陣列基板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法，該陣列基板包括：一基板，具有第一表面和第二表面；以及一像素陣列層，設置于第一表面上，其中，像素陣列層包括：至少兩掃描線，設置于第一表面上；一第一覆蓋層，覆蓋于掃描線和第一表面之上；至少兩數(shù)據(jù)線，設置于第一覆蓋層之上；以及一第二覆蓋層，覆蓋于數(shù)據(jù)線和第一覆蓋層之上；其中，掃描線具有第一分段，第一分段位于相鄰的兩數(shù)據(jù)線之間，數(shù)據(jù)線具有第二分段，第二分段位于相鄰的兩掃描線之間，像素陣列層與第一分段對應的部分設置有第一凹陷部，像素陣列層與第二分段對應的部分設置有第二凹陷部。本發(fā)明能使得處于制程階段的陣列面板上的液體不會被所述陣列面板上的掃描線和數(shù)據(jù)線蓄起/包圍。
【專利說明】陣列基板及其制作方法 【【技術領域】】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，特別涉及一種陣列基板及其制作方法。 【【背景技術】】
[0002] 傳統(tǒng)的顯示面板中一般都會包括掃描線（Scan Line/Gate Line)和數(shù)據(jù)線（Data Line)，為了降低掃描線和數(shù)據(jù)線的阻抗，改善顯示面板的顯示品質(zhì)，傳統(tǒng)的技術一般都會 增加所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線所對應的金屬層的厚度，此時，所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的 段差（厚度）增加，因此，所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線所圍成的空間類似于一水池。
[0003] 在顯示面板的制程中，特別是在陣列基板上涂布PI (聚酰亞胺）液的過程（即， Cell (液晶盒）PI (Polyimide，聚酰亞胺）制程）中，PI液是一滴一滴地滴在陣列基板上的， 由于上述"水池"的存在，所述PI液在所述陣列基板上擴散（不沾）較難，所述PI液在所 述陣列基板上無法良好地流動/擴散。
[0004] 故，有必要提出一種新的技術方案，以解決上述技術問題。 【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制作方法，其能使得處于制程階段的陣 列面板上的液體不會被所述陣列面板上的掃描線和數(shù)據(jù)線蓄起/包圍。
[0006] 為解決上述問題，本發(fā)明的技術方案如下：
[0007] -種陣列基板，所述陣列基板包括：一基板，具有第一表面和第二表面；以及一像 素陣列層，設置于所述第一表面上，其中，所述像素陣列層包括：至少兩掃描線，設置于所述 第一表面上，至少兩所述掃描線沿第一方向以陣列的形式排列，其中，所述掃描線所在的直 線與第二方向平行，所述第二方向與所述第一方向垂直；一第一覆蓋層，覆蓋于所述掃描線 和所述第一表面之上；至少兩數(shù)據(jù)線，設置于所述第一覆蓋層之上，至少兩所述數(shù)據(jù)線沿所 述第二方向以陣列的形式排列，其中，所述數(shù)據(jù)線所在的直線與所述第一方向平行；以及一 第二覆蓋層，覆蓋于所述數(shù)據(jù)線和所述第一覆蓋層之上；其中，所述掃描線具有第一分段， 所述第一分段位于相鄰的兩所述數(shù)據(jù)線之間，所述數(shù)據(jù)線具有第二分段，所述第二分段位 于相鄰的兩所述掃描線之間，所述像素陣列層與所述第一分段對應的部分設置有第一凹陷 部，所述像素陣列層與所述第二分段對應的部分設置有第二凹陷部。
[0008] 在上述陣列基板中，所述第一凹陷部凹陷的方向為第三方向，其中，所述第三方向 垂直于所述第一表面，并且所述第三方向為從所述像素陣列層指向所述基板的方向；所述 第二凹陷部凹陷的方向為所述第三方向。
[0009] 在上述陣列基板中，相鄰的兩所述掃描線和相鄰的兩所述數(shù)據(jù)線圍成一像素區(qū) 域；在所述第一方向上相鄰的任意兩個所述像素區(qū)域通過所述第一凹陷部連通；在所述第 二方向上相鄰的任意兩個所述像素區(qū)域通過所述第二凹陷部連通。
[0010] 在上述陣列基板中，所述第一凹陷部是通過在形成所述第一覆蓋層和所述第二覆 蓋層后，去除與第一區(qū)域?qū)慕M合層的第一預定厚度得到的；其中，所述第一區(qū)域為所述 第一分段在所述像素陣列層中所對應的區(qū)域的部分區(qū)域，所述組合層包括所述第二覆蓋層 和所述第一覆蓋層。
[0011] 在上述陣列基板中，所述像素陣列層在所述第一區(qū)域中的厚度小于所述像素陣列 層在所述第二區(qū)域中的厚度，其中，所述第二區(qū)域為所述第一分段所對應的區(qū)域中，除所述 第一區(qū)域以外的區(qū)域。
[0012] 在上述陣列基板中，所述第二凹陷部是通過在形成所述第一覆蓋層后，去除與第 三區(qū)域?qū)乃龅谝桓采w層的第二預定厚度，再形成所述數(shù)據(jù)線和所述第二覆蓋層，然 后再去除與所述第三區(qū)域?qū)乃龅诙采w層的第三預定厚度得到的；其中，所述第三 區(qū)域為所述第二分段在所述像素陣列層中所對應的區(qū)域的部分區(qū)域。
[0013] 在上述陣列基板中，所述像素陣列層在所述第三區(qū)域中的厚度小于所述像素陣列 層在所述第四區(qū)域中的厚度，其中，所述第四區(qū)域為所述第二分段所對應的區(qū)域中，除所述 第三區(qū)域以外的區(qū)域。
[0014] 一種如上述陣列基板的制作方法，所述方法包括以下步驟：在所述基板的所述第 一表面上形成所述像素陣列層；在所述像素陣列層上與所述第二分段對應區(qū)域形成所述第 二凹陷部；以及在所述像素陣列層上與所述第一分段對應區(qū)域形成所述第一凹陷部。
[0015] 在上述陣列基板的制作方法中，所述在所述基板的所述第一表面上形成所述像素 陣列層的步驟包括：在所述基板的所述第一表面上形成至少兩所述掃描線；在所述掃描線 和所述第一表面之上形成所述第一覆蓋層；在所述第一覆蓋層上形成至少兩所述數(shù)據(jù)線； 在所述數(shù)據(jù)線和所述第一覆蓋層之上形成所述第二覆蓋層。
[0016] 在上述陣列基板的制作方法中，所述在所述像素陣列層上與所述第二分段對應區(qū) 域形成所述第二凹陷部的步驟包括：在形成所述第一覆蓋層后，去除與第三區(qū)域?qū)乃?述第一覆蓋層的第二預定厚度；在所述第一覆蓋層上形成所述數(shù)據(jù)線和所述第二覆蓋層； 去除與所述第三區(qū)域?qū)乃龅诙采w層的第三預定厚度，以形成所述第二凹陷部；其 中，所述第三區(qū)域為所述第二分段在所述像素陣列層中所對應的區(qū)域的部分區(qū)域；所述在 所述像素陣列層上與所述第一分段對應區(qū)域形成所述第一凹陷部的步驟包括：在形成所述 第一覆蓋層和所述第二覆蓋層后，去除與第一區(qū)域?qū)慕M合層的第一預定厚度，以形成 所述第一凹陷部；其中，所述第一區(qū)域為所述第一分段在所述像素陣列層中所對應的區(qū)域 的部分區(qū)域，所述組合層包括所述第二覆蓋層和所述第一覆蓋層。
[0017] 相對現(xiàn)有技術，本發(fā)明能夠使得處于制程階段的陣列面板上的液體在像素單元之 間自由擴散/流動，從而使得所述液體能夠均勻地遍布于所述陣列面板之上，而不會被所 述陣列面板上的掃描線和數(shù)據(jù)線蓄起/包圍。
[0018] 為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作 詳細說明如下。 【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0019] 圖1為本發(fā)明的陣列基板的第一實施例的示意圖；
[0020] 圖2為圖1中A-A'截面的示意圖；
[0021] 圖3為圖1中B-B'截面的示意圖；
[0022] 圖4為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的第一實施例的流程圖；
[0023] 圖5為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的第二實施例中在基板上形成像素陣列層 的步驟的流程圖；
[0024] 圖6為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的第三實施例中在像素陣列層上形成第二 凹陷部的步驟的流程圖。 【【具體實施方式】】
[0025] 以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施 例。
[0026] 參考圖1，圖2和圖3,圖1為本發(fā)明的陣列基板的第一實施例的示意圖，圖2為圖 1中A-A'截面的示意圖，圖3為圖1中B-B'截面的示意圖。
[0027] 本實施例的陣列基板包括基板20和像素陣列層10。所述基板20具有第一表面 和第二表面。所述像素陣列層10設置于所述第一表面上。所述像素陣列層10包括掃描線 層、第一覆蓋層106、數(shù)據(jù)線層、第二覆蓋層105、開關器件層、像素電極層。其中，所述掃描 線層包括至少兩掃描線101，所述數(shù)據(jù)線層包括至少兩數(shù)據(jù)線102,所述開關器件層包括至 少一個開關器件103 (例如，薄膜晶體管），所述像素電極層包括至少一像素電極。
[0028] 所述掃描線101設置于所述基板20的所述第一表面上，至少兩所述掃描線101沿 第一方向30以陣列的形式排列，其中，所述掃描線101所在的直線與第二方向40平行，所 述第二方向40與所述第一方向30垂直。所述掃描線101是通過在所述基板20的所述第 一表面上設置第一金屬層（Metall)，再利用光掩模/光罩（Mask)對所述第一金屬層進行圖 案化處理，然后去除（清洗）所述第一金屬層中不需要的部分（所述第一金屬層中除所述 掃描線101以外的部分）來形成的。
[0029] 所述第一覆蓋層106覆蓋于所述掃描線101和所述第一表面之上，所述第一覆蓋 層106可以是絕緣層或保護層。具體地，所述第一覆蓋層106是通過在所述掃描線101和 所述第一表面上涂布一層氮化娃（SiNx)材料來形成的。
[0030] 所述數(shù)據(jù)線102設置于所述第一覆蓋層106之上，至少兩所述數(shù)據(jù)線102沿所述 第二方向40以陣列的形式排列，其中，所述數(shù)據(jù)線102所在的直線與所述第一方向30平 行。所述數(shù)據(jù)線102是通過在所述第一覆蓋層106的表面上設置第二金屬層（Metal2)，再 利用光掩模/光罩對所述第二金屬層進行圖案化處理，然后去除（清洗）所述第二金屬層 中不需要的部分（所述第二金屬層中除所述數(shù)據(jù)線102以外的部分）來形成的。
[0031] 所述第二覆蓋層105覆蓋于所述數(shù)據(jù)線102和所述第一覆蓋層106之上，所述第 一覆蓋層106可以是絕緣層或保護層。具體地，所述第二覆蓋層105是通過在所述數(shù)據(jù)線 102和所述第一覆蓋層106的表面上涂布一層氮化娃材料來形成的。
[0032] 其中，所述掃描線101具有第一分段1011，所述第一分段1011位于相鄰的兩所述 數(shù)據(jù)線102之間，所述數(shù)據(jù)線102具有第二分段1021，所述第二分段1021位于相鄰的兩所 述掃描線101之間，所述像素陣列層10與所述第一分段1011對應的部分設置有第一凹陷 部10111，所述像素陣列層10與所述第二分段1021對應的部分設置有第二凹陷部10211， 艮P，所述掃描線101上設置有所述第一凹陷部10111，所述數(shù)據(jù)線102上設置有所述第二凹 陷部10211。
[0033] 在本實施例中，所述第一凹陷部10111凹陷的方向為第三方向50,其中，所述第三 方向50垂直于所述第一表面，并且所述第三方向50為從所述像素陣列層10指向所述基板 20的方向。所述第二凹陷部10211凹陷的方向為所述第三方向50。即，所述第一凹陷部 10111和所述第二凹陷部10211均朝向所述基板20凹陷。
[0034] 在本實施例中，相鄰的兩所述掃描線101和相鄰的兩所述數(shù)據(jù)線102圍成一像素 區(qū)域104,所述像素區(qū)域104中設置有像素電極（透明電極）。在所述第一方向30上，相鄰 的任意兩個所述像素區(qū)域104通過所述第一凹陷部10111連通。在所述第二方向40上，相 鄰的任意兩個所述像素區(qū)域104通過所述第二凹陷部10211連通。
[0035] 所述第一凹陷部10111和所述第二凹陷用于使得本發(fā)明的陣列面板上的液體（例 如，PI液（Polyimide，聚酰亞胺））能夠從一個像素單元流動/擴散到另一像素單元中，即， 能夠使得陣列面板上的PI液在各個像素單元之間自由流動/擴散，而不被掃描線和數(shù)據(jù)線 所圍成的空間蓄起。其中，所述液體（例如，PI液）是在所述陣列面板的制程階段通過滴 入、涂布、噴射等方式設置于所述陣列面板的所述像素陣列層10的表面上的。
[0036] 在本實施例中，所述第一凹陷部10111是通過在形成所述第一覆蓋層106和所述 第二覆蓋層105后，去除與第一區(qū)域107對應的組合層的第一預定厚度得到的。其中，所述 第一區(qū)域107為所述第一分段1011在所述像素陣列層10中所對應的區(qū)域的部分區(qū)域，所 述組合層包括所述第二覆蓋層105和所述第一覆蓋層106。即，所述第一預定厚度小于所述 第二覆蓋層105的厚度，或者，所述第一預定厚度等于所述第二覆蓋層105的厚度，或者，所 述第一預定厚度大于所述第二覆蓋層105的厚度（所述第一凹陷部10111貫穿所述第二覆 蓋層105,并陷入到所述第一覆蓋層106中）。
[0037] 具體地，所述像素陣列層10在所述第一區(qū)域107中的厚度小于所述像素陣列層10 在所述第二區(qū)域中的厚度，其中，所述第二區(qū)域為所述第一分段1011所對應的區(qū)域中，除 所述第一區(qū)域107以外的區(qū)域。
[0038] 在本實施例中，所述第二凹陷部10211是在形成所述第一覆蓋層106、所述數(shù)據(jù)線 102以及所述第二覆蓋層105的過程中形成的，S卩，所述第二凹陷部10211是通過在形成所 述第一覆蓋層106后，去除與第三區(qū)域108對應的所述第一覆蓋層106的第二預定厚度，再 形成所述數(shù)據(jù)線102和所述第二覆蓋層105,然后再去除與所述第三區(qū)域108對應的所述第 二覆蓋層105的第三預定厚度得到的。具體地，所述第二凹陷部10211是在形成所述第一 覆蓋層106后，去除與第三區(qū)域108對應的所述第一覆蓋層106的第二預定厚度，再在所述 第三區(qū)域108和所述第一覆蓋層106的表面上形成所述第二金屬層，然后將所述第二金屬 層圖案化為所述數(shù)據(jù)線102,最后在所述第二覆蓋層105以及所述數(shù)據(jù)線102上設置所述第 二覆蓋層105來形成的，所述第二凹陷部10211還可以進一步地通過去除所述第二覆蓋層 105的所述第三預定厚度來形成。
[0039] 其中，所述第三區(qū)域108為所述第二分段1021在所述像素陣列層10中所對應的 區(qū)域的部分區(qū)域。
[0040] 具體地，所述像素陣列層10在所述第三區(qū)域108中的厚度小于所述像素陣列層10 在所述第四區(qū)域中的厚度，其中，所述第四區(qū)域為所述第二分段1021所對應的區(qū)域中，除 所述第三區(qū)域108以外的區(qū)域。
[0041] 通過上述技術方案，當陣列面板上在制程階段設置有液體（例如，PI液）時，所述 液體可以通過所述第一凹陷部10111和所述第二凹陷部10211在像素單元之間自由擴散/ 流動，從而使得所述液體能夠均勻地遍布于所述陣列面板之上，而不會被掃描線和數(shù)據(jù)線 蓄起/包圍。
[0042] 參考圖4,圖4為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的第一實施例的流程圖。
[0043] 本實施例的陣列基板的制作方法包括以下步驟：
[0044] 步驟401，在所述基板20的所述第一表面上形成所述像素陣列層10。
[0045] 步驟402,在所述像素陣列層10上與所述第二分段1021對應區(qū)域形成所述第二凹 陷部10211。
[0046] 步驟403,在所述像素陣列層10上與所述第一分段1011對應區(qū)域形成所述第一凹 陷部10111。
[0047] 所述第一凹陷部10111和所述第二凹陷用于使得本發(fā)明的陣列面板上的液體（例 如，PI液（聚酰亞胺））能夠從一個像素單元流動/擴散到另一像素單元中，即，能夠使得 陣列面板上的PI液在各個像素單元之間自由流動/擴散，而不被掃描線和數(shù)據(jù)線所圍成的 空間蓄起。其中，所述液體（例如，PI液）是在所述陣列面板的制程階段通過滴入、涂布、 噴射等方式設置于所述陣列面板的所述像素陣列層10的表面上的。
[0048] 參考圖5,圖5為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的第二實施例中在基板20上形成 像素陣列層10的步驟的流程圖。本實施例與上述第一實施例相似，不同之處在于：
[0049] 所述在所述基板20的所述第一表面上形成所述像素陣列層10的步驟（即，步驟 401)包括：
[0050] 步驟501，在所述基板20的所述第一表面上形成至少兩所述掃描線101。具體地， 在所述基板20的所述第一表面上設置第一金屬層（Metall)，再利用光掩模/光罩（Mask) 對所述第一金屬層進行圖案化處理，然后去除（清洗）所述第一金屬層中不需要的部分 (所述第一金屬層中除所述掃描線101以外的部分），以形成所述掃描線101。
[0051] 步驟502,在所述掃描線101和所述第一表面之上形成所述第一覆蓋層106。具體 地，在所述掃描線101和所述第一表面上涂布一層氮化硅（SiNx)材料，以形成所述第一覆 蓋層106。
[0052] 步驟503,在所述第一覆蓋層106上形成至少兩所述數(shù)據(jù)線102。具體地，在所述 第一覆蓋層106的表面上設置第二金屬層（Metal2)，再利用光掩模/光罩對所述第二金屬 層進行圖案化處理，然后去除（清洗）所述第二金屬層中不需要的部分（所述第二金屬層 中除所述數(shù)據(jù)線102以外的部分），以形成所述數(shù)據(jù)線102。
[0053] 步驟504,在所述數(shù)據(jù)線102和所述第一覆蓋層106之上形成所述第二覆蓋層 105。具體地，在所述數(shù)據(jù)線102和所述第一覆蓋層106的表面上涂布一層氮化硅材料，以 形成所述第二覆蓋層105。
[0054] 參考圖6,圖6為本發(fā)明的陣列基板的制作方法的第三實施例中在像素陣列層10 上形成第二凹陷部10211的步驟的流程圖。本實施例與上述第二實施例相似，不同之處在 于：
[0055] 所述在所述像素陣列層10上與所述第二分段1021對應區(qū)域形成所述第二凹陷部 10211的步驟（S卩，步驟402)包括：
[0056] 步驟601，在形成所述第一覆蓋層106后，去除與第三區(qū)域108對應的所述第一覆 蓋層106的第二預定厚度。
[0057] 步驟602,在所述第一覆蓋層106上形成所述數(shù)據(jù)線102和所述第二覆蓋層105。
[0058] 步驟603,去除與所述第三區(qū)域108對應的所述第二覆蓋層105的第三預定厚度， 以形成所述第二凹陷部10211。
[0059] SP，所述步驟601、所述步驟602和所述步驟603為：
[0060] 所述第二凹陷部10211是在形成所述第一覆蓋層106、所述數(shù)據(jù)線102以及所述第 二覆蓋層105的過程中形成的。
[0061] 具體地，在形成所述第一覆蓋層106后，去除與第三區(qū)域108對應的所述第一覆蓋 層106的第二預定厚度，再在所述第三區(qū)域108和所述第一覆蓋層106的表面上形成所述 第二金屬層，然后將所述第二金屬層圖案化為所述數(shù)據(jù)線102,最后在所述第二覆蓋層105 以及所述數(shù)據(jù)線102上設置所述第二覆蓋層105來形成所述第二凹陷部10211。
[0062] 進一步地，所述步驟402還可以包括：
[0063] 去除所述第二覆蓋層105的所述第三預定厚度來形成所述第二凹陷部10211。
[0064] 其中，所述第三區(qū)域108為所述第二分段1021在所述像素陣列層10中所對應的 區(qū)域的部分區(qū)域。
[0065] 具體地，所述像素陣列層10在所述第三區(qū)域108中的厚度小于所述像素陣列層10 在所述第四區(qū)域中的厚度，其中，所述第四區(qū)域為所述第二分段1021所對應的區(qū)域中，除 所述第三區(qū)域108以外的區(qū)域。
[0066] 所述在所述像素陣列層10上與所述第一分段1011對應區(qū)域形成所述第一凹陷部 10111的步驟（即，步驟403)包括：
[0067] 在形成所述第一覆蓋層106和所述第二覆蓋層105后，去除與第一區(qū)域107對應 的組合層的第一預定厚度，以形成所述第一凹陷部10111，所述第一區(qū)域107為所述第一分 段1011在所述像素陣列層10中所對應的區(qū)域的部分區(qū)域，所述組合層包括所述第二覆蓋 層105和所述第一覆蓋層106。即，所述第一預定厚度小于所述第二覆蓋層105的厚度，或 者，所述第一預定厚度等于所述第二覆蓋層105的厚度，或者，所述第一預定厚度大于所述 第二覆蓋層105的厚度（所述第一凹陷部10111貫穿所述第二覆蓋層105,并陷入到所述第 一覆蓋層106中）。
[0068] 具體地，所述像素陣列層10在所述第一區(qū)域107中的厚度小于所述像素陣列層10 在所述第二區(qū)域中的厚度，其中，所述第二區(qū)域為所述第一分段1011所對應的區(qū)域中，除 所述第一區(qū)域107以外的區(qū)域。
[0069] 通過上述技術方案，當陣列面板上在制程階段設置有液體（例如，PI液）時，所述 液體可以通過所述第一凹陷部10111和所述第二凹陷部10211在像素單元之間自由擴散/ 流動，從而使得所述液體能夠均勻地遍布于所述陣列面板之上，而不會被掃描線和數(shù)據(jù)線 蓄起/包圍。
[0070] 綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限 制本發(fā)明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤 飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準。
【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括： 一基板，具有第一表面和第二表面；以及 一像素陣列層，設置于所述第一表面上，其中，所述像素陣列層包括： 至少兩掃描線，設置于所述第一表面上，至少兩所述掃描線沿第一方向以陣列的形式 排列，其中，所述掃描線所在的直線與第二方向平行，所述第二方向與所述第一方向垂直； 一第一覆蓋層，覆蓋于所述掃描線和所述第一表面之上； 至少兩數(shù)據(jù)線，設置于所述第一覆蓋層之上，至少兩所述數(shù)據(jù)線沿所述第二方向以陣 列的形式排列，其中，所述數(shù)據(jù)線所在的直線與所述第一方向平行；以及 一第二覆蓋層，覆蓋于所述數(shù)據(jù)線和所述第一覆蓋層之上； 其中，所述掃描線具有第一分段，所述第一分段位于相鄰的兩所述數(shù)據(jù)線之間，所述數(shù) 據(jù)線具有第二分段，所述第二分段位于相鄰的兩所述掃描線之間，所述像素陣列層與所述 第一分段對應的部分設置有第一凹陷部，所述像素陣列層與所述第二分段對應的部分設置 有第二凹陷部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一凹陷部凹陷的方向為第三 方向，其中，所述第三方向垂直于所述第一表面，并且所述第三方向為從所述像素陣列層指 向所述基板的方向； 所述第二凹陷部凹陷的方向為所述第三方向。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，相鄰的兩所述掃描線和相鄰的兩所 述數(shù)據(jù)線圍成一像素區(qū)域； 在所述第一方向上相鄰的任意兩個所述像素區(qū)域通過所述第一凹陷部連通； 在所述第二方向上相鄰的任意兩個所述像素區(qū)域通過所述第二凹陷部連通。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一凹陷部是通過在形成所述 第一覆蓋層和所述第二覆蓋層后，去除與第一區(qū)域?qū)慕M合層的第一預定厚度得到的； 其中，所述第一區(qū)域為所述第一分段在所述像素陣列層中所對應的區(qū)域的部分區(qū)域， 所述組合層包括所述第二覆蓋層和所述第一覆蓋層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述像素陣列層在所述第一區(qū)域中 的厚度小于所述像素陣列層在所述第二區(qū)域中的厚度，其中，所述第二區(qū)域為所述第一分 段所對應的區(qū)域中，除所述第一區(qū)域以外的區(qū)域。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二凹陷部是通過在形成所述 第一覆蓋層后，去除與第三區(qū)域?qū)乃龅谝桓采w層的第二預定厚度，再形成所述數(shù)據(jù) 線和所述第二覆蓋層，然后再去除與所述第三區(qū)域?qū)乃龅诙采w層的第三預定厚度 得到的； 其中，所述第三區(qū)域為所述第二分段在所述像素陣列層中所對應的區(qū)域的部分區(qū)域。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述像素陣列層在所述第三區(qū)域中 的厚度小于所述像素陣列層在所述第四區(qū)域中的厚度，其中，所述第四區(qū)域為所述第二分 段所對應的區(qū)域中，除所述第三區(qū)域以外的區(qū)域。
8. -種如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步 驟： 在所述基板的所述第一表面上形成所述像素陣列層； 在所述像素陣列層上與所述第二分段對應區(qū)域形成所述第二凹陷部；以及 在所述像素陣列層上與所述第一分段對應區(qū)域形成所述第一凹陷部。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述基板的所述 第一表面上形成所述像素陣列層的步驟包括： 在所述基板的所述第一表面上形成至少兩所述掃描線； 在所述掃描線和所述第一表面之上形成所述第一覆蓋層； 在所述第一覆蓋層上形成至少兩所述數(shù)據(jù)線； 在所述數(shù)據(jù)線和所述第一覆蓋層之上形成所述第二覆蓋層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述像素陣列層 上與所述第二分段對應區(qū)域形成所述第二凹陷部的步驟包括： 在形成所述第一覆蓋層后，去除與第三區(qū)域?qū)乃龅谝桓采w層的第二預定厚度； 在所述第一覆蓋層上形成所述數(shù)據(jù)線和所述第二覆蓋層； 去除與所述第三區(qū)域?qū)乃龅诙采w層的第三預定厚度，以形成所述第二凹陷 部； 其中，所述第三區(qū)域為所述第二分段在所述像素陣列層中所對應的區(qū)域的部分區(qū)域； 所述在所述像素陣列層上與所述第一分段對應區(qū)域形成所述第一凹陷部的步驟包 括： 在形成所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層后，去除與第一區(qū)域?qū)慕M合層的第一預 定厚度，以形成所述第一凹陷部； 其中，所述第一區(qū)域為所述第一分段在所述像素陣列層中所對應的區(qū)域的部分區(qū)域， 所述組合層包括所述第二覆蓋層和所述第一覆蓋層。
【文檔編號】G02F1/1333GK104122723SQ201410310755
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年7月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月1日
【發(fā)明者】柴立 申請人:深圳市華星光電技術有限公司