本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種光刻版的形成方法。

背景技術(shù)：

自對準(zhǔn)金屬硅化物(salicide)，通常是指在形成金屬硅化物之前用其他物質(zhì)(如二氧化硅)定義好不需與金屬反應(yīng)的區(qū)域，在金屬與底材硅反應(yīng)時(shí)這些區(qū)域就不會形成金屬硅化物，從而二氧化硅就起到了幫助形成“自對準(zhǔn)”硅化物的作用。一種傳統(tǒng)的電阻結(jié)構(gòu)是將定義出的不形成金屬硅化物的特定區(qū)域作為電阻器，我們將其稱為非自對準(zhǔn)金屬硅化物(No-salicide)電阻。

在采用一種傳統(tǒng)的版圖(Layout)設(shè)計(jì)的進(jìn)行制造時(shí)，No-salicide電阻兩側(cè)的引出端在進(jìn)行離子注入時(shí)，如果在線工藝波動(如關(guān)鍵尺寸、對位等有波動)，注入就會向電阻體部分侵蝕，導(dǎo)致電阻值不穩(wěn)定。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要提供一種能夠形成電阻值較為精確的非自對準(zhǔn)金屬硅化物電阻的光刻版形成方法。

一種光刻版的形成方法，包括下列步驟：生成第一版圖；對所述第一版圖進(jìn)行電阻邏輯運(yùn)算，形成第二版圖；根據(jù)所述第二版圖形成光刻版；所述生成第一版圖的步驟中，第一版圖包括第一注入?yún)^(qū)，所述第一注入?yún)^(qū)內(nèi)的有源區(qū)，完整包覆所述有源區(qū)的阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層，將所述有源區(qū)的中部覆蓋的自對準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層，位于所述有源區(qū)內(nèi)部、自對準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層外兩側(cè)的引出端，以及位于所述引出端內(nèi)的接觸孔；所述對第一版圖進(jìn)行電阻邏輯運(yùn)算，形成第二版圖的步驟中，將所述自對準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層與有源區(qū)重合的區(qū)域作為非自對準(zhǔn)金屬硅化物電阻圖形，將所述第一注入?yún)^(qū)內(nèi)除阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層以外的部分作為第二注入?yún)^(qū)，所述第二注入?yún)^(qū)的單位面積離子注入劑量小于所述第一注入?yún)^(qū)除第二注入?yún)^(qū)外的部分。

在其中一個實(shí)施例中，所述對第一版圖進(jìn)行電阻邏輯運(yùn)算，形成第二版圖的步驟中，所述第二注入?yún)^(qū)的單位面積離子注入劑量是所述第一注入?yún)^(qū)除第二注入?yún)^(qū)以外的部分的十分之一。

在其中一個實(shí)施例中，所述第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)為N型離子注入?yún)^(qū)，所述阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層為阻擋N型輕摻雜漏極注入虛擬層。

在其中一個實(shí)施例中，所述第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)為P型離子注入?yún)^(qū)，所述阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層為阻擋P型輕摻雜漏極注入虛擬層。

在其中一個實(shí)施例中，所述引出端為自對準(zhǔn)金屬硅化物區(qū)域。

還有必要提供另一種一種光刻版的形成方法，包括下列步驟：生成第一版圖；對所述第一版圖進(jìn)行電阻邏輯運(yùn)算，形成第二版圖；根據(jù)所述第二版圖形成光刻版；所述生成第一版圖的步驟中，第一版圖包括第一注入?yún)^(qū)，第一注入?yún)^(qū)內(nèi)的多晶硅柵區(qū)，完整包覆所述多晶硅柵區(qū)的阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層，將所述多晶硅柵區(qū)的中部覆蓋的自對準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層，位于所述多晶硅柵區(qū)內(nèi)部、自對準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層外兩側(cè)的引出端，以及位于所述引出端內(nèi)的接觸孔；所述對第一版圖進(jìn)行電阻邏輯運(yùn)算，形成第二版圖的步驟中，將所述自對準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層與多晶硅柵區(qū)重合的區(qū)域作為非自對準(zhǔn)金屬硅化物電阻圖形，將所述第一注入?yún)^(qū)內(nèi)除阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層以外的部分作為第二注入?yún)^(qū)，所述第二注入?yún)^(qū)的單位面積離子注入劑量小于所述第一注入?yún)^(qū)除第二注入?yún)^(qū)外的部分。

在其中一個實(shí)施例中，所述對第一版圖進(jìn)行電阻邏輯運(yùn)算，形成第二版圖的步驟中，所述第二注入?yún)^(qū)的單位面積離子注入劑量是所述第一注入?yún)^(qū)除第二注入?yún)^(qū)以外的部分的十分之一。

在其中一個實(shí)施例中，所述第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)為N型離子注入?yún)^(qū)，所述阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層為阻擋N型輕摻雜漏極注入虛擬層。

在其中一個實(shí)施例中，所述第一注入?yún)^(qū)和第二注入?yún)^(qū)為P型離子注入?yún)^(qū)，所述阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層為阻擋P型輕摻雜漏極注入虛擬層。

在其中一個實(shí)施例中，所述引出端為自對準(zhǔn)金屬硅化物區(qū)域。

上述光刻版形成方法，由于阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層將有源區(qū)/多晶硅柵 區(qū)完全包覆，因此在靠近非自對準(zhǔn)金屬硅化物電阻圖形的位置不會形成第二注入?yún)^(qū)，該注入也就不會對非自對準(zhǔn)金屬硅化物電阻圖形對應(yīng)的電阻器電阻造成影響。故本發(fā)明能夠精確控制器件的非自對準(zhǔn)金屬硅化物電阻器的電阻值，提高產(chǎn)品的良率。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的光刻版的形成方法的流程圖；

圖2是一種傳統(tǒng)的進(jìn)行電阻邏輯運(yùn)算前的版圖；

圖3是圖2的版圖進(jìn)行電阻邏輯運(yùn)算后形成的版圖；

圖4是本發(fā)明一實(shí)施例中的第一版圖；

圖5是圖4所示版圖進(jìn)行電阻邏輯運(yùn)算后形成的版圖。

具體實(shí)施方式

為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的首選實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容更加透徹全面。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。

圖2是一種傳統(tǒng)的有源區(qū)(TO層)在進(jìn)行電阻邏輯運(yùn)算前的版圖，包括第一注入?yún)^(qū)111，第一注入?yún)^(qū)內(nèi)的有源區(qū)121，將有源區(qū)121的中部覆蓋的自對準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層131，將有源區(qū)121的中部覆蓋的阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層(Block NLDD Resistor Dummy Layer)141(在圖2所示實(shí)施例中，阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層141與自對準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層131一樣大且相互重合)，位于有源區(qū)121內(nèi)部、自對準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層131外兩側(cè)的引出端151(即有源區(qū)121不與自對準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層131重合的部分為引出端151)，以及位于引 出端151內(nèi)的接觸孔161。為了方便辨識，圖2中將阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層141的高繪制成略小于第一注入?yún)^(qū)111的高，但在實(shí)際的版圖中二者是相等的。

圖3是圖2所示版圖進(jìn)行電阻邏輯運(yùn)算后形成的版圖。和圖2相比，電阻邏輯運(yùn)算完畢后會生成第二注入(LA)區(qū)171。第二注入?yún)^(qū)171是輕摻雜漏極(LDD)注入?yún)^(qū)，通過在第一注入?yún)^(qū)111中去掉阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層141后得到。需要說明的是，通過該計(jì)算，在圖3中未示的器件(device)區(qū)域會形成輕摻雜漏極注入?yún)^(qū)，因此該計(jì)算是必須的。

根據(jù)上述版圖制造器件時(shí)，自對準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層131與有源區(qū)121重合的區(qū)域會形成非自對準(zhǔn)金屬硅化物電阻圖形181，對應(yīng)的電阻器(即有源區(qū)電阻)的電阻值主要決定于第一注入?yún)^(qū)111的注入劑量(大概300Ω/sq)。而兩側(cè)的引出端151由于形成自對準(zhǔn)金屬硅化物(salicide)，電阻值會較小(大概4Ω/sq)?？紤]到在制造時(shí)，第二注入?yún)^(qū)171的注入劑量大概只有第一注入?yún)^(qū)111的十分之一，如果在線工藝波動(例如關(guān)鍵尺寸和對位的偏差)，第二注入?yún)^(qū)171就可能偏離進(jìn)入非自對準(zhǔn)金屬硅化物電阻圖形181，使得有源區(qū)電阻的電阻值不穩(wěn)定，或者說不可控。

為了解決上述問題，發(fā)明人提出了本發(fā)明的光刻版的形成方法。參見圖1，光刻版的形成方法包括下列步驟：

S110，生成第一版圖。

參見圖4，第一版圖包括第一注入?yún)^(qū)211，第一注入?yún)^(qū)211內(nèi)的有源區(qū)221，完整包覆有源區(qū)221的阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層241，將有源區(qū)221的中部覆蓋的自對準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層231，位于有源區(qū)221內(nèi)部、自對準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層外兩側(cè)的引出端251，以及位于引出端251內(nèi)的接觸孔261。在本實(shí)施例中，阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層241與第一注入?yún)^(qū)211一樣大且二者相互重合。圖4中為了方便辨識，將阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層241繪制成略小于第一注入?yún)^(qū)211，但在實(shí)際的版圖中二者是一樣大的。

S120，對第一版圖進(jìn)行邏輯運(yùn)算，形成第二版圖。

電阻邏輯運(yùn)算包括生成第二注入?yún)^(qū)。第二注入?yún)^(qū)即輕摻雜漏極注入?yún)^(qū)，將第一注入?yún)^(qū)211中的阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層241去掉，剩余的區(qū)域即為第 二注入?yún)^(qū)，第二注入?yún)^(qū)的單位面積離子注入劑量小于第一注入?yún)^(qū)211除第二注入?yún)^(qū)外的部分的單位面積離子注入劑量。參見圖5，自對準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層231與有源區(qū)221重合的區(qū)域會成為非自對準(zhǔn)金屬硅化物電阻圖形281。由于阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層241將有源區(qū)221完全包覆，因此在靠近非自對準(zhǔn)金屬硅化物電阻圖形281的位置不會形成第二注入?yún)^(qū)，該注入也就不會對非自對準(zhǔn)金屬硅化物電阻圖形281對應(yīng)的電阻造成影響。故本發(fā)明能夠精確控制器件的非自對準(zhǔn)金屬硅化物電阻器的電阻值，提高產(chǎn)品的良率。

在圖4和圖5所示實(shí)施例中，阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層241與第一注入?yún)^(qū)211同樣大，故在第一注入?yún)^(qū)211內(nèi)不會形成第二注入?yún)^(qū)，因此引出端251也不會有第二注入?yún)^(qū)的注入。但由于引出端251是自對準(zhǔn)金屬硅化物(salicide)結(jié)構(gòu)，其電阻本身就很小(典型值為4Ω/sq)，即使不進(jìn)行第二注入?yún)^(qū)的離子注入也不會對其電阻有什么影響，因此引出端251缺乏第二注入?yún)^(qū)的注入也不要緊。

S130，根據(jù)第二版圖形成光刻版。

形成最終的版圖以后，就可以根據(jù)版圖制作各光刻層次的光刻版(mask)。

在其中一個實(shí)施例中，第一注入?yún)^(qū)211和第二注入?yún)^(qū)為N型離子注入?yún)^(qū)，阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層241為阻擋N型輕摻雜漏極注入虛擬層。在另一個實(shí)施例中，第一注入?yún)^(qū)211和第二注入?yún)^(qū)為P型離子注入?yún)^(qū)，阻擋輕摻雜漏極注入虛擬層241為阻擋P型輕摻雜漏極注入虛擬層。

以上實(shí)施例是對于有源區(qū)(TO層)的No-salicide電阻來說的實(shí)施例，對于多晶硅柵(GT)層的No-salicide電阻同樣適用，只需要把有源區(qū)221替換為多晶硅柵區(qū)即可。

本發(fā)明主要是針對關(guān)鍵尺寸為0.18微米的器件進(jìn)行的設(shè)計(jì)，可以理解的，本發(fā)明同樣可以適用于關(guān)鍵尺寸為其他數(shù)值的工藝中。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改 進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。