本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種防止曝光光罩污染的裝置及曝光裝置。

背景技術(shù)：

光罩(或掩模)已經(jīng)普遍應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的曝光裝置中，曝光裝置通常包括以下兩種：使用透鏡將光罩的圖案投影到基板上的投影式曝光裝置和在掩模與基板之間設(shè)置微小縫隙而將光罩的圖案轉(zhuǎn)印到基板的接近式曝光裝置。然而，生產(chǎn)過(guò)程中的揮發(fā)物和微塵容易致使光罩受到污染，尤其是曝光過(guò)程中所使用的光阻由于其極易揮發(fā)而污染光罩，從而導(dǎo)致產(chǎn)品會(huì)有微觀缺陷或宏觀色差，嚴(yán)重影響良率。

曝光裝置的光罩污染是一直以來(lái)困擾業(yè)界的一個(gè)問(wèn)題，尤其是對(duì)于接近式曝光裝置，由于接近式曝光裝置的光罩和載臺(tái)上產(chǎn)品的間隙較小，一般在300um以下，更容易受到揮發(fā)物和微塵污染?，F(xiàn)有的解決方案通常是在光罩污染后進(jìn)行檢查并采用光罩清洗劑或氣體洗滌的方式來(lái)清潔光罩，目前市場(chǎng)上在售或者相關(guān)文獻(xiàn)提及的曝光設(shè)備中，沒(méi)有在線防止光罩污染的裝置。而且，在生產(chǎn)過(guò)程中，處理光罩污染引起的停機(jī)時(shí)間會(huì)極大地影響產(chǎn)能，并且光罩污染后的檢查、清潔和修補(bǔ)成本也很高。

因此，需要提供一種防止曝光光罩污染的裝置及曝光裝置。

需要說(shuō)明的是，公開(kāi)于該實(shí)用新型背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在加深對(duì)本實(shí)用新型的一般背景技術(shù)的理解，而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型提供一種防止曝光光罩污 染的裝置及曝光裝置，能夠在線阻隔污染，大幅度降低光罩污染幾率，從而減少光罩清洗頻度并提高產(chǎn)能。

為了達(dá)到上述目的，在本申請(qǐng)的一個(gè)方面，提供一種防止曝光光罩污染的裝置，所述防止曝光光罩污染的裝置包括：

氣體供給模塊，設(shè)置在曝光光罩下方并且包括上層出風(fēng)口和下層出風(fēng)口，所述上層出風(fēng)口和下層出風(fēng)口形成包括上層等離子氣流和下層壓縮空氣流的雙層氣幕，所述下層壓縮空氣流產(chǎn)生的剪切力帶走大部分揮發(fā)物，所述上層等離子氣流與進(jìn)人其中的剩余的揮發(fā)物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以將所述剩余的揮發(fā)物轉(zhuǎn)變成非污染的小分子物質(zhì)；

氣體回收模塊，與所述氣體供給模塊相對(duì)地設(shè)置，所述氣體回收模塊回收并排放所述氣體供給模塊形成的氣流、大部分揮發(fā)物和非污染的小分子物質(zhì)。

在一些實(shí)施例中，所述上層出氣口和下層出氣口是能夠按需改變孔徑的可調(diào)式出風(fēng)口。

在一些實(shí)施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置還包括氣流檢測(cè)單元、氣流調(diào)控單元和控制單元，所述氣流檢測(cè)單元和氣流調(diào)控單元均連接至所述控制單元，所述氣流檢測(cè)單元檢測(cè)所述等離子氣流的流速和壓縮空氣流的流速并將檢測(cè)到的流速發(fā)送給所述控制單元，所述氣流調(diào)控單元在所述控制單元的控制下改變所述可調(diào)式出風(fēng)口的孔徑以調(diào)節(jié)所述等離子氣流的流速和所述壓縮空氣流的流速。

在一些實(shí)施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置還包括用于檢測(cè)揮發(fā)物的濃度的揮發(fā)物濃度檢測(cè)單元，所述揮發(fā)物濃度檢測(cè)單元連接至所述控制單元，所述控制單元根據(jù)檢測(cè)到的揮發(fā)物的濃度來(lái)設(shè)定所述等離子氣流的流速和所述壓縮空氣流的流速。

在一些實(shí)施例中，所述氣體供給模塊包括供氣模塊和氣刀，所述供氣模塊用于向所述氣刀提供等離子氣體和壓縮空氣，所述上層出風(fēng)口和下層出風(fēng)口設(shè)置在所述氣刀上。

在一些實(shí)施例中，所述上層出氣口和下層出氣口各包括一排出氣孔，每排出氣孔沿所述氣刀的寬度方向均勻排列。

在一些實(shí)施例中，每個(gè)出氣孔上安裝有噴嘴。

在一些實(shí)施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置還包括支架，所述支架用于將所述氣刀固定在曝光光罩的下方。

在一些實(shí)施例中，所述氣刀的寬度大于或等于曝光場(chǎng)的尺寸。

在一些實(shí)施例中，所述支架上設(shè)置有導(dǎo)軌，所述導(dǎo)軌在控制單元的控制下調(diào)節(jié)所述氣刀的位置。

在本申請(qǐng)的又一方面，還提供一種曝光裝置，所述曝光裝置包括前述一個(gè)方面中所述的防止曝光光罩污染的裝置。

在一些實(shí)施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置安裝在所述曝光裝置的光罩的下方。

在一些實(shí)施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置與所述曝光裝置集成。

本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型所提出的一種防止曝光光罩污染的裝置及曝光裝置利用氣刀(或風(fēng)刀)在光罩下方形成雙層氣幕，下層是壓縮空氣，壓縮空氣所產(chǎn)生的合適的氣體剪切力將大部分污染物帶走；部分沒(méi)被剪切力帶走而穿過(guò)此氣流層的污染物在到達(dá)光罩之前會(huì)與上層等離子氣幕進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)而轉(zhuǎn)變?yōu)榉俏廴镜男》肿游镔|(zhì)，同時(shí)，下層壓縮空氣還起到了阻隔基板光阻層與等離子氣體反應(yīng)的作用，由此產(chǎn)生的雙重保護(hù)以提前防止光罩受到污染。而且，本實(shí)用新型還根據(jù)在線光罩污染的頻度和程度，智能地進(jìn)行氣流調(diào)控，形成大小合適的氣體流速和氣體剪切力保證揮發(fā)物的徹底消除，以大幅度降低光罩污染，減少清洗頻度，從而提高產(chǎn)能并且降低光罩清洗與修補(bǔ)成本。因此，本實(shí)用新型可在線提前防止光罩污染，對(duì)污染進(jìn)行在線阻隔，大大改善現(xiàn)有技術(shù)方案中光罩污染后再進(jìn)行檢查并清洗的后處理方式；同時(shí)，可大大節(jié)省現(xiàn)有方式中清洗和修補(bǔ)光罩的成本。

附圖說(shuō)明

通過(guò)說(shuō)明書附圖以及隨后與說(shuō)明書附圖一起用于說(shuō)明本實(shí)用新型某些原理的具體實(shí)施方式，本實(shí)用新型所具有的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得清楚或得以更為具體地闡明。

圖1示出了根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的防止曝光光罩污染的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2示出了根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的防止曝光光罩污染的裝置中的氣刀(或風(fēng)刀)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示出了根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的出氣孔可采用的不同孔徑的網(wǎng)格板示意圖；

圖4示出了防止曝光光罩污染的方法流程圖；

圖5示出了包括防止曝光光罩污染的方法的曝光流程圖。

應(yīng)當(dāng)了解，說(shuō)明書附圖并不一定按比例地顯示本實(shí)用新型的具體結(jié)構(gòu)，并且在說(shuō)明書附圖中用于說(shuō)明本實(shí)用新型某些原理的圖示性特征也會(huì)采取略微簡(jiǎn)化的畫法。本文所公開(kāi)的本實(shí)用新型的具體設(shè)計(jì)特征包括例如具體尺寸、方向、位置和外形將部分地由具體所要應(yīng)用和使用的環(huán)境來(lái)確定。

在說(shuō)明書附圖的多幅附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示本實(shí)用新型的相同或等同的部分。

具體實(shí)施方式

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。

下面，結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行描述。請(qǐng)參閱圖1-5所示，本實(shí)用新型提供一種防止曝光光罩污染的裝置和方法。

圖1示出了根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的防止曝光光罩污染的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)用新型所提出的防止曝光光罩污染的裝置包括供氣模塊3、氣刀4和氣體回收模塊7。所述供氣模塊3設(shè)置在曝光裝置的一側(cè)并與所述氣刀4的進(jìn)氣端氣體連通，所述供氣模塊3向所述氣刀提供壓縮空氣和等離子氣體。所述氣體回收模塊7設(shè)置在與供氣模塊3相對(duì)的一側(cè)，(即，設(shè)置在曝光裝置的另一側(cè))，用于及時(shí)回收并排放氣刀4吹出的氣體，以減少氣體對(duì)曝光裝置空間內(nèi)其它領(lǐng)域氣場(chǎng)的影響，避免引起靜態(tài)灰塵飛揚(yáng)。 所述供氣模塊3和氣體回收模塊7都連接廠務(wù)端口。

所述氣刀4用于形成氣流平行的雙層氣幕，上層氣幕由等離子氣體構(gòu)成，下層氣幕由壓縮空氣構(gòu)成。優(yōu)選地，所述氣刀4可采用不銹鋼或鋁等金屬材質(zhì)制成，所述氣刀4的寬度大于或等于曝光裝置的曝光場(chǎng)的尺寸。在一些實(shí)施例中，所述供氣模塊3和所述氣刀4可集成在氣體供給模塊中。

進(jìn)一步，所述防止曝光光罩污染的裝置還可包括氣流檢測(cè)單元5、氣流調(diào)控單元6和控制系統(tǒng)(所述控制系統(tǒng)嵌入曝光機(jī)整機(jī)系統(tǒng)中，也可稱為控制單元)，所述氣流檢測(cè)單元5和氣流調(diào)控單元6均連接至所述控制單元。所述氣流檢測(cè)單元5用于檢測(cè)雙層氣幕的氣流流速并將所述等離子氣流的流速和所述壓縮空氣流的流速發(fā)送給控制單元，在本實(shí)施例中，所述可根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)中光罩污染的頻度和程度來(lái)設(shè)定流速，流速的大小對(duì)應(yīng)相應(yīng)的剪切力大小。所述控制單元根據(jù)接收到的所述等離子氣流和所述壓縮空氣流的流速發(fā)出指令給所述氣流調(diào)控單元6，所述氣流調(diào)控單元6用于根據(jù)控制單元的指令智能地調(diào)節(jié)氣流的流速(即，下文所描述的“噴嘴的流量”)。優(yōu)選地，氣流檢測(cè)單元5按照設(shè)定頻度對(duì)所述等離子氣流和所述壓縮空氣流的流速進(jìn)行檢測(cè)。在一些實(shí)施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置還可包括用于檢測(cè)揮發(fā)物的濃度的揮發(fā)物濃度檢測(cè)單元，所述揮發(fā)物濃度檢測(cè)單元連接至所述控制單元，所述控制單元根據(jù)檢測(cè)到的揮發(fā)物的濃度來(lái)設(shè)定所述等離子氣流的流速和所述壓縮空氣流的流速。

在一些實(shí)施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置可安裝在曝光裝置的光罩與基板載臺(tái)之間的任何位置，作為附屬結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置安裝在光罩下方，優(yōu)選地，通過(guò)支架1將所述氣刀4安裝于所述光罩的下方，所述光罩位于曝光裝置的光學(xué)系統(tǒng)下方。所述支架1上設(shè)置有導(dǎo)軌2，所述導(dǎo)軌2由控制單元控制，使得可按實(shí)際生產(chǎn)需求，在控制單元的控制下智能地調(diào)節(jié)所述氣刀在所述光罩和載臺(tái)之間的上下位置。

在另一些實(shí)施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置可與曝光裝置集成，而且所述防止曝光光罩污染的裝置的控制單元也可嵌入在所述曝光裝置的控制單元內(nèi)，智能地對(duì)氣刀的氣流進(jìn)行檢測(cè)和調(diào)節(jié)，與整個(gè)曝光裝置一起 完成曝光制程。

圖2示出了根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的防止曝光光罩污染的裝置中的氣刀(或風(fēng)刀)4的結(jié)構(gòu)示意圖。所述氣刀4包括上層進(jìn)氣口和下層進(jìn)氣口以及上層出氣口和下層出氣口，所述上層進(jìn)氣口和下層進(jìn)氣口分別連接至供氣模塊3，所述供氣模塊3分別向所述上層進(jìn)氣口和下層進(jìn)氣口提供等離子氣體和壓縮空氣。

所述上層出氣口和下層出氣口各包括一排出氣孔9，每個(gè)出氣孔9上安裝有噴嘴10。所述上層出氣口和下層出氣口的噴嘴分別同時(shí)噴出壓縮空氣流和等離子體氣流，形成雙層氣幕。每排出氣孔9(或噴嘴10)沿平行于光罩的方向(也即，氣刀的寬度方向)均勻排列。優(yōu)選地，兩排出氣孔9(或噴嘴10)彼此平行且對(duì)稱地設(shè)置。所述等離子氣體和壓縮空氣分別經(jīng)各自的進(jìn)氣口進(jìn)入氣刀的高壓腔，氣流通過(guò)狹窄、細(xì)薄的噴嘴10的出口后在氣刀的寬度方向就形成平行的兩張均衡的氣流薄片。

在本實(shí)施例中，所述氣刀4采用不銹鋼或鋁等金屬材質(zhì)結(jié)構(gòu)，所述氣刀寬度大于或等于曝光裝置的曝光場(chǎng)的尺寸，如圖2所示，兩層出氣孔9均勻平行排列在氣刀的寬度方向上，兩層噴嘴10噴出的等離子氣流和壓縮空氣流均與光罩平行，并能形成平穩(wěn)均勻的雙層氣幕，其中下層壓縮空氣流產(chǎn)生的剪切力可帶走大部分揮發(fā)物，而少量進(jìn)入上層氣體層中的揮發(fā)物分子會(huì)與上層等離子體發(fā)生碰撞、電離并裂解揮發(fā)物中的各種成分，使得這些揮發(fā)物經(jīng)過(guò)這一系列的化學(xué)反應(yīng)而轉(zhuǎn)變成小分子的安全物質(zhì)，例如水和二氧化碳等物質(zhì)，使得防止光罩的污染有了雙重保障。

具體而言，等離子體可以是不活潑氣體(如氬氣、氮?dú)?、氟化氮?，也可以是活潑氣體(如氧氣、氫氣或者是兩種以上混合的氣體等)被激發(fā)、電離而成，這些等離子體由原子、分子、原子團(tuán)、離子、電子組成，這些等離子體遇到揮發(fā)的有機(jī)污染物時(shí)，能與之碰撞，發(fā)生一系列的化學(xué)反應(yīng)，使污染物中的成分轉(zhuǎn)變成小分子的非污染物質(zhì)。在本實(shí)施例中，選擇氮?dú)鈦?lái)形成等離子體，所述氮?dú)獗晦Z擊成電子e、氮離子N3-和自由基。通常曝光過(guò)程中所使用的光阻由樹(shù)脂、感光劑和溶劑組成，往往這些有機(jī)溶劑最易揮發(fā)而污染光罩，溶劑的主要成分為多種丙烯酸酯和甲醚類物質(zhì)，主 要是由碳、氫、氧構(gòu)成的多種官能團(tuán)物質(zhì)，反應(yīng)過(guò)程此較復(fù)雜。等離子體與這些揮發(fā)物反應(yīng)的主要機(jī)理為：1、高能電子e直接作用于有機(jī)揮發(fā)氣體，污染物受碰撞激發(fā)或離解：e+有機(jī)污染物→各種碎片分子；2、氮?dú)馐嵌栊詺怏w，電離形成的氮離子N3-屬于活性基團(tuán)的高能激發(fā)態(tài)，碰撞時(shí)，可以使得有機(jī)揮發(fā)氣體分子鍵斷裂而得以降解。

在本實(shí)施例中，所述氣流檢測(cè)單元5和氣流調(diào)控單元6與氣刀4集成，然而，本實(shí)用新型不限于此，所述氣流檢測(cè)單元5和氣流調(diào)控單元6可以不與氣刀4集成，而是分離的。所述氣刀4的噴嘴結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以是任何合適的噴嘴設(shè)計(jì)。

圖3示出了根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的出氣孔可采用的不同孔徑的網(wǎng)格板示意圖。雖然圖3中示出了用于出氣孔9的可選的三種大小孔徑的網(wǎng)格板，但本實(shí)用新型不限于此，出氣孔9可具有更多其他不同孔徑的網(wǎng)格流道設(shè)計(jì)，即，還可以其他孔徑的網(wǎng)格板，其中不同孔徑的網(wǎng)格板11對(duì)應(yīng)于不同的檔位。

當(dāng)氣流流速需要調(diào)節(jié)時(shí)，曝光裝置可根據(jù)氣流調(diào)控單元6的調(diào)控進(jìn)行不同檔位的更換，這樣可防止氣流改變時(shí)引起的剪切力不均勻，優(yōu)選地，可單獨(dú)控制每層氣流的流速。當(dāng)各氣流層間速度不同時(shí)，流體間會(huì)出現(xiàn)相對(duì)運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生切向作用力，從而出現(xiàn)內(nèi)摩擦粘滯效應(yīng)，使得剪切力變小。但是，牛頓內(nèi)摩擦力定律中，這個(gè)力與兩層氣體之間的速度梯度成正比 (Pa)(表示速度梯度，即與氣流垂直方向上單位距離dy的速度變化率；μ表示動(dòng)力粘度)，當(dāng)兩層流體間處于相對(duì)靜止?fàn)顟B(tài)或以相同速度運(yùn)動(dòng)時(shí)，內(nèi)摩擦力等于零，即沒(méi)有粘滯效應(yīng)，等離子和壓縮空氣體可以按照設(shè)定吹出的速度流動(dòng)，以使壓縮空氣產(chǎn)生最大剪切力將污染物帶走。同時(shí)，下層壓縮空氣還起到了阻隔基板光阻層與等離子氣體反應(yīng)的作用。

圖4示出了防止曝光光罩污染的方法流程圖。所述防止曝光光罩污染的方法開(kāi)始于基板載入載臺(tái)并使基板對(duì)位之后且在曝光開(kāi)始之前，首先，由氣體供給模塊形成包括上層等離子氣流和下層壓縮空氣流的雙層氣幕(步驟401)。具體而言，由供氣模塊3從廠務(wù)端向氣刀4提供等離子氣體 (等離子，即物質(zhì)的第四態(tài)，由部分電子被剝奪后的原子以及原子被電離后產(chǎn)生的正負(fù)電子組成的離子化氣態(tài)物質(zhì))和壓縮空氣，接著，氣刀4持續(xù)平穩(wěn)且均勻地吹送等離子氣流和壓縮空氣流的雙層氣幕，所述氣刀的兩層噴嘴吹送的等離子氣流和壓縮空氣流均與光罩平行，并能形成平穩(wěn)均勻的雙層氣幕。利用所述下層壓縮空氣流產(chǎn)生的剪切力可帶走大部分揮發(fā)物(步驟402)，而少量進(jìn)入上層氣體層中的揮發(fā)物分子會(huì)與上層等離子體發(fā)生碰撞、電離并裂解揮發(fā)物中的各種成分，使得這些揮發(fā)物經(jīng)過(guò)這一系列的化學(xué)反應(yīng)而轉(zhuǎn)變成小分子的安全物質(zhì)(步驟403)，例如水和二氧化碳等物質(zhì)，使得防止光罩的污染有了雙重保障。一個(gè)曝光場(chǎng)結(jié)束后，載臺(tái)移至下一曝光場(chǎng)，這期間氣刀不停止工作，直到一片基板曝光完成，氣刀才停止吹氣。當(dāng)下一片基板送達(dá)載臺(tái)開(kāi)始曝光前，氣刀再次開(kāi)始工作來(lái)滿足不斷的量產(chǎn)需要。期間氣體回收模塊7一直開(kāi)啟，回收并排出氣刀吹出的氣體(步驟404)，以免該氣流影響周圍區(qū)域的靜態(tài)氣場(chǎng)，從而避免引起灰塵飛揚(yáng)，污染產(chǎn)品。此外，氣流檢測(cè)單元5可按照設(shè)定頻度對(duì)等離子氣流的流速和壓縮空氣流的流速進(jìn)行檢測(cè)，并根據(jù)氣流檢測(cè)單元5的檢測(cè)結(jié)果，按需調(diào)節(jié)等離子氣流的流速和/或壓縮空氣流的流速。當(dāng)檢測(cè)結(jié)果不達(dá)標(biāo)時(shí)，則需要調(diào)節(jié)氣流的流速，此時(shí)，氣流調(diào)控單元6可在控制單元的控制下智能地調(diào)節(jié)氣流的流速，優(yōu)選地，可單獨(dú)地控制每層氣流的流速，重復(fù)以上檢測(cè)和調(diào)節(jié)步驟直到氣流檢測(cè)單元5檢測(cè)的結(jié)果達(dá)標(biāo)則不需要調(diào)節(jié)流速。

圖5示出了包括防止曝光光罩污染的方法的曝光流程圖。在該實(shí)施例中，所述防止曝光光罩污染的裝置的控制單元被嵌入曝光裝置的整機(jī)系統(tǒng)中，與整機(jī)控制系統(tǒng)一起共同完成基板的曝光過(guò)程。首先，將基板送人載臺(tái)并完成基板對(duì)位，對(duì)防止曝光光罩污染的裝置進(jìn)行位置調(diào)節(jié)，在一些實(shí)施例中，是對(duì)氣刀的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，然后使氣刀開(kāi)始吹氣并對(duì)氣刀吹送的等離子氣流和壓縮空氣流的流速進(jìn)行檢測(cè)，如果等離子氣流和/或壓縮空氣流流速指標(biāo)不合格則需通過(guò)氣流調(diào)控單元進(jìn)行相應(yīng)調(diào)節(jié)，直至氣流流速達(dá)標(biāo)。在曝光開(kāi)始后，載臺(tái)移動(dòng)并進(jìn)行逐場(chǎng)曝光，期間氣刀可按照預(yù)定設(shè)置自動(dòng)開(kāi)啟和停止吹氣以重復(fù)以上過(guò)程，待基板完成制程，送出基板。

上述實(shí)施例是用于例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效，但是本實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施方式。本領(lǐng)域的技術(shù)人員均可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，在權(quán)利要求保護(hù)范圍內(nèi)，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，應(yīng)如本實(shí)用新型的權(quán)利要求書覆蓋。