本申請(qǐng)實(shí)施例涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光模塊。

背景技術(shù)：

為提高光模塊的傳輸容量和速率，目前的40G、100G產(chǎn)品采用多路并行封裝技術(shù)，即4×10G、4×25G的多通道陣列的封裝形式，因此芯片的集成度較高。在相關(guān)技術(shù)中，用于高速傳輸?shù)亩嗦凡⑿泄饨M件或模塊通常包括，驅(qū)動(dòng)芯片（驅(qū)動(dòng)器IC芯片或放大器IC芯片）和光電芯片（VCSEL芯片陣列，即多路并行激光器陣列；或PD芯片陣列，即并行光電二極管陣列），由驅(qū)動(dòng)芯片并行輸出4路或12路的高速差分信號(hào)通道，并與相應(yīng)的光電芯片通過(guò)金線鍵合的方式電氣連接，以傳輸高速信號(hào)。其中，以光模塊接收端為例，芯片間具體的連接方式參照?qǐng)D1a所示，貼裝在電路板110上的放大器IC芯片120與PD芯片陣列130之間的信號(hào)引腳通過(guò)進(jìn)行相連，以實(shí)現(xiàn)芯片之間高速信號(hào)的傳輸，在放大器IC芯片120和PD芯片陣列130相連接的一側(cè)上，放大器IC芯片120上用于連接地線的接地引腳通過(guò)金線140分別鍵合到兩芯片之間的電路板110上。

發(fā)明人在實(shí)施相關(guān)技術(shù)時(shí)發(fā)現(xiàn)：驅(qū)動(dòng)芯片與光電芯片之間的并行傳輸通道相離較近，若芯片之間相連的金線過(guò)長(zhǎng)，會(huì)增加金線自身電感并加劇各并行通道之間的信號(hào)串?dāng)_，影響高頻傳輸性能。而在相關(guān)技術(shù)中，請(qǐng)參照?qǐng)D1b所示，在芯片邊緣的電路板上鍵合金線時(shí)，為防止因焊接工具的瓷嘴150碰觸到芯片邊緣而導(dǎo)致芯片的位置發(fā)生偏移，應(yīng)在芯片邊緣預(yù)留出0.25mm以上的安全距離以鍵合金線。這樣，因用于接地的金線鍵合在芯片之間的電路板上，使得電路板所占空間范圍會(huì)增大驅(qū)動(dòng)芯片與光電芯片的間距，進(jìn)而增加兩芯片之間鍵合相連的金線的長(zhǎng)度，使得高速信號(hào)在芯片間通過(guò)金線傳輸時(shí)易受干擾并發(fā)生畸變，降低光模塊的高頻傳輸性能。

因此，在保證驅(qū)動(dòng)芯片與電路板、光電芯片之間的引腳正確鍵合相連的基礎(chǔ)上，如何減少位于驅(qū)動(dòng)芯片和光電芯片之間的電路板的布設(shè)寬度，以縮短驅(qū)動(dòng)芯片和光電芯片之間信號(hào)引腳的連線，進(jìn)而降低高速率調(diào)光信號(hào)在通道間傳輸時(shí)所受干擾，是本領(lǐng)域的技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為克服相關(guān)技術(shù)中存在的問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N光模塊，通過(guò)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)芯片上引腳的打線方式，減少驅(qū)動(dòng)芯片和光電芯片之間電路板的布設(shè)寬度，并縮短驅(qū)動(dòng)芯片和光電芯片之間信號(hào)引腳的連線，進(jìn)而降低高速率調(diào)光信號(hào)在傳輸通道間所受干擾，提升光模塊的信號(hào)傳輸性能。

一種光模塊，包括貼裝在電路板上的驅(qū)動(dòng)芯片和光電芯片，所述驅(qū)動(dòng)芯片用以驅(qū)動(dòng)所述光電芯片發(fā)射高速率調(diào)光信號(hào)，所述驅(qū)動(dòng)芯片上表面配置有若干用于與所述電路板的地線連接的接地引腳，以及與所述光電芯片連接的信號(hào)引腳，其中，所述若干接地引腳串行連接至位于所述驅(qū)動(dòng)芯片至少一側(cè)的所述電路板的地線上，以使所述電路板上位于所述驅(qū)動(dòng)芯片和所述光電芯片之間部分不設(shè)置用于與所述驅(qū)動(dòng)芯連接的接地引線。

進(jìn)一步的，所述光電芯片上表面還配置有若干信號(hào)引腳，且與所述驅(qū)動(dòng)芯片的信號(hào)引腳通過(guò)金線相連，以傳輸所述高速率調(diào)光信號(hào)。

進(jìn)一步的，所述若干接地引腳至少配置在貼近于所述的光電芯片一側(cè)的所述驅(qū)動(dòng)芯片的上表面。

進(jìn)一步的，與所述若干接地引腳連接的所述電路板地線至少包括：所述驅(qū)動(dòng)芯片與所述光電芯片相連側(cè)以外的所述電路板的地線。

進(jìn)一步的，所述若干接地引腳與所述電路板的地線通過(guò)金線連接。

進(jìn)一步的，所述若干接地引腳間通過(guò)金線串行連接。

進(jìn)一步的，所述驅(qū)動(dòng)芯片包括驅(qū)動(dòng)器IC芯片或放大器IC芯片，所述光電芯片包括VCSEL芯片陣列或PD芯片陣列，其中，所述驅(qū)動(dòng)器IC芯片和所述VCSEL芯片陣列通過(guò)所述金線相連，所述放大器IC芯片和所述PD芯片陣列通過(guò)所述金線相連。

進(jìn)一步的，所述金線采用金絲球焊的加工方式鍵合連接。

進(jìn)一步的，所述驅(qū)動(dòng)芯片通過(guò)銀膠貼裝在所述電路板上。

與相關(guān)技術(shù)相比，本申請(qǐng)實(shí)施所提出的技術(shù)方案的有益效果包括：

將配置在驅(qū)動(dòng)芯片表面上的若干接地引腳串行連接至位于驅(qū)動(dòng)芯片至少一側(cè)的電路板的地線上，以使電路板上位于驅(qū)動(dòng)芯片和光電芯片之間的部分不設(shè)置用于與驅(qū)動(dòng)芯片連接的接地引線，可減少驅(qū)動(dòng)芯片和光電芯片之間電路板的布設(shè)寬度，以縮短驅(qū)動(dòng)芯片和光電芯片之間信號(hào)引腳之間連線。這樣，通過(guò)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)芯片上金線的鍵合方式，使得位于兩芯片連接側(cè)之間的電路板因無(wú)需鍵合金線，減小電路板在芯片之間所占用的空間范圍，進(jìn)而縮小驅(qū)動(dòng)芯片與光電芯片的間距，降低芯片間所鍵合的金線的長(zhǎng)度，削弱高速率調(diào)光信號(hào)在傳輸通道間所受干擾，提升光模塊的高頻傳輸性能。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本申請(qǐng)。

附圖說(shuō)明

此處的附圖被并入說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，示出了符合本申請(qǐng)的實(shí)施例并與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本申請(qǐng)的原理。

為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1a為相關(guān)技術(shù)中驅(qū)動(dòng)芯片與光電芯片的連接示意圖；

圖1b為相關(guān)技術(shù)中鍵合金線的加工示意圖；

圖2a為本申請(qǐng)實(shí)施例中光模塊的電路板的整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為圖2a中M處的局部放大俯視圖；

圖2c為驅(qū)動(dòng)芯片上各接地引腳間鍵合金線的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本申請(qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。

在本申請(qǐng)的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”、 “豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方法或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本申請(qǐng)和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明或者隱含的包括一個(gè)或者更若干該技術(shù)特征。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更若干該特征。在本申請(qǐng)的描述中，除非另有說(shuō)明，“若干”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種光模塊200，請(qǐng)參照?qǐng)D2a所示，包括貼裝在電路板210上的驅(qū)動(dòng)芯片220和光電芯片230，驅(qū)動(dòng)芯片220用以驅(qū)動(dòng)光電芯片230發(fā)射高速率調(diào)光信號(hào)，驅(qū)動(dòng)芯片220上表面配置有若干用于與電路板210的地線連接的接地引腳221，以及與光電芯片230連接的信號(hào)引腳222，其中，若干接地引腳221串行連接至位于驅(qū)動(dòng)芯片220至少一側(cè)的電路板210的地線上，以使電路板210上位于驅(qū)動(dòng)芯片220和光電芯片230之間的部分無(wú)需設(shè)置用于與驅(qū)動(dòng)芯片220連接的接地引線。

具體地，請(qǐng)參照光模塊200在M處的局部放大俯視圖2b，驅(qū)動(dòng)芯片220的上表面沿周側(cè)配置若干個(gè)接地引腳221，接地引腳221用于與電路板210上的地線相連，以構(gòu)成驅(qū)動(dòng)芯片220側(cè)的接地回路。驅(qū)動(dòng)芯片220與光電芯片230相對(duì)設(shè)置，在貼近于光電芯片230的一側(cè)，驅(qū)動(dòng)芯片220的上表面還配置有若干個(gè)信號(hào)引腳222，在與驅(qū)動(dòng)芯片220相對(duì)側(cè)，光電芯片230的上表面配置有若干個(gè)信號(hào)引腳231，其中，配置在驅(qū)動(dòng)芯片220上的信號(hào)引腳222與配置在光電芯片230上的信號(hào)引腳231對(duì)應(yīng)相連，形成多路信號(hào)傳輸通道，以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)芯片220和光電芯片230之間高速率調(diào)光信號(hào)的傳輸。

具體的，驅(qū)動(dòng)芯片220與光電芯片230之間的信號(hào)傳輸是由驅(qū)動(dòng)芯片220將一定碼率的電信號(hào)處理后，多路信號(hào)傳輸通道傳輸至光電芯片230，以驅(qū)動(dòng)光電芯片230發(fā)射出相應(yīng)速率的調(diào)制光信號(hào)。其中，驅(qū)動(dòng)芯片220包括驅(qū)動(dòng)器IC芯片或放大器IC芯片，光電芯片230包括VCSEL芯片陣列或PD芯片陣列，進(jìn)一步的，PD芯片陣列芯片與受放大器IC芯片通過(guò)金線240電氣相連，共同構(gòu)成光模塊的接收端，VCSEL芯片陣列與驅(qū)動(dòng)器IC芯片通過(guò)金線240電氣相連，共同構(gòu)成光模塊的發(fā)射端。

可選的，為實(shí)現(xiàn)的信號(hào)引腳222與信號(hào)引腳231的連接、以及接地引腳221與電路板210上地線的連接，可在各引腳之間鍵合連接金線240，以實(shí)現(xiàn)各引腳之間的電連接。其中，金線240可通過(guò)金絲球焊的加工方式鍵合到各引腳上，以實(shí)現(xiàn)各引腳之間的電連接，而金絲球焊的加工方式是現(xiàn)有技術(shù)，此處不再贅述。

在相關(guān)技術(shù)中，因金線鍵合在驅(qū)動(dòng)芯片與光電芯片間的電路板上，使得芯片之間因布設(shè)用于連接地線的電路板而增大芯片間距，進(jìn)而增加驅(qū)動(dòng)芯片芯片和光電芯片之間信號(hào)引腳的連線長(zhǎng)度，導(dǎo)致高速信號(hào)在傳輸通道間傳輸時(shí)，易受干擾且傳輸性能低。為解決此問(wèn)題，參照?qǐng)D2b和圖2c所示，在本實(shí)施例中，將配置在驅(qū)動(dòng)芯片220上表面的若干接地引腳221串行連接至位于驅(qū)動(dòng)芯片220至少一側(cè)的電路板210的地線上，以使電路板210上位于驅(qū)動(dòng)芯片220和光電芯片230之間的部分無(wú)需設(shè)置用于與接地引腳221連接的接地引線。這樣，在驅(qū)動(dòng)芯片220與光電芯片230相連接的一側(cè)，各具有相同電氣屬性接地引腳221相串行連接，并將所串行連接的接地引腳221中位于兩端的接地引腳分別與電路板210相連，由此構(gòu)成在驅(qū)動(dòng)芯片220側(cè)的接地回路。

具體的，驅(qū)動(dòng)芯片220上沿四周配置有若干用于連接地線的接地引腳221，為縮短驅(qū)動(dòng)芯片220與光電芯片230之間的用于引接地線的電路板210的布設(shè)寬度，將貼近于光電芯片230一側(cè)的接地引腳221串行連接，并將所串行連接的接地引腳221引接至位于驅(qū)動(dòng)芯片至少一側(cè)的電路板上，其中，與接地引腳221相連接的電路板210的地線至少包括：驅(qū)動(dòng)芯片220與光電芯片230相連接側(cè)以外的電路板210的地線。

進(jìn)一步的，由于驅(qū)動(dòng)芯片220是呈四邊形，沿驅(qū)動(dòng)芯片220周側(cè)布置的電路板210可分為四側(cè)區(qū)域，為縮短驅(qū)動(dòng)芯片220與光電芯片230之間的電路板210的布設(shè)寬度，請(qǐng)參照?qǐng)D2b中的區(qū)域D或區(qū)域E，可將所串行連接的接地引腳221引接至與芯片連接側(cè)相垂直的兩側(cè)的電路板210上，也就是說(shuō)，將接地引腳221與位于驅(qū)動(dòng)芯片220與光電芯片230連接側(cè)兩旁的電路板210上的地線相連。

可選的，各接地引腳221之間可依次通過(guò)金線串行相連，以實(shí)現(xiàn)各接地引腳221之間的電氣連接。需要說(shuō)明的是，用于實(shí)現(xiàn)各引腳之間電連接的方式不限于本實(shí)施例所提供的金線連接，此處不做具體限定。

下面對(duì)各接地引腳221由金線240依次電連接的連接方式進(jìn)行解釋說(shuō)明，請(qǐng)參照?qǐng)D2c所示，首先將焊接工具的瓷嘴250對(duì)準(zhǔn)接地引腳221a后，壓向接地引腳221a，在接地引腳221a上制得第一焊點(diǎn)a之后，將瓷嘴提升并對(duì)準(zhǔn)下個(gè)接地引腳221b，壓向接地引腳221b制得第二焊點(diǎn)b后，提升瓷嘴250，待瓷嘴250內(nèi)的金球燒制完成后，對(duì)準(zhǔn)的所制得的第二焊點(diǎn)b并下壓，在第二焊點(diǎn)b上再次制得第一焊點(diǎn)a，將瓷嘴250提升并對(duì)準(zhǔn)下個(gè)接地引腳，并按上述步驟在各接地引腳上依次制得焊點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)各接地引腳之間的串行連接。其中，此處只是示例性地給出各接地引腳由金線進(jìn)行串行連接，本申請(qǐng)?jiān)诖瞬蛔鱿薅?，若本領(lǐng)域技術(shù)人員在未作出任何創(chuàng)造性勞動(dòng)的情況下，根據(jù)本申請(qǐng)的技術(shù)方案和發(fā)明構(gòu)思，對(duì)各接地引腳采用其他的串行連接方式也屬于本申請(qǐng)的保護(hù)范圍內(nèi)。

需要說(shuō)明的是，由于驅(qū)動(dòng)芯片220上表面的接地引腳221和信號(hào)引腳222之間交替配置，請(qǐng)參照?qǐng)D2c所示，若在相連的兩個(gè)接地引腳221之間設(shè)置有信號(hào)引腳222，由于金線240在鍵合過(guò)程中可保持一定的彎曲弧度，可將用于連接的引腳的金線240從信號(hào)引腳222的上方繞過(guò)，連接兩側(cè)的接地引腳221a和接地引腳221b。

這樣，將配置在驅(qū)動(dòng)芯片220上表面的若干接地引腳221串行連接至位于驅(qū)動(dòng)芯片220至少一側(cè)的電路板210的地線上，使得驅(qū)動(dòng)芯片220與光電芯片230之間的電路板210無(wú)需引接與接地引腳221相連的地線，由此可縮短驅(qū)動(dòng)芯片220與光電芯片230之間所布設(shè)的電路板210的寬度，降低芯片間距，進(jìn)而縮短驅(qū)動(dòng)芯片220與光電芯片230之間的信號(hào)引腳的連線長(zhǎng)度，削弱高速率光信號(hào)在各通道間傳輸時(shí)所受干擾和阻抗，提升光模塊對(duì)高頻信號(hào)的傳輸性能。

本實(shí)施例中所提供的一種光模塊，包括貼裝在電路板上的驅(qū)動(dòng)芯片和光電芯片，驅(qū)動(dòng)芯片用以驅(qū)動(dòng)光電芯片發(fā)射高速率調(diào)光信號(hào)，驅(qū)動(dòng)芯片上表面配置有若干用于與電路板的地線連接的接地引腳，以及與光電芯片連接的信號(hào)引腳，其中，若干接地引腳串行連接至位于驅(qū)動(dòng)芯片至少一側(cè)的電路板的地線上，以使電路板上位于驅(qū)動(dòng)芯片和光電芯片之間部分無(wú)需設(shè)置用于與驅(qū)動(dòng)芯片連接的接地引線，可減少驅(qū)動(dòng)芯片和光電芯片之間的電路板的布設(shè)寬度，以使縮短驅(qū)動(dòng)芯片和光電芯片之間信號(hào)引腳之間連線，進(jìn)而削弱多路并行通道在傳輸高速率信號(hào)時(shí)所產(chǎn)生的串?dāng)_和阻抗，提升光模塊的高頻傳輸性能。

盡管已經(jīng)相對(duì)于一個(gè)或若干實(shí)現(xiàn)方式示出并描述了本申請(qǐng)，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員基于對(duì)本說(shuō)明書(shū)和附圖的閱讀和理解將會(huì)想到等價(jià)變型和修改。本申請(qǐng)包括所有這樣的修改和變型，并且僅由所附權(quán)利要求的范圍限制。特別地關(guān)于由上述組件執(zhí)行的各種功能，用于描述這樣的組件的術(shù)語(yǔ)旨在對(duì)應(yīng)于執(zhí)行所述組件的指定功能(例如其在功能上是等價(jià)的)的任意組件(除非另外指示)，即使在結(jié)構(gòu)上與執(zhí)行本文所示的本說(shuō)明書(shū)的示范性實(shí)現(xiàn)方式中的功能的公開(kāi)結(jié)構(gòu)不等同。此外，盡管本說(shuō)明書(shū)的特定特征已經(jīng)相對(duì)于若干實(shí)現(xiàn)方式中的僅一個(gè)被公開(kāi)，但是這種特征可以與如可以對(duì)給定或特定應(yīng)用而言是期望和有利的其他實(shí)現(xiàn)方式的一個(gè)或若干其他特征組合。而且，就術(shù)語(yǔ)“包括”、“具有”、“含有”或其變形被用在具體實(shí)施方式或權(quán)利要求中而言，這樣的術(shù)語(yǔ)旨在以與術(shù)語(yǔ)“包含”相似的方式包括。

以上僅是本申請(qǐng)的具體實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本申請(qǐng)?jiān)淼那疤嵯拢€可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本申請(qǐng)的保護(hù)范圍。