像素分隔墻的制作方法、陣列基板、以及amecd的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種像素分隔墻的制作方法、陣列基板、以及AMECD，用以解決目前像素分隔墻會與像素電極部分交疊，使得像素開口率變小的問題。本發(fā)明實施例的像素分隔墻制作方法包括：在襯底基板上依次沉積導(dǎo)電膜層和固體介質(zhì)層；采用同一掩膜版，先對固體介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕處理以形成固體部件，再對導(dǎo)電膜層進(jìn)行刻蝕處理以形成與固體部件完全重合的像素電極；在形成有固體部件的基板表面上旋涂混合液；在像素電極上施加第一直流電壓信號，在混合液中施加第二直流電壓信號，且第一直流電壓信號的電壓值大于第二直流電壓信號的電壓值；加熱蒸發(fā)掉混合液中的電潤濕溶劑，并對剩余的聚合物單體進(jìn)行固化處理，形成像素分隔墻。
【專利說明】像素分隔墻的制作方法、陣列基板、以及AMECD
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種像素分隔墻的制作方法、陣列基板、以及AMECD。
【背景技術(shù)】
[0002]電致變色顯示是一種新型的顯示技術(shù)，與液晶顯示相比，其具有清晰度高、視角大、工作電壓低、以及不需要背光和偏光片等優(yōu)點，因此，得到了快速的發(fā)展。
[0003]目前主流的 ECD (Electrochomeric Display,電致變色顯不器)為 AMECD (ActiveMatrix E⑶，有源矩陣式電致變色顯示器)，其包括兩種進(jìn)行彩色顯示的結(jié)構(gòu):第一種是RGB(紅綠藍(lán))彩膜+ —種EC電解液的結(jié)構(gòu)，第二種是RGB三種EC電解液的結(jié)構(gòu)。
[0004]對于任一種進(jìn)行彩色顯示的AME⑶結(jié)構(gòu)，為了避免相鄰像素顯示色彩的串?dāng)_，目前的AMECD中一般會設(shè)置有用于分隔相鄰像素的像素分隔墻。其中，目前制作像素分隔墻的步驟包括:在表層包含像素電極的第一基板上涂布一層光刻膠；采用掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行曝光，其中，所述像素電極對應(yīng)所述掩膜版的不透光區(qū)域，具體如圖1A所示；清洗掉所述掩膜版的不透光區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠，形成與所述像素電極間隔設(shè)置的像素分隔墻，具體如圖1B所示。
[0005]由于光線存在衍射和散射現(xiàn)象，因此制作出的像素分隔墻的實際寬度要比掩膜板的透光區(qū)域?qū)挾却蟮枚啵沟孟袼胤指魤εc像素電極部分交疊，具體如圖1B所示；而且，由于目前很難實現(xiàn)像素電極與掩膜版的不透光區(qū)域位置的精準(zhǔn)對應(yīng)，因此，也可能導(dǎo)致制作出的像素分隔墻與像素電極部分交疊，使得像素的開口率變小，降低AMECD的顯示效果。
[0006]綜上所述，采用目前方法制作出的像素分隔墻很可能會與像素電極部分交疊，使得像素的開口率變小，降低AME⑶的顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明實施例提供一種像素分隔墻的制作方法、陣列基板、以及AMECD，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的制作出的像素分隔墻很可能會與像素電極部分交疊，使得像素的開口率變小，降低AME⑶的顯示效果的問題。
[0008]第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種像素分隔墻的制作方法，包括:
[0009]在襯底基板上依次沉積導(dǎo)電膜層和固體介質(zhì)層；其中，所述襯底基板包括薄膜晶體管TFT和全面覆蓋所述TFT的平坦化層，所述平坦化層包含露出所述TFT的漏極的過孔；
[0010]采用同一掩膜版，先對所述固體介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕處理以形成固體部件，再對所述導(dǎo)電膜層進(jìn)行刻蝕處理以形成與所述固體部件完全重合、且通過所述過孔與所述漏極電連接的像素電極；
[0011]在形成有所述固體部件的基板表面上旋涂一層混合液，其中，所述混合液包括電潤濕溶劑和聚合物單體；
[0012]在設(shè)定時長內(nèi)，通過分別與所述TFT的柵極和源極電連接的柵線和數(shù)據(jù)線，在與所述TFT的漏極電連接的所述像素電極上施加第一直流電壓信號，并在所述混合液中施加第二直流電壓信號，且所述第一直流電壓信號的電壓值大于第二直流電壓信號的電壓值；
[0013]加熱蒸發(fā)掉所述混合液中的電潤濕溶劑，并對剩余的所述聚合物單體進(jìn)行固化處理，形成所述像素分隔墻；
[0014]其中，所述固體介質(zhì)層滿足如下特性:在初始狀態(tài)下，其上表面具有親水性；而在所述像素電極上施加所述第一直流電壓信號，并在所述混合液中施加所述第二直流電壓信號時，其上表面由具有親水性轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂惺杷浴?br> [0015]較佳地，所述在混合液中施加第二直流電壓信號，具體包括:
[0016]將一端接地的電極弓I線通入所述混合液中。
[0017]較佳地，該方法還包括:在設(shè)定時長到達(dá)后，拆除所述電極引線。
[0018]較佳地，所述聚合物單體包括丙烯酸酯或者環(huán)氧樹脂；
[0019]當(dāng)所述聚合物單體為丙烯酸酯時，對所述聚合物單體進(jìn)行固化處理，具體包括:
[0020]在溫度為150°C?230°C的條件下，對所述聚合物單體進(jìn)行不小于I小時的熱固化；
[0021]當(dāng)所述聚合物單體為環(huán)氧樹脂時，對所述聚合物單體進(jìn)行固化處理，具體包括:
[0022]在功率不小于I焦耳每秒的條件下，對所述聚合物單體進(jìn)行I秒?10秒的紫外固化。
[0023]較佳地，所述設(shè)定時長大于O且不大于I分鐘。
[0024]較佳地，所述第一直流電壓信號的電壓值大于O伏特且不大于50伏特。
[0025]較佳地，所述電潤濕溶劑包括極性溶劑和非極性溶劑；
[0026]所述極性溶劑包括水、氯化鈉水溶液和氯化鉀中的一種；
[0027]所述非極性溶劑包括硅油、癸烷、十二烷和十四烷中的一種。
[0028]較佳地，所述固體介質(zhì)層的材料包括氮化硅、二氧化硅和氧化鋁中的一種。
[0029]第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括:像素電極，位于所述像素電極上方、且與所述像素電極完全重合的固體部件，以及位于所述固體部件和像素電極周圍區(qū)域的像素分隔墻，其中:
[0030]所述像素分隔墻采用本發(fā)明實施例中所述的方法制作。
[0031]第三方面，本發(fā)明實施例提供了一種有源矩陣式電致變色顯示器，其中:包括本發(fā)明實施例中所述的陣列基板。
[0032]本發(fā)明實施例的有益效果包括:
[0033]形成的像素電極、以及位于所述像素電極上方的固體部件完全重合；
[0034]在初始狀態(tài)下，固體部件上表面具有親水性，因此，位于固體部件上的混合液能夠在固體部件上鋪展開；
[0035]在所述像素電極上施加第一直流電壓信號，并在所述混合液中施加第二直流電壓信號后，固體部件上表面由具有親水性轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂惺杷?，因此，位于固體部件上的混合液會收縮到所述固體部件的周圍區(qū)域，即，所述混合液會收縮到與固體部件完全重合的像素電極的周圍區(qū)域，使得由所述混合液得到的像素分隔墻不會與像素電極交疊，從而提高像素的開口率，以及提高包含本發(fā)明實施例的像素分隔墻和像素電極的AMECD的顯示效果。【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]圖1A和圖1B為現(xiàn)有技術(shù)中制作像素分隔墻的過程示意圖；
[0037]圖2為本發(fā)明實施例中制作像素分隔墻的方法流程示意圖；
[0038]圖3A?圖3D為本發(fā)明實施例中制作像素分隔墻的過程示意圖；
[0039]圖4A為本發(fā)明實施例中包含RGB三種EC電解液的AME⑶結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖4B為本發(fā)明實施例中包含RGB彩膜和一種EC電解液的AME⑶結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0041]與現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明實施例中，在襯底基板上依次沉積導(dǎo)電膜層和固體介質(zhì)層；采用同一掩膜版，先對所述固體介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕處理以形成固體部件，再對所述導(dǎo)電膜層進(jìn)行刻蝕處理以形成與所述固體部件完全重合的像素電極；在形成有所述固體部件的基板表面上旋涂一層混合液；在設(shè)定時長內(nèi)，在所述像素電極上施加第一直流電壓信號，并在所述混合液中施加第二直流電壓信號，且所述第一直流電壓信號的電壓值大于第二直流電壓信號的電壓值；加熱蒸發(fā)掉所述混合液中的電潤濕溶劑，并對剩余的所述聚合物單體進(jìn)行固化處理，形成所述像素分隔墻；
[0042]因此，形成的像素電極、以及位于所述像素電極上方的固體部件完全重合；在初始狀態(tài)下，固體部件上表面具有親水性，使得位于固體部件上的混合液能夠在固體部件上鋪展開；在所述像素電極上施加第一直流電壓信號，并在所述混合液中施加第二直流電壓信號后，固體部件上表面由具有親水性轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂惺杷?，使得位于固體部件上的混合液會收縮到所述固體部件的周圍區(qū)域，即，所述混合液會收縮到與固體部件完全重合的像素電極的周圍區(qū)域，從而使得由所述混合液得到的像素分隔墻不會與像素電極交疊，進(jìn)而提高了像素的開口率，以及提高了包含本發(fā)明實施例的像素分隔墻和像素電極的AMECD的顯示效果。
[0043]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例的【具體實施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說明。
[0044]較佳地，如圖2所示，本發(fā)明實施例提供了一種像素分隔墻的制作方法，包括:
[0045]步驟201、在襯底基板上依次沉積導(dǎo)電膜層和固體介質(zhì)層；其中，所述襯底基板包括TFT和全面覆蓋所述TFT的平坦化層，所述平坦化層包含露出所述TFT的漏極的過孔；
[0046]步驟202、采用同一掩膜版，先對所述固體介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕處理以形成固體部件，再對所述導(dǎo)電膜層進(jìn)行刻蝕處理以形成與所述固體部件完全重合、且通過所述過孔與所述漏極電連接的像素電極；
[0047]步驟203、在形成有所述固體部件的基板表面上旋涂一層混合液，其中，所述混合液包括電潤濕溶劑和聚合物單體；
[0048]步驟204、在設(shè)定時長內(nèi)，通過分別與所述TFT的柵極和源極電連接的柵線和數(shù)據(jù)線，在與所述TFT的漏極電連接的所述像素電極上施加第一直流電壓信號，并在所述混合液中施加第二直流電壓信號，且所述第一直流電壓信號的電壓值大于第二直流電壓信號的電壓值；
[0049]步驟205、加熱蒸發(fā)掉所述混合液中的電潤濕溶劑，并對剩余的所述聚合物單體進(jìn)行固化處理，形成所述像素分隔墻；
[0050]其中，所述固體介質(zhì)層滿足如下特性:在初始狀態(tài)下，其上表面具有親水性；而在所述像素電極上施加所述第一直流電壓信號，并在所述混合液中施加所述第二直流電壓信號時，其上表面由具有親水性轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂惺杷浴?br> [0051]實施中，形成的像素電極、以及位于所述像素電極上方的固體部件完全重合；在初始狀態(tài)下，固體部件上表面具有親水性，因此，位于固體部件上的混合液能夠在固體部件上鋪展開；在所述像素電極上施加第一直流電壓信號，并在所述混合液中施加第二直流電壓信號后，固體部件上表面由具有親水性轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂惺杷?，因此，位于固體部件上的混合液會收縮到所述固體部件的周圍區(qū)域，即，所述混合液會收縮到與固體部件完全重合的像素電極的周圍區(qū)域，使得由所述混合液得到的像素分隔墻不會與像素電極交疊，從而提高了像素的開口率，以及提高了包含本發(fā)明實施例的像素分隔墻和像素電極的AMECD的顯示效果；相應(yīng)地，本發(fā)明實施例的像素分隔墻的制作方法適用于高分辨率的AMECD。
[0052]實施中，在制作像素分隔墻時，不需要采用掩膜版，因此制作像素分隔墻的成本比較低，尤其對于大尺寸的AMECD，與現(xiàn)有技術(shù)中的像素分隔墻制作方法相比，本發(fā)明實施例中的像素分隔墻制作方法在降低成本上具有非常大的優(yōu)勢。
[0053]實施中，本發(fā)明實施例中制作像素分隔墻的各步驟工藝簡單，且易于實現(xiàn)。
[0054]需要說明的是，本發(fā)明實施例中的襯底基板除了可以包括TFT和全面覆蓋所述TFT的平坦化層，還可以包含其他膜層，而且該其他膜層的數(shù)量和結(jié)構(gòu)可以有多種實施方式；具體地，本發(fā)明實施例中的襯底基板的實施方式與現(xiàn)有技術(shù)中AMECD包含的陣列基板的實施方式類似。
[0055]較佳地，在步驟201中，導(dǎo)電膜層的材料為現(xiàn)有技術(shù)中任一種用于制作像素電極的材料。
[0056]較佳地，在步驟201中，固體介質(zhì)層的材料為包含如下特性的任一種材料:在初始狀態(tài)下，其上表面具有親水性；而在所述像素電極上施加所述第一直流電壓信號，并在所述混合液中施加所述第二直流電壓信號時，其上表面由具有親水性轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂惺杷浴?br> [0057]較佳地，在步驟201中，固體介質(zhì)層的材料包括氮化硅、二氧化硅和氧化鋁中的一種。
[0058]實施中，在步驟201中，在襯底基板上沉積導(dǎo)電膜層時，導(dǎo)電膜層會落入并填滿所述過孔，且實現(xiàn)與TFT的漏極接觸。
[0059]實施中，在步驟202中，由于采用同一掩膜版對固體介質(zhì)層和導(dǎo)電膜層進(jìn)行刻蝕處理，因此，由固體介質(zhì)層刻蝕而成的固體部件與由導(dǎo)電膜層刻蝕而成的像素電極完全重合；
[0060]具體如圖3A所示，其中:固體部件40與像素電極10完全重合；
[0061]圖3A的截面圖如圖4A和圖4B所示，像素電極10通過過孔20與TFT30的漏極31電連接，固體部件40與像素電極10完全重合。
[0062]較佳地，在步驟203中，混合液中的電潤濕溶劑可以為現(xiàn)有技術(shù)中的任一種電潤濕溶劑。
[0063]較佳地，所述電潤濕溶劑包括極性溶劑和非極性溶劑；
[0064]所述極性溶劑包括水、氯化鈉水溶液和氯化鉀中的一種；
[0065]所述非極性溶劑包括硅油、癸烷、十二烷和十四烷中的一種。
[0066]較佳地，在步驟203中，混合液中的聚合物單體為現(xiàn)有技術(shù)中任一種聚合物單體。[0067]較佳地，所述聚合物單體滿足特性:固化時間小于設(shè)定時間閾值。
[0068]較佳地，設(shè)定時間閾值可以根據(jù)經(jīng)驗或需要設(shè)定，比如，根據(jù)經(jīng)驗設(shè)定為I天。
[0069]實施中，在較短的時間內(nèi)可以實現(xiàn)對聚合物單體的固化處理，可以節(jié)省制作像素分隔墻的時間，提聞制作像素分隔墻的效率。
[0070]較佳地，所述聚合物單體包括丙烯酸酯、環(huán)氧樹脂或者苯乙烯。
[0071]較佳地，在步驟203中，混合液中電潤濕溶劑和聚合物單體的質(zhì)量、以及二者的比例可以根據(jù)需要或者經(jīng)驗設(shè)定。
[0072]較佳地，混合液中聚合物單體的質(zhì)量滿足:制作出的像素分隔墻的高度大于設(shè)定高度閾值。
[0073]較佳地，設(shè)定高度閾值可以根據(jù)需要或者經(jīng)驗設(shè)定，只要滿足能夠分隔相鄰像素即可。
[0074]較佳地，混合液中電潤濕溶劑的質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于設(shè)定質(zhì)量分?jǐn)?shù)閾值。
[0075]較佳地，設(shè)定質(zhì)量分?jǐn)?shù)閾值可以根據(jù)需要或者經(jīng)驗設(shè)定，比如，根據(jù)經(jīng)驗設(shè)定為百分之五十。
[0076]實施中，混合液中電潤濕溶劑的質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于設(shè)定質(zhì)量分?jǐn)?shù)閾值，可以保證混合液具有較好的流動性。
[0077]實施中，在步驟203中，在初始狀態(tài)下，固體介質(zhì)層上表面具有親水性，因此，旋涂的混合液會均勻地分布在形成有固體部件的基板表面上，具體如圖3B所示，旋涂的混合液100均勻地分布在形成有固體部件的基板表面上。
[0078]較佳地，在步驟204中，設(shè)定時長只要滿足如下條件即可:在設(shè)定時長到達(dá)后，固體部件上表面具有疏水性。
[0079]較佳地，所述設(shè)定時長大于O且不大于I分鐘。
[0080]較佳地，在步驟204中，通過分別與所述TFT的柵極和源極電連接的柵線和數(shù)據(jù)線，在與所述TFT的漏極電連接的所述像素電極上施加第一直流電壓信號的實施方式與現(xiàn)有技術(shù)中通過在柵線和數(shù)據(jù)線上施加電信號，以實現(xiàn)在像素電極上施加第一直流電壓信號的實施方式類似，在此不再贅述。
[0081]具體實施中，在步驟204中，現(xiàn)有技術(shù)中任一種在混合液中施加第二直流電壓信號的實施方式均適用于本發(fā)明實施例。
[0082]較佳地，在步驟204中，在混合液中施加第二直流電壓信號，具體包括:
[0083]將一端接地的電極弓I線通入所述混合液中。
[0084]實施中，可以保證用電的安全性。
[0085]較佳地，在步驟204中，所述第一直流電壓信號的電壓值大于O伏特且不大于50伏特。
[0086]較佳地，該方法還包括:在設(shè)定時長到達(dá)后，停止在與所述TFT的漏極電連接的所述像素電極上施加第一直流電壓信號，以及停止在所述混合液中施加第二直流電壓信號。
[0087]具體實施中，停止在與所述TFT的漏極電連接的所述像素電極上施加第一直流電壓信號的實施方式與現(xiàn)有技術(shù)中停止在與所述TFT的漏極電連接的所述像素電極上施加第一直流電壓信號在像素電極上施加第一直流電壓信號的實施方式類似，在此不再贅述。
[0088]具體實施中，停止在所述混合液中施加第二直流電壓信號的實施方式與現(xiàn)有技術(shù)中停止在所述混合液中施加第二直流電壓信號的實施方式類似，在此不再贅述。
[0089]較佳地，在將一端接地的電極引線通入所述混合液中時，該方法還包括:在設(shè)定時長到達(dá)后，拆除所述電極引線。
[0090]實施中，在步驟204中，在像素電極上施加第一直流電壓信號，并在混合液中施加第二直流電壓信號后，固體部件上表面由具有親水性轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂惺杷?，因此，位于固體部件上的混合液會收縮到固體部件和像素電極的周圍區(qū)域；
[0091]具體如圖3C所示，混合液100收縮到了固體部件40和像素電極10的周圍區(qū)域。
[0092]下面將對在像素電極上施加第一直流電壓信號，并在混合液中施加第二直流電壓信號后，固體部件上表面由具有親水性轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂惺杷缘脑磉M(jìn)行簡單介紹:
[0093]在像素電極上施加第一直流電壓信號，并在混合液中施加第二直流電壓信號后，由于固體部件兩側(cè)形成電壓差，且下側(cè)的電壓值大于上側(cè)的電壓值，因此，固體部件的上表面的電荷分布改變了，使得混合液在固體部件上的表面張力減小了，從而使得固體部件上表面由具有親水性轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂惺杷浴?br> [0094]較佳地，在步驟205中，在溫度不小于100°C的條件下，加熱蒸發(fā)掉所述混合液中的電潤濕溶劑。
[0095]具體實施中，在步驟205中，在聚合物單體的材料不同時，對聚合物單體進(jìn)行固化處理的方法也不同。
[0096]較佳地，當(dāng)所述聚合物單體為丙烯酸酯時，在步驟205中，對所述聚合物單體進(jìn)行固化處理，具體包括:
[0097]在溫度為150°C?230°C的條件下，對所述聚合物單體進(jìn)行不小于I小時的熱固化。
[0098]較佳地，當(dāng)所述聚合物單體為環(huán)氧樹脂時，在步驟205中，對所述聚合物單體進(jìn)行固化處理，具體包括:
[0099]在功率不小于I焦耳每秒的條件下，對所述聚合物單體進(jìn)行I秒?10秒的紫外固化。
[0100]較佳地，在步驟205中，由所述聚合物單體固化處理后得到的聚合物的壓縮比例滿足:能夠支撐用于對盒以形成AMECD的上基板和下基板。
[0101]較佳地，由所述聚合物單體固化處理后得到的聚合物的壓縮比例的取值范圍為:(0,10%]。
[0102]實施中，將固化處理后的聚合物單體作為像素分隔墻，而像素分隔墻位于用于對盒以形成AMECD的上基板和下基板之間，因此，固化處理后的聚合物單體的實施方式與液晶顯示裝置中的PS (隔墊物)的實施方式類似，其壓縮比例需要滿足:能夠支撐用于對盒以形成AME⑶的上基板和下基板。
[0103]實施中，在步驟205中，在對位于固體部件和像素電極周圍區(qū)域的混合液進(jìn)行加熱蒸發(fā)和固化處理后，即得到位于固體部件和像素電極周圍區(qū)域的像素分隔墻；
[0104]具體如圖3D所示，像素分隔墻50位于固體部件40和像素電極10的周圍區(qū)域。
[0105]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括:像素電極，位于所述像素電極上方、且與所述像素電極完全重合的固體部件，以及位于所述固體部件和像素電極周圍區(qū)域的像素分隔墻，其中:[0106]所述像素分隔墻采用本發(fā)明實施例中所述的方法制作。
[0107]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例提供了一種AMECD，其中:包括本發(fā)明實施例中所述的陣列基板。
[0108]實施例一
[0109]包含RGB三種EC電解液的AME⑶的結(jié)構(gòu)如圖4A所示，在本發(fā)明實施例中，將對制作包含RGB三種EC電解液的AME⑶的過程進(jìn)行介紹。
[0110]較佳地，本發(fā)明實施例制作包含RGB三種EC電解液的AME⑶的方法，包括:
[0111]步驟Al、形成包括TFT和全面覆蓋所述TFT的平坦化層的襯底基板，所述平坦化層包含露出所述TFT的漏極的過孔；
[0112]如圖4A所示，襯底基板包括TFT30和全面覆蓋TFT30的平坦化層60，平坦化層60包含過孔20，過孔20露出TFT30的漏極31。
[0113]步驟A2、在襯底基板上依次沉積導(dǎo)電膜層和固體介質(zhì)層；
[0114]步驟A3、采用同一掩膜版，先對所述固體介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕處理以形成固體部件，再對所述導(dǎo)電膜層進(jìn)行刻蝕處理以形成與所述固體部件完全重合、且通過所述過孔與所述漏極電連接的像素電極；
[0115]如圖4A所示，像素電極10通過過孔20與TFT30的漏極31電連接，固體部件40
與像素電極10完全重合。
[0116]步驟A4、在形成有所述固體部件的基板表面上旋涂一層混合液，其中，所述混合液包括電潤濕溶劑和聚合物單體；
[0117]步驟A5、在設(shè)定時長內(nèi)，通過分別與所述TFT的柵極和源極電連接的柵線和數(shù)據(jù)線，在與所述TFT的漏極電連接的所述像素電極上施加第一直流電壓信號，并在所述混合液中施加第二直流電壓信號，且所述第一直流電壓信號的電壓值大于第二直流電壓信號的電壓值；
[0118]步驟A6、加熱蒸發(fā)掉所述混合液中的電潤濕溶劑，并對剩余的所述聚合物單體進(jìn)行固化處理，形成所述像素分隔墻；
[0119]如圖4A所示，像素分隔墻50位于固體部件40和像素電極10的周圍區(qū)域。
[0120]步驟A7、在相鄰像素分隔墻之間的所述固體部件上形成電致變色層；
[0121]如圖4A所示，電致變色層70分為RGB三種，其中每種電致變色層70的電解液不同。
[0122]步驟AS、將包括公共電極層的上基板與所述襯底基板對盒，以形成包含RGB三種EC電解液的AME⑶。
[0123]如圖4A所示，上基板I包括公共電極層80。
[0124]實施例二
[0125]包含RGB彩膜和一種EC電解液的AME⑶的結(jié)構(gòu)如圖4B所示，在本發(fā)明實施例中，將對制作包含RGB彩膜和一種EC電解液的AMECD的過程進(jìn)行介紹。
[0126]較佳地，本發(fā)明實施例制作包含RGB彩膜和一種EC電解液的AME⑶的方法，包括:
[0127]步驟B1、形成包括TFT和全面覆蓋所述TFT的平坦化層的襯底基板，所述平坦化層包含露出所述TFT的漏極的過孔；
[0128]如圖4B所示，襯底基板包括TFT30和全面覆蓋TFT30的平坦化層60，平坦化層60包含過孔20，過孔20露出TFT30的漏極31。
[0129]步驟B2、在襯底基板上依次沉積導(dǎo)電膜層和固體介質(zhì)層；
[0130]步驟B3、采用同一掩膜版，先對所述固體介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕處理以形成固體部件，再對所述導(dǎo)電膜層進(jìn)行刻蝕處理以形成與所述固體部件完全重合、且通過所述過孔與所述漏極電連接的像素電極；
[0131]如圖4B所示，像素電極10通過過孔20與TFT30的漏極31電連接，固體部件40
與像素電極10完全重合。
[0132]步驟B4、在形成有所述固體部件的基板表面上旋涂一層混合液，其中，所述混合液包括電潤濕溶劑和聚合物單體；
[0133]步驟B5、在設(shè)定時長內(nèi)，通過分別與所述TFT的柵極和源極電連接的柵線和數(shù)據(jù)線，在與所述TFT的漏極電連接的所述像素電極上施加第一直流電壓信號，并在所述混合液中施加第二直流電壓信號，且所述第一直流電壓信號的電壓值大于第二直流電壓信號的電壓值；
[0134]步驟B6、加熱蒸發(fā)掉所述混合液中的電潤濕溶劑，并對剩余的所述聚合物單體進(jìn)行固化處理，形成所述像素分隔墻；
[0135]如圖4B所示，像素分隔墻50位于固體部件40和像素電極10的周圍區(qū)域。
[0136]步驟B7、在相鄰像素分隔墻之間的所述固體部件上形成電致變色層；
[0137]如圖4B所示，電致變色層70的電解液均相同。
[0138]步驟B8、將包括公共電極層和RGB彩膜層的上基板與所述襯底基板對盒，以形成包含RGB彩膜和一種EC電解液的AME⑶。
[0139]如圖4B所示，上基板I包括公共電極層80和位于公共電極層80面向襯底基板一側(cè)的RGB彩膜層90。
[0140]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0141]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素分隔墻的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上依次沉積導(dǎo)電膜層和固體介質(zhì)層；其中，所述襯底基板包括薄膜晶體管TFT和全面覆蓋所述TFT的平坦化層，所述平坦化層包含露出所述TFT的漏極的過孔； 采用同一掩膜版，先對所述固體介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕處理以形成固體部件，再對所述導(dǎo)電膜層進(jìn)行刻蝕處理以形成與所述固體部件完全重合、且通過所述過孔與所述漏極電連接的像素電極； 在形成有所述固體部件的基板表面上旋涂一層混合液，其中，所述混合液包括電潤濕溶劑和聚合物單體； 在設(shè)定時長內(nèi)，通過分別與所述TFT的柵極和源極電連接的柵線和數(shù)據(jù)線，在與所述TFT的漏極電連接的所述像素電極上施加第一直流電壓信號，并在所述混合液中施加第二直流電壓信號，且所述第一直流電壓信號的電壓值大于第二直流電壓信號的電壓值； 加熱蒸發(fā)掉所述混合液中的電潤濕溶劑，并對剩余的所述聚合物單體進(jìn)行固化處理，形成所述像素分隔墻； 其中，所述固體介質(zhì)層滿足如下特性:在初始狀態(tài)下，其上表面具有親水性；而在所述像素電極上施加所述第一直流電壓信號，并在所述混合液中施加所述第二直流電壓信號時，其上表面由具有親水性轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂惺杷浴?br> 2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在混合液中施加第二直流電壓信號，具體包括: 將一端接地的電極引線通入所述混合液中。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，還包括:在設(shè)定時長到達(dá)后，拆除所述電極引線。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚合物單體包括丙烯酸酯或者環(huán)氧樹月旨; 當(dāng)所述聚合物單體為丙烯酸酯時，對所述聚合物單體進(jìn)行固化處理，具體包括: 在溫度為150°C~230°C的條件下，對所述聚合物單體進(jìn)行不小于I小時的熱固化； 當(dāng)所述聚合物單體為環(huán)氧樹脂時，對所述聚合物單體進(jìn)行固化處理，具體包括: 在功率不小于I焦耳每秒的條件下，對所述聚合物單體進(jìn)行I秒~10秒的紫外固化。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述設(shè)定時長大于O且不大于I分鐘。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一直流電壓信號的電壓值大于O伏特且不大于50伏特。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電潤濕溶劑包括極性溶劑和非極性溶劑； 所述極性溶劑包括水、氯化鈉水溶液和氯化鉀中的一種； 所述非極性溶劑包括硅油、癸烷、十二烷和十四烷中的一種。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述固體介質(zhì)層的材料包括氮化硅、二氧化硅和氧化鋁中的一種。
9.一種陣列基板，其特征在于，包括:像素電極，位于所述像素電極上方、且與所述像素電極完全重合的固體部件，以及位于所述固體部件和像素電極周圍區(qū)域的像素分隔墻，其中:所述像素分隔墻采用如權(quán)利要求1~8任一所述的方法制作。
10.一種有 源矩陣式電致變色顯示器，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/161GK103941512SQ201410146175
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年4月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月11日
【發(fā)明者】王新星, 姚繼開 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司