本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其修復(fù)方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

高分辨率、高像素密度的液晶顯示裝置已經(jīng)成為了目前液晶顯示行業(yè)的主流。

在高分辨率的液晶顯示裝置的設(shè)計(jì)需求下，陣列基板外圍電路的結(jié)構(gòu)空間往往有限，尤其是小尺寸的液晶顯示裝置，外圍電路的結(jié)構(gòu)空間尺寸更加有限。因此，陣列基板外圍電路的引線區(qū)的布線方式，只能采取金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極交替布線的方式以滿足工藝要求，使金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極之間只能通過(guò)過(guò)孔連接的方式進(jìn)行連接。

現(xiàn)有的陣列基板的過(guò)孔連接方式是通過(guò)采用第二層氧化銦錫層將金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極連接。由于第二層氧化銦錫層膜厚約膜厚較薄并且裸露于陣列基板的表面，而金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極之間存在段差，因此，在生產(chǎn)工藝中容易產(chǎn)生靜電釋放，使金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極之間發(fā)生斷路。并且現(xiàn)有陣列基板的過(guò)孔連接方式對(duì)此并無(wú)相應(yīng)的補(bǔ)救結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致產(chǎn)生此問(wèn)題后無(wú)法維修，降低了陣列基板的生產(chǎn)良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種陣列基板及其修復(fù)方法、顯示裝置，通過(guò)改變金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極之間的過(guò)孔連接結(jié)構(gòu)，來(lái)提高陣列基板的生產(chǎn)良率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板，襯底基板被劃分為引線區(qū)和像素區(qū)，像素區(qū)設(shè)有多個(gè)薄膜晶體管，引線區(qū)設(shè)有多條與薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置的金屬數(shù)據(jù)線；

第一導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層覆蓋任意一條金屬數(shù)據(jù)線和與該金屬數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的源極/漏極，并通過(guò)過(guò)孔的方式將金屬數(shù)據(jù)線和源極/漏極一一對(duì)應(yīng)地導(dǎo)電連接，以及

修復(fù)結(jié)構(gòu)，修復(fù)結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電材料，修復(fù)結(jié)構(gòu)的一端與金屬數(shù)據(jù)線或源極/漏極中任意一個(gè)導(dǎo)電連接，另一端與金屬數(shù)據(jù)線或源極/漏極中的另一個(gè)的全部或部分絕緣交疊。

進(jìn)一步地，修復(fù)結(jié)構(gòu)與金屬數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。

進(jìn)一步地，修復(fù)結(jié)構(gòu)為金屬數(shù)據(jù)線向源極/漏極一層伸出的數(shù)據(jù)線延伸部，數(shù)據(jù)線延伸部延伸至像素區(qū)，并與源極/漏極全部或者部分絕緣交疊。

進(jìn)一步地，還包括位于像素區(qū)的第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層設(shè)置于薄膜晶體管的源極/漏極和柵極所在的兩層之間，第二導(dǎo)電層與源極/漏極導(dǎo)電連接且與柵極絕緣設(shè)置。

進(jìn)一步地，修復(fù)結(jié)構(gòu)與第二導(dǎo)電層同層設(shè)置。

進(jìn)一步地，修復(fù)結(jié)構(gòu)為第二導(dǎo)電層向金屬數(shù)據(jù)線一側(cè)伸出的導(dǎo)電層延伸部，導(dǎo)電層延伸部與第二導(dǎo)電層絕緣設(shè)置；導(dǎo)電層延伸部由像素區(qū)延伸至引線區(qū)，并與金屬數(shù)據(jù)線全部或者部分絕緣交疊。

進(jìn)一步地，還包括第一絕緣層，第一絕緣層設(shè)置于金屬數(shù)據(jù)線與源極/漏極之間，第一絕緣層上設(shè)置第一過(guò)孔，第一金屬層通過(guò)第一過(guò)孔與金屬數(shù)據(jù)線導(dǎo)電連接。

進(jìn)一步地，還包括第二絕緣層，第二絕緣層設(shè)置于第一導(dǎo)電層與源極/漏極之間，第二絕緣層上設(shè)置第二過(guò)孔，第一導(dǎo)電層通過(guò)第二過(guò)孔與源極/漏極導(dǎo)電連接。

本發(fā)明的一種陣列基板的修復(fù)方法，陣列基板為上述的陣列基板，當(dāng)連接金屬數(shù)據(jù)線和源極/漏極的第一導(dǎo)電層斷路時(shí)，通過(guò)激光焊接將修復(fù)結(jié)構(gòu)和與其絕緣交疊的金屬數(shù)據(jù)線或者源極/漏極導(dǎo)電連接，使所述金屬數(shù)據(jù)線和源極/漏極通過(guò)所述修復(fù)結(jié)構(gòu)形成通路。

本發(fā)明的一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

本發(fā)明的陣列基板及其修復(fù)方法、顯示裝置，通過(guò)設(shè)置修復(fù)結(jié)構(gòu)，使修復(fù)結(jié)構(gòu)的一端與金屬數(shù)據(jù)線或源極/漏極中任意一個(gè)導(dǎo)電連接，另一端與金屬數(shù)據(jù)線或源極/漏極中的另一個(gè)的全部或部分絕緣交疊，改變金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極之間的過(guò)孔連接結(jié)構(gòu)，從而使陣列基板在生產(chǎn)工藝中發(fā)生靜電釋放，導(dǎo)致金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極之間發(fā)生斷路時(shí)，可以通過(guò)維修來(lái)提高陣列基板的生產(chǎn)良率，節(jié)約生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1所示實(shí)施例的陣列基板的制備方法，其中，圖2(a)-(e)為圖1所示實(shí)施例的陣列基板的具體制備步驟；

圖3為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖3所示實(shí)施例的陣列基板的制備方法，其中，圖4(a)-(f)為圖3所示實(shí)施例的陣列基板的具體制備步驟。

其中，附圖標(biāo)記為：1、襯底基板；2、金屬數(shù)據(jù)線；3、第一絕緣層；4、源極/漏極；5、第二絕緣層；6、第一導(dǎo)電層；61、第一過(guò)孔；62、第二過(guò)孔；7、數(shù)據(jù)線延伸部；8、導(dǎo)電層延伸部。

具體實(shí)施方式

下面，結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)以及工作原理等作進(jìn)一步的說(shuō)明。

實(shí)施例一

本發(fā)明的一種陣列基板，適用于全部帶有交替設(shè)置的并以過(guò)孔連接方式連接的金屬數(shù)據(jù)線和源極/漏極的陣列基板。

以帶有分別在引線區(qū)和像素區(qū)交替設(shè)置的并以過(guò)孔連接方式連接的金屬數(shù)據(jù)線和源極/漏極的陣列基板為例，如圖1所示，包括襯底基板1，襯底基板1的材料為玻璃，并且被劃分為引線區(qū)和像素區(qū)。襯底基板1的像素區(qū)設(shè)有多個(gè)薄膜晶體管，其中，每個(gè)薄膜晶體管包括柵極(圖中未示出)、源極/漏極4等結(jié)構(gòu)。襯底基板1的引線區(qū)設(shè)有多條與薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置的金屬數(shù)據(jù)線2，分別用于與各個(gè)對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的源極/漏極4連接引出其數(shù)據(jù)信號(hào)。

在本實(shí)施例中，金屬數(shù)據(jù)線2位于引線區(qū)，源極/漏極4位于像素區(qū)。第一絕緣層3的材料為非金屬，例如氮化硅，第一絕緣層3被設(shè)置于金屬數(shù)據(jù)線2與源極/漏極4所在的兩層之間，用來(lái)保護(hù)金屬數(shù)據(jù)線2，并且使金屬數(shù)據(jù)線2和源極/漏極4之間無(wú)法因直接接觸而形成導(dǎo)電連接。由于設(shè)有第一絕緣層3，因此源極/漏極4與金屬數(shù)據(jù)線2之間存在段差。第一導(dǎo)電層6即公共電極，其材料為氧化銦錫，可以將第一導(dǎo)電層6的大小設(shè)置為可覆蓋任意一條金屬數(shù)據(jù)線2和與該金屬數(shù)據(jù)線2對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的源極/漏極4。第二絕緣層5的材料為非金屬，例如氮化硅，第二絕緣層5設(shè)置于第一導(dǎo)電層6與第一絕緣層3所在的兩層之間，用來(lái)保護(hù)源極/漏極4，除圖中所示第二絕緣層5完全覆蓋第一絕緣層3的結(jié)構(gòu)方式外，第二絕緣層5還可以只覆蓋部分第一絕緣層3。由于第一絕緣層3的設(shè)置，導(dǎo)致金屬數(shù)據(jù)線2和源極/漏極4所在的兩層之間絕緣，因此，為了實(shí)現(xiàn)金屬數(shù)據(jù)線2與源極/漏極4之間的導(dǎo)電連接，可以在第一絕緣層3上設(shè)置一個(gè)較深的第一過(guò)孔61、第二絕緣層5上設(shè)置一個(gè)較淺的第二過(guò)孔62，使第一導(dǎo)電層6通過(guò)第一過(guò)孔61與金屬數(shù)據(jù)線2導(dǎo)電連接并通過(guò)第二過(guò)孔62與源極/漏極4導(dǎo)電連接，以此采用第一導(dǎo)電層6通過(guò)過(guò)孔方式實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬數(shù)據(jù)線2和源極/漏極4的連接，使金屬數(shù)據(jù)線2和源極/漏極4之間形成通路。需要說(shuō)明的是，圖中所示的結(jié)構(gòu)中，為了保證第一導(dǎo)電層6可以與金屬數(shù)據(jù)線2連接，第一過(guò)孔61需要同時(shí)穿過(guò)第一絕緣層3和第二絕緣層5，當(dāng)?shù)诙^緣層5只覆蓋第一絕緣層3的部分時(shí)，第一過(guò)孔61僅需穿過(guò)第一絕緣層3即可，其中，“較深”和“較淺”僅為第一過(guò)孔61的深度和第二過(guò)孔62的深度比較后得到的相對(duì)結(jié)果。

由于源極/漏極4與金屬數(shù)據(jù)線2之間存在段差，僅通過(guò)第一金屬層使金屬數(shù)據(jù)線2和源極/漏極4導(dǎo)電連接時(shí)，會(huì)導(dǎo)致在生產(chǎn)工藝中容易產(chǎn)生靜電釋放，燒斷金屬數(shù)據(jù)線2、源極/漏極4之間的第一金屬層，使金屬數(shù)據(jù)線2、源極/漏極4之間發(fā)生斷路，此時(shí)無(wú)法進(jìn)行有效的維修。因此本發(fā)明中，在金屬數(shù)據(jù)線2和源極/漏極4之間設(shè)有修復(fù)結(jié)構(gòu)。修復(fù)結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電材料，修復(fù)結(jié)構(gòu)的一端與金屬數(shù)據(jù)線2導(dǎo)電連接，另一端與源極/漏極4的全部或部分絕緣交疊，即使在生產(chǎn)工藝中發(fā)生了靜電釋放，使金屬數(shù)據(jù)線2、源極/漏極4之間發(fā)生斷路，也可以通過(guò)修復(fù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行維修，使金屬數(shù)據(jù)線2、源極/漏極4之間形成通路，從而提高陣列基板的生產(chǎn)良率，并且可以適用于所有采用交替布線方式的陣列基板。

具體地，在本實(shí)施例中，修復(fù)結(jié)構(gòu)可以與金屬數(shù)據(jù)線2同層設(shè)置，并且可以為金屬數(shù)據(jù)線2向源極/漏極4一層伸出的數(shù)據(jù)線延伸部7，因此，修復(fù)結(jié)構(gòu)的材料即為金屬數(shù)據(jù)線2的材料。數(shù)據(jù)線延伸部7延伸至像素區(qū)，并與源極/漏極4全部或者部分絕緣交疊，具體的交疊部分大小可根據(jù)實(shí)際需要或者成本具體確定，只要是能夠滿足可以通過(guò)激光焊接使數(shù)據(jù)線延伸部7和源極/漏極4之間導(dǎo)電連接，并且使金屬數(shù)據(jù)線2和源極/漏極4直接導(dǎo)通即可。

如圖2所示，圖2(a)-2(e)為本實(shí)施例的陣列基板的具體制備步驟，包括：如圖2(a)所示，在襯底基板1上加工金屬數(shù)據(jù)線2和數(shù)據(jù)線延伸部7，使其覆蓋并連接襯底基板1的引線區(qū)和像素區(qū)，然后如圖2(b)-2(c)所示，依次加工第一絕緣層3和源極/漏極4，再如圖2(d)所示，加工第二絕緣層5，并在第一絕緣層3和第二絕緣層5上開(kāi)設(shè)第一過(guò)孔61、第二過(guò)孔62，最后如圖2(e)所示，在第二絕緣層5上方加工分別與金屬數(shù)據(jù)線2和源極/漏極4導(dǎo)電連接的第一導(dǎo)電層6。

從上述生產(chǎn)方法可以看出，本實(shí)施例的陣列基板，除了在生產(chǎn)工藝中發(fā)生了靜電釋放，使金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極之間發(fā)生斷路時(shí)，可以通過(guò)修復(fù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行維修，使金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極之間形成通路外。還可以簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝，節(jié)約了生產(chǎn)成本。

實(shí)施例二

本實(shí)施例二的陣列基板結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一相似，原理與實(shí)施例一相同，其區(qū)別在于：

在源極/漏極和金屬數(shù)據(jù)線所在的兩層之間還設(shè)有第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電為像素電極，層位于像素區(qū)，其材料為氧化銦錫。具體地，第二導(dǎo)電層設(shè)置于第一絕緣層和源極/漏極所在的兩層之間，可以使第二得到層與源極/漏極導(dǎo)電連接且與柵極絕緣設(shè)置。此時(shí)，修復(fù)結(jié)構(gòu)的一端與源極/漏極導(dǎo)電連接，另一端與金屬數(shù)據(jù)線的全部或部分絕緣交疊。這種結(jié)構(gòu)可以適用于ADS模式、HADS模式等陣列基板，即可以適用于全部帶有公共電極和像素電極的陣列基板。

以HADS模式的陣列基板為例，如圖3所示，包括襯底基板1，襯底基板1的材料為玻璃，并且被劃分為引線區(qū)和像素區(qū)。襯底基板1的像素區(qū)設(shè)有多個(gè)薄膜晶體管，其中，每個(gè)薄膜晶體管包括柵極、源極/漏極4等結(jié)構(gòu)。襯底基板1的引線區(qū)設(shè)有多條與薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置的金屬數(shù)據(jù)線2，分別用于與各個(gè)對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的源極/漏極4連接引出其數(shù)據(jù)信號(hào)。

在本實(shí)施例中，金屬數(shù)據(jù)線2位于引線區(qū)，源極/漏極4和第二導(dǎo)電層(圖中未示出)位于像素區(qū)。第一絕緣層3的材料為非金屬，例如氮化硅，第一絕緣層3用來(lái)保護(hù)金屬數(shù)據(jù)線2，并且使金屬數(shù)據(jù)線2和源極/漏極4之間無(wú)法因直接接觸而形成導(dǎo)電連接。第二導(dǎo)電層設(shè)置于第一絕緣層3與源極/漏極4所在的兩層之間，并與源極/漏極4導(dǎo)電連接。由于設(shè)有第一絕緣層3，因此源極/漏極4與金屬數(shù)據(jù)線2之間存在段差。第一導(dǎo)電層6為公共電極，其材料為氧化銦錫，可以將第一導(dǎo)電層6的大小設(shè)置為可覆蓋任意一條金屬數(shù)據(jù)線2和與該金屬數(shù)據(jù)線2對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的源極/漏極4。第二絕緣層5的材料為非金屬，例如氮化硅，第二絕緣層5設(shè)置于第一導(dǎo)電層6與第一絕緣層3所在的兩層之間，用來(lái)保護(hù)源極/漏極4，除圖中所示第二絕緣層5完全覆蓋第一絕緣層3的結(jié)構(gòu)方式外，第二絕緣層5還可以只覆蓋部分第一絕緣層3。由于第一絕緣層3的設(shè)置，導(dǎo)致金屬數(shù)據(jù)線2和源極/漏極4所在的兩層之間絕緣，因此，為了實(shí)現(xiàn)金屬數(shù)據(jù)線2與源極/漏極4之間的導(dǎo)電連接，可以在第一絕緣層3上設(shè)置一個(gè)較深的第一過(guò)孔61、第二絕緣層5上設(shè)置一個(gè)較淺的第二過(guò)孔62，使第一導(dǎo)電層6通過(guò)第一過(guò)孔61與金屬數(shù)據(jù)線2導(dǎo)電連接并通過(guò)第二過(guò)孔62與源極/漏極4導(dǎo)電連接，以此采用第一導(dǎo)電層6通過(guò)過(guò)孔方式實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬數(shù)據(jù)線2和源極/漏極4的連接，使金屬數(shù)據(jù)線2和源極/漏極4之間形成通路。需要說(shuō)明的是，圖中所示的結(jié)構(gòu)中，為了保證第一導(dǎo)電層6可以與金屬數(shù)據(jù)線2連接，第一過(guò)孔61需要同時(shí)穿過(guò)第一絕緣層3和第二絕緣層5，當(dāng)?shù)诙^緣層5只覆蓋第一絕緣層3的部分時(shí)，第一過(guò)孔61僅需穿過(guò)第一絕緣層3即可，其中，“較深”和“較淺”僅為第一過(guò)孔61的深度和第二過(guò)孔62的深度比較后得到的相對(duì)結(jié)果。

具體地，在本實(shí)施例中，修復(fù)結(jié)構(gòu)可以與第二導(dǎo)電層同層設(shè)置，并且可以為第二導(dǎo)電層向金屬數(shù)據(jù)線2一側(cè)伸出的導(dǎo)電層延伸部8，因此，修復(fù)結(jié)構(gòu)的材料即為第二導(dǎo)電層的材料，需要說(shuō)明的是，導(dǎo)電層延伸部8與第二導(dǎo)電層之間絕緣設(shè)置，具體地絕緣方法可以包括：在第二導(dǎo)電層與導(dǎo)電層延伸部8之間設(shè)置絕緣層，或者在第二導(dǎo)電層與導(dǎo)電層延伸部8之間設(shè)置間隙，使第二導(dǎo)電層與導(dǎo)電層延伸部8之間不連接。導(dǎo)電層延伸部8由像素區(qū)延伸至引線區(qū)，并與金屬數(shù)據(jù)線2全部或者部分絕緣交疊，具體的交疊部分大小可根據(jù)實(shí)際需要或者成本具體確定，只要是能夠滿足可以通過(guò)激光焊接使金屬數(shù)據(jù)線2和導(dǎo)電層延伸部8之間導(dǎo)電連接，并且使金屬數(shù)據(jù)線2和源極/漏極4直接導(dǎo)通即可。

如圖4所示，圖4(a)-4(f)為本實(shí)施例的陣列基板的具體生產(chǎn)步驟，包括：如圖4(a)-4(c)所示，在襯底基板1上加工金屬數(shù)據(jù)線2、第一絕緣層3、第二導(dǎo)電層和導(dǎo)電層延伸部8，使導(dǎo)電層延伸部8從像素區(qū)延伸至引線區(qū)，然后如圖4(d)所示，繼續(xù)加工源極/漏極4，在如圖4(e)所示，加工第二絕緣層5，并在第一絕緣層3和第二絕緣層5上開(kāi)設(shè)第一過(guò)孔61、第二過(guò)孔62，最后如圖4(f)所示，在第二絕緣層5上方加工分別與金屬數(shù)據(jù)線2和源極/漏極4導(dǎo)電連接的第一導(dǎo)電層6。

從上述生產(chǎn)方法可以看出，本實(shí)施例的陣列基板的生產(chǎn)工藝，由于陣列基板本身即設(shè)有第二導(dǎo)電層，只需要對(duì)第二導(dǎo)電層進(jìn)行修改即可，符合現(xiàn)有的1+5Mask工藝(或1+4Mask工藝)要求。除了在生產(chǎn)工藝中發(fā)生了靜電釋放，使金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極之間發(fā)生斷路時(shí)，可以通過(guò)修復(fù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行維修，使金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極之間形成通路外。還可以簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝，節(jié)約了生產(chǎn)成本。

實(shí)施例三

本發(fā)明的陣列基板的修復(fù)方法，可以應(yīng)用于實(shí)施例一或?qū)嵤├我庖环N陣列基板，具體方法為：當(dāng)連接金屬數(shù)據(jù)線和源極/漏極的第一導(dǎo)電層斷路時(shí)，通過(guò)激光焊接將修復(fù)結(jié)構(gòu)和與其絕緣交疊的金屬數(shù)據(jù)線或者源極/漏極導(dǎo)電連接，使金屬數(shù)據(jù)線和源極/漏極通過(guò)修復(fù)結(jié)構(gòu)形成通路。

因此，本發(fā)明的修復(fù)方法，可以在生產(chǎn)工藝中發(fā)生了靜電釋放，使金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極之間發(fā)生斷路時(shí)，通過(guò)修復(fù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行維修，使金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極之間形成通路，從而使陣列基板可以修復(fù)，提高陣列基板的生產(chǎn)良率。

實(shí)施例四

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括實(shí)施例一或?qū)嵤├我庖环N陣列基板，陣列基板中設(shè)置了修復(fù)結(jié)構(gòu)，修復(fù)結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電材料，修復(fù)結(jié)構(gòu)的一端與金屬數(shù)據(jù)線或源極/漏極中任意一個(gè)導(dǎo)電連接，另一端與金屬數(shù)據(jù)線或源極/漏極中的另一個(gè)的全部或部分絕緣交疊。

本發(fā)明的顯示裝置可以為：液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。

本發(fā)明的顯示裝置，當(dāng)在生產(chǎn)工藝中發(fā)生了靜電釋放，使金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極之間發(fā)生斷路時(shí)，可以通過(guò)修復(fù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行維修，使金屬數(shù)據(jù)線、源極/漏極之間形成通路，從而提高陣列基板的生產(chǎn)良率，降低了生產(chǎn)成本。

以上，僅為本發(fā)明的示意性描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知道，在不偏離本發(fā)明的工作原理的基礎(chǔ)上，可以對(duì)本發(fā)明作出多種改進(jìn)，這均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。