一種用于量子點(diǎn)增強(qiáng)膜的增透膜及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于量子點(diǎn)增強(qiáng)膜（QDEF）的增透膜及其制備方法。所述QDEF膜自上而下依次為阻擋層、量子點(diǎn)層、阻擋層、增透膜。其中增透膜通過(guò)電子束蒸發(fā)或磁控濺射等方式鍍膜而成。由于在QDEF的入光面加上了一層增透膜，從而提升了QDEF的光學(xué)入射效率，減少Q(mào)DEF的引入導(dǎo)致液晶顯示器的光學(xué)損耗，提高了流明效率。
【專利說(shuō)明】一種用于量子點(diǎn)增強(qiáng)膜的增透膜及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種用于量子點(diǎn)增強(qiáng)膜的增透膜及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 經(jīng)過(guò)半個(gè)世紀(jì)的發(fā)展和研究，液晶顯示器（IXD)已經(jīng)成為主導(dǎo)的平板顯示技術(shù)。由 于LCD本身不發(fā)光，所以它們需使用背光源。為了拓寬LCD的色域，已經(jīng)發(fā)展了幾種新型的 背光源技術(shù)。
[0003] 冷陰極熒光燈（CCFL)曾經(jīng)是最普遍的背光源，但是它只可以實(shí)現(xiàn)75%NTSC的色 域，所以為了得到更寬的色域、更高的亮度和更低的能耗，白色發(fā)光二極管（WLED)迅速代替 了 CCFL的位置，成為主要的背光源。但是基于WLED的背光源，其亮度和對(duì)比度還相對(duì)較低。 所以，研究人員致力于發(fā)展更新的背光源技術(shù)來(lái)改善這些問(wèn)題。
[0004] 近年來(lái)，一種使用量子點(diǎn)光學(xué)膜實(shí)現(xiàn)高色域LCD的量子點(diǎn)增強(qiáng)膜（QDEF)的新型產(chǎn) 品被越來(lái)越多的關(guān)注。QDEF是一種添加了兩種量子點(diǎn)的光學(xué)薄膜，兩種量子點(diǎn)可以在藍(lán)光 照射下產(chǎn)生紅光和綠光，與一部分透過(guò)的藍(lán)光混合之后得到白光。量子點(diǎn)比人類發(fā)絲還要 小10000倍，其發(fā)出的光是在一個(gè)特定的波長(zhǎng)下產(chǎn)生的。通過(guò)控制量子點(diǎn)的光譜輸出，QDEF 產(chǎn)品可以使用薄膜上數(shù)萬(wàn)億的量子點(diǎn)來(lái)增強(qiáng)色彩和亮度。新型QDEF產(chǎn)品利用量子點(diǎn)技術(shù)， 能夠提供精準(zhǔn)的色譜和色純度，通過(guò)很少的背光改造，可以實(shí)現(xiàn)在傳統(tǒng)的LCD顯示器上達(dá) 到60%到110%NTSC的色域，同時(shí)由于量子點(diǎn)高于熒光粉的光轉(zhuǎn)化效率，所以利用QDEF實(shí)現(xiàn) 的高色域顯示器的背光效率也會(huì)大幅度提高。
[0005] 由于引入了 QDEF層，藍(lán)光通過(guò)QDEF層時(shí)，會(huì)出現(xiàn)一部分的光學(xué)損耗，所以在藍(lán)色 發(fā)光二極管及QDEF之間，即QDEF的入光面鍍上增透膜，來(lái)減少這部分衰減，以減少器件的 光學(xué)損耗，提高器件的流明效率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 為了克服現(xiàn)有基于QDEF的背光源存在的光學(xué)損耗，本發(fā)明提供一種用于量子點(diǎn) 增強(qiáng)膜（QDEF)的增透膜的及其制備方法。在QDEF的入光面上鍍上增透膜，有效的減少了 由于QDEF的引入導(dǎo)致液晶顯示器的光學(xué)損耗，提高了透光率和流明效率。
[0007] 為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的，本發(fā)所采用的技術(shù)方案是： 一種用于量子點(diǎn)增強(qiáng)膜（QDEF)的增透膜，所述的量子點(diǎn)增強(qiáng)膜設(shè)有一層增透膜，該增 透膜位于QDEF的入光面上，厚度為50nm-200nm。
[0008] 該增透膜可以是單層也可以是多層。
[0009] 該增透膜可以是由不同厚度和不同材料層疊構(gòu)成。
[0010] 該增透膜的材料包括氟化鎂或二氧化硅。 該增透膜的厚度為光源在增透膜介質(zhì)中波長(zhǎng)的1/4。
[0011] 該增透膜的制備方法包括電子束蒸發(fā)或磁控濺射的方法。
[0012] 本發(fā)明的有益效果是： 本發(fā)明提供的一種用于量子點(diǎn)增強(qiáng)膜（QDEF)的增透膜，由于在其入光面鍍有一定厚度 的增透膜，可減少反射光，從而減少光的損耗，可有效增加透光率；因而采用該QDEF可減少 由于QDEF的引入導(dǎo)致液晶顯示器的光學(xué)損耗，提高流明效率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013] 圖1是用于量子點(diǎn)增強(qiáng)膜（QDEF)的增透膜的結(jié)構(gòu)圖。

【具體實(shí)施方式】
[0014] 本發(fā)明用下列實(shí)施例來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不限于下列實(shí) 施例。
[0015] 實(shí)施例1 本發(fā)明的一種用于量子點(diǎn)增強(qiáng)膜（QDEF)的增透膜的實(shí)施方式如圖1所示，其中3和5 為阻擋層，4為量子點(diǎn)層。該量子點(diǎn)增強(qiáng)膜6包括增透膜1。該增透膜1形成于量子點(diǎn)增強(qiáng) 膜6的入光面2上。
[0016] 在本實(shí)施例中，增透膜1為單層，選擇氟化鎂為增透膜1的材料，其折射率為1. 38， 通過(guò)計(jì)算，確定該增透膜1的厚度為86. 05nm。將量子點(diǎn)增強(qiáng)膜6放入腔體中，抽真空，當(dāng)真 空度達(dá)到3*1(Γ3時(shí)，采用電子束蒸發(fā)的方式將氟化鎂薄膜蒸鍍?cè)谠谠摿孔狱c(diǎn)增強(qiáng)膜1的入 光面2上。通過(guò)測(cè)試比較，與現(xiàn)有技術(shù)相比，當(dāng)入射光為475nm的藍(lán)光時(shí)，圖1的具有增透 膜1的QDEF的透光率明顯提高，流明效率明顯增加。透光率增加了約1. 39Γ1. 9%，流明效率 增加了 〇. 5°/Γ〇. 7%。
[0017] 試驗(yàn)表明，在現(xiàn)有技術(shù)的QDEF入光面上鍍上增透膜，可使得該量子點(diǎn)增強(qiáng)膜的透 光率大幅度提高，從而使得其流明效率增加。
[0018] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化與 修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于量子點(diǎn)增強(qiáng)膜的增透膜，其特征在于：所述的量子點(diǎn)增強(qiáng)膜設(shè)有增透膜， 該增透膜位于量子點(diǎn)增強(qiáng)膜的入光面上，厚度為50nm-200nm。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于量子點(diǎn)增強(qiáng)膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜為 單層或多層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于量子點(diǎn)增強(qiáng)膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜由 不同材料層疊構(gòu)成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于量子點(diǎn)增強(qiáng)膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜其 材料包括氟化鎂或二氧化硅。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于量子點(diǎn)增強(qiáng)膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜其 厚度為光源在增透膜介質(zhì)中波長(zhǎng)的1/4。
6. -種制備如權(quán)利要求1所述的用于量子點(diǎn)增強(qiáng)膜的增透膜的方法，其特征在于：包 括電子束蒸發(fā)或磁控濺射的方法。
【文檔編號(hào)】G02F1/13357GK104049410SQ201410267257
【公開(kāi)日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年6月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月17日
【發(fā)明者】李福山, 郭太良, 吳薇, 聶晨, 林健 申請(qǐng)人:福州大學(xué)