圖案，則難以通過蝕刻高精度地形成細(xì)微的布線圖案，所以 在使導(dǎo)體圖案的厚度（T1)變厚的方面存在制約。因此，作為光纖，需要使用其直徑與導(dǎo)體 圖案的厚度相等或?yàn)閷?dǎo)體圖案的厚度以下的小徑的光纖，存在光纖自身的成本變高、以及 伴隨光纖的強(qiáng)度降低而使處理的困難度增加的問題。
[0008] 因此，本發(fā)明的目的在于，提供能夠抑制光纖的小徑化，且能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化的光布 線基板、光布線基板的制造方法、以及光模塊。
[0009] 本發(fā)明以解決上述課題為目的，提供一種光布線基板，該光布線基板具備：由樹脂 構(gòu)成的絕緣體層；以及第一導(dǎo)體層，其由金屬構(gòu)成并層疊于上述絕緣體層，具有相對于光纖 的光軸傾斜的傾斜面；上述絕緣體層具有與上述光纖的包層對置的端面，上述第一導(dǎo)體層 的上述傾斜面形成于與上述光纖的芯部對置的位置。
[0010] 另外，本發(fā)明以解決上述課題為目的，提供一種具備上述光布線基板和安裝于上 述光布線基板的光電轉(zhuǎn)換元件的光模塊。
[0011] 另外，本發(fā)明以解決上述課題為目的，提供一種上述光布線基板的制造方法，具 有：在上述絕緣體層的表面形成上述第一導(dǎo)體層的工序；去除上述第一導(dǎo)體層的一部分而 形成布線圖案的工序；在上述第一導(dǎo)體層形成上述傾斜面的工序；以及去除上述絕緣體層 的一部分而形成上述端面的工序。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明的光布線基板、光布線基板的制造方法、以及光模塊，能夠抑制光纖的 小徑化，且能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 圖1是表不本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光布線基板、以及具備該光布線基板的光模 塊的一個(gè)構(gòu)成例的俯視圖。
[0014] 圖2是圖1的A-A線剖視圖。
[0015] 圖3 (a)是圖1的B-B線剖視圖，圖3 (b)是圖3 (a)的C部放大圖。
[0016] 圖4 (a)?（d)是表示光布線基板的收納部及其周邊部的形成過程的剖視圖。
[0017] 圖5示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式的光布線基板、以及具備該光布線基板的光模塊 的構(gòu)成例，圖5 (a)是剖視圖，圖5 (b)是圖5 (a)的D部放大圖。
[0018] 圖6 (a)?（d)是表示第二實(shí)施方式的光布線基板的收納槽及其周邊部的形成過 程的剖視圖。
[0019] 圖中：1、1A-光模塊，3、3A-光布線基板，3a-安裝面，4一按壓部件，5-光纖， 5a -如端面，11 一光電轉(zhuǎn)換兀件，12-半導(dǎo)體電路兀件，31-第一導(dǎo)體層，31a-表面，31b- 背面，32-第二導(dǎo)體層(支承基板層)，32a-表面，32b-背面，33、33A-絕緣體層，33a、 33Aa-第一主面，33b、33Ab-第二主面，33c、33Ac- 端面，51- 芯部，52-包層，110-主 體部，111 一焊盤電極，112-受發(fā)光部，120-主體部，121、121a-焊盤電極，300-收納部， 300a-支承面，300A -收納槽，300Aa-底面，301-光電轉(zhuǎn)換兀件用布線圖案，301a -反射 面，302-半導(dǎo)體電路兀件用布線圖案，310-去除郃分，310a-傾斜面，311-凹郃，312-鍛 鎮(zhèn)層，313-鍛金層，L一光路。

【具體實(shí)施方式】
[0020] 第一實(shí)施方式
[0021] 圖1是表不本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光布線基板、以及具備該光布線基板的光模 塊的一構(gòu)成例的俯視圖。
[0022] (光模塊1的構(gòu)成）
[0023] 該光模塊1具備光布線基板3、倒裝芯片安裝于光布線基板3的安裝面3a的光電 轉(zhuǎn)換元件11、以及與光電轉(zhuǎn)換元件11電連接的半導(dǎo)體電路元件12。
[0024] 光電轉(zhuǎn)換元件11在主體部110設(shè)置有多個(gè)(在本實(shí)施方式中為三個(gè)）焊盤電極 111。多個(gè)焊盤電極111分別與形成于光布線基板3的安裝面3a的光電轉(zhuǎn)換元件用布線圖 案301電連接。光電轉(zhuǎn)換元件11被安裝在與形成于光電轉(zhuǎn)換元件用布線圖案301的一部 分的反射面301a對置的位置。
[0025] 在本實(shí)施方式中，光電轉(zhuǎn)換元件11的與光纖5的長度方向平行的方向的尺寸例如 是350 μ m，與光纖5的長度方向垂直的方向的尺寸例如是250 μ m。
[0026] 光電轉(zhuǎn)換元件11是將電信號轉(zhuǎn)換為光信號，或是將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的元件。 作為前者的例子，能夠列舉出半導(dǎo)體激光元件、LED (Light Emitting Diode:發(fā)光二極管） 等發(fā)光元件。另外，作為后者的例子，能夠列舉出光電二極管等受光元件。光電轉(zhuǎn)換元件11 構(gòu)成為從設(shè)置于光布線基板3的安裝面3a側(cè)的受發(fā)光部112向與光布線基板3垂直的方 向射出或入射光。
[0027] 半導(dǎo)體電路元件12被倒裝芯片安裝于光布線基板3的安裝面3a，在主體部120設(shè) 置有多個(gè)(在本實(shí)施方式中為10個(gè)）焊盤電極121。多個(gè)焊盤電極121分別與形成于光布 線基板3的安裝面3a的半導(dǎo)體電路元件用布線圖案302電連接。多個(gè)焊盤電極121中，信 號傳輸用的一個(gè)焊盤電極121a與光電轉(zhuǎn)換元件用布線圖案301連接，由此，半導(dǎo)體電路元 件12與光電轉(zhuǎn)換元件11電連接。
[0028] 在光電轉(zhuǎn)換元件11是將電信號轉(zhuǎn)換為光信號的元件的情況下，半導(dǎo)體電路元件 12是驅(qū)動(dòng)光電轉(zhuǎn)換兀件11的驅(qū)動(dòng)1C。在光電轉(zhuǎn)換兀件11是將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的兀 件的情況下，半導(dǎo)體電路元件12是對從光電轉(zhuǎn)換元件11輸入的信號進(jìn)行放大的接收1C。
[0029] 另外，在光布線基板3上除了安裝有光電轉(zhuǎn)換元件11以及半導(dǎo)體電路元件12之 夕卜，還可以安裝連接器、IC (Integrated Circuit)、或有源元件（晶體管等)、無源元件（電阻 器、電容器等）等電子部件。
[0030] 光纖5被配置成其前端面與形成于光電轉(zhuǎn)換兀件用布線圖案301的反射面301a 對置，被按壓部件4從光布線基板3的安裝面3a的上方按壓。
[0031] (光布線基板3的構(gòu)成）
[0032] 圖2是圖1的A-A線剖視圖。圖3 (a)是圖1的B-B線剖視圖，圖3 (b)是圖3 (a)的C部局放大圖。
[0033] 光纖5具有芯部51以及包層52。在本實(shí)施方式中，光纖5的芯部51的直徑例如 是50 μ m，包層52的徑向的厚度例如是37. 5 μ m。即，光纖5的直徑(將芯部51以及包層52 加在一起的直徑）是125 μ m。
[0034] 光布線基板3具備：由樹脂構(gòu)成的絕緣體層33 ;第一導(dǎo)體層31，其由金屬構(gòu)成并 層疊于絕緣體層33的第一主面33a并具有相對于光纖5的光軸傾斜的傾斜面310a ;作為 支承基板層的第二導(dǎo)體層32,其被配置成隔著絕緣體層33與第一導(dǎo)體層31平行。絕緣體 層33介于第一導(dǎo)體層31和第二導(dǎo)體層32之間，在本實(shí)施方式中，使第一導(dǎo)體層31和第二 到體層32之間絕緣。
[0035] 第一導(dǎo)體層31例如由銅等導(dǎo)電性良好的金屬構(gòu)成，其厚度例如是40?80 μ m。在 本實(shí)施方式中，如圖3 (b)所示，在第一導(dǎo)體層31的表面31a層疊有由鎳（Ni)構(gòu)成的鍍鎳 層312以及由金（Au)構(gòu)成的鍍金層313。同樣，形成于第一導(dǎo)體層31的傾斜面310a也在 其表面層疊有鍍鎳層312以及鍍金層313。反射面301a形成于鍍金層313的最外層表面。
[0036] 在第一導(dǎo)體層31形成有光電轉(zhuǎn)換元件用布線圖案301以及半導(dǎo)體電路元件用布 線圖案302,在光電轉(zhuǎn)換元件用布線圖案301的一部分形成有傾斜面310a (反射面301a)。 該傾斜面310a (反射面301a)形成于與光纖5的芯部51對置的位置。
[0037] 如圖3 (a)所不，在從光纖5 (芯部51)射出光時(shí)，反射面301a將該出射光反射至 光電轉(zhuǎn)換元件11側(cè)。在光電轉(zhuǎn)換元件11為受光元件的情況下，由反射面301a反射的光從 設(shè)置于光電轉(zhuǎn)換元件11的主體部110的受發(fā)光部112入射至光電轉(zhuǎn)換元件11內(nèi)，光電轉(zhuǎn) 換元件11將基于該入射光的光信號轉(zhuǎn)換為電信號。
[0038] 另外，在光電轉(zhuǎn)換元件11為發(fā)光元件的情況下，光電轉(zhuǎn)換元件11將從半導(dǎo)體電路 元件12輸出的電信號轉(zhuǎn)換為光信號，從受發(fā)光部112射出表示該光信號的光。該出射光 被反射面301a反射至光纖5的前端面5a側(cè)而入射至芯部51內(nèi)，在光纖5內(nèi)傳播。在圖3 (a)中，以單點(diǎn)劃線表不將光纖5作為傳輸介質(zhì)的光的光路L。
[0039] 絕緣體層33例如由聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成。如圖3 (b)所示，絕緣體層33的 厚度方向的尺寸h是光纖5的包層52的徑向的厚度尺寸t2的0. 8倍以上1. 2倍以下 (0. 8 X & < t2 < 1. 2 X & )。在本實(shí)施方式中，絕緣體層33的厚度方向的尺寸例如是38 μ m。
[0040] 光布線基板3以跨越第一導(dǎo)體層31以及絕緣體層33的整個(gè)厚度方向的方式形成 有沿光纖5的長度方向延伸且容納光纖5的至少一部分的收納部300。在該收納部300的 一端(末端）的絕緣體層33形成有與光纖5的包層52對置的端面33c。
[0041] 第二導(dǎo)體層32例如由銅等導(dǎo)電性良好的金屬構(gòu)成，具有支承收納于收納部300的 光纖5的支承面300a。更具體而言，收納部300貫通第一導(dǎo)體層31以及絕緣體層33的整 個(gè)厚度方向，第二導(dǎo)體層32的背面32b露出。因此，第二導(dǎo)體層32的背面32b的一部分形 成為收納部300的支承面300a。另外，與第一導(dǎo)體層31相同，也可以在第二導(dǎo)體層32形成 布線圖案。
[0042] 如圖2所示，收納部300被按壓部件4從第一導(dǎo)體層31的上方覆蓋，光纖5被填 充至收納部300內(nèi)的粘接劑等固定。在本實(shí)施方式中，光纖5的包層52的外周面與收納部 300的內(nèi)表面接觸。
[0043] (光布線基板3的制造方法）
[0044] 接下來，參照圖4對光布線基板3的制造方法進(jìn)行說明。
[0045] 圖4 (a)?（d)是表示光布線基板3的收納部300及其周邊部的形成過程的剖視 圖。
[0046] 光布線基板3的制造工序具有：在絕緣體層33的第一主面33a形成第一導(dǎo)體層 31，且在絕緣體層33的第二主面33b形成第二導(dǎo)體層32的第一工序；去除第一導(dǎo)體層31 的一部分而形成布線圖案(光電轉(zhuǎn)換元件用布線圖案301以及半導(dǎo)體電路元件用布線圖案 302)，且形成成為收納部300的凹部311的第二工序；在第一導(dǎo)體層31形成傾斜面310a的 第三工序；在整個(gè)厚度方向上去除相當(dāng)于凹部311的底面的絕緣體層33直至到達(dá)第二導(dǎo)體 層32,由此來形成收納部300,且形成與光纖5的包層52對置的端面33c的第四工序；在第 一導(dǎo)體層31、第二導(dǎo)體層32以及傾斜面310a層疊鍍鎳層312以及鍍金層313的第五工序。 以下，對第一?第五工序進(jìn)行更加詳細(xì)的說明。
[0047] 在第一工序中，如圖4 (a)所示，例如通過粘接、蒸鍍、或化學(xué)鍍在絕緣體層33的 第一主面33a的整體形成第一導(dǎo)體層31，在絕緣體層33的第二主面33b的整體形成第二導(dǎo) 體層32。在本實(shí)施方式中，第一導(dǎo)體層31以及第二導(dǎo)體層32主要由具有良好導(dǎo)電性的銅 (Cu)構(gòu)成。
[0048] 在第二工序中，如圖4 (b)所示，通過蝕刻去除第一導(dǎo)體層31的一部分，形成光電 轉(zhuǎn)換元件用布線圖案301以及半導(dǎo)體電路元件用布線圖案302,且形成成為收納部300的凹 部311。更具體而言，在與第一導(dǎo)體層31的去除部分310對應(yīng)的部分以及與凹部311對應(yīng) 的部分以外的部分涂敷抗蝕劑，通過蝕刻使未涂敷抗蝕劑的部分的第一導(dǎo)體層31溶解。由 此，與去除部分310以及凹部311對應(yīng)的第一導(dǎo)體層31溶解，僅留下與光電轉(zhuǎn)換元件用布 線圖案301、半導(dǎo)體電路元件用布線圖案302、以及凹部311對應(yīng)的第一導(dǎo)體層31。
[0049] 另外，在本工序中，也可以與第一導(dǎo)體層31相同，通過蝕刻去除第二導(dǎo)體層32的 一部分，在第二導(dǎo)體層32形成布線圖案。
[0050] 在第三工序中，如圖4 (c)所不，從第一導(dǎo)體層311的表面31a朝向背面31b傾斜 地切削第一導(dǎo)體層31，從而形成傾斜面310a。
[0051] 在第四工序中，如圖4 (d)所示，從與相當(dāng)于凹部311的底面的絕緣體層33的第 一主面33a垂直的方向照射激光。作為該激光，更具體而言，例如能夠使用準(zhǔn)分子激光器、 UV激光器(紫外線激光器)。通過激光的照射，形成收納光纖5的收納部300,且收納部300 的末端的端面33c形成于絕緣體層33。該激光的強(qiáng)度是照削（照射光而削除）絕緣體層33 但不照削第二導(dǎo)體層32的強(qiáng)度。所以，第二導(dǎo)體層32的背面32b的未因該激光的照射去 除而留下的部分形成為收納部300的支承面300a。在本實(shí)施方式中，端面33c形成為與收 納部300的支承面300a (第二導(dǎo)體層32的背面32b)垂直，在將光纖5插入收納部300內(nèi) 時(shí)用于定位。
[0052] 在第五工序中，在第一導(dǎo)體層31的表面31a、傾斜面310a、以及第二導(dǎo)體層32的 表面32a實(shí)施鎳（Ni)、金（Au)等的鍍覆，形成鍍鎳層312以及鍍金層313。例如能夠通過化 學(xué)鍍等進(jìn)行該鍍鎳（Ni)以及鍍金（Au)等。在鍍金層313的最外層表面形成反射面301a。
[0053] (第一實(shí)施方式的作用以及效果）
[0054] 根據(jù)以上說明的第一實(shí)施方式，得到以下作用以及效果。
[0055] (1)在光布線基板3中，由于在絕緣體層33形成與光纖5的包層52對置的端面 33c，且第一導(dǎo)體層31的反射面301a形成于與光纖5的芯部51對置的位置，所以無需使光 纖5的直徑的大小與第一導(dǎo)體層31的厚度匹配。換句話說，在去除絕緣體層33的厚度方 向的至少一部分而形成的收納部300收納包括光纖5的包層52的一部分，具有反射面301a 的第一導(dǎo)體層31層疊于絕緣體層33,所以即便第一導(dǎo)體層31的厚度比芯部51的直徑以及 包層52的厚度薄，也能夠使反射面301a與芯部51的前端面對置。由此，無需選擇更細(xì)的 光纖5,就能夠使第一導(dǎo)體層31的厚度變薄。
[0056] (2)在布線基板3遍及第一導(dǎo)體層31以及絕緣體層33的整個(gè)厚度方向形成沿光 纖5的長度方向延伸且收納光纖5的至少一部分的收納部300,在收納部300的長度方向的 一端(末端）的絕緣體層33形成有端面33c，所以能夠利用絕緣體層33的厚度，減小光纖5 的與第一導(dǎo)體層31對置的部分。因此，能夠使光模塊1進(jìn)一步薄型化。
[0057] (3)由于在光布線基板3的絕緣體層33的第一主面33a層疊有第一導(dǎo)體層31，且 在絕緣體層33的第二主面33b層疊有第二導(dǎo)體層32,所以能夠在光布線基板3的兩面(正 背面）形成布線圖案，能夠容易進(jìn)行布線處理。
[0058] 第二實(shí)施方式
[0059] 接下來，參照圖5以及圖6對本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式的光 布線基板3A由絕緣體層33A以及第一導(dǎo)體層31構(gòu)成，與第一實(shí)施方式的光布線基板3的 構(gòu)成不同，不具有第二導(dǎo)體層32。在圖5以及圖6中，對具有與在第一實(shí)施方式的光布線基 板3中說明的功能相同的功能的部位標(biāo)注共用的附圖標(biāo)記，并省略其重復(fù)的說明。
[0060] 圖5示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式的光布線基板3A、以及具備該光布線基板3A的光 模塊1A的構(gòu)成例，圖5 (a)是剖視圖，圖5 (b)是圖5 (a)的D部放大圖。
[0061] 在本實(shí)施方式的光布線基板3A的絕緣體層33A沿光纖5的長度方向形成有收納 光纖5的至少一部分的收納槽300A，光纖5被收納槽300A的底面300Aa支承。即，絕緣體 層33A在與收納槽300A對應(yīng)的部分中不貫通其整個(gè)厚度方向，留下一部分作為底面300Aa。 在收納槽300A的長度方向的一端(末端）以與底面300Aa垂直的方式形成有端面33Ac。端 面33Ac形成在與收納于收納槽300A的光纖5的包層52對置的位置。形成于第一導(dǎo)體層 31的傾斜面310a與光纖5的芯部51對置。
[0062] 圖6 (a)?（d)是表示第二實(shí)施方式的光布線基板3A的收納槽300A及其周邊部 的形成過程的剖視圖。
[0063] 本實(shí)施方式的光布線基板3A的制造過程具備：在絕緣體層33A的第一主面33Aa 形成第一導(dǎo)體層31的第一工序；去除第一導(dǎo)體層31的一部分而形成布線圖案(光電轉(zhuǎn)換元 件用布線圖案301以及半導(dǎo)體電路元件用布線圖案302)，且形成成為收納槽300A的凹部 311的第二工序；在第一導(dǎo)體層31形成傾斜面310a的第三工序；去除相當(dāng)于凹部311的底 面的絕緣體層33A而形成收納光纖5的收納槽300A，且在收納槽300A的一端(末端）形成 與光纖5的包層52對置的端面33Ac的第四工序；在第一導(dǎo)體層31、第二導(dǎo)體層32以及傾 斜面310a層疊鍍鎳層312以及鍍金層313的第五工序。以下，對第一?第五工序進(jìn)行更加 詳細(xì)的說明。
[0064] 在本實(shí)施方式的第一工序中，如圖6 (a)所示，例如通過粘接、蒸鍍、或化學(xué)鍍在絕 緣體層33A的第一主面33Aa的整體形成第一導(dǎo)體層31。在本實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式 相同，第一導(dǎo)體層31主要由具有良好導(dǎo)電性的銅（Cu)構(gòu)成。
[0065] 在第二工序中，如圖6 (b)所不，通過蝕刻去除第一導(dǎo)體層31的一部分，形成光電 轉(zhuǎn)換元件用布線圖案301以及半導(dǎo)體電路元件用布線圖案302,且形成成為收納槽300A的 凹部311。與第一實(shí)施方式的第二工序相同，在與第一導(dǎo)體層31的去除部分310對應(yīng)的部 分以及與凹部311對應(yīng)的部分以外的部分涂敷抗蝕劑，通過蝕刻使未涂敷抗蝕劑的部分的 第一導(dǎo)體層31溶解。由此，與去除部分310以及凹部311對應(yīng)的第一導(dǎo)體層31溶解，僅留 下光電轉(zhuǎn)換元件用布線圖案301、半導(dǎo)體電路元件用布線圖案302、以及與凹部311對應(yīng)的 第一導(dǎo)體層31。
[0066] 在第三工序中，與第一實(shí)施方式的第三工序相同，如圖6 (c)所不，從第一導(dǎo)體層 31的表面31a朝向背面31b斜切第一導(dǎo)體層31，由此形成傾斜面310a。
[0067] 在第四工序中，如圖6 (d)所示，從與相當(dāng)于凹部311的底面的絕緣體層33A的第 一主面33Aa垂直的方向照射激光。通過激光的照射，在絕緣體層33A形成收納光纖5的收 納槽300A以及端面33Ac。本實(shí)施方式的激光的強(qiáng)度是能夠照削（照射光而削去)絕緣體層 33A的厚度方向的一部分的強(qiáng)度，不照削絕緣體層33A的整個(gè)厚度方向。所以，在絕緣體層 33A形成有未因該激光的照射去除而留下的部分作為收納槽300A的底面300Aa。
[0068] 另外，在本實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式相同，在絕緣體層33A的背面33Ab層疊第 二導(dǎo)體層32,形成布線圖案。
[0069](第二實(shí)施方式的作用以及效果）
[0070] 在以上說明的第二實(shí)施方式中，能夠得到與第一實(shí)施方式的（1)?（3)的作用以 及效果相同的作用以及效果 [0071](實(shí)施方式的總結(jié)）
[0072] 接下來，引用實(shí)施方式的附圖標(biāo)記等記載能夠從以上說明的實(shí)施方式把握的技術(shù) 思想。但以下記載的各附圖標(biāo)記等并不將要求保護(hù)的范圍的構(gòu)成要素局限于實(shí)施方式所具 體示出的部件等。
[0073] [1] 一種光布線基板（3、3A)，具備：絕緣體層（33、33A)，其由樹脂構(gòu)成；第一導(dǎo)體 層（31)，其由金屬構(gòu)成并層疊于上述絕緣體層（33、33A)，具有相對于光纖（5)的光軸傾斜 的傾斜面（310a);上述絕緣體層（33、33A)具有與上述光纖（5)的包層（52)對置的端面 (33c、33Ac)，上述第一導(dǎo)體層（31)的上述傾斜面（310a)形成于與上述光纖（5)的芯部（51) 對置的位置。
[0074] [2]根據(jù)[1]所述的光布線基板（3)，以跨越上述第一導(dǎo)體層（31)以及上述絕緣體 層（33 )的整個(gè)厚度方向的方式形成沿上述光纖（5 )的長度方向延伸且收納上述光纖（5 )的 至少一部分的收納部（300)，還具備支承基板層(第二導(dǎo)體層32)，其具有對收納于上述收 納部（300)的上述光纖（5)進(jìn)行支承的支承面（300a)，且被配置成隔著上述絕緣體層（33) 與上述第一導(dǎo)體層（31)平行，在上述收納部（300)的上述長度方向的一端形成有上述端面 (33c、33Ac)。
[0075] [3]根據(jù)[1]或[2]所述的光布線基板（3)，上述絕緣體層（33)的厚度方向的尺寸 是上述光纖（5)的包層（52)的徑向的厚度尺寸的0. 8倍以上1. 2倍以下。
[0076] [4]根據(jù)[2]或[3]所述的光布線基板（3)，上述支承基板層是由金屬構(gòu)成的第二 導(dǎo)體層（32)。
[0077] [5]根據(jù)[1]所述的光布線基板（3A)，在上述絕緣體層（33A)沿上述光纖（5)的長 度方向形成有收納上述光纖（5)的至少一部分的收納槽（300A)，上述光纖（5)被支承于上 述收納槽（300A)的底面（300Aa)。
[0078] [6] -種具備[1]至[5]中任意一項(xiàng)所述的光布線基板（3、3A)、和安裝于上述光 布線基板（3、3A)的光電轉(zhuǎn)換元件（11)的光模塊（1)。
[0079] [7] -種[1]所述的光布線基板（3、3A)的制造方法，具有：在上述絕緣體層（33、 33A)的表面（33a、33Aa)形成上述第一導(dǎo)體層（31)的工序；去除上述第一導(dǎo)體層（31)的一 部分而形成布線圖案(光電轉(zhuǎn)換元件用布線圖案301以及半導(dǎo)體電路元件用布線圖案302) 的工序；在上述第一導(dǎo)體層（31)形成上述傾斜面（310a)的工序；以及去除上述絕緣體層 (33)的一部分而形成上述端面（33c、33Ac)的工序。
[0080] [8] -種[2]至[4]中任意一項(xiàng)所述的光布線基板（3)的制造方法，具有：在上 述絕緣體層（33)的表面（33a)形成上述第一導(dǎo)體層（31)，且在上述絕緣體層（33)的背面 (33b)形成上述支承基板層(第二導(dǎo)體層32)的工序；去除上述第一導(dǎo)體層（31)的一部分 而形成布線圖案(光電轉(zhuǎn)換元件用布線圖案301以及半導(dǎo)體電路元件用布線圖案302)，且 形成成為上述收納部（300)的凹部（311)的工序；在上述第一導(dǎo)體層（31)形成上述傾斜面 (310a)的工序；以及跨越整個(gè)厚度方向地去除相當(dāng)于上述凹部（311)的底面的上述絕緣體 層（33)直至到達(dá)上述支承基板層（第二導(dǎo)體層32)，從而形成上述收納部（300)，且形成與 上述光纖（5)的包層（52)對置的上述端面（33c)的工序。
[0081] [9] 一種[5]所述的光布線基板（3A)的制造方法，具有：在上述絕緣體層（33A) 的表面（33Aa)形成上述第一導(dǎo)體層（31)的工序；去除上述第一導(dǎo)體層（31)的一部分而 形成布線圖案(光電轉(zhuǎn)換元件用布線圖案301以及半導(dǎo)體電路元件用布線圖案302)，且形 成成為上述收納槽（300A)的凹部（311)的工序；在上述第一導(dǎo)體層（31)形成上述傾斜面 (310a)的工序；以及去除相當(dāng)于上述凹部（311)的底面的上述絕緣體層（33A)形成上述收 納槽（300A)，且在上述收納槽（300A)的一端形成與上述光纖（5)的包層（52)對置的上述端 面（33Ac)的工序。
[0082] 以上，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但上述所記載的實(shí)施方式并不對要求保 護(hù)的范圍所涉及的發(fā)明進(jìn)行限定。另外，應(yīng)注意如下這點(diǎn)，并不是在實(shí)施方式中說明的特征 的結(jié)合的全部都是用于解決發(fā)明的課題的方法所必須的。
[0083] 在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，能夠適當(dāng)?shù)丶右宰冃蔚貙?shí)施本發(fā)明。例如，在上 述實(shí)施方式中，對在光布線基板3形成了一個(gè)收納部300、收納槽300A以及光模塊1、1A的 情況進(jìn)行了說明，但并不局限于此，也可以在光布線基板3上形成多個(gè)收納部300、收納槽 300A以及光模塊結(jié)構(gòu)。
[0084] 另外，在上述實(shí)施方式中，對第一導(dǎo)體層31以及第二導(dǎo)體層32為銅（Cu)的情況進(jìn) 行了說明，但并不局限于此，第一導(dǎo)體層31以及第二導(dǎo)體層32的一部分或全部例如也可以 是鋁（A1)。另外，鍍層中的材質(zhì)也不局限于上述的材質(zhì)。絕緣體層33、33A的材質(zhì)也不局限 于聚酰亞胺，例如也可以是PET (Polyethylene terephthalate :聚對苯二甲酸乙二醇酯）。
[0085] 在上述實(shí)施方式中，使激光垂直照射絕緣體層33、33A來形成收納部300、收納槽 300A以及端面33c、33Ac，但并不局限于此，也可以通過調(diào)節(jié)了激光的透射率的蔭罩（i ^ 卜''一7 7々）、切割等機(jī)械加工來形成。在機(jī)械加工的情況下，能夠以比利用激光的加工的 成本更低的成本來形成收納部300、收納槽300A以及端面33c、33Ac。
[0086] 另外，在上述第一實(shí)施方式中，作為支承基板層使用第二金屬層32,但并不局限于 此，也可以替換第二金屬層32,例如使用由樹脂等絕緣材料構(gòu)成的板狀的部件作為支承基 板層。
【權(quán)利要求】
1. 一種光布線基板，其特征在于，具備： 絕緣體層，其由樹脂構(gòu)成；以及 第一導(dǎo)體層，其由金屬構(gòu)成并層疊于上述絕緣體層，具有相對于光纖的光軸傾斜的傾 斜面； 上述絕緣體層具有與上述光纖的包層對置的端面， 上述第一導(dǎo)體層的上述傾斜面形成于與上述光纖的芯部對置的位置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光布線基板，其特征在于， 以跨越上述第一導(dǎo)體層以及上述絕緣體層的整個(gè)厚度方向的方式形成沿上述光纖的 長度方向延伸且收納上述光纖的至少一部分的收納部， 還具有支承基板層，其具有對收納于上述收納部的上述光纖進(jìn)行支承的支承面，并被 配置成隔著上述絕緣體層與上述第一導(dǎo)體層平行， 在上述收納部的上述長度方向的一端形成有上述端面。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光布線基板，其特征在于， 上述絕緣體層的厚度方向的尺寸是上述光纖的包層的徑向的厚度尺寸的0. 8倍以上 1.2倍以下。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光布線基板，其特征在于， 上述支承基板層是由金屬構(gòu)成的第二導(dǎo)體層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光布線基板，其特征在于， 在上述絕緣體層沿上述光纖的長度方向形成有收納上述光纖的至少一部分的收納槽， 上述光纖被支承于上述收納槽的底面。
6. -種具備權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的光布線基板、和安裝于上述光布線基板 的光電轉(zhuǎn)換元件的光模塊。
7. -種光布線基板的制造方法，其特征在于， 該光布線基板的制造方法是權(quán)利要求1所述的光布線基板的制造方法，具有： 在上述絕緣體層的表面形成上述第一導(dǎo)體層的工序； 去除上述第一導(dǎo)體層的一部分而形成布線圖案的工序； 在上述第一導(dǎo)體層形成上述傾斜面的工序；以及 去除上述絕緣體層的一部分而形成上述端面的工序。
8. -種光布線基板的制造方法，其特征在于， 該光布線基板的制造方法是權(quán)利要求2至4中任意一項(xiàng)所述的光布線基板的制造方 法，具有： 在上述絕緣體層的表面形成上述第一導(dǎo)體層，且在上述絕緣體層的背面形成上述支承 基板層的工序； 去除上述第一導(dǎo)體層的一部分而形成布線圖案，且形成成為上述收納部的凹部的工 序； 在上述第一導(dǎo)體層形成上述傾斜面的工序；以及 跨越整個(gè)厚度方向地去除相當(dāng)于上述凹部的底面的上述絕緣體層直至到達(dá)上述支承 基板層，從而形成上述收納部，并形成與上述光纖的包層對置的上述端面的工序。
9. 一種光布線基板的制造方法，其特征在于， 該光布線基板的制造方法是權(quán)利要求5所述的光布線基板的制造方法，具有： 在上述絕緣體層的表面形成上述第一導(dǎo)體層的工序； 去除上述第一導(dǎo)體層的一部分而形成布線圖案，且形成成為上述收納槽的凹部的工 序； 在上述第一導(dǎo)體層形成上述傾斜面的工序；以及 去除相當(dāng)于上述凹部的底面的上述絕緣體層而形成上述收納槽，且在上述收納槽的一 端形成與上述光纖的包層對置的上述端面的工序。
【文檔編號】G02B6/42GK104142542SQ201410058614
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2014年2月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月7日
【發(fā)明者】石川浩史, 平野光樹, 安田裕紀(jì) 申請人:日立金屬株式會(huì)社