一種光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及DFM可制造圖形設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其是涉及到一種光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，首先對(duì)版圖進(jìn)行光刻工藝友善性檢查；之后通過(guò)光刻工藝友善性檢查生成光刻工藝熱點(diǎn)的位置標(biāo)記，并根據(jù)位置標(biāo)記生成光刻工藝熱點(diǎn)的考量數(shù)據(jù)區(qū)域和模擬區(qū)域，最后對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)域的版圖進(jìn)行修改，并通過(guò)檢查工具套件對(duì)修改進(jìn)行有效性判定，以提供一種合適的修復(fù)方案；該技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了版圖中的光刻工藝熱點(diǎn)的快速自動(dòng)修復(fù)和驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了高程度的自動(dòng)化要求，且其可制造性設(shè)計(jì)方案的操作性和效率大大提高，修復(fù)周期較短，一定程度上降低了時(shí)間成本。
【專利說(shuō)明】一種光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及DFM(Design For Manufacture)可制造圖形設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其是涉及到一種光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法。

【背景技術(shù)】
[0002]光刻是集成電路制造的主要工藝，其主要實(shí)現(xiàn)將掩模板上的圖形向硅表面各層材料上的轉(zhuǎn)移，掩模板圖像對(duì)光波來(lái)說(shuō)相當(dāng)于傳播路徑的障礙，從而在硅片上得到與掩模板圖像相關(guān)的光刻圖形。
[0003]由于設(shè)計(jì)缺陷或分辯率增強(qiáng)技術(shù)等本身的限制，晶圓上的電路可能會(huì)出現(xiàn)夾斷(pinch)、橋接(bridge)、孔接觸不良等缺陷(即熱點(diǎn))，版圖中可能導(dǎo)致這些缺陷的區(qū)域叫做光刻工藝熱點(diǎn)區(qū)域，光刻工藝熱點(diǎn)區(qū)域可能會(huì)影響到最終電路的性能甚至導(dǎo)致功能的失效，因此應(yīng)在芯片生產(chǎn)之前找出光刻工藝熱點(diǎn)并加以修復(fù)。為評(píng)估光刻工藝中版圖的友善性，確定版圖是否是適應(yīng)于現(xiàn)實(shí)的生產(chǎn)中，應(yīng)通過(guò)仿真模擬方法來(lái)模擬光刻工藝、檢測(cè)工藝熱點(diǎn)。
[0004]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)提供的一種版圖中光刻工藝熱點(diǎn)的修復(fù)流程:首先，運(yùn)用工廠提供的檢查工具套件對(duì)設(shè)計(jì)公司的版圖進(jìn)行光刻工藝友善性檢查(LithographyFriendly Check，簡(jiǎn)稱LFC);其次，判斷版圖中是否存在潛在光刻工藝熱點(diǎn)，若存在則將版圖依靠代工廠或設(shè)計(jì)公司的工程師手動(dòng)修改；之后，進(jìn)行第二次版圖的光刻工藝友善性檢查，并依次循環(huán)上述步驟；最后，得到修改后的版圖。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中版圖的光刻工藝熱點(diǎn)的修復(fù)主要是依靠代工廠或設(shè)計(jì)公司(代工廠將相關(guān)工具套件加密之后傳送給設(shè)計(jì)公司)的工程師根據(jù)經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行手動(dòng)修改，之后進(jìn)行光刻工藝友善性檢查套件(LFC Kits)的驗(yàn)證。這種方法的缺陷是依賴工程師的經(jīng)驗(yàn)，而且自動(dòng)化程度不高，修復(fù)周期較長(zhǎng)，效率較低且不利于熱點(diǎn)修復(fù)的高效簡(jiǎn)易。
[0006]因此，本領(lǐng)域亟需一種更加高效的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中因光刻工藝熱點(diǎn)在修復(fù)過(guò)程中自動(dòng)化程度不高，修復(fù)周期較長(zhǎng)，效率和可操作性低下等缺陷。
[0008]本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為:
[0009]一種光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其中，所述方法包括:
[0010]步驟S1、提供一版圖，并通過(guò)一檢查工具套件對(duì)版圖進(jìn)行光刻工藝友善性檢查；
[0011]步驟S2、根據(jù)光刻工藝友善性檢查的結(jié)果，判斷版圖中是否存在光刻工藝熱點(diǎn)，若存在則進(jìn)行步驟S3，否則結(jié)束修復(fù)；
[0012]步驟S3、通過(guò)光刻工藝友善性檢查生成光刻工藝熱點(diǎn)的位置標(biāo)記，并根據(jù)位置標(biāo)記生成光刻工藝熱點(diǎn)的考量數(shù)據(jù)區(qū)域和模擬區(qū)域；
[0013]步驟S4、通過(guò)一修改工具套件對(duì)考量數(shù)據(jù)區(qū)域的版圖進(jìn)行修改，并通過(guò)檢查工具套件對(duì)修改進(jìn)行有效性判定；
[0014]步驟S5、保留有效的版圖的修復(fù)方案。
[0015]較佳的，上述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其中，所述考量數(shù)據(jù)區(qū)域和所述模擬區(qū)域?yàn)槲恢脴?biāo)記的放大區(qū)域；
[0016]其中，所述考量數(shù)據(jù)區(qū)域的半徑為b，所述模擬區(qū)域的半徑為c，c>b，且c_b>光學(xué)模型半徑。
[0017]較佳的，上述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其中，所述考量數(shù)據(jù)區(qū)域的半徑b的取值范圍為:0.5um ^ b ^ 1.5um。
[0018]較佳的，上述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其中，所述光刻工藝熱點(diǎn)包括單層次熱點(diǎn)和多層次熱點(diǎn)。
[0019]較佳的，上述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其中，對(duì)于單層次熱點(diǎn)，所述版圖包括當(dāng)前層版圖，步驟S4中包括:
[0020]步驟S41、根據(jù)相關(guān)層設(shè)計(jì)規(guī)則和當(dāng)前層設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)當(dāng)前層版圖進(jìn)行修改嘗試；
[0021]步驟S42、對(duì)修改嘗試后的當(dāng)前層版圖進(jìn)行有效性判定；若無(wú)效，則放棄此修復(fù)方案，若有效，則保存此修復(fù)方案；
[0022]其中，若有效性判定后的有效數(shù)目和嘗試數(shù)目未達(dá)到預(yù)先數(shù)目設(shè)定值，則繼續(xù)執(zhí)行步驟S41。
[0023]較佳的，上述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其中，所述嘗試數(shù)目的預(yù)先數(shù)目設(shè)定值為6?15，所述有效數(shù)目的預(yù)先數(shù)目設(shè)定值為3?8，且嘗試數(shù)目大于有效數(shù)目。
[0024]較佳的，上述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其中，對(duì)當(dāng)前層版圖進(jìn)行修改嘗試的方法包括:
[0025]在考量數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi)，對(duì)當(dāng)前層版圖的邊進(jìn)行移動(dòng)，且移動(dòng)距離為O?0.04um。
[0026]較佳的，上述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其中，對(duì)于多層次熱點(diǎn)，所述版圖分為主層版圖和次層版圖，且步驟S4中包括:
[0027]步驟S410、根據(jù)相關(guān)層設(shè)計(jì)規(guī)則和當(dāng)前層設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)主層版圖和次層版圖進(jìn)行修改嘗試；
[0028]步驟S420、對(duì)修改嘗試后的主層版圖和次層版圖進(jìn)行有效性判定。
[0029]較佳的，上述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其中，對(duì)主層版圖進(jìn)行修改嘗試的方法包括:在考量數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi)，對(duì)主層版圖的邊進(jìn)行移動(dòng)，且移動(dòng)距離為O?0.04um。
[0030]較佳的，上述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其中，對(duì)次層版圖進(jìn)行修改嘗試的方法包括:在考量數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi)，對(duì)次層版圖的整個(gè)多邊形進(jìn)行移動(dòng)，且不改變尺寸和形狀。
[0031]上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果:
[0032]本發(fā)明公開(kāi)了一種光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，首先對(duì)版圖進(jìn)行光刻工藝友善性檢查；之后通過(guò)光刻工藝友善性檢查生成光刻工藝熱點(diǎn)的位置標(biāo)記，并根據(jù)位置標(biāo)記生成光刻工藝熱點(diǎn)的考量數(shù)據(jù)區(qū)域和模擬區(qū)域，最后對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)域的版圖進(jìn)行修改，并通過(guò)檢查工具套件對(duì)修改進(jìn)行有效性判定，以提供一種合適的修復(fù)方案。本發(fā)明技術(shù)方案因后續(xù)的修復(fù)方案和有效性判定均是對(duì)小部分的版圖進(jìn)行計(jì)算，因此相對(duì)花費(fèi)的成本較低，同時(shí)該技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了版圖中的光刻工藝熱點(diǎn)的快速自動(dòng)修復(fù)和驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了高程度的自動(dòng)化要求，且其可制造性設(shè)計(jì)方案的操作性和效率大大提高，修復(fù)周期較短，一定程度上降低了時(shí)間成本。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0033]通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、夕卜形和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分并未刻意按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。
[0034]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中版圖的光刻工藝熱點(diǎn)的修復(fù)流程圖；
[0035]圖2是本發(fā)明中版圖的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)流程圖；
[0036]圖3是本發(fā)明中考量數(shù)據(jù)范圍和模擬范圍的設(shè)計(jì)示意圖；
[0037]圖4是本發(fā)明中單層次熱點(diǎn)的修復(fù)流程圖；
[0038]圖5是本發(fā)明中多層次熱點(diǎn)的修復(fù)流程圖；
[0039]圖6是本發(fā)明中熱點(diǎn)修復(fù)的原理示意圖；
[0040]圖7a?圖7d是本發(fā)明中單層次熱點(diǎn)的具體實(shí)施例的修復(fù)流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0041]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，但不作為本發(fā)明的限定。
[0042]為解決現(xiàn)有技術(shù)中因光刻工藝熱點(diǎn)在修復(fù)過(guò)程中自動(dòng)化程度不高，修復(fù)周期較長(zhǎng)，效率和可操作性低下等缺陷，本發(fā)明提供了一種光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，首先對(duì)版圖進(jìn)行光刻工藝友善性檢查；之后通過(guò)光刻工藝友善性檢查生成光刻工藝熱點(diǎn)的位置標(biāo)記，并根據(jù)位置標(biāo)記生成光刻工藝熱點(diǎn)的考量數(shù)據(jù)區(qū)域和模擬區(qū)域，最后對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)域的版圖進(jìn)行修改，并通過(guò)檢查工具套件對(duì)修改進(jìn)行有效性判定，以提供一種合適的修復(fù)方案。
[0043]如圖2所示的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)流程圖，具體如下步驟:
[0044]步驟S1、提供一設(shè)計(jì)公司的版圖202，并運(yùn)用代工廠提供的一檢查工具套件203對(duì)該版圖進(jìn)行版圖的光刻工藝友善性檢查201，該光刻工藝友善性檢查主要用于檢查版圖上是否具有光刻工藝熱點(diǎn)的存在。
[0045]步驟S2、根據(jù)步驟SI中的檢查結(jié)果，判斷版圖中是否具有光刻工藝熱點(diǎn)(在本發(fā)明的實(shí)施例中，光刻工藝熱點(diǎn)主要包括有夾斷、橋接或者疊對(duì))211，若發(fā)現(xiàn)存在光刻工藝熱點(diǎn)則進(jìn)行后續(xù)步驟S3，否則結(jié)束修復(fù)流程。
[0046]步驟S3、當(dāng)步驟S2中存在光刻工藝熱點(diǎn)時(shí)，通過(guò)光刻工藝友善性檢查的操作，會(huì)自動(dòng)生成光刻工藝熱點(diǎn)的位置標(biāo)記，以便于我們快速對(duì)其進(jìn)行定位索引。然后利用該位置標(biāo)記生成光刻工藝熱點(diǎn)的考量數(shù)據(jù)區(qū)域和模擬區(qū)域221。
[0047]本發(fā)明中的考量數(shù)據(jù)區(qū)域和模擬區(qū)域具有以下特征:考量數(shù)據(jù)區(qū)域和模擬區(qū)域?yàn)樯鲜鑫恢脴?biāo)記的每邊放大一個(gè)特定的值后形成的放大區(qū)域，且模擬區(qū)域的半徑(設(shè)為c)至少要比考量數(shù)據(jù)區(qū)域的半徑(設(shè)為b)大，其差值(c_b)要大于光學(xué)模型半徑，其中模擬區(qū)域的數(shù)值越大其計(jì)算時(shí)間越長(zhǎng)，如圖3所示，圖中a代表版圖的光刻工藝友善性檢查獲得的位置標(biāo)記；b為位置標(biāo)記的放大值(半徑)，所有落在此區(qū)域的圖形被當(dāng)作考量數(shù)據(jù)區(qū)域，修改工具套件在此范圍內(nèi)搜尋熱點(diǎn)修復(fù)方案，這里的圖形是可修改的；c為位置標(biāo)記的放大值(半徑)，所有落在此區(qū)域的圖形是用來(lái)實(shí)現(xiàn)光學(xué)鄰近效應(yīng)(Optical ProximityCorrect1n,簡(jiǎn)稱OPC)模擬和驗(yàn)證修復(fù)方案有效性的。
[0048]在一優(yōu)選的實(shí)施例中，考量數(shù)據(jù)區(qū)域的半徑b的取值范圍為:0.5um彡b彡1.5um。所以后續(xù)的修復(fù)方案和有效性判定均是對(duì)小部分的版圖進(jìn)行計(jì)算，因此相對(duì)需要的時(shí)間和花費(fèi)的成本較低。
[0049]步驟S4、利用一修改工具套件對(duì)考量數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi)的版圖進(jìn)行修改(其修復(fù)方案的方法見(jiàn)下)，并通過(guò)上述的檢查工具套件233進(jìn)行對(duì)該修復(fù)方案的有效性進(jìn)行判定231。但是在實(shí)際設(shè)計(jì)版圖中的光刻工藝熱點(diǎn)主要包括有單層次熱點(diǎn)和多層次熱點(diǎn)，因此運(yùn)用修改工具套件232對(duì)考量范圍內(nèi)的版圖做修改的方式不同。
[0050]針對(duì)單層次熱點(diǎn)來(lái)說(shuō)其檢查項(xiàng)目主要有夾斷和橋接，具體方法和原理如圖4所示:
[0051]步驟S41、根據(jù)相關(guān)層設(shè)計(jì)規(guī)則312和當(dāng)前層設(shè)計(jì)規(guī)則313對(duì)當(dāng)前層版圖進(jìn)行修改嘗試311 (該步驟之前進(jìn)行生成一考量數(shù)據(jù)區(qū)域和模擬區(qū)域301);步驟S42、對(duì)修改嘗試后的當(dāng)前層版圖進(jìn)行有效性判定312 ;若無(wú)效，則放棄此修復(fù)方案332，若有效，則保存此修復(fù)方案331。另外，在整個(gè)修復(fù)方案的過(guò)程中必須保持修改后的有效數(shù)目與進(jìn)行的嘗試數(shù)目要達(dá)到預(yù)先數(shù)目的設(shè)定值為準(zhǔn)，否則繼續(xù)執(zhí)行上述步驟S41，直至滿足要求為止。
[0052]其中，上述的修改方法為對(duì)考量數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi)的當(dāng)前層版圖的邊進(jìn)行移動(dòng)，其移動(dòng)的距離優(yōu)選為O?0.04um ;且作為一可選項(xiàng)，嘗試數(shù)目的預(yù)先數(shù)目設(shè)定值為6?15，有效數(shù)目的預(yù)先數(shù)目設(shè)定值為3?8，通常來(lái)說(shuō)有效數(shù)目為嘗試數(shù)目的一半，只要其中一個(gè)數(shù)目達(dá)到設(shè)定值后就停止對(duì)版圖的修改。當(dāng)然修改后的圖形必須滿足當(dāng)前的最小設(shè)計(jì)尺寸(最小線寬和隙寬)以及相關(guān)層的設(shè)計(jì)規(guī)則(孔包圍值)。
[0053]針對(duì)具有多層次熱點(diǎn)如疊對(duì)(overlap)的版圖，其具體包括有主層版圖和次層版圖，其修復(fù)方案的具體方法和原理如圖5所示:
[0054]步驟S410、根據(jù)相關(guān)層設(shè)計(jì)規(guī)則401和當(dāng)前層設(shè)計(jì)規(guī)則403對(duì)主層版圖修改嘗試402，同時(shí)根據(jù)相關(guān)層設(shè)計(jì)規(guī)則411和當(dāng)前層設(shè)計(jì)規(guī)則413對(duì)次層版圖進(jìn)行修改嘗試412 ;步驟S420、對(duì)修改嘗試后的主層版圖和次層版圖進(jìn)行有效性判定。
[0055]其中，對(duì)于次層(或者說(shuō)接觸孔層)版圖的修改主要是在考量數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi)對(duì)次層版圖的整個(gè)多邊形進(jìn)行移動(dòng)，且不改變其尺寸和形狀。對(duì)于主層(或者說(shuō)非接觸孔層)版圖的修改主要是在考量數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi)對(duì)主層版圖的邊進(jìn)行移動(dòng)，且移動(dòng)距離的范圍優(yōu)選在O?0.4um 內(nèi)。
[0056]上述版圖中的光刻工藝熱點(diǎn)的修復(fù)原理為:基于修改工具套件對(duì)各個(gè)邊對(duì)光刻工藝熱點(diǎn)的圖形密度和敏感度快速預(yù)判定，進(jìn)行排序和組合。如圖6所示，對(duì)于熱點(diǎn)pinch，修改工具套件對(duì)考量數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi)的每條邊位置的改變與光刻工藝熱點(diǎn)的相關(guān)性進(jìn)行快速分析和排序，以產(chǎn)生初步的修復(fù)方案，然后按用戶設(shè)置逐個(gè)嘗試和驗(yàn)證確認(rèn)其有效性，并保存有效方案，只到達(dá)到嘗試數(shù)目或有效數(shù)目為止。
[0057]下面針對(duì)單層次熱點(diǎn)的修復(fù)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0058]如圖7a?7d所示的一個(gè)實(shí)際的簡(jiǎn)單示例關(guān)于版圖Ml (第一金屬線層)Pinch (夾斷)熱點(diǎn)的修復(fù)流程圖。圖7a中，602代表Ml設(shè)計(jì)圖形，而603，604分別代表接觸孔(Contact)和第一通孔(VIAl)設(shè)計(jì)圖形；601是版圖的光刻工藝友善性檢查獲得的一個(gè)夾斷熱點(diǎn)的位置標(biāo)記，且檢查工具套件檢查的模擬結(jié)果605中只有70nm，如圖7b所示。
[0059]如前面所述，我們利用位置標(biāo)記產(chǎn)生考量數(shù)據(jù)區(qū)域和模擬區(qū)域圍，再對(duì)此區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析和修改。由于夾斷熱點(diǎn)位置的線寬太窄，最有效的方法是放大其尺寸。往左移動(dòng)邊606和往右移動(dòng)邊607是增加金屬線線寬最直接有效的方法，修改工具套件會(huì)對(duì)考量數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi)的每條邊跟夾斷熱點(diǎn)的相關(guān)性進(jìn)行排序，同時(shí)其改變方案后的版圖必須滿足Ml的最小線和隙的設(shè)計(jì)規(guī)則以及Ml和Contact以及VIA的包圍值。修改工具套件給出的其中一個(gè)候選方案是邊607向右移動(dòng)6nm ;但是并沒(méi)有給出移動(dòng)邊606，因?yàn)镸l隙已經(jīng)是最小尺寸，如果向左移動(dòng)邊606就會(huì)違反設(shè)計(jì)規(guī)則，如圖7c所示。然后檢查工具套件再對(duì)此夾斷熱點(diǎn)的候選方案進(jìn)行有效性驗(yàn)證，得到預(yù)測(cè)608尺寸為76nm，符合實(shí)際工藝可生產(chǎn)規(guī)格范圍，這樣系統(tǒng)就會(huì)自動(dòng)保存上述熱點(diǎn)修復(fù)方案，如圖7d所示。
[0060]因此，上述技術(shù)方案不僅可以實(shí)現(xiàn)光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)，還可以實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)公司和代工廠緊密的合作和良好的溝通，同時(shí)能保護(hù)代工廠的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
[0061]綜上所述，本發(fā)明公開(kāi)了一種光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，首先對(duì)版圖進(jìn)行光刻工藝友善性檢查；之后通過(guò)光刻工藝友善性檢查生成光刻工藝熱點(diǎn)的位置標(biāo)記，并根據(jù)位置標(biāo)記生成光刻工藝熱點(diǎn)的考量數(shù)據(jù)區(qū)域和模擬區(qū)域，最后對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)域的版圖進(jìn)行修改，并通過(guò)檢查工具套件對(duì)修改進(jìn)行有效性判定，以提供一種合適的修復(fù)方案。本發(fā)明技術(shù)方案因后續(xù)的修復(fù)方案和有效性判定均是對(duì)小部分的版圖進(jìn)行計(jì)算，因此相對(duì)花費(fèi)的成本較低，同時(shí)該技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了版圖中的光刻工藝熱點(diǎn)的快速自動(dòng)修復(fù)和驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了高程度的自動(dòng)化要求，且其可制造性設(shè)計(jì)方案的操作性和效率大大提高，修復(fù)周期較短，一定程度上降低了時(shí)間成本。
[0062]通過(guò)說(shuō)明和附圖，給出了【具體實(shí)施方式】的特定結(jié)構(gòu)的典型實(shí)施例，基于本發(fā)明精神，還可作其他的轉(zhuǎn)換。盡管上述發(fā)明提出了現(xiàn)有的較佳實(shí)施例，然而，這些內(nèi)容并不作為局限。
[0063]以上對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其特征在于，所述方法包括: 步驟S1、提供一版圖，并通過(guò)一檢查工具套件對(duì)版圖進(jìn)行光刻工藝友善性檢查； 步驟S2、根據(jù)光刻工藝友善性檢查的結(jié)果，判斷版圖中是否存在光刻工藝熱點(diǎn)，若存在則進(jìn)行步驟S3，否則結(jié)束修復(fù)； 步驟S3、通過(guò)光刻工藝友善性檢查生成光刻工藝熱點(diǎn)的位置標(biāo)記，并根據(jù)位置標(biāo)記生成光刻工藝熱點(diǎn)的考量數(shù)據(jù)區(qū)域和模擬區(qū)域； 步驟S4、通過(guò)一修改工具套件對(duì)考量數(shù)據(jù)區(qū)域的版圖進(jìn)行修改，并通過(guò)檢查工具套件對(duì)修改進(jìn)行有效性判定； 步驟S5、保留有效的版圖的修復(fù)方案。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其特征在于，所述考量數(shù)據(jù)區(qū)域和所述模擬區(qū)域?yàn)槲恢脴?biāo)記的放大區(qū)域； 其中，所述考量數(shù)據(jù)區(qū)域的半徑為b，所述模擬區(qū)域的半徑為c，c>b，且c-b>光學(xué)模型半徑。
3.如權(quán)利要求2所述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其特征在于，所述考量數(shù)據(jù)區(qū)域的半徑b的取值范圍為:0.5um ^ b ^ 1.5um。
4.如權(quán)利要求1所述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其特征在于，所述光刻工藝熱點(diǎn)包括單層次熱點(diǎn)和多層次熱點(diǎn)。
5.如權(quán)利要求4所述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其特征在于，對(duì)于單層次熱點(diǎn)，所述版圖包括當(dāng)前層版圖，步驟S4中包括: 步驟S41、根據(jù)相關(guān)層設(shè)計(jì)規(guī)則和當(dāng)前層設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)當(dāng)前層版圖進(jìn)行修改嘗試； 步驟S42、對(duì)修改嘗試后的當(dāng)前層版圖進(jìn)行有效性判定；若無(wú)效，則放棄此修復(fù)方案，若有效，則保存此修復(fù)方案； 其中，若有效性判定后的有效數(shù)目和嘗試數(shù)目未達(dá)到預(yù)先數(shù)目設(shè)定值，則繼續(xù)執(zhí)行步驟 S41。
6.如權(quán)利要求5所述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其特征在于，所述嘗試數(shù)目的預(yù)先數(shù)目設(shè)定值為6?15，所述有效數(shù)目的預(yù)先數(shù)目設(shè)定值為3?8，且嘗試數(shù)目大于有效數(shù)目。
7.如權(quán)利要求5所述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其特征在于，對(duì)當(dāng)前層版圖進(jìn)行修改嘗試的方法包括: 在考量數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi)，對(duì)當(dāng)前層版圖的邊進(jìn)行移動(dòng)，且移動(dòng)距離為0?0.04um。
8.如權(quán)利要求4所述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其特征在于，對(duì)于多層次熱點(diǎn)，所述版圖分為主層版圖和次層版圖，且步驟S4中包括: 步驟S410、根據(jù)相關(guān)層設(shè)計(jì)規(guī)則和當(dāng)前層設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)主層版圖和次層版圖進(jìn)行修改嘗試； 步驟S420、對(duì)修改嘗試后的主層版圖和次層版圖進(jìn)行有效性判定。
9.如權(quán)利要求8所述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其特征在于，對(duì)主層版圖進(jìn)行修改嘗試的方法包括:在考量數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi)，對(duì)主層版圖的邊進(jìn)行移動(dòng)，且移動(dòng)距離為0?0.04um。
10.如權(quán)利要求8所述的光刻工藝熱點(diǎn)的自動(dòng)修復(fù)方法，其特征在于，對(duì)次層版圖進(jìn)行修改嘗試的方法包括:在考量數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi)，對(duì)次層版圖的整個(gè)多邊形進(jìn)行移動(dòng)，且不改變尺寸和形狀。
【文檔編號(hào)】G03F1/72GK104460226SQ201410714799
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月28日
【發(fā)明者】王偉斌, 朱忠華, 魏芳, 呂煜坤, 朱駿, 張旭昇 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司