雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路、方法及光模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路、方法及光模塊，雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路為多個雪崩光電二極管提供偏置電壓，其包括：升壓模塊，用于提供一預(yù)定偏置電壓，預(yù)定偏置電壓的值大于多個雪崩光電二極管中每一個雪崩光電二極管正常工作所需的電壓的值；與升壓模塊連接的多個電壓微調(diào)模塊，多個電壓微調(diào)模塊將預(yù)定偏置電壓調(diào)節(jié)至每個雪崩光電二極管正常工作所需的電壓并輸出至相應(yīng)的雪崩光電二極管。通過這種一路升壓，多路電壓微調(diào)的方式，可以減少升壓模塊的設(shè)置數(shù)量，減少占用PCB板的面積，降低成本。
【專利說明】雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路、方法及光模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于光通信【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路、 方法以及應(yīng)用其的光模塊。

【背景技術(shù)】
[0002] 光模塊技術(shù)已經(jīng)非常成熟，但目前的挑戰(zhàn)主要在大容量、低成本、高密度幾個方 面。低成本、低功耗通信設(shè)備的體積越來越小，接口板包含的接口密度越來越高，要求光電 器件向低成本、低功耗的方向發(fā)展。小型化光收發(fā)模塊作為光纖接入網(wǎng)的核心器件推動了 干線光傳輸系統(tǒng)向低成本方向發(fā)展，使得光網(wǎng)絡(luò)的配置更加完備合理。目前的光通信市場 競爭越來越激烈，通信設(shè)備要求的體積越來越小，接口板包含的接口密度越來越高。傳統(tǒng)的 激光器和探測器分離的光模塊已經(jīng)很難適應(yīng)現(xiàn)代通信設(shè)備的要求。為了適應(yīng)通信設(shè)備對光 器件的要求，光模塊正向高度集成的小封裝發(fā)展?？梢哉f小封裝光收發(fā)模塊技術(shù)代表了新 一代光通信器件的發(fā)展趨勢，是下一代高速網(wǎng)絡(luò)的基石。
[0003] -般而言，光模塊的接收端是將通過光電二極管實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換，將光信號轉(zhuǎn)換為 電流信號。而雪崩光電二極管（avalanche photodiode，APD)由于其優(yōu)異的靈敏度性能，應(yīng) 用非常廣泛。而由于40GU00G這種包含了多路收發(fā)路徑光模塊的出現(xiàn)，需要同時對多路 (例如4路）AH)提供不同的偏置電壓。而傳統(tǒng)的單路AH)偏置電路無論從成本還是面積上 已經(jīng)不適合40GU00G光模塊的應(yīng)用需求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本申請一實施例提供一種雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路，用于為多個雪崩光 電二極管提供偏置電壓，其成本較低且占用PCB板面積更小，該雪崩光電二極管偏置電壓 產(chǎn)生電路包括： 升壓模塊，用于提供一預(yù)定偏置電壓，所述預(yù)定偏置電壓的值大于所述多個雪崩光電 二極管中每個雪崩光電二極管正常工作所需的電壓的值； 與所述升壓模塊連接的多個電壓微調(diào)模塊，所述多個電壓微調(diào)模塊將所述預(yù)定偏置電 壓調(diào)節(jié)至每個雪崩光電二極管正常工作所需的電壓并輸出至相應(yīng)的雪崩光電二極管。
[0005] -實施例中，還包括微處理器，所述微處理器對所述多個電壓微調(diào)模塊分別發(fā)送 電壓微調(diào)信號，所述多個電壓微調(diào)模塊根據(jù)所述電壓微調(diào)信號對所述預(yù)定偏置電壓分別進 行調(diào)節(jié)。
[0006] -實施例中，所述電壓微調(diào)模塊包括電流調(diào)控單元以及與所述電流調(diào)控單元連接 的第一電阻，所述電流調(diào)控單元通過調(diào)整流經(jīng)所述第一電阻的電流來調(diào)整輸出至每個雪崩 光電二極管的電壓。
[0007] -實施例中，所述電流調(diào)控單元包括運算放大器、三極管以及第二電阻，所述第一 電阻與所述三極管的集電極相連，所述三極管的發(fā)射極連接至所述第二電阻，所述運算放 大器的同相輸入端與所述微處理器相連、反向輸入端連接至所述三極管的發(fā)射極和第二電 阻之間、輸出端連接至所述三極管的基極。
[0008] -實施例中，所述電流調(diào)控單元包括運算放大器、場效應(yīng)管以及第二電阻，所述第 一電阻與所述場效應(yīng)管的漏極相連，所述場效應(yīng)管的源極連接至所述第二電阻，所述運算 放大器的同相輸入端與所述微處理器相連、反向輸入端連接至所述場效應(yīng)管的源極和第二 電阻之間、輸出端連接至所述場效應(yīng)管的柵極。
[0009] -實施例中，所述多個電壓微調(diào)模塊的運算放大器中的至少部分集成于同一芯片 上。
[0010] 一實施例中，所述多個電壓微調(diào)模塊的運算放大器中每4個被集成于同一芯片 上，集成有所述運算放大器的芯片型號為0PA4330AIRGYT。
[0011] 一實施例中，所述多個電壓微調(diào)模塊的三極管兩兩集成于同一芯片上，集成有所 述三極管的芯片型號為BC846BDW1T1G。
[0012] 本申請的又一實施例提供一種光模塊，包括多個光接收單元、光發(fā)射單元以及控 制所述光接收單元和光發(fā)射單元對光信號進行收發(fā)的微處理器，所述多個光接收單元分別 包括有雪崩光電二極管，所述光模塊還包括： 升壓模塊，用于提供一預(yù)定偏置電壓，所述預(yù)定偏置電壓的值大于所述多個光接收單 元中每個雪崩光電二極管正常工作所需的電壓的值； 與所述升壓模塊連接的多個電壓微調(diào)模塊，所述多個電壓微調(diào)模塊將所述預(yù)定偏置電 壓調(diào)節(jié)至每個雪崩光電二極管正常工作所需的電壓并輸出至相應(yīng)的雪崩光電二極管；其 中， 所述微處理器還用于對所述多個電壓微調(diào)模塊分別發(fā)送電壓微調(diào)信號，所述多個電壓 微調(diào)模塊根據(jù)所述電壓微調(diào)信號對所述預(yù)定偏置電壓分別進行調(diào)節(jié)。
[0013] 本申請的又一實施例提供一種雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生方法，用于為多個雪 崩光電二極管提供偏置電壓，該方法包括以下步驟： 升壓模塊輸出大于每個雪崩光電二極管正常工作所需電壓值的預(yù)定偏置電壓； 多個電壓微調(diào)模塊將所述預(yù)定偏置電壓調(diào)節(jié)至每個雪崩光電二極管正常工作所需的 電壓并輸出至相應(yīng)的雪崩光電二極管。
[0014] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請的技術(shù)方案通過采用統(tǒng)一升壓模塊提供預(yù)定偏置電壓， 相應(yīng)提供多個電壓微調(diào)模塊對該預(yù)定偏置電壓進行微調(diào)，并提供給各路雪崩光電二極管， 由此，避免了設(shè)置過多的升壓模塊，減少了占用PCB的面積且降低了生產(chǎn)成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 圖1是本申請一實施例中雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路的模塊示意圖； 圖2是本申請一實施例中雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路的升壓模塊的電路結(jié)構(gòu) 圖； 圖3是本申請一實施例中雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路的電壓微調(diào)模塊的電路 結(jié)構(gòu)圖； 圖4是本申請一實施例中雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生方法的流程圖。

【具體實施方式】
[0016] 以下將結(jié)合附圖所示的【具體實施方式】對本發(fā)明進行詳細描述。但這些實施方式并 不限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的 變換均包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
[0017] 應(yīng)當理解的是盡管術(shù)語第一、第二等在本文中可以被用于描述各種元件或結(jié)構(gòu)， 但是這些被描述對象不應(yīng)受到這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用于將這些描述對象彼此區(qū)分 開。例如，第一電阻可以被稱為第二電阻，并且類似地第二電阻也可以被稱為第一電阻，這 并不背離本發(fā)明的保護范圍。
[0018] 參圖1，介紹本申請雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路的一實施例，其用于為多個 的雪崩光電二極管提供偏置電壓，在本實施例中，該雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路包 括升壓模塊11、微處理器12、以及電壓微調(diào)模塊131、132、133、"·、13Ν。
[0019] 需要說明的是，在以下的一些實施例及附圖中，僅僅以4路雪崩光電二極管為例， 示范性地闡述本申請的技藝精神，但在實際的應(yīng)用中，本申請?zhí)峁┑难┍拦怆姸O管偏置 電壓產(chǎn)生電路可以根據(jù)實際需求對更多數(shù)量的雪崩光電二極管提供偏置電壓。
[0020] 配合參照圖2,升壓模塊11用于為多個雪崩光電二極管141、142、143、…、14Ν提供 預(yù)定偏置電壓VAPD。升壓模塊11采用能夠?qū)崿F(xiàn)DC/DC轉(zhuǎn)換功能的專用升壓芯片及外圍電 路，如LT3494EDDB。升壓模塊11將例如3. 3V的供電電壓升壓至大于雪崩光電二極管141、 142、143、…、14Ν正常工作所需的電壓的值，并提供給電壓微調(diào)模塊131、132、133、"·、13Ν 進一步進行微調(diào)。
[0021] 配合參照圖3,微處理器12用于為多路雪崩光電二極管141、142、143、…、14Ν分 別提供電壓微調(diào)信號。根據(jù)每路雪崩光電二極管141、142、143、…、14Ν的實際所需偏置電 壓的不同，需要對各路雪崩光電二極管141、142、143、…、14Ν提供不同的電壓微調(diào)信號進 行微調(diào)。具體地，微處理器12的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換輸出管腳輸出針對多路雪崩光電二極管141、 142、143、…、14Ν的多個模擬控制信號DAC，并分別傳輸至與其連接的多個電壓微調(diào)模塊 131、132、133、"·、13Ν中，進行進一步的控制微調(diào)。
[0022] 當然，在一些替換的實施方式中，雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路中也可以不 利用微處理器的電壓微調(diào)信號進行調(diào)控，而例如僅僅通過反饋電路或分壓電阻的方式將預(yù) 定偏置電壓分別進行調(diào)節(jié)，并進而提供給各雪崩光電二極管，此種實施方式也應(yīng)當視為不 超脫本申請的技藝精神范圍。
[0023] 在上述的實施例中，由于多路的雪崩光電二極管141、142、143、…、14Ν實際上共 用了同一個升壓模塊11進行升壓，故相對于為多路雪崩光電二極管141、142、143、"·、14Ν 分別設(shè)置對應(yīng)的升壓模塊可以大大地減少占用PCB板的面積，且有效地控制了成本。
[0024] 電壓微調(diào)模塊131、132、133、…、13Ν包括電流調(diào)控單元以及與電流調(diào)控單元連接 的第一電阻R28、R23、R30、R29,電流調(diào)控單元通過調(diào)整流經(jīng)第一電阻R28、R23、R30、R29的 電流來調(diào)整輸出至每個雪崩光電二極管的電壓。其中，第一電阻R28、R23、R30、R29與升壓 模塊11相連。電流調(diào)控單元包括由運算放大器、晶體管、以及第二電阻R24、R25、R26、R27 組成的閉環(huán)負反饋回路。
[0025] 在一實施例中，晶體管為三極管BJT1、BJT2、BJT3、BJT4,第一電阻R28、R23、R30、 R29與三極管BJT1、BJT2、BJT3、BJT4的集電極相連，三極管BJT1、BJT2、BJT3、BJT4的發(fā)射 極連接至第二電阻R24、R25、R26、R27,運算放大器的同相輸入端ΙΝΑ+、ΙΝΒ+、INC+、IND+與 微處理器12相連、反相輸入端INA-、INB-、INC-、IND-連接于第二電阻R24、R25、R26、R27 與三極管BJT1、BJT2、BJT3、BJT4的發(fā)射極之間、輸出端OUTA、OUTB、OUTC、OUTD連接至三極 管BJT1、BJT2、BJT3、BJT4的基極。該雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路100還包括微調(diào) 電壓輸出端，該微調(diào)電壓輸出端連接至第一電阻R28、R23、R30、R29和三極管BJT1、BJT2、 BJT3、BJT4的集電極之間。
[0026] 具體工作原理如下： 開始時，運算放大器的反相輸入端INA-、INB-、INC-、IND-是GND，微處理器12發(fā)出的電 壓微調(diào)信號分別對應(yīng)接入運算放大器的同相輸入端INA+、INB+、INC+、IND+，使得運算放大 器的同相輸入端INA+、INB+、INC+、IND+和反相輸入端INA-、INB-、INC-、IND-產(chǎn)生壓差，該 壓差經(jīng)運算放大器放大后在輸出端OUTA、OUTB、OUTC、0UTD輸出高電平，進而三極管BJT1、 BJT2、BJT3、BJT4 導(dǎo)通。
[0027] 三極管耵11、8112、8113、8114導(dǎo)通后在第二電阻1?24、1?25、1?26、1?27分別形成電 壓反饋到運算放大器的反相輸入端INA-、INB-、INC-、IND-，從而使得運算放大器的同相輸 入端INA+、INB+、INC+、IND+和反相輸入端INA-、INB-、INC-、IND-之間的壓差減小，進而運 算放大器的輸出端OUTA、OUTB、OUTC、0UTD的電壓也變??；如此循環(huán)，使得運算放大器的同 相輸入端INA+、INB+、INC+、IND+和反相輸入端INA-、INB-、INC-、IND-之間的壓差幾乎為 零，穩(wěn)定整個上述的閉環(huán)負反饋回路。
[0028] 穩(wěn)定后，閉環(huán)負反饋回路得到的電流大小等于運算放大器的同相輸入端INA+、 INB+、INC+、IND+與第二電阻R24、R25、R26、R27的比值，因此，通過電壓微調(diào)信號的調(diào)控可 以改變電流調(diào)控單元的電流，從而改變第一電阻R28、R23、R30、R29端的壓降。
[0029] 本實施例中，該雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路100還包括微調(diào)電壓輸出端， 該微調(diào)電壓輸出端連接至第一電阻R28、R23、R30、R29和三極管BJT1、BJT2、BJT3、BJT4的 集電極之間，通過該微調(diào)電壓輸出端輸出電壓供給給各個雪崩光電二極管。電壓微調(diào)信號 越大，閉環(huán)負反饋回路中的電流越大，第一電阻R28、R23、R30、R29上分到的壓降也就越大， 從而微調(diào)電壓輸出端分到的壓降越小，反之亦然。其中，微調(diào)電壓輸出端的電壓計算公式 為： vapdi=vapd-vE28 ； VAPD2=VAPD-VE23 ； VAPD3=VAPD-VE3〇 ； VAPD4=VAPD-VE29〇
[0030] 多個電壓微調(diào)模塊的運算放大器中的至少部分集成于同一芯片上，一實施例 中，例如將每4個運算放大器集成于同一芯片上，該集成有多個比較器的芯片型號為 0PA4330AIRGYT。三極管兩兩被集成于同一芯片上，示范性地，例如BC846BDW1T1G。
[0031] 在又一實施例中，上述的晶體管還可以采用場效應(yīng)管，示范性地，例如將第一電阻 與場效應(yīng)管的漏極相連，場效應(yīng)管的源極連接至第二電阻，運算放大器的同相輸入端與微 處理器相連、反向輸入端連接至場效應(yīng)管的源極和第二電阻之間、輸出端連接至場效應(yīng)管 的柵極。本實施例的雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路的具體的工作原理與采用三極管時 基本類似，故在此不再贅述。
[0032] 在本申請的光模塊（圖未示）的一實施例中，光模塊包括多個光接收單元、光發(fā)射 單元以及控制光接收單元和光發(fā)射單元對光信號進行收發(fā)的微處理器。
[0033] 每個光接收單元中分別包括有雪崩光電二極管141、142、143、…、14N，為了給每個 雪崩光電二極管141、142、143、…、14N分別提供合適的偏置電壓，光模塊中還包括上述的 雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路。具體地，升壓模塊11用于提供一預(yù)定偏置電壓，該預(yù) 定偏置電壓大于多個光接收單元中每個雪崩光電二極管141、142、143、…、14N正常工作所 需的電壓的值，與升壓模塊11連接有多個電壓微調(diào)模塊131、132、133、一、13仏將預(yù)定偏置 電壓調(diào)節(jié)至每個雪崩光電二極管141、142、143、…、14N正常工作所需的電壓并輸出至相應(yīng) 的雪崩光電二極管。在此過程中，光模塊的微處理器還用于對多個電壓微調(diào)模塊分別發(fā)送 電壓微調(diào)信號，上述的多個電壓微調(diào)模塊根據(jù)該電壓微調(diào)信號對預(yù)定偏置電壓分別進行調(diào) 節(jié)。
[0034] 也就是說，在先前雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路100的實施例中所提到的微 處理器12與光模塊中本身所包含的微處理器是共用的，如此，在應(yīng)用于光模塊時，無需額 外地設(shè)置微處理器，有利于光模塊整體的小型化設(shè)計。
[0035] 參圖4,介紹本申請雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生方法的一實施例。在本實施例 中，該方法包括以下步驟： S1、升壓模塊輸出大于每個雪崩光電二極管正常工作所需電壓值的預(yù)定偏置電壓。
[0036] 此步驟中，升壓模塊將例如3. 3V的供電電壓升壓至稍高于雪崩光電二極管工作 時所需電壓，以便進行后續(xù)的微調(diào)。
[0037] S2、微處理器對與多路雪崩光電二極管對應(yīng)的多個電壓微調(diào)模塊提供電壓微調(diào)信 號。
[0038] 每個雪崩光電二極管所對應(yīng)的最佳工作電壓不一，故需要針對每個雪崩光電二極 管分別提供不同的電壓微調(diào)信號，以進行精確控制。
[0039] S3、多個電壓微調(diào)模塊將預(yù)定偏置電壓調(diào)節(jié)至每個雪崩光電二極管正常工作所需 的電壓并輸出至相應(yīng)的雪崩光電二極管。
[0040] 本實施例中，由于上述的升壓模塊已預(yù)先將供電電壓升壓至稍高于雪崩光電二極 管工作時所需要的電壓（即預(yù)定偏置電壓)，故此時外接雪崩光電二極管的微調(diào)電壓輸出端 將該預(yù)定偏置電壓進行分壓輸出，完成電壓微調(diào)。
[0041] 本申請通過上述實施例，具有以下有益效果：采用同一升壓模塊提供預(yù)定偏置電 壓，微處理器根據(jù)各路雪崩光電二極管的具體工作需求分別提供電壓微調(diào)信號，與各路雪 崩光電二極管連接的多個電壓微調(diào)模塊進而分別對預(yù)定偏置電壓進行微調(diào)，并提供給各路 雪崩光電二極管，由此，避免了設(shè)置過多的升壓模塊，減少了占用PCB的面積且降低了生產(chǎn) 成本。
[0042] 應(yīng)當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一 個獨立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當將說 明書作為一個整體，各實施方式中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可 以理解的其他實施方式。
[0043] 上文所列出的一系列的詳細說明僅僅是針對本發(fā)明的可行性實施方式的具體說 明，它們并非用以限制本發(fā)明的保護范圍，凡未脫離本發(fā)明技藝精神所作的等效實施方式 或變更均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路，所述雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路為 多個雪崩光電二極管提供偏置電壓，其特征在于，包括： 升壓模塊，用于提供一預(yù)定偏置電壓，所述預(yù)定偏置電壓的值大于所述多個雪崩光電 二極管中每個雪崩光電二極管正常工作所需的電壓的值； 與所述升壓模塊連接的多個電壓微調(diào)模塊，所述多個電壓微調(diào)模塊將所述預(yù)定偏置電 壓調(diào)節(jié)至每個雪崩光電二極管正常工作所需的電壓并輸出至相應(yīng)的雪崩光電二極管。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，還包括微 處理器，所述微處理器對所述多個電壓微調(diào)模塊分別發(fā)送電壓微調(diào)信號，所述多個電壓微 調(diào)模塊根據(jù)所述電壓微調(diào)信號對所述預(yù)定偏置電壓分別進行調(diào)節(jié)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述電壓 微調(diào)模塊包括電流調(diào)控單元以及與所述電流調(diào)控單元連接的第一電阻，所述電流調(diào)控單元 通過調(diào)整流經(jīng)所述第一電阻的電流來調(diào)整輸出至每個雪崩光電二極管的電壓。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述電流 調(diào)控單元包括運算放大器、三極管以及第二電阻，所述第一電阻與所述三極管的集電極相 連，所述三極管的發(fā)射極連接至所述第二電阻，所述運算放大器的同相輸入端與所述微處 理器相連、反向輸入端連接至所述三極管的發(fā)射極和第二電阻之間、輸出端連接至所述三 極管的基極。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述電流 調(diào)控單元包括運算放大器、場效應(yīng)管以及第二電阻，所述第一電阻與所述場效應(yīng)管的漏極 相連，所述場效應(yīng)管的源極連接至所述第二電阻，所述運算放大器的同相輸入端與所述微 處理器相連、反向輸入端連接至所述場效應(yīng)管的源極和第二電阻之間、輸出端連接至所述 場效應(yīng)管的柵極。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述多 個電壓微調(diào)模塊的運算放大器中的至少部分集成于同一芯片上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述多個 電壓微調(diào)模塊的運算放大器中每4個被集成于同一芯片上，集成有所述運算放大器的芯片 型號為 0PA4330AIRGYT。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述 多個電壓微調(diào)模塊的三極管兩兩集成于同一芯片上，集成有所述三極管的芯片型號為 BC846BDW1T1G。
9. 一種光模塊，包括多個光接收單元、光發(fā)射單元以及控制所述光接收單元和光發(fā)射 單元對光信號進行收發(fā)的微處理器，所述多個光接收單元分別包括有雪崩光電二極管，其 特征在于，所述光模塊還包括 ： 升壓模塊，用于提供一預(yù)定偏置電壓，所述預(yù)定偏置電壓的值大于所述多個光接收單 元中每個雪崩光電二極管正常工作所需的電壓的值； 與所述升壓模塊連接的多個電壓微調(diào)模塊，所述多個電壓微調(diào)模塊將所述預(yù)定偏置電 壓調(diào)節(jié)至每個雪崩光電二極管正常工作所需的電壓并輸出至相應(yīng)的雪崩光電二極管；其 中， 所述微處理器還用于對所述多個電壓微調(diào)模塊分別發(fā)送電壓微調(diào)信號，所述多個電壓 微調(diào)模塊根據(jù)所述電壓微調(diào)信號對所述預(yù)定偏置電壓分別進行調(diào)節(jié)。
10. -種雪崩光電二極管偏置電壓產(chǎn)生方法，用于為多個雪崩光電二極管提供偏置電 壓，其特征在于，該方法包括以下步驟： 升壓模塊輸出大于每個雪崩光電二極管正常工作所需電壓值的預(yù)定偏置電壓； 多個電壓微調(diào)模塊將所述預(yù)定偏置電壓調(diào)節(jié)至每個雪崩光電二極管正常工作所需的 電壓并輸出至相應(yīng)的雪崩光電二極管。
【文檔編號】G02B6/42GK104156022SQ201410358127
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月25日
【發(fā)明者】湯小虎, 周新軍, 高海兵, 王祥忠 申請人:蘇州旭創(chuàng)科技有限公司