1.一種低直流漂移的鈮酸鋰薄膜強(qiáng)度調(diào)制器，包括：基底晶片(5)、鈮酸鋰薄膜(6)、光學(xué)波導(dǎo)(2)、調(diào)制電極(4)、直流偏壓電極(7)，所述基底晶片(5)為石英晶片；所述鈮酸鋰薄膜(6)具有單晶結(jié)構(gòu)，晶體切向?yàn)閄切Y傳；所述光學(xué)波導(dǎo)(2)為鈦擴(kuò)散波導(dǎo)或退火質(zhì)子交換波導(dǎo)；所述調(diào)制電極(4)為推挽型行波式電極結(jié)構(gòu)；所述直流偏壓電極(7)為推挽型集總式電極結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低直流漂移的鈮酸鋰薄膜強(qiáng)度調(diào)制器，其特征在于，所述基底晶片(5)的厚度為0.1mm至2mm，采用具有低介電常數(shù)的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低直流漂移的鈮酸鋰薄膜強(qiáng)度調(diào)制器，其特征在于，所述具有低介電常數(shù)的材料為石英晶片或硅基二氧化硅晶片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低直流漂移的鈮酸鋰薄膜強(qiáng)度調(diào)制器，其特征在于，所述鈮酸鋰薄膜(6)的厚度為1μm至20μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低直流漂移的鈮酸鋰薄膜強(qiáng)度調(diào)制器，其特征在于，所述光學(xué)波導(dǎo)(2)的波導(dǎo)擴(kuò)散寬度為1μm至10μm，擴(kuò)散深度為1μm至10μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低直流漂移的鈮酸鋰薄膜強(qiáng)度調(diào)制器，其特征在于，所述調(diào)制電極(4)由一根信號(hào)電極(4-1)與兩根地電極(4-2)組成，其中信號(hào)電極(4-1)置于光學(xué)波導(dǎo)(2)的中間，兩根地電極(4-2)分置于光學(xué)波導(dǎo)(2)的左側(cè)和右側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低直流漂移的鈮酸鋰薄膜強(qiáng)度調(diào)制器，其特征在于，所述調(diào)制電極(4)的厚度為1μm至30μm，信號(hào)電極(4-1)的寬度為10μm至100μm，地電極(4-2)與信號(hào)電極(4-1)的邊緣之間的間距為10μm至30μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低直流漂移的鈮酸鋰薄膜強(qiáng)度調(diào)制器，其特征在于，所述直流偏壓電極(7)的厚度為0.1μm至30μm。