一種像素分隔墻及其制作方法、基板、以及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，特別涉及一種像素分隔墻及其制作方法、基板、以及顯示裝置，用以解決采用目前方法制作出的像素分隔墻會導致像素的開口率變小的問題。本發(fā)明實施例的像素分隔墻的制作方包括：采用掩膜版，在基板上形成具有磁性的黑矩陣；在形成有黑矩陣的所述基板表面上均勻地噴涂一層均勻混合有納米磁性微球的分散劑；其中，所述納米磁性微球包括磁性材料、以及包裹所述磁性材料且表面包含活性分子鏈的預聚物；加熱蒸發(fā)掉所述分散劑，所述納米磁性微球聚集到黑矩陣對應區(qū)域；加熱熔融所述納米磁性微球的預聚物，并對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行固化處理，形成所述像素分隔墻。本發(fā)明實施例提高了像素的開口率。
【專利說明】—種像素分隔墻及其制作方法、基板、以及顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種像素分隔墻及其制作方法、基板、以及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]電致變色顯示是一種新型的顯示技術，與液晶顯示相比，其具有清晰度高、視角大、工作電壓低、以及不需要背光和偏光片等優(yōu)點，因此，得到了快速的發(fā)展。
[0003]目前主流的 ECD (Electrochomeric Display,電致變色顯不器)為 AMECD (ActiveMatrix E⑶，有源矩陣式電致變色顯示器)，其包括兩種進行彩色顯示的結構:第一種是RGB(紅綠藍)彩膜+ —種EC電解液的結構，第二種是RGB三種EC電解液的結構。
[0004]對于任一種進行彩色顯示的AME⑶結構，為了避免相鄰像素顯示色彩的串擾，目前的AMECD中一般會設置有用于分隔相鄰像素的像素分隔墻。目前一般先采用掩膜版在基板上形成黑矩陣，再采用同一掩膜版在形成有黑矩陣的基板上形成與黑矩陣位置對應的像素分隔墻。其中，采用掩膜版在基板上形成黑矩陣的步驟包括:在基板上涂布一層不透光材料，采用掩膜版對所述不透光材料進行曝光，清洗掉所述掩膜版的不透光區(qū)域對應的不透光材料，形成黑矩陣；以及，采用同一掩膜版在形成有黑矩陣的基板上形成像素分隔墻的步驟包括:在形成有黑矩陣的基板上涂布一層光刻膠，采用同一掩膜版對所述光刻膠進行曝光，其中，所述黑矩陣對應所述掩膜版的透光區(qū)域，清洗掉所述掩膜版的不透光區(qū)域對應的光刻膠，形成所述的像素分隔墻。
[0005]由于在采用同一掩膜版對光刻膠進行曝光時，很難實現(xiàn)所述掩膜版的透光區(qū)域與黑矩陣位置的精準對應，因此，可能導致制作出的像素分隔墻與黑矩陣部分交疊，使得像素的開口率變?。涣硗?，由于光線存在衍射和散射現(xiàn)象，因此制作出的黑矩陣和像素分隔墻的實際寬度均要比掩膜板的透光區(qū)域寬度大，而且，由于與不透光材料相比，光刻膠的厚度比較大，相應地，光刻膠成型需要的曝光時間也會比較長，因此，制作出的像素分隔墻的實際寬度會明顯大于黑矩陣的實際寬度，也會導致像素的開口率變小。
[0006]綜上所述，采用目前方法制作出的像素分隔墻會導致像素的開口率變小，降低AME⑶的顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明實施例提供一種像素分隔墻及其制作方法、基板、以及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術中存在的采用目前方法制作出的像素分隔墻會導致像素的開口率變小的問題。
[0008]第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種像素分隔墻的制作方法，包括:
[0009]采用掩膜版，在基板上形成具有磁性的黑矩陣；
[0010]在形成有黑矩陣的所述基板表面上均勻地噴涂一層均勻混合有納米磁性微球的分散劑；其中，所述納米磁性微球包括磁性材料、以及包裹所述磁性材料且表面包含活性分子鏈的預聚物；[0011]加熱蒸發(fā)掉所述分散劑，所述納米磁性微球聚集到黑矩陣對應區(qū)域；
[0012]加熱熔融所述納米磁性微球的預聚物，并對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行固化處理，形成所述像素分隔墻。
[0013]較佳地，所述預聚物包括丙烯酸酯類預聚物；
[0014]所述加熱熔融納米磁性微球的預聚物，具體包括:
[0015]在100°C?200°C的條件下，加熱熔融納米磁性微球的所述預聚物；
[0016]對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行固化處理，具體包括:
[0017]在溫度為150°C?230°C的條件下，對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行不小于I小時的熱固化。
[0018]較佳地，所述預聚物包括環(huán)氧樹脂類預聚物；
[0019]所述加熱熔融納米磁性微球的預聚物，具體包括:
[0020]在100°C?200°C的條件下，加熱熔融納米磁性微球的所述預聚物；
[0021]所述對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行固化處理，具體包括:
[0022]在功率不小于I焦耳每秒的條件下，對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行I秒?10秒的紫外固化。
[0023]較佳地，所述黑矩陣的材料為摻雜有磁性材料的不透光材料；
[0024]其中，所述不透光材料中摻雜的磁性材料包括合金、鐵氧體和金屬間化合物中的一種或多種。
[0025]較佳地，所述分散劑包括硅烷偶聯(lián)劑。
[0026]第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種像素分隔墻，其中:所述像素分隔墻采用本發(fā)明實施例中所述的方法制作。
[0027]較佳地，所述像素分隔墻包括磁性材料、以及經(jīng)過熔融和固化處理后的預聚物；其中，所述預聚物表面包含活性分子鏈。
[0028]第三方面，本發(fā)明實施例提供了一種基板，其中:包括本發(fā)明實施例中所述的像素分隔墻。
[0029]第四方面，本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置，其中:包括本發(fā)明實施例中包括所述的像素分隔墻的基板。
[0030]較佳地，所述顯示裝置為有源矩陣式電致變色顯示器。
[0031 ] 本發(fā)明實施例的有益效果包括:
[0032]與現(xiàn)有技術相比，在本發(fā)明實施例中，先通過分散劑使得磁性納米微球均勻分布在形成有具有磁性的黑矩陣的基板表面上，再通過加熱蒸發(fā)掉所述分散劑使得磁性納米微球因受到吸引力而聚集到黑矩陣對應區(qū)域，最后通過對聚集到黑矩陣對應區(qū)域的磁性納米微球的預聚物進行熔融和固化處理，以形成像素分隔墻；即，制作出的像素分隔墻位于黑矩陣所在區(qū)域內(nèi)，從而提高了像素的開口率，進一步地，提高了包含本發(fā)明實施例的像素分隔墻的AME⑶的顯示效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1為本發(fā)明實施例中制作像素分隔墻的方法流程示意圖；
[0034]圖2A?圖2D為本發(fā)明實施例中制作像素分隔墻的過程示意圖；[0035]圖3為本發(fā)明實施例中納米磁性微球的結構示意圖；
[0036]圖4A為本發(fā)明實施例中包含RGB三種EC電解液的AME⑶結構示意圖；
[0037]圖4B為本發(fā)明實施例中包含RGB彩膜和一種EC電解液的AME⑶結構示意圖。
【具體實施方式】
[0038]在本發(fā)明實施例中，像素分隔墻的制作方法包括:采用掩膜版，在基板上形成具有磁性的黑矩陣；在形成有黑矩陣的所述基板表面上均勻地噴涂一層均勻混合有納米磁性微球的分散劑；其中，所述納米磁性微球包括磁性材料、以及包裹所述磁性材料且表面包含活性分子鏈的預聚物；加熱蒸發(fā)掉所述分散劑，所述納米磁性微球聚集到黑矩陣對應區(qū)域；加熱熔融所述納米磁性微球的預聚物，并對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行固化處理，形成所述像素分隔墻；
[0039]與現(xiàn)有技術相比，先通過分散劑使得磁性納米微球均勻分布在形成有具有磁性的黑矩陣的基板表面上，再通過加熱蒸發(fā)掉所述分散劑使得磁性納米微球因受到吸引力而聚集到黑矩陣對應區(qū)域，最后通過對聚集到黑矩陣對應區(qū)域的磁性納米微球的預聚物進行熔融和固化處理，以形成像素分隔墻；即，制作出的像素分隔墻位于黑矩陣所在區(qū)域內(nèi)，從而提聞了像素的開口率，進一步地，提聞了包含本發(fā)明實施例的像素分隔墻的AME⑶的顯不效果。
[0040]下面結合附圖對本發(fā)明實施例的【具體實施方式】進行詳細地說明。
[0041]較佳地，如圖1所示，本發(fā)明實施例提供了一種像素分隔墻的制作方法，包括:
[0042]步驟101、采用掩膜版，在基板上形成具有磁性的黑矩陣；
[0043]步驟102、在形成有黑矩陣的所述基板表面上均勻地噴涂一層均勻混合有納米磁性微球的分散劑；其中，所述納米磁性微球包括磁性材料、以及包裹所述磁性材料且表面包含活性分子鏈的預聚物；
[0044]步驟103、加熱蒸發(fā)掉所述分散劑，所述納米磁性微球聚集到黑矩陣對應區(qū)域；
[0045]步驟104、加熱熔融所述納米磁性微球的預聚物，并對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行固化處理，形成所述像素分隔墻。
[0046]實施中，與現(xiàn)有技術相比，先通過分散劑使得磁性納米微球均勻分布在形成有具有磁性的黑矩陣的基板表面上，再通過加熱蒸發(fā)掉所述分散劑使得磁性納米微球因受到吸引力而聚集到黑矩陣對應區(qū)域，最后通過對聚集到黑矩陣對應區(qū)域的磁性納米微球的預聚物進行熔融和固化處理，以形成像素分隔墻；
[0047]S卩，在本發(fā)明實施例中，在形成有黑矩陣的基板上制作與黑矩陣位置對應的像素分隔墻時，不需要采用掩膜版，因此，不需要將掩膜版的透光區(qū)域與黑矩陣進行對位，也不需要采用掩膜版進行曝光；而是通過磁性納米微球與具有磁性的黑矩陣配合實施，使得用于形成像素分隔墻的磁性納米微球因受到吸引力而自動聚集到黑矩陣對應區(qū)域，從而使得制作出的像素分隔墻位于黑矩陣所在區(qū)域內(nèi)，從而提高了像素的開口率，進一步地，提高了包含本發(fā)明實施例的像素分隔墻的AME⑶的顯示效果。
[0048]實施中，本發(fā)明實施例中制作出的像素分隔墻位于黑矩陣所在區(qū)域內(nèi)，使得本發(fā)明實施例中的像素開口率比較高，因此，本發(fā)明實施例的像素分隔墻的制作方法適用于高分辨率的AMECD。[0049]實施中，本發(fā)明實施例中制作像素分隔墻的各步驟工藝簡單，且易于實現(xiàn)。
[0050]較佳地，在步驟101中，黑矩陣的材料為摻雜有磁性材料的不透光材料。
[0051]具體實施中，不透光材料為任一種能夠形成黑矩陣的不透光材料。
[0052]較佳地，不透光材料包括鉻及其化合物材料、以及黑色樹脂中的一種。
[0053]具體實施中，不透光材料中摻雜的磁性材料為任一種磁性材料。
[0054]較佳地，不透光材料中摻雜的磁性材料包括合金、鐵氧體和金屬間化合物中的一種或多種。
[0055]較佳地，在步驟101中，基板可以為未形成有膜層結構的基板，比如，玻璃基板；也可以為形成有膜層結構的基板，比如，形成有公共電極層的玻璃基板，或者形成有依次層疊的公共電極層和RGB彩膜層的玻璃基板。
[0056]較佳地，在步驟101中，采用掩膜版在基板上形成黑矩陣的實施方式與現(xiàn)有技術中采用掩膜版在基板上形成黑矩陣的實施方式類似，在此不再贅述。
[0057]實施中，在步驟101中，可以在基板上形成具有磁性的黑矩陣；
[0058]具體如圖2A所示，具有磁性的黑矩陣10在基板00上呈矩陣式排布。
[0059]具體實施中，在步驟102中，分散劑為任一種分散劑。
[0060]較佳地，分散劑包括硅烷偶聯(lián)劑。
[0061 ] 具體實施中，在步驟102中，納米磁性微球的磁性材料為任一種磁性材料。
[0062]較佳地，納米磁性微球的磁性材料包括合金、鐵氧體和金屬間化合物中的一種或多種。
[0063]具體實施中，在步驟102中，納米磁性微球的預聚物為任一種表面包含活性分子鏈的預聚物。
[0064]較佳地，所述預聚物滿足特性:在處于熔融態(tài)時，固化時間小于設定時間閾值。
[0065]較佳地，設定時間閾值可以根據(jù)經(jīng)驗或需要設定，比如，根據(jù)經(jīng)驗設定為I天。
[0066]實施中，在較短的時間內(nèi)可以實現(xiàn)對處于熔融態(tài)的預聚物進行固化處理，可以節(jié)省制作像素分隔墻的時間，提高制作像素分隔墻的效率。
[0067]較佳地，納米磁性微球的預聚物包括丙烯酸酯類預聚物、環(huán)氧樹脂類預聚物和苯乙烯類預聚物中的一種。
[0068]較佳地，在步驟102中，納米磁性微球為核-殼結構或者殼-核-殼結構。
[0069]比如，以核-殼結構的納米磁性微球為例，對本發(fā)明實施例中的納米磁性微球進行簡單介紹；
[0070]核-殼結構的納米磁性微球的具體結構如圖3所示，納米磁性微球類似于球形，其內(nèi)部為球形磁性材料21，外側包裹一層預聚物22，同時預聚物22的表面包含活性短鏈23。
[0071]較佳地，在步驟102中，均勻混合在分散劑中的納米磁性微球的質量滿足:制作出的像素分隔墻的高度大于設定高度閾值。
[0072]較佳地，設定高度閾值可以根據(jù)需要或者經(jīng)驗設定，只要滿足能夠分隔相鄰像素即可。
[0073]實施中，在步驟102中，在分散劑的作用下，磁性納米微球均勻分布在形成有具有磁性的黑矩陣的基板表面上；
[0074]具體如圖2B所示，均勻混合有納米磁性微球的分散劑I均勻地分布在形成有黑矩陣的基板表面上，使得磁性納米微球能夠均勻地分布在形成有具有磁性的黑矩陣的基板表面上。
[0075]較佳地，在步驟103中，在溫度不小于100°C的條件下，加熱蒸發(fā)掉所述分散劑。
[0076]實施中，在步驟103中，加熱蒸發(fā)掉所述分散劑后，均勻地分布在形成有黑矩陣的基板表面上的納米磁性微球因受到具有磁性的黑矩陣的吸引作用力而聚集在黑矩陣對應區(qū)域；
[0077]具體如圖2C所示，納米磁性微球20聚集在黑矩陣10對應區(qū)域。
[0078]較佳地，在步驟104中，加熱熔融所述納米磁性微球的預聚物，具體包括:
[0079]在100°C?200°C的條件下，加熱熔融納米磁性微球的所述預聚物。
[0080]實施中，當所述納米磁性微球的預聚物熔融后，在所述預聚物表面的活性分子鏈中的活性基團的作用下，相鄰納米磁性微球的預聚物會發(fā)生聚合。
[0081]具體實施中，在步驟104中，在預聚物的材料不同時，對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行固化處理的方法也不同。
[0082]較佳地，當所述預聚物包括丙烯酸酯類預聚物時，在步驟104中，對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行固化處理，具體包括:
[0083]在溫度為150°C?230°C的條件下，對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行不小于I小時的熱固化。
[0084]較佳地，當所述預聚物包括環(huán)氧樹脂類預聚物時，在步驟104中，所述對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行固化處理，具體包括:
[0085]在功率不小于I焦耳每秒的條件下，對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行I秒?10秒的紫外固化。
[0086]實施中，當所述納米磁性微球的預聚物熔融后，相鄰納米磁性微球的預聚物會發(fā)生聚合，通過對其進行固化處理，以形成密封的像素分隔墻。
[0087]較佳地，在步驟104中，由處于熔融態(tài)的預聚物固化處理后得到的聚合物的壓縮比例滿足:能夠支撐用于對盒以形成AMECD的上基板和下基板。
[0088]較佳地，由處于熔融態(tài)的預聚物固化處理后得到的聚合物的壓縮比例的取值范圍%:(0,10%]。
[0089]實施中，將固化處理后的處于熔融態(tài)的預聚物作為像素分隔墻，而像素分隔墻位于用于對盒以形成AMECD的上基板和下基板之間，因此，固化處理后的處于熔融態(tài)的預聚物的實施方式與液晶顯示裝置中的PS (隔墊物)的實施方式類似，其壓縮比例需要滿足:能夠支撐用于對盒以形成AMECD的上基板和下基板。
[0090]實施中，在步驟104中，加熱熔融所述納米磁性微球的預聚物后，相鄰納米磁性微球的預聚物會發(fā)生聚合；對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行固化處理，以形成密封的像素分隔墻；
[0091]具體如圖2D所示，在黑矩陣10所在區(qū)域形成密封的像素分隔墻30。
[0092]基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例提供了一種像素分隔墻，其中:所述像素分隔墻采用本發(fā)明實施例中所述的方法制作。
[0093]較佳地，所述像素分隔墻包括磁性材料、以及經(jīng)過熔融和固化處理后的預聚物；其中，所述預聚物表面包含活性分子鏈。[0094]基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例提供了一種基板，其中:包括本發(fā)明實施例中所述的像素分隔墻。
[0095]較佳地，包括本發(fā)明實施例中所述的像素分隔墻的基板還包括:
[0096]位于所述像素分隔墻下方、與所述像素分隔墻位置對應的且具有磁性的黑矩陣；
[0097]其中，所述黑矩陣包括磁性材料和不透光材料。
[0098]具體實施中，黑矩陣包括的不透光材料為任一種能夠形成黑矩陣的不透光材料。
[0099]較佳地，黑矩陣包括的不透光材料包括鉻及其化合物材料、以及黑色樹脂中的一種。
[0100]具體實施中，黑矩陣包括的磁性材料為任一種磁性材料。
[0101]較佳地，黑矩陣包括的磁性材料包括合金、鐵氧體和金屬間化合物中的一種或多種。
[0102]基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置，其中:包括本發(fā)明實施例中包括所述的像素分隔墻的基板；
[0103]所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0104]較佳地,所述顯示裝置為AME⑶。
[0105]實施例一
[0106]包含RGB三種EC電解液的AME⑶的結構如圖4A所示，在本發(fā)明實施例中，將對制作包含RGB三種EC電解液的AME⑶的過程進行介紹。
[0107]較佳地，本發(fā)明實施例制作包含RGB三種EC電解液的AME⑶的方法，包括:
[0108]步驟Al、在第一玻璃基板上形成公共電極層；
[0109]如圖4A所不，公共電極層40位于第一玻璃基板OOa上。
[0110]步驟A2、在形成有公共電極層的玻璃基板上形成具有磁性的黑矩陣；
[0111]如圖4A所示，具有磁性的黑矩陣10位于公共電極層40上。
[0112]步驟A3、采用本發(fā)明實施例中所述的像素分隔墻的制作方法，在形成有黑矩陣的玻璃基板上形成位于黑矩陣對應區(qū)域內(nèi)的像素分隔墻；
[0113]如圖4A所示，像素分隔墻30位于黑矩陣10的對應區(qū)域內(nèi)。
[0114]步驟A4、在第二玻璃基板上形成TFT (薄膜晶體管)和全面覆蓋所述TFT的平坦化層，其中，平坦化層包含露出TFT的漏極的過孔；
[0115]如圖4A所示，TFT50位于第二玻璃基板OOb上，平坦化層60全面覆蓋TFT50，平坦化層60包含過孔70，過孔70露出TFT50的漏極51。
[0116]步驟A5、在形成有平坦化層的玻璃基板上形成通過過孔與TFT的漏極電連接的像素電極；
[0117]如圖4A所示，像素電極80通過過孔70與TFT50的漏極51電連接。
[0118]步驟A6、在形成有像素電極的玻璃基板上形成位置與像素電極位置對應的電致變色層；
[0119]如圖4A所示，電致變色層90分為RGB三種，其中每種電致變色層90的電解液不同。
[0120]其中，步驟Al?步驟A3與步驟A4?步驟A6之間無時序關系，可以先執(zhí)行步驟Al?步驟A3，再執(zhí)行步驟A4?步驟A6 ;可以先執(zhí)行步驟A4?步驟A6，再執(zhí)行步驟Al?步驟A3 ;也可以同時執(zhí)行。
[0121]步驟A7、將形成有像素分隔墻的玻璃基板和形成有電致變色層的玻璃基板對盒，以形成包含RGB三種EC電解液的AME⑶。
[0122]如圖4A所示，在對盒后形成的AMECD中，電致變色層90位于相鄰兩像素分隔墻30之間，以避免相鄰像素顯示色彩的串擾。
[0123]實施例二
[0124]包含RGB彩膜和一種EC電解液的AME⑶的結構如圖4B所示，在本發(fā)明實施例中，將對制作包含RGB彩膜和一種EC電解液的AMECD的過程進行介紹。
[0125]較佳地，本發(fā)明實施例制作包含RGB彩膜和一種EC電解液的AME⑶的方法，包括:
[0126]步驟B1、在第一玻璃基板上形成公共電極層；
[0127]如圖4B所不,公共電極層40位于第一玻璃基板OOa上。
[0128]步驟B2、在形成有公共電極層的玻璃基板上形成RGB彩膜層；
[0129]如圖4B所示，RGB彩膜層100位于公共電極層40上。
[0130]其中，實施例二與實施例一的區(qū)別在于，在公共電極層和黑矩陣之間，設置有RGB彩膜層；相應地，電致變色層的電解液均相同，即只有一種電解液。
[0131]步驟B3、在形成有RGB彩膜層的玻璃基板上形成具有磁性的黑矩陣；
[0132]如圖4B所示，具有磁性的黑矩陣10位于RGB彩膜層100上。
[0133]步驟B4、采用本發(fā)明實施例中所述的像素分隔墻的制作方法，在形成有黑矩陣的玻璃基板上形成位于黑矩陣對應區(qū)域內(nèi)的像素分隔墻；
[0134]如圖4B所示，像素分隔墻30位于黑矩陣10的對應區(qū)域內(nèi)。
[0135]步驟B5、在第二玻璃基板上形成TFT和全面覆蓋所述TFT的平坦化層，其中，平坦化層包含露出TFT的漏極的過孔；
[0136]如圖4B所示，TFT50位于第二玻璃基板OOb上，平坦化層60全面覆蓋TFT50，平坦化層60包含過孔70，過孔70露出TFT50的漏極51。
[0137]步驟B6、在形成有平坦化層的玻璃基板上形成通過過孔與TFT的漏極電連接的像素電極；
[0138]如圖4B所示，像素電極80通過過孔70與TFT50的漏極51電連接。
[0139]步驟B7、在形成有像素電極的玻璃基板上形成位置與像素電極位置對應的電致變色層；
[0140]如圖4B所示，電致變色層90的電解液均相同。
[0141]其中，步驟BI?步驟B4與步驟B5?步驟B7之間無時序關系，可以先執(zhí)行步驟BI?步驟B4，再執(zhí)行步驟B5?步驟B7 ;可以先執(zhí)行步驟B5?步驟B7，再執(zhí)行步驟BI?步驟B4;也可以同時執(zhí)行。
[0142]步驟B8、將形成有像素分隔墻的玻璃基板和形成有電致變色層的玻璃基板對盒，以形成包含RGB彩膜和一種EC電解液的AME⑶。
[0143]如圖4B所示，在對盒后形成的AMECD中，電致變色層90位于相鄰兩像素分隔墻30之間，以避免相鄰像素顯示色彩的串擾。
[0144]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領域內(nèi)的技術人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0145]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權利要求】
1.一種像素分隔墻的制作方法，其特征在于，包括: 采用掩膜版，在基板上形成具有磁性的黑矩陣； 在形成有黑矩陣的所述基板表面上均勻地噴涂一層均勻混合有納米磁性微球的分散齊?;其中，所述納米磁性微球包括磁性材料、以及包裹所述磁性材料且表面包含活性分子鏈的預聚物； 加熱蒸發(fā)掉所述分散劑，所述納米磁性微球聚集到黑矩陣對應區(qū)域； 加熱熔融所述納米磁性微球的預聚物，并對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行固化處理，形成所述像素分隔墻。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預聚物包括丙烯酸酯類預聚物； 所述加熱熔融納米磁性微球的預聚物，具體包括: 在100°C~200°C的條件下，加熱熔融納米磁性微球的所述預聚物； 對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行固化處理，具體包括: 在溫度為150°C~230°C的條件下，對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行不小于I小時的熱固化。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預聚物包括環(huán)氧樹脂類預聚物； 所述加熱熔融納米磁性微球的預聚物，具體包括: 在100°C~200°C的條件下，加熱熔融納米磁性微球的所述預聚物； 所述對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行固化處理，具體包括: 在功率不小于I焦耳每秒的條件下，對預聚物處于熔融態(tài)的所述納米磁性微球進行I秒~10秒的紫外固化。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述黑矩陣的材料為摻雜有磁性材料的不透光材料； 其中，所述不透光材料中摻雜的磁性材料包括合金、鐵氧體和金屬間化合物中的一種或多種。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述分散劑包括硅烷偶聯(lián)劑。
6.一種像素分隔墻，其特征在于，采用如權利要求1~5任一所述的方法制作。
7.如權利要求6所述的像素分隔墻，其特征在于，所述像素分隔墻包括磁性材料、以及經(jīng)過熔融和固化處理后的預聚物；其中，所述預聚物表面包含活性分子鏈。
8.一種基板，其特征在于，包括如權利要求6或者7所述的像素分隔墻。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求8所述的基板。
10.如權利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置為有源矩陣式電致變色顯示器。
【文檔編號】G02F1/161GK103941511SQ201410145591
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年4月11日 優(yōu)先權日:2014年4月11日
【發(fā)明者】王新星, 姚繼開 申請人:京東方科技集團股份有限公司