蝕刻速率測試控片的制作方法與重復(fù)利用方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種蝕刻速率測試控片的制作方法與重復(fù)利用方法，該重復(fù)利用方法包括如下步驟：步驟10、提供一已使用過的蝕刻速率測試控片；步驟20、將光阻層(4)全部去除；步驟30、在非金屬膜(3)上涂布另一光阻層(4’)，將曝光位置偏離所述已被蝕刻過的測試過孔(31)對該另一光阻層(4’)進行曝光；步驟40、測量未被所述另一光阻層(4’)覆蓋的非金屬膜(3)的厚度H1；步驟50、對未被另一光阻層(4’)覆蓋的非金屬膜(3)進行一定時間T的蝕刻，形成另一測試過孔(32)；步驟60、蝕刻完成后，測量位于另一測試過孔(32)下方的非金屬膜(3)的厚度H2；并根據(jù)非金屬膜(3)的厚度H1與H2、及蝕刻時間T計算蝕刻速率V。
【專利說明】蝕刻速率測試控片的制作方法與重復(fù)利用方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及平面顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種蝕刻速率測試控片的制作方法與重 復(fù)利用方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 平面顯示器件具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有的 平面顯示器件主要包括液晶顯示器件（Liquid Crystal Display, IXD)及有機電致發(fā)光顯 不器件（Organic Light Emitting Display，OLED) 〇
[0003] TFT (Thin Film Transistor)基板是LCD、0LED的重要組成部分。以LCD為例，其 TFT基板包括玻璃基板、及位于該玻璃基板上的柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源/漏極、保 護層、平坦層、像素電極、像素定義層等多個膜層，其中柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、保護層、平坦 層、像素定義層等均為非金屬膜層。在TFT基板的制程過程中，使用干蝕刻設(shè)備對非金屬膜 層進行蝕刻，以得到各非金屬膜層所需的圖案，如供ΙΤ0像素電極與源/漏極連接的過孔即 通過干蝕刻將位于過孔位置的非金屬膜蝕刻掉，從而可以使源/漏極接觸并電性連接ΙΤ0 像素電極，達到傳遞信號進行顯示的目的。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)條件下，在使用干蝕刻設(shè)備蝕刻非金屬膜的過程中，無法監(jiān)控位于孔位 置的非金屬膜層是否被完全蝕刻掉，只能通過對一控片進行蝕刻速率測試的方法來計算出 完全蝕刻掉位于孔位置的非金屬膜層所需要的時間。
[0005] 蝕刻速率的測試是干蝕刻設(shè)備工藝參數(shù)設(shè)定、設(shè)備保養(yǎng)后復(fù)機必不可少的步驟， 因此蝕刻速率測試控片的用量很大?，F(xiàn)有的蝕刻速率測試控片的使用方法一般通過測量非 金屬膜層進行干蝕刻前后的的厚度，結(jié)合蝕刻時間來計算蝕刻速率。但該現(xiàn)有的蝕刻速率 測試控片僅使用一次就要報廢，玻璃基板也隨之報廢，造成了生產(chǎn)成本的巨大浪費，且制作 該蝕刻速率測試控片的時間較長，影響生產(chǎn)效率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于提供一種蝕刻速率測試控片的制作方法，應(yīng)用該方法制作的蝕 刻速率測試控片能夠被重復(fù)利用。
[0007] 本發(fā)明的目的還在于提供一種蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法，能夠?qū)⑼晃g 刻速率測試控片重復(fù)利用多次，大幅提高玻璃基板的利用率，降低生產(chǎn)成本，同時縮短蝕刻 速率測試控片的制作時間，提高生產(chǎn)效率。
[0008] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種蝕刻速率測試控片的制作方法，包括如下步 驟：
[0009] 步驟1、提供一玻璃基板，并在該玻璃基板上形成金屬層圖形；
[0010] 步驟2、在金屬層圖形與玻璃基板上沉積非金屬膜，該非金屬膜完全覆蓋基板；
[0011] 步驟3、在非金屬膜上涂布一光阻層并進行曝光，將對應(yīng)于非金屬膜欲形成測試過 孔位置上的部分光阻層曝掉，露出非金屬膜。
[0012] 所述步驟1通過成膜、曝光、蝕刻、剝離工藝形成金屬層圖形。
[0013] 所述非金屬膜的材料為氮化硅。
[0014] 本發(fā)明還提供一種蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法，包括如下步驟：
[0015] 步驟10、提供一已使用過的蝕刻速率測試控片；
[0016] 該已使用過的蝕刻速率測試控片包括玻璃基板、位于玻璃基板上的金屬層圖形、 位于金屬層圖形與玻璃基板上的非金屬膜、及位于非金屬膜上的光阻層；所述非金屬膜具 有至少一個已被蝕刻過的測試過孔；
[0017] 步驟20、將所述光阻層全部去除；
[0018] 步驟30、在所述非金屬膜上涂布另一光阻層，將曝光位置偏離所述已被蝕刻過的 測試過孔對該另一光阻層進行曝光，將對應(yīng)于非金屬膜欲形成另一測試過孔位置上的部分 另一光阻層曝掉，露出非金屬膜；
[0019] 步驟40、使用膜厚測量設(shè)備測量未被所述另一光阻層覆蓋的非金屬膜的厚度H1 ; [0020] 步驟50、對未被另一光阻層覆蓋的非金屬膜進行一定時間T的蝕刻，形成另一測 試過孔；
[0021] 所述另一測試過孔偏離已被蝕刻過的測試過孔；
[0022] 步驟60、蝕刻完成后，使用膜厚測量設(shè)備測量位于另一測試過孔下方的非金屬膜 的厚度H2 ;并根據(jù)非金屬膜的厚度H1與H2、及蝕刻時間T計算蝕刻速率V。
[0023] 所述已使用過的蝕刻速率測試控片采用以下步驟制作：
[0024] 步驟100、提供一玻璃基板，并在該玻璃基板上形成金屬層圖形；
[0025] 步驟200、在金屬層圖形與玻璃基板上沉積非金屬膜，該非金屬膜完全覆蓋基板；
[0026] 步驟300、在非金屬膜上涂布一光阻層并進行曝光，將對應(yīng)于非金屬膜欲形成測試 過孔位置上的部分光阻層曝掉，露出非金屬膜。
[0027] 所述步驟100通過成膜、曝光、蝕刻、剝離工藝形成金屬層圖形。
[0028] 所述非金屬膜的材料為氮化硅。
[0029] 所述步驟20通過光阻剝離設(shè)備對光阻進行清洗，從而將所述光阻層全部去除。
[0030] 所述步驟30利用曝光設(shè)備的精準(zhǔn)控制圖形重合精度的功能將曝光位置偏離。
[0031] 本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種蝕刻速率測試控片的制作方法與重復(fù)利用 方法，通過去除非金屬膜上已曝光過的光阻層，再涂布另一光阻層，并將曝光位置偏離已經(jīng) 蝕刻過的測試過孔對所述另一光阻層進行曝光，使得蝕刻非金屬膜形成的另一測試過孔可 用于再一次蝕刻速率測試，從而能夠?qū)⑼晃g刻速率測試控片重復(fù)利用多次，大幅提高玻 璃基板的利用率，降低生產(chǎn)成本，同時縮短蝕刻速率測試控片的制作時間，提高生產(chǎn)效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0032] 下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案 及其它有益效果顯而易見。
[0033] 附圖中，
[0034] 圖1為本發(fā)明蝕刻速率測試控片的制作方法的流程圖；
[0035] 圖2為本發(fā)明蝕刻速率測試控片的制作方法的步驟1的示意圖；
[0036] 圖3為本發(fā)明蝕刻速率測試控片的制作方法的步驟2的示意圖；
[0037] 圖4為本發(fā)明蝕刻速率測試控片的制作方法的步驟3的示意圖；
[0038] 圖5為本發(fā)明蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法的流程圖；
[0039] 圖6為本發(fā)明蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法的步驟10的示意圖；
[0040] 圖7為本發(fā)明蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法的步驟20的示意圖；
[0041] 圖8為本發(fā)明蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法的步驟30的示意圖；
[0042] 圖9為本發(fā)明蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法的步驟40的示意圖；
[0043] 圖10為本發(fā)明蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法的步驟50的示意圖；
[0044] 圖11為本發(fā)明蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法的步驟60的示意圖。

【具體實施方式】
[0045] 為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其技術(shù)效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選 實施例及其附圖進行詳細描述。
[0046] 請參閱圖1至圖4,本發(fā)明首先提供一種蝕刻速率測試控片的制作方法，該制作方 法包括如下步驟：
[0047] 步驟1、如圖2所示，提供一玻璃基板1，并通過成膜、曝光、蝕刻、剝離工藝在該玻 璃基板1上形成金屬層圖形2。
[0048] 所述金屬層圖形2主要作為曝光設(shè)備的對位圖形，以便于控制曝光位置。
[0049] 步驟2、如圖3所示，在所述金屬層圖形2與玻璃基板1上沉積非金屬膜3,該非金 屬膜3完全覆蓋基板1。
[0050] 值得一提的是，所述非金屬膜3的厚度較大，以防止其在蝕刻測試過程中被蝕刻 透。
[0051] 進一步的，所述非金屬膜3的材料為氮化硅。
[0052] 步驟3、如圖4所示，在非金屬膜3上涂布一光阻層4并使用曝光設(shè)備對該光阻層 4進行曝光，將對應(yīng)于非金屬膜3欲形成測試過孔位置上的部分一光阻層4曝掉，露出非金 屬膜3。
[0053] 至此，完成該蝕刻速率測試控片的制作。
[0054] 使用該蝕刻速率測試控片進行蝕刻速率測試時，通過蝕刻設(shè)備對未被所述光阻層 4覆蓋的非金屬膜3進行一定時間的蝕刻，形成測試過孔，分別測量蝕刻前后位于測試過孔 處的非金屬膜的厚度，再結(jié)合蝕刻時間便能計算出蝕刻速率。
[0055] 通過上述制作方法制得的蝕刻速率測試控片，由于其金屬層圖形2可作為曝光設(shè) 備的對位圖形，利于控制曝光位置，因此可以在一次蝕刻速率測試完成后，先將所述光阻層 4去除，再重新涂布一層光阻層，在偏離已經(jīng)蝕刻過的測試過孔的位置處曝光，以再次進行 蝕刻速率測試，因而通過該方法制作的蝕刻速率測試控片能夠被重復(fù)利用。
[0056] 請參閱圖5至圖11，本發(fā)明還提供一種蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法，包括 如下步驟：
[0057] 步驟10、如圖6所示，提供一已使用過的蝕刻速率測試控片。
[0058] 該已使用過的蝕刻速率測試控片包括玻璃基板1、位于玻璃基板1上的金屬層圖 形2、位于金屬層圖形2與玻璃基板1上的非金屬膜3、及位于非金屬膜3上的光阻層4 ;所 述非金屬膜3具有至少一個已被蝕刻過的測試過孔31。
[0059] 進一步的，該已使用過的蝕刻速率測試控片采用以下步驟制作：
[0060] 步驟100、提供一玻璃基板1，并通過成膜、曝光、蝕刻、剝離工藝在該玻璃基板1上 形成金屬層圖形2;
[0061] 步驟200、在金屬層圖形2與玻璃基板1上沉積非金屬膜3,該非金屬膜3完全覆 蓋基板1 ;步驟300、在非金屬膜3上涂布一光阻層4并進行曝光，將對應(yīng)于非金屬膜3欲形 成測試過孔位置上的部分光阻層4曝掉，露出非金屬膜3。
[0062] 值得一提的是，所述非金屬膜3的厚度較大，以防止其在蝕刻測試過程中被蝕刻 透。
[0063] 進一步的，所述非金屬膜3的材料為氮化硅。
[0064] 步驟20、如圖7所示，通過光阻剝離設(shè)備對光阻進行清洗，從而將所述光阻層4全 部去除。
[0065] 步驟30、如圖8所示，在所述非金屬膜3上涂布另一光阻層4'，并利用曝光設(shè)備的 精準(zhǔn)控制圖形重合精度的功能將曝光位置偏離，避開已被蝕刻過的測試過孔31，而在偏離 已被蝕刻過的測試過孔31的位置處對該另一光阻層4'進行曝光，將對應(yīng)于非金屬膜3欲 形成另一測試過孔32位置上的部分另一光阻層4'曝掉，露出完整的沒有被蝕刻過的非金 屬膜3。
[0066] 步驟40、如圖9所示，使用膜厚測量設(shè)備測量未被另一光阻層4'覆蓋的非金屬膜 3的厚度H1。
[0067] 步驟50、如圖10所示，使用蝕刻設(shè)備對未被另一光阻層4'覆蓋的非金屬膜3進行 一定時間T的蝕刻，形成另一測試過孔32。
[0068] 當(dāng)然，所述另一測試過孔32偏離已被蝕刻過的測試過孔31。
[0069] 步驟60、如圖11所示，蝕刻完成后，使用膜厚測量設(shè)備測量位于另一測試過孔32 下方殘留的非金屬膜3的厚度H2。
[0070] 然后根據(jù)金屬膜3的厚度H1與H2、及蝕刻時間T計算蝕刻速率V，該蝕刻速率V 是設(shè)定正常產(chǎn)品蝕刻時間的依據(jù)。
[0071] 在曝光設(shè)備可控制圖形重合精度的行程范圍內(nèi)，使用上述重復(fù)利用方法可對蝕刻 速率測試控片進行多次重復(fù)利用，大幅提高玻璃基板的利用率，降低生產(chǎn)成本，同時該重復(fù) 利用過程省去了所述金屬層圖形2與非金屬膜3的制作，能夠縮短蝕刻速率測試控片的制 作時間，提高生產(chǎn)效率。
[0072] 綜上所述，本發(fā)明提供的一種蝕刻速率測試控片的制作方法與重復(fù)利用方法，通 過去除非金屬膜上已曝光過的光阻層，再涂布另一光阻層，并將曝光位置偏離已經(jīng)蝕刻過 的測試過孔對所述另一光阻層進行曝光，使得蝕刻非金屬膜形成的另一測試過孔可用于再 一次蝕刻速率測試，從而能夠?qū)⑼晃g刻速率測試控片重復(fù)利用多次，大幅提高玻璃基板 的利用率，降低生產(chǎn)成本，同時縮短蝕刻速率測試控片的制作時間，提高生產(chǎn)效率。
[0073] 以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù) 構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利 要求的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種蝕刻速率測試控片的制作方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1、提供一玻璃基板（1)，并在該玻璃基板（1)上形成金屬層圖形（2); 步驟2、在金屬層圖形（2)與玻璃基板（1)上沉積非金屬膜（3)，該非金屬膜（3)完全 覆蓋基板（1); 步驟3、在非金屬膜（3)上涂布一光阻層（4)并進行曝光，將對應(yīng)于非金屬膜（3)欲形 成測試過孔位置上的部分光阻層（4)曝掉，露出非金屬膜（3)。
2. 如權(quán)利要求1所述的蝕刻速率測試控片的制作方法，其特征在于，所述步驟1通過成 膜、曝光、蝕刻、剝離工藝形成金屬層圖形（2)。
3. 如權(quán)利要求1所述的蝕刻速率測試控片的制作方法，其特征在于，所述非金屬膜（3) 的材料為氮化硅。
4. 一種蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟10、提供一已使用過的蝕刻速率測試控片； 該已使用過的蝕刻速率測試控片包括玻璃基板（1)、位于玻璃基板（1)上的金屬層圖 形（2)、位于金屬層圖形（2)與玻璃基板（1)上的非金屬膜（3)、及位于非金屬膜（3)上的 光阻層（4);所述非金屬膜（3)具有至少一個已被蝕刻過的測試過孔（31); 步驟20、將所述光阻層（4)全部去除； 步驟30、在所述非金屬膜（3)上涂布另一光阻層（4'），將曝光位置偏離所述已被蝕刻 過的測試過孔（31)對該另一光阻層（4'）進行曝光，將對應(yīng)于非金屬膜（3)欲形成另一測 試過孔位置上的部分另一光阻層（4'）曝掉，露出非金屬膜（3); 步驟40、使用膜厚測量設(shè)備測量未被所述另一光阻層（4'）覆蓋的非金屬膜（3)的厚 度H1 ; 步驟50、對未被另一光阻層（4'）覆蓋的非金屬膜（3)進行一定時間T的蝕刻，形成另 一測試過孔（32); 所述另一測試過孔（32)偏離已被蝕刻過的測試過孔（31); 步驟60、蝕刻完成后，使用膜厚測量設(shè)備測量位于另一測試過孔（32)下方的非金屬膜 (3)的厚度H2 ;并根據(jù)非金屬膜（3)的厚度H1與H2、及蝕刻時間T計算蝕刻速率V。
5. 如權(quán)利要求4所述的蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法，其特征在于，所述已使用 過的蝕刻速率測試控片采用以下步驟制作： 步驟100、提供一玻璃基板（1)，并在該玻璃基板（1)上形成金屬層圖形（2); 步驟200、在金屬層圖形（2)與玻璃基板（1)上沉積非金屬膜（3)，該非金屬膜（3)完 全覆蓋基板（1); 步驟300、在非金屬膜（3)上涂布一光阻層（4)并進行曝光，將對應(yīng)于非金屬膜（3)欲 形成測試過孔位置上的部分光阻層（4)曝掉，露出非金屬膜（3)。
6. 如權(quán)利要求5所述的蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法，其特征在于，所述步驟100 通過成膜、曝光、蝕刻、剝離工藝形成金屬層圖形（2)。
7. 如權(quán)利要求4所述的蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法，其特征在于，所述非金屬 膜（3)的材料為氮化娃。
8. 如權(quán)利要求4所述的蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法，其特征在于，所述步驟20 通過光阻剝離設(shè)備對光阻進行清洗，從而將所述光阻層（4)全部去除。
9.如權(quán)利要求4所述的蝕刻速率測試控片的重復(fù)利用方法，其特征在于，所述步驟30 利用曝光設(shè)備的精準(zhǔn)控制圖形重合精度的功能將曝光位置偏離。
【文檔編號】G03F7/20GK104155855SQ201410419702
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月22日
【發(fā)明者】高冬子 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司