重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法。該方法包括：創(chuàng)建單元索引表，獲得底層單元；獲得底層單元的空間狀態(tài)，所述空間狀態(tài)包括交疊；對于每組交疊的底層單元，設(shè)定觀察單元，以觀測單元的同一位置為原點建立坐標(biāo)系，獲得交疊的底層單元的坐標(biāo)列表；對所述坐標(biāo)列表進行排序，并產(chǎn)生哈希特征值；根據(jù)哈希特征值判斷交疊的底層單元是否相同，進而對重復(fù)設(shè)計單元進行區(qū)分。由此本發(fā)明的方法能夠?qū)⒅貜?fù)設(shè)計單元進行精確的區(qū)分，提高OPC質(zhì)量。
【專利說明】重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法。

【背景技術(shù)】
[0002]集成電路的生產(chǎn)制造是一個非常復(fù)雜的過程，其中，光刻技術(shù)是最復(fù)雜的技術(shù)之一，也是推動集成電路工藝發(fā)展的重要動力，光刻技術(shù)的強大與否直接決定著芯片的性能。
[0003]光刻工藝通常是將需要制造的電路結(jié)構(gòu)設(shè)計在掩膜版上，之后通過光刻機臺將掩膜版上的電路結(jié)構(gòu)放大，復(fù)制到硅片上。但是，由于光波的性質(zhì)和實際投影曝光系統(tǒng)的問題，會有衍射受限或者成像系統(tǒng)的非線性濾波造成嚴(yán)重的能量損失，即光學(xué)近似效應(yīng)(Optical Proximity Effect，ΟΡΕ)，從而不可避免的就會使得在將電路結(jié)構(gòu)放大復(fù)制的過程中，會產(chǎn)生失真，尤其是對于180微米以下工藝階段，這種失真的影響將非常巨大，完全能夠讓整個制程失敗。為了避免這種情況發(fā)生，業(yè)界采用光學(xué)近似修正(OpticalProximity Correct1n，OPC)方法，對電路結(jié)構(gòu)進行預(yù)先的修正，使得修正后能夠補償ΟΡΕ效應(yīng)所帶來的缺失部分。
[0004]但是OPC過程還存在這諸多的限制因素，請參考圖1所示，例如一掩膜版包括6個單元a，以及一個單元b，由于單元b與單元a存在著交疊，則就導(dǎo)致該單元a不同于其他單元a。進一步考慮光學(xué)干涉衍射效應(yīng)，可見單元b與其左側(cè)的單元a的干涉衍射區(qū)域也存在交疊，則這一單元a與其他單元a也是不同的，因此，需要對這些單元a進行區(qū)分，以便進行正確的OPC處理。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于，提供一種重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，將重復(fù)設(shè)計單元精確的進行區(qū)分。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，包括:
[0007]創(chuàng)建單元索引表，獲得重復(fù)設(shè)計單元的底層單元；
[0008]獲得底層單元的空間狀態(tài)，所述空間狀態(tài)包括交疊；
[0009]對于每組交疊的底層單元，設(shè)定觀察單元，以觀測單元的同一位置為原點建立坐標(biāo)系，獲得交疊的底層單元的坐標(biāo)列表；
[0010]對所述坐標(biāo)列表進行排序，并產(chǎn)生哈希特征值；
[0011]根據(jù)哈希特征值判斷交疊的底層單元是否相同，進而對重復(fù)設(shè)計單元進行區(qū)分。
[0012]可選的，對于所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，對底層單元產(chǎn)生空間索引表，并結(jié)合光學(xué)干涉衍射，獲得底層單元的空間狀態(tài)。
[0013]可選的，對于所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，掃描所述空間索引表，對底層單元進行分布式并行處理。
[0014]可選的，對于所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，所述交疊包括底層單元之間的交疊和底層單元與光學(xué)干涉衍射區(qū)域的交疊。
[0015]可選的，對于所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，所述觀察單元為交疊的底層單元中的一個。
[0016]可選的，對于所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，所述底層單元的形狀為矩形，以該矩形的一個頂角作為原點建立坐標(biāo)系，獲得每個底層單元的四個頂角的坐標(biāo)。
[0017]可選的，對于所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，所述坐標(biāo)為(x，y，ID，n)，其中X為橫坐標(biāo)，y為縱坐標(biāo)，ID為底層單元的標(biāo)識，η為頂角標(biāo)號。
[0018]可選的，對于所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，根據(jù)橫坐標(biāo)和縱坐標(biāo)的大小依次對每組交疊的底層單元的坐標(biāo)進行排序。
[0019]可選的，對于所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，若哈希特征值相同，則交疊的底層單元是相同的，進行一次OPC處理；若哈希特征值不同，則交疊的底層單元是不同的，分別進行OPC處理。
[0020]可選的，對于所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，所述空間交疊狀態(tài)還包括分離，對于分離的底層單元，進行OPC處理。
[0021 ] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，包括創(chuàng)建單元索引表，獲得底層單元；獲得底層單元的空間狀態(tài)，所述空間狀態(tài)包括交疊；對于每組交疊的底層單元，設(shè)定觀察單元，以觀測單元的同一位置為原點建立坐標(biāo)系，獲得交疊的底層單元的坐標(biāo)列表；對所述坐標(biāo)列表進行排序，并產(chǎn)生哈希特征值；根據(jù)哈希特征值判斷交疊的底層單元是否相同，進而對重復(fù)設(shè)計單元進行區(qū)分。由此能夠?qū)⒅貜?fù)設(shè)計單元進行精確的區(qū)分，提高OPC質(zhì)量。進一步的，通過分布式并行處理，大大的加速了計算過程，提高了效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中重復(fù)設(shè)計單元的幾種分布情況；
[0023]圖2為本發(fā)明實施例中重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法的流程圖；
[0024]圖3-圖5為本發(fā)明實施例中對重復(fù)設(shè)計單元的處理過程中的示意圖。

【具體實施方式】
[0025]下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0026]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0027]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0028]本發(fā)明的核心思想在于，提供一種重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，所述版圖包括圖形及引用單元，所述引用單元包括較小單元、非重復(fù)單元及重復(fù)單元，該方法包括:
[0029]步驟S201，倉Il建單元索引表，獲得重復(fù)設(shè)計單元的底層單元；
[0030]步驟S202，獲得底層單元的空間狀態(tài)，所述空間狀態(tài)包括交疊；
[0031]步驟S203，對于每組交疊的底層單元，設(shè)定觀察單元，以觀測單元的同一位置為原點建立坐標(biāo)系，獲得交疊的底層單元的坐標(biāo)列表；
[0032]步驟S204，對所述坐標(biāo)列表進行排序，并產(chǎn)生哈希特征值；
[0033]步驟S205，根據(jù)哈希特征值判斷交疊的底層單元是否相同，進而對重復(fù)設(shè)計單元進行區(qū)分。
[0034]以下列舉所述重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法及測試方法的較優(yōu)實施例，以清楚說明本發(fā)明的內(nèi)容，應(yīng)當(dāng)明確的是，本發(fā)明的內(nèi)容并不限制于以下實施例，其他通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù)手段的改進亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。
[0035]請參考圖2?圖5，圖2為本發(fā)明實施例中重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法的流程圖；圖3?圖5為本發(fā)明實施例中重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法的過程中的示意圖。
[0036]如圖2所示，在本實施例中，所述重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法包括:
[0037]首先，執(zhí)行步驟S201，創(chuàng)建單元索引表，獲得重復(fù)設(shè)計單元的底層單元；具體的，根據(jù)所需掩膜版的設(shè)計內(nèi)容，對其所包含的諸多重復(fù)設(shè)計單元進行分層，即依據(jù)層次樹(Hierarchy Tree)獲得底層單元(leaf cell) ?請參考圖3，在本發(fā)明的實施例中，獲得的底層單元包括單元G和單元B。
[0038]接下來執(zhí)行步驟S202，獲得底層單元的空間狀態(tài)，所述空間狀態(tài)包括交疊；請繼續(xù)參考圖3，首先產(chǎn)生空間索引表，進行空間劃分，例如在版圖30中，通過橫向和縱向的虛線對版圖30進行劃分，從而定位出單元B和單元G的位置，加以識別。同時在這一過程中，將光學(xué)干涉衍射加以考慮，如在版圖30中在單元G周圍形成干涉衍射區(qū)域31。由此獲得了底層單元的空間狀態(tài)。
[0039]然后，對底層單元的空間狀態(tài)進行分析，通常底層單元的空間狀態(tài)包括交疊和分離，在本實施例的圖3中示出的三對單元B和單元G都是交疊的，其中第一對交疊的底層單元32和第二對交疊的底層單元33是直接由底層單元之間交疊，而第三對交疊的底層單元34則是通過干涉衍射區(qū)域31交疊。底層單元的空間狀態(tài)為分離的則是指一個底層單元未與其他底層單元有著任何接觸，對于這類單元，可以直接進行OPC處理，且若同一底層單元有多個，皆是處于分離狀態(tài)，則可只進行一次OPC處理即可。還可以通過掃描所述空間索引表，對底層單元進行分布式并行處理，在CPU主頻增加緩慢，而采用多核的情況下，可并行化的處理能夠充分的利用CPU的資源，從而大大的提高效率。
[0040]之后執(zhí)行步驟S203，對于每組交疊的底層單元，設(shè)定觀察單元，以觀測單元的同一位置為原點建立坐標(biāo)系，獲得交疊的底層單元的坐標(biāo)列表；以第一對交疊的底層單元31為例，請結(jié)合圖4，在單元B和單元G中，選擇一個作為觀察單元。通常情況下，各個底層單元都是矩形，需要說明的是，此處矩形包括圓角矩形，例如在本實施例中，選擇單元B作為觀察單元，則以該觀察單元的一個頂角作為原點建立坐標(biāo)系，獲得每個底層單元的四個頂角的坐標(biāo)。
[0041]具體的以頂角I為原點，頂角I的兩邊作為X軸和Y軸，分別獲得單元B的頂角1、
2、3、4的坐標(biāo)以及單元G的頂角1、2、3、4的坐標(biāo)。較佳的，在本發(fā)明中，坐標(biāo)采用如下形式:(X，y，ID，n)，其中x為橫坐標(biāo)，y為縱坐標(biāo)，ID為底層單元的標(biāo)識，η為頂角標(biāo)號。舉例而言，單元B頂角I的坐標(biāo)可以是(xl，yl，B，I)。當(dāng)然，坐標(biāo)系的設(shè)定還可以是其他形式，只是需要使得每對交疊的底層單元的坐標(biāo)系設(shè)定統(tǒng)一，以便于進行后續(xù)的比較。
[0042]這一步驟采取分布式并行處理，即使得圖3中的三對交疊的底層單元分別在不同的處理器完成。
[0043]然后，執(zhí)行步驟S204，對所述坐標(biāo)列表進行排序，并產(chǎn)生哈希特征值；請參考圖5，序列表Cl表示為利用圖4的坐標(biāo)系獲得的單元B和單元G的共8個頂角的坐標(biāo)，而序列表C2則是經(jīng)過排序后獲得的坐標(biāo)。較佳的，該排序可以依照橫坐標(biāo)和縱坐標(biāo)的大小依次進行排序。即在8組坐標(biāo)中，首先進行X坐標(biāo)的比較，按照從大到小的順序排列，在X坐標(biāo)相同時，則以Y坐標(biāo)的大小為基準(zhǔn)進行從大到小的排序。當(dāng)然，也可以采用例如先以Y坐標(biāo)為基座，再參考X坐標(biāo)的大小等方法進行排序。在形成序列表C2之后，將該序列表C2產(chǎn)生哈希特征值(hash) ο
[0044]同樣的，這一步驟也可以是采用分布式并行處理來完成。
[0045]最后，執(zhí)行步驟S205，根據(jù)哈希特征值判斷交疊的底層單元是否相同，進而對重復(fù)設(shè)計單元進行區(qū)分。例如在圖3所示實施例中，會產(chǎn)生三組哈希特征值，經(jīng)過比較，第一對交疊的底層單元32的哈希特征值與第二對對交疊的底層單元33的哈希特征值相同，而與第三對交疊的底層單元34的哈希特征值不同，則可以判斷出對應(yīng)于第一對交疊的底層單元32和第二對交疊的底層單元33的重復(fù)設(shè)計單元是相同的，而對應(yīng)于第三對交疊的底層單元34的重復(fù)設(shè)計單元則與另外兩個不同，由此可以分別進行對應(yīng)的OPC處理。對于相同的重復(fù)設(shè)計單元，則可以進行一次OPC處理即可。
[0046]經(jīng)過上述過程，可以精確的將重復(fù)設(shè)計單元進行區(qū)分，獲悉這些重復(fù)設(shè)計單元是否相同，從而有效提高OPC質(zhì)量。
[0047]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，包括: 創(chuàng)建單元索引表，獲得重復(fù)設(shè)計單元的底層單元； 獲得底層單元的空間狀態(tài)，所述空間狀態(tài)包括交疊； 對于每組交疊的底層單元，設(shè)定觀察單元，以觀測單元的同一位置為原點建立坐標(biāo)系，獲得交疊的底層單元的坐標(biāo)列表； 對所述坐標(biāo)列表進行排序，并產(chǎn)生哈希特征值； 根據(jù)哈希特征值判斷交疊的底層單元是否相同，進而對重復(fù)設(shè)計單元進行區(qū)分。
2.如權(quán)利要求1所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，其特征在于，對底層單元產(chǎn)生空間索引表，并結(jié)合光學(xué)干涉衍射，獲得底層單元的空間狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求2所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，其特征在于，掃描所述空間索引表，對底層單元進行分布式并行處理。
4.如權(quán)利要求2所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，其特征在于，所述交疊包括底層單元之間的交疊和底層單元與光學(xué)干涉衍射區(qū)域的交疊。
5.如權(quán)利要求4所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，其特征在于，所述觀察單元為交疊的底層單元中的一個。
6.如權(quán)利要求5所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，其特征在于，所述底層單元的形狀為矩形，以該矩形的一個頂角作為原點建立坐標(biāo)系，獲得每個底層單元的四個頂角的坐標(biāo)。
7.如權(quán)利要求6所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，其特征在于，所述坐標(biāo)為(X，1，ID,η)，其中X為橫坐標(biāo)，y為縱坐標(biāo)，ID為底層單元的標(biāo)識，η為頂角標(biāo)號。
8.如權(quán)利要求7所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，其特征在于，根據(jù)橫坐標(biāo)和縱坐標(biāo)的大小依次對每組交疊的底層單元的坐標(biāo)進行排序。
9.如權(quán)利要求1所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，其特征在于，若哈希特征值相同，則交疊的底層單元是相同的，進行一次OPC處理；若哈希特征值不同，則交疊的底層單元是不同的，分別進行OPC處理。
10.如權(quán)利要求1所述的重復(fù)設(shè)計單元的區(qū)分方法，其特征在于，所述空間交疊狀態(tài)還包括分離，對于分離的底層單元，進行OPC處理。
【文檔編號】G03F1/36GK104503202SQ201410838338
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月25日
【發(fā)明者】金曉亮, 鐘政, 袁春雨 申請人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司