本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種顯示基板母板及其制作方法、紫外光光強(qiáng)監(jiān)測(cè)方法及設(shè)備。

背景技術(shù)：

在LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示面板)的制作工藝中，需要在彩膜基板和陣列基板上設(shè)置配向膜，使得液晶分子在沒有電場(chǎng)作用的情況下保持特定初始取向。配向膜的制作方法包括摩擦取向(Rubbing)和光配向(Photo Alignment)。

其中，光配向方法是利用通過偏振片后的紫外光照射顯示基板上的待配向膜，使配向膜表面具有光學(xué)各向異性。與傳統(tǒng)摩擦取向的方法相比，光配向法有效的避免了摩擦中的粉塵顆粒與靜電殘留，能夠提升產(chǎn)品良率和穩(wěn)定性。在光配向過程中，如果紫外光光強(qiáng)過低，會(huì)使得顯示基板上的待配向膜接受的有效光能量不足，從而造成配向膜取向異常，液晶配向紊亂，導(dǎo)致液晶顯示面板產(chǎn)生亮點(diǎn)等配向不良，因此，需要對(duì)光配向過程中的紫外光光強(qiáng)進(jìn)行監(jiān)測(cè)。

現(xiàn)有紫外光光強(qiáng)監(jiān)測(cè)方式是在光配向設(shè)備空閑的情況下，將標(biāo)準(zhǔn)紫外光電探測(cè)器放在玻璃基板上進(jìn)入到光配向設(shè)備中，模擬光配向過程中基板接收的紫外光的能量密度，但上述方式存在以下缺點(diǎn)：紫外光光強(qiáng)監(jiān)測(cè)需占用設(shè)備生產(chǎn)時(shí)間，并且在對(duì)顯示基板上的待配向膜進(jìn)行光配向時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)紫外光電探測(cè)器不能放入光配向設(shè)備中，因此，無法監(jiān)測(cè)實(shí)際生產(chǎn)時(shí)的紫外光光強(qiáng)，模擬結(jié)果可能與實(shí)際生產(chǎn)時(shí)的紫外光光強(qiáng)存在差異，并且無法監(jiān)測(cè)到在實(shí)際生產(chǎn)時(shí)光配向設(shè)備波動(dòng)造成的紫外光光強(qiáng)異常。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示基板母板及其制作方法、紫外光光強(qiáng)監(jiān)測(cè)方法及設(shè)備，能夠?qū)馀湎蜻^程中的紫外光光強(qiáng)進(jìn)行監(jiān)測(cè)。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種顯示基板母板，所述顯示基板母板的非顯示區(qū)域設(shè)置有至少一個(gè)光敏晶體管，在受到紫外光照射后，所述光敏晶體管的TFT特性參數(shù)能夠發(fā)生變化。

進(jìn)一步地，所述光敏晶體管的有源層所采用材料的帶隙寬度E與紫外光的波長λ滿足E＝hc/λ，其中，h為普朗克常數(shù)，c為光速。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示基板母板的制作方法，用于制作如上所述的顯示基板母板，所述制作方法包括：

在所述顯示基板母板的非顯示區(qū)域形成至少一個(gè)光敏晶體管，在受到紫外光照射后，所述光敏晶體管的TFT特性參數(shù)能夠發(fā)生變化。

進(jìn)一步地，所述顯示基板母板上還形成有開關(guān)薄膜晶體管，形成所述光敏晶體管包括：

通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極和所述光敏晶體管的柵極；

通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述開關(guān)薄膜晶體管的源極、漏極和所述光敏晶體管的源極、漏極。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種紫外光光強(qiáng)監(jiān)測(cè)方法，利用如上所述的顯示基板母板來監(jiān)測(cè)光配向過程中的紫外光光強(qiáng)，所述方法包括：

在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之前，獲取所述光敏晶體管的第一TFT特性參數(shù)；

在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之后，在所述光敏晶體管的光學(xué)特性發(fā)生變化前獲取所述光敏晶體管的第二TFT特性參數(shù)；

比對(duì)所述第一TFT特性參數(shù)和所述第二TFT特性參數(shù)，計(jì)算出光配向過程中的紫外光光強(qiáng)。

進(jìn)一步地，所述監(jiān)測(cè)方法具體包括：

在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之前，在所述光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，獲取所述光敏晶體管的第一源漏電流I₁；

在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之后，在所述顯示基板母板上的光敏晶體管的電學(xué)特性變化前獲取所述光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)的第二源漏電流I₂；

根據(jù)公式計(jì)算得到光配向過程中的紫外光光強(qiáng)P，其中，R為預(yù)先獲取的標(biāo)定系數(shù)。

進(jìn)一步地，所述方法還包括獲取標(biāo)定系數(shù)R的步驟，獲取標(biāo)定系數(shù)R的步驟包括：

在對(duì)測(cè)試用顯示基板母板進(jìn)行光配向之前，在測(cè)試用顯示基板母板上的光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，獲取所述光敏晶體管的第一測(cè)試源漏電流I_測(cè)1；

將紫外光探測(cè)器放在所述測(cè)試用顯示基板母板上進(jìn)入光配向設(shè)備中；

對(duì)所述測(cè)試用顯示基板母板進(jìn)行光配向，并獲得所述紫外光探測(cè)器檢測(cè)到的紫外光能量密度E_測(cè)；

利用公式P_測(cè)＝E_測(cè)·S計(jì)算得到測(cè)試紫外光光強(qiáng)P_測(cè)，其中，S為測(cè)試用顯示基板母板上光敏晶體管的溝道面積；

在對(duì)測(cè)試用顯示基板母板進(jìn)行光配向之后，在測(cè)試用顯示基板母板上的光敏晶體管的電學(xué)特性變化前獲取所述光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)的第二測(cè)試源漏電流I_測(cè)2；

利用公式獲取標(biāo)定系數(shù)R。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種紫外光光強(qiáng)監(jiān)測(cè)設(shè)備，利用如上所述的顯示基板母板來監(jiān)測(cè)光配向過程中的紫外光光強(qiáng)，所述設(shè)備包括：

第一檢測(cè)模塊，用于在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之前，獲取所述光敏晶體管的第一TFT特性參數(shù)；

第二檢測(cè)模塊，用于在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之后，在所述光敏晶體管的光學(xué)特性發(fā)生變化前獲取所述光敏晶體管的第二TFT特性參數(shù)；

計(jì)算模塊，用于比對(duì)所述第一TFT特性參數(shù)和所述第二TFT特性參數(shù)，計(jì)算出光配向過程中的紫外光光強(qiáng)。

進(jìn)一步地，所述第一檢測(cè)模塊具體用于在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之前，在所述光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，獲取所述光敏晶體管的第一源漏電流I₁；

所述第二檢測(cè)模塊具體用于在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之后，在所述顯示基板母板上的光敏晶體管的電學(xué)特性變化前獲取所述光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)的第二源漏電流I₂；

所述計(jì)算模塊具體用于根據(jù)公式計(jì)算得到光配向過程中的紫外光光強(qiáng)P，其中，R為預(yù)先獲取的標(biāo)定系數(shù)。

進(jìn)一步地，所述設(shè)備還包括標(biāo)定系數(shù)R獲取模塊，所述標(biāo)定系數(shù)R獲取模塊包括：

第一測(cè)試單元，用于在對(duì)測(cè)試用顯示基板母板進(jìn)行光配向之前，在測(cè)試用顯示基板母板上的光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，獲取所述光敏晶體管的第一測(cè)試源漏電流I_測(cè)1；

處理單元，用于將紫外光探測(cè)器放在所述測(cè)試用顯示基板母板上進(jìn)入光配向設(shè)備中，對(duì)所述測(cè)試用顯示基板母板進(jìn)行光配向，并獲得所述紫外光探測(cè)器檢測(cè)到的紫外光能量密度E_測(cè)；

第一計(jì)算單元，用于利用公式P_測(cè)＝E_測(cè)·S計(jì)算得到測(cè)試紫外光光強(qiáng)P_測(cè)，其中，S為測(cè)試用顯示基板母板上光敏晶體管的溝道面積；

第二測(cè)試單元，用于在對(duì)測(cè)試用顯示基板母板進(jìn)行光配向之后，在測(cè)試用顯示基板母板上的光敏晶體管的電學(xué)特性變化前獲取所述光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)的第二測(cè)試源漏電流I_測(cè)2；

第二計(jì)算單元，用于利用公式獲取標(biāo)定系數(shù)R。

本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果：

上述方案中，在顯示基板母板的非顯示區(qū)域設(shè)計(jì)能夠感應(yīng)紫外光的光敏晶體管，通過測(cè)量并比對(duì)光敏晶體管在接受紫外光前后的特性參數(shù)，從而監(jiān)測(cè)光配向過程中顯示基板母板所受到的光配向紫外光的光強(qiáng)。本發(fā)明的技術(shù)方案不用占用設(shè)備生產(chǎn)時(shí)間，可以監(jiān)測(cè)實(shí)際生產(chǎn)時(shí)的紫外光光強(qiáng)，也能夠監(jiān)測(cè)到在實(shí)際生產(chǎn)時(shí)光配向設(shè)備波動(dòng)造成的紫外光光強(qiáng)異常。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例顯示基板母板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例光敏晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例紫外光光強(qiáng)監(jiān)測(cè)方法的流程示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例紫外光光強(qiáng)監(jiān)測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記

1顯示基板母板 2顯示基板 3光敏晶體管 4襯底基板 5柵極 6柵絕緣層 7有源層 8源極 9漏極

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明的實(shí)施例針對(duì)現(xiàn)有紫外光光強(qiáng)監(jiān)測(cè)方式無法監(jiān)測(cè)實(shí)際生產(chǎn)時(shí)的紫外光光強(qiáng)的問題，提供一種顯示基板母板及其制作方法、紫外光光強(qiáng)監(jiān)測(cè)方法及設(shè)備，能夠?qū)馀湎蜻^程中的紫外光光強(qiáng)進(jìn)行監(jiān)測(cè)。

實(shí)施例一

本實(shí)施例提供了一種顯示基板母板1，如圖1所示，顯示基板母板1包括多個(gè)顯示基板2，在顯示基板母板1的非顯示區(qū)域設(shè)置有至少一個(gè)光敏晶體管3，在受到紫外光照射后，所述光敏晶體管3的TFT特性參數(shù)能夠發(fā)生變化。

其中，光敏晶體管3可以設(shè)置在部分顯示基板2的非顯示區(qū)域，也可以設(shè)置在顯示基板2之間的區(qū)域，只要是位于顯示基板母板1的非顯示區(qū)域，不影響顯示基板母板1的顯示區(qū)域接受紫外光光照即可。

具體地，如圖2所示，光敏晶體管包括有形成在襯底基板4上的柵極5，柵絕緣層6，位于柵絕緣層6上的有源層7，與有源層7接觸的源極8和漏極9，光敏晶體管的有源層選取對(duì)紫外光具備響應(yīng)特性的材料，這樣在受到紫外光照射后，光敏晶體管的TFT特性參數(shù)比如說源漏電流就會(huì)發(fā)生變化，通過測(cè)試光敏晶體管的TFT特性參數(shù)變化量，就可以反向推導(dǎo)得到顯示基板母板受到的紫外光光強(qiáng)。光敏晶體管的有源層所采用材料的帶隙寬度E與紫外光的波長λ滿足E＝hc/λ，其中，h為普朗克常數(shù)，c為光速，具體地，光敏晶體管的有源層可選取對(duì)紫外光具備響應(yīng)特性的氧化物，如MgZnO。

本實(shí)施例在顯示基板母板的非顯示區(qū)域設(shè)計(jì)能夠感應(yīng)紫外光的光敏晶體管，通過測(cè)量并比對(duì)光敏晶體管在接受紫外光前后的特性參數(shù)，可以監(jiān)測(cè)光配向過程中顯示基板母板所受到的光配向紫外光的光強(qiáng)。利用本實(shí)施例的顯示基板母板不需要占用設(shè)備生產(chǎn)時(shí)間就可以監(jiān)測(cè)實(shí)際生產(chǎn)時(shí)的紫外光光強(qiáng)，也能夠監(jiān)測(cè)到在實(shí)際生產(chǎn)時(shí)光配向設(shè)備波動(dòng)造成的紫外光光強(qiáng)異常。

實(shí)施例二

本實(shí)施例提供了一種顯示基板母板的制作方法，用于制作如上所述的顯示基板母板，所述制作方法包括：

在所述顯示基板母板的非顯示區(qū)域形成至少一個(gè)光敏晶體管，在受到紫外光照射后，所述光敏晶體管的TFT特性參數(shù)能夠發(fā)生變化。

本實(shí)施例在顯示基板母板的非顯示區(qū)域形成能夠感應(yīng)紫外光的光敏晶體管，通過測(cè)量并比對(duì)光敏晶體管在接受紫外光前后的特性參數(shù)，可以監(jiān)測(cè)光配向過程中顯示基板母板所受到的光配向紫外光的光強(qiáng)。利用本實(shí)施例的顯示基板母板不需要占用設(shè)備生產(chǎn)時(shí)間就可以監(jiān)測(cè)實(shí)際生產(chǎn)時(shí)的紫外光光強(qiáng)，也能夠監(jiān)測(cè)到在實(shí)際生產(chǎn)時(shí)光配向設(shè)備波動(dòng)造成的紫外光光強(qiáng)異常。

進(jìn)一步地，所述顯示基板母板上還形成有開關(guān)薄膜晶體管，形成所述光敏晶體管包括：

通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極和所述光敏晶體管的柵極；

通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述開關(guān)薄膜晶體管的源極、漏極和所述光敏晶體管的源極、漏極。

在顯示基板母板上形成有開關(guān)薄膜晶體管時(shí)，可以通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成開關(guān)薄膜晶體管的柵極和光敏晶體管的柵極，通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成開關(guān)薄膜晶體管的源極、漏極和光敏晶體管的源極、漏極，這樣能夠減低制作顯示基板母板的構(gòu)圖工藝的次數(shù)，減少顯示基板母板的制作時(shí)間，降低顯示基板母板的制作成本。光敏晶體管的有源層可以在開關(guān)薄膜晶體管的有源層形成之后形成，也可以在開關(guān)薄膜晶體管的有源層形成之前形成，在此不做限定。

實(shí)施例三

本實(shí)施例提供了一種紫外光光強(qiáng)監(jiān)測(cè)方法，利用如上所述的顯示基板母板來監(jiān)測(cè)光配向過程中的紫外光光強(qiáng)，如圖3所示，所述方法包括：

步驟101:在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之前，獲取所述光敏晶體管的第一TFT特性參數(shù)；

步驟102:在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之后，在所述光敏晶體管的光學(xué)特性發(fā)生變化前獲取所述光敏晶體管的第二TFT特性參數(shù)；

步驟103:比對(duì)所述第一TFT特性參數(shù)和所述第二TFT特性參數(shù)，計(jì)算出光配向過程中的紫外光光強(qiáng)。

本實(shí)施例通過測(cè)量并比對(duì)顯示基板母板的光敏晶體管在接受紫外光前后的特性參數(shù)，從而監(jiān)測(cè)光配向過程中顯示基板母板所受到的光配向紫外光的光強(qiáng)。本發(fā)明的技術(shù)方案不用占用設(shè)備生產(chǎn)時(shí)間，可以監(jiān)測(cè)實(shí)際生產(chǎn)時(shí)的紫外光光強(qiáng)，也能夠監(jiān)測(cè)到在實(shí)際生產(chǎn)時(shí)光配向設(shè)備波動(dòng)造成的紫外光光強(qiáng)異常。

具體地，光敏晶體管的TFT特性參數(shù)可以為源漏電流。在對(duì)顯示基板母板進(jìn)行紫外光照射之前，測(cè)試光敏晶體管的源漏電流，在對(duì)顯示基板母板進(jìn)行紫外光照射之后，再測(cè)試光敏晶體管的源漏電流。值得注意的是，在受到紫外光照射之后，光敏晶體管的電學(xué)特性會(huì)馬上發(fā)生改變，但這個(gè)改變僅會(huì)持續(xù)一段時(shí)間，而不會(huì)永久改變，因此在對(duì)顯示基板母板進(jìn)行紫外光照射之后測(cè)試光敏晶體管的源漏電流時(shí)，必須是趕在電學(xué)特性再次變化之前對(duì)光敏晶體管的源漏電流進(jìn)行測(cè)試。

一般情況下，在受到紫外光光照之后數(shù)百秒之內(nèi)，光敏晶體管的TFT特性參數(shù)不會(huì)發(fā)生變化，因此，需要在數(shù)百秒之內(nèi)對(duì)光敏晶體管的TFT特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試?？梢栽诠馀湎蜻^程結(jié)束后，立即(即數(shù)百秒之內(nèi))將顯示基板母板放入特性曲線測(cè)試設(shè)備內(nèi)，利用常規(guī)量產(chǎn)所用TFT特性曲線測(cè)試設(shè)備測(cè)得光敏晶體管的TFT特性參數(shù)。也可以從光敏晶體管的源極、漏極和柵極上引出信號(hào)，在顯示基板母板受到紫外光光照的過程中，將信號(hào)導(dǎo)入TFT特性曲線測(cè)試設(shè)備，測(cè)得光敏晶體管的TFT特性參數(shù)。

而由于在光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，光敏晶體管受到紫外光照射前后的源漏電流改變較大，因此，在對(duì)顯示基板母板進(jìn)行光配向之前，在光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，獲取光敏晶體管的源漏電流，在對(duì)顯示基板母板進(jìn)行光配向之后，在光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，再次獲取光敏晶體管的源漏電流；對(duì)獲取的兩個(gè)源漏電流進(jìn)行比較，即可計(jì)算出顯示基板母板在光配向過程中受到的紫外光光強(qiáng)。

具體地，監(jiān)測(cè)方法包括：

在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之前，在所述光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，獲取所述光敏晶體管的第一源漏電流I₁；

在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之后，在所述顯示基板母板上的光敏晶體管的電學(xué)特性變化前獲取所述光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)的第二源漏電流I₂；

根據(jù)公式計(jì)算得到光配向過程中的紫外光光強(qiáng)P，其中，R為預(yù)先獲取的標(biāo)定系數(shù)。

進(jìn)一步地，所述方法還包括獲取標(biāo)定系數(shù)R的步驟，獲取標(biāo)定系數(shù)R的步驟包括：

在對(duì)測(cè)試用顯示基板母板進(jìn)行光配向之前，在測(cè)試用顯示基板母板上的光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，獲取所述光敏晶體管的第一測(cè)試源漏電流I_測(cè)1；

將紫外光探測(cè)器放在所述測(cè)試用顯示基板母板上進(jìn)入光配向設(shè)備中；

對(duì)所述測(cè)試用顯示基板母板進(jìn)行光配向，并獲得所述紫外光探測(cè)器檢測(cè)到的紫外光能量密度E_測(cè)；

利用公式P_測(cè)＝E_測(cè)·S計(jì)算得到測(cè)試紫外光光強(qiáng)P_測(cè)，其中，S為測(cè)試用顯示基板母板上光敏晶體管的溝道面積；

在對(duì)測(cè)試用顯示基板母板進(jìn)行光配向之后，在測(cè)試用顯示基板母板上的光敏晶體管的電學(xué)特性變化前獲取所述光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)的第二測(cè)試源漏電流I_測(cè)2；

利用公式獲取標(biāo)定系數(shù)R。

實(shí)施例四

本實(shí)施例提供了一種紫外光光強(qiáng)監(jiān)測(cè)設(shè)備，利用如上所述的顯示基板母板來監(jiān)測(cè)光配向過程中的紫外光光強(qiáng)，如圖4所示，所述設(shè)備包括：

第一檢測(cè)模塊21，用于在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之前，獲取所述光敏晶體管的第一TFT特性參數(shù)；

第二檢測(cè)模塊22，用于在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之后，在所述光敏晶體管的光學(xué)特性發(fā)生變化前獲取所述光敏晶體管的第二TFT特性參數(shù)；

計(jì)算模塊23，用于比對(duì)所述第一TFT特性參數(shù)和所述第二TFT特性參數(shù)，計(jì)算出光配向過程中的紫外光光強(qiáng)。

本實(shí)施例通過測(cè)量并比對(duì)顯示基板母板的光敏晶體管在接受紫外光前后的特性參數(shù)，從而監(jiān)測(cè)光配向過程中顯示基板母板所受到的光配向紫外光的光強(qiáng)。本發(fā)明的技術(shù)方案不用占用設(shè)備生產(chǎn)時(shí)間，可以監(jiān)測(cè)實(shí)際生產(chǎn)時(shí)的紫外光光強(qiáng)，也能夠監(jiān)測(cè)到在實(shí)際生產(chǎn)時(shí)光配向設(shè)備波動(dòng)造成的紫外光光強(qiáng)異常。

具體地，光敏晶體管的TFT特性參數(shù)可以為源漏電流。在對(duì)顯示基板母板進(jìn)行紫外光照射之前，測(cè)試光敏晶體管的源漏電流，在對(duì)顯示基板母板進(jìn)行紫外光照射之后，再測(cè)試光敏晶體管的源漏電流。值得注意的是，在受到紫外光照射之后，光敏晶體管的電學(xué)特性會(huì)馬上發(fā)生改變，但這個(gè)改變僅會(huì)持續(xù)一段時(shí)間，而不會(huì)永久改變，因此在對(duì)顯示基板母板進(jìn)行紫外光照射之后測(cè)試光敏晶體管的源漏電流時(shí)，必須是趕在電學(xué)特性再次變化之前對(duì)光敏晶體管的源漏電流進(jìn)行測(cè)試。

一般情況下，在受到紫外光光照之后數(shù)百秒之內(nèi)，光敏晶體管的TFT特性參數(shù)不會(huì)發(fā)生變化，因此，需要在數(shù)百秒之內(nèi)對(duì)光敏晶體管的TFT特性參數(shù)進(jìn)行測(cè)試?？梢栽诠馀湎蜻^程結(jié)束后，立即(即數(shù)百秒之內(nèi))將顯示基板母板放入特性曲線測(cè)試設(shè)備內(nèi)，利用常規(guī)量產(chǎn)所用TFT特性曲線測(cè)試設(shè)備測(cè)得光敏晶體管的TFT特性參數(shù)。也可以從光敏晶體管的源極、漏極和柵極上引出信號(hào)，在顯示基板母板受到紫外光光照的過程中，將信號(hào)導(dǎo)入TFT特性曲線測(cè)試設(shè)備，測(cè)得光敏晶體管的TFT特性參數(shù)。

而由于在光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，光敏晶體管受到紫外光照射前后的源漏電流改變較大，因此，在對(duì)顯示基板母板進(jìn)行光配向之前，在光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，獲取光敏晶體管的源漏電流，在對(duì)顯示基板母板進(jìn)行光配向之后，在光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，再次獲取光敏晶體管的源漏電流；對(duì)獲取的兩個(gè)源漏電流進(jìn)行比較，即可計(jì)算出顯示基板母板在光配向過程中受到的紫外光光強(qiáng)。

進(jìn)一步地，所述第一檢測(cè)模塊21具體用于在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之前，在所述光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，獲取所述光敏晶體管的第一源漏電流I₁；

所述第二檢測(cè)模塊22具體用于在對(duì)所述顯示基板母板進(jìn)行光配向之后，在所述顯示基板母板上的光敏晶體管的電學(xué)特性變化前獲取所述光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)的第二源漏電流I₂；

所述計(jì)算模塊23具體用于根據(jù)公式計(jì)算得到光配向過程中的紫外光光強(qiáng)P，其中，R為預(yù)先獲取的標(biāo)定系數(shù)。

進(jìn)一步地，所述設(shè)備還包括標(biāo)定系數(shù)R獲取模塊，所述標(biāo)定系數(shù)R獲取模塊包括：

第一測(cè)試單元，用于在對(duì)測(cè)試用顯示基板母板進(jìn)行光配向之前，在測(cè)試用顯示基板母板上的光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，獲取所述光敏晶體管的第一測(cè)試源漏電流I_測(cè)1；

處理單元，用于將紫外光探測(cè)器放在所述測(cè)試用顯示基板母板上進(jìn)入光配向設(shè)備中，對(duì)所述測(cè)試用顯示基板母板進(jìn)行光配向，并獲得所述紫外光探測(cè)器檢測(cè)到的紫外光能量密度E_測(cè)；

第一計(jì)算單元，用于利用公式P_測(cè)＝E_測(cè)·S計(jì)算得到測(cè)試紫外光光強(qiáng)P_測(cè)，其中，S為測(cè)試用顯示基板母板上光敏晶體管的溝道面積；

第二測(cè)試單元，用于在對(duì)測(cè)試用顯示基板母板進(jìn)行光配向之后，在測(cè)試用顯示基板母板上的光敏晶體管的電學(xué)特性變化前獲取所述光敏晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)的第二測(cè)試源漏電流I_測(cè)2；

第二計(jì)算單元，用于利用公式獲取標(biāo)定系數(shù)R。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

可以理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件″上″或″下″時(shí)，該元件可以″直接″位于另一元件″上″或″下″，或者可以存在中間元件。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。