本發(fā)明涉及硅片光刻焦面位置檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置。此外，本發(fā)明還涉及一種使用上述檢測(cè)裝置檢測(cè)硅片光刻焦面位置的方法。

背景技術(shù)：

光刻系統(tǒng)是高科技產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的中流砥柱，最終能影響電子產(chǎn)品商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的成敗。投影式光刻機(jī)是指將掩膜板上的圖形通過(guò)成像曝光投影到電路板制作底片(如硅片)上的機(jī)器，投影物鏡的有效焦深普遍較短，為了實(shí)現(xiàn)精確曝光，需要焦平面檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)硅片曝光面的位置進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，確保每次曝光都能夠在同一焦平面上，從而掩膜板上的圖形能夠理想的轉(zhuǎn)移到電路板制作底片上。

目前常用的光刻機(jī)焦平面檢測(cè)都是在硅片的上表面或水平面進(jìn)行的，這樣的檢測(cè)方法不利于硅片的安放，同時(shí)光刻膠會(huì)吸收檢測(cè)光，造成探測(cè)光強(qiáng)減小，降低檢測(cè)精度。且現(xiàn)有的光學(xué)檢測(cè)技術(shù)有基于狹縫的、基于光柵的、基于反射鏡面的、基于莫爾條紋的，但是這些光學(xué)檢測(cè)方式有些檢測(cè)精度不高，有些精度高，但是需要多種復(fù)雜的光學(xué)元件和高精度的成像光學(xué)設(shè)備，造成結(jié)構(gòu)復(fù)雜、價(jià)格昂貴。

因此如何使硅片光刻焦面位置的檢測(cè)簡(jiǎn)單方便、精度較高且成本低，是本領(lǐng)域技術(shù)人員目前需要解決的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置，能夠?qū)杵饪探姑嫖恢眠M(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)和校準(zhǔn)，簡(jiǎn)單方便且精度較高。本發(fā)明的另一目的是提供一種焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)方法，能夠?qū)杵饪探姑嫖恢眠M(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)和校準(zhǔn)，簡(jiǎn)單方便且精度較高。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置，包括光源、豎直設(shè)在硅片側(cè)面且與所述硅片垂直的定標(biāo)板，以及設(shè)在所述光源和所述定標(biāo)板之間且用于將所述光源產(chǎn)生的光線聚焦在所述定標(biāo)板上的鏡組，還包括用于探測(cè)所述定標(biāo)板上光線焦點(diǎn)位置的探測(cè)器，以及與所述探測(cè)器連接且用于處理探測(cè)信號(hào)的控制器。

優(yōu)選地，還包括由所述控制器控制且用于豎直移動(dòng)所述硅片的平臺(tái)移動(dòng)器，所述硅片水平安裝在所述平臺(tái)移動(dòng)器的Z軸平臺(tái)上。

優(yōu)選地，所述定標(biāo)板的板面上具有用于反射所述光線焦點(diǎn)的反射層，在所述光線焦點(diǎn)的反射光路上傾斜設(shè)有用于過(guò)濾并反射特定光線的二向色性鏡，還包括設(shè)在所述二向色性鏡的反射光路上且于聚焦反射光線的凸透鏡，以及設(shè)在所述凸透鏡的焦平面上且在所述凸透鏡的焦點(diǎn)處開(kāi)有針孔的檢測(cè)板，所述探測(cè)器設(shè)在所述檢測(cè)板后且通過(guò)所述針孔探測(cè)光強(qiáng)。

優(yōu)選地，還包括與所述控制器連接且用于調(diào)節(jié)所述鏡組的設(shè)置角度的驅(qū)動(dòng)器。

優(yōu)選地，還包括用于將所述光源產(chǎn)生的光線反射至所述鏡組上的反射鏡。

優(yōu)選地，所述控制器為計(jì)算機(jī)，所述驅(qū)動(dòng)器為壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)器。

本發(fā)明還提供一種焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)方法，包括步驟，

S1：通過(guò)鏡組將光線聚焦在設(shè)于硅片側(cè)面的定標(biāo)板上；

S2：通過(guò)探測(cè)器探測(cè)光線焦點(diǎn)在所述定標(biāo)板上的位置；

S3：計(jì)算所述光線焦點(diǎn)至所述定標(biāo)板上焦平面剖線的豎直距離，作為所述硅片需要豎直移動(dòng)的距離；

S4：將所述硅片移動(dòng)所述豎直距離。

優(yōu)選地，在步驟S1和S2之間還包括，

S11：通過(guò)所述定標(biāo)板反射聚焦光線；

S12：通過(guò)二向色性鏡過(guò)濾經(jīng)所述定標(biāo)板反射的聚焦光線并反射其中的特定光線；

S13：通過(guò)凸透鏡聚焦經(jīng)所述二向色性鏡反射的特定光線；

S14：通過(guò)探測(cè)器探測(cè)通過(guò)檢測(cè)板上針孔的聚焦反射光線的光強(qiáng)；

S15：判斷探測(cè)光強(qiáng)是否大于預(yù)設(shè)光強(qiáng)，若否，則調(diào)整所述鏡組的設(shè)置角度，并返回S11。

優(yōu)選地，所述計(jì)算所述光線焦點(diǎn)至所述定標(biāo)板上焦平面剖線的豎直距離，具體為，

測(cè)量所述光線焦點(diǎn)與所述焦平面剖線上原點(diǎn)的距離，以及所述光線焦點(diǎn)和所述原點(diǎn)兩者的連線與所述焦平面剖線之間的夾角；

根據(jù)極坐標(biāo)的三角函數(shù)公式計(jì)算所述光線焦點(diǎn)至所述定標(biāo)板上焦平面剖線的豎直距離。

本發(fā)明提供的焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置，利用焦點(diǎn)檢測(cè)硅片側(cè)面的定標(biāo)位置，方便硅片的安放，減少光刻膠吸收檢測(cè)光的影響，能夠?qū)杵饪探姑嫖恢眠M(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)和校準(zhǔn)，而焦點(diǎn)探測(cè)技術(shù)具有較高的精確度，能夠確保焦面位置高精度的位于投影聚焦點(diǎn)，保證光刻圖案的完整準(zhǔn)確性。

本發(fā)明提供的檢測(cè)方法，與上述檢測(cè)裝置相對(duì)應(yīng)，是通過(guò)本發(fā)明提供的檢測(cè)裝置實(shí)現(xiàn)的檢測(cè)方法，由于上述檢測(cè)裝置具有上述技術(shù)效果，上述檢測(cè)方法也應(yīng)具有同樣的技術(shù)效果，在此不再詳細(xì)介紹。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明所提供的焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置的一種具體實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明所提供的定標(biāo)板的正面示意圖。

附圖中標(biāo)記如下：

光源1、反射鏡2、鏡組3、二向色性鏡4、定標(biāo)板5、硅片6、凸透鏡7、檢測(cè)板8、探測(cè)器9、控制器10、驅(qū)動(dòng)器11、平臺(tái)移動(dòng)器12、Z軸平臺(tái)13、光線焦點(diǎn)14、焦平面剖線15、原點(diǎn)16。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的核心是提供一種焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置，能夠?qū)杵饪探姑嫖恢眠M(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)和校準(zhǔn)，簡(jiǎn)單方便且精度較高。本發(fā)明的另一核心是提供一種焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)方法，能夠?qū)杵饪探姑嫖恢眠M(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)和校準(zhǔn)，簡(jiǎn)單方便且精度較高。

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。

請(qǐng)參考圖1和圖2，圖1為本發(fā)明所提供的焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置的一種具體實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明所提供的定標(biāo)板的正面示意圖。

本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置，包括光源1、定標(biāo)板5、鏡組3、探測(cè)器9和與探測(cè)器9連接的控制器10，光源1用于發(fā)出光線，待測(cè)的硅片6通常水平放置，定標(biāo)板5豎直設(shè)在硅片6側(cè)面且與硅片6垂直設(shè)置，鏡組3設(shè)在在光源1和定標(biāo)板5之間，光源1發(fā)出的光線通過(guò)鏡組3聚焦到定標(biāo)板5上，另外鏡組3還可以用于消色差，使得光線能夠形成很小的光斑聚集在定標(biāo)板5上，通過(guò)探測(cè)器9探測(cè)定標(biāo)板5上的光線焦點(diǎn)14的位置，并通過(guò)控制器10處理探測(cè)信號(hào)。

其中鏡組3可以為雙膠合透鏡或者由其他凹凸透鏡組成，以實(shí)現(xiàn)聚焦和消除色差。定標(biāo)板5上具有作為標(biāo)準(zhǔn)以用于水平定位的焦平面剖線15，即焦平面剖線15為投影物鏡聚焦在硅片6側(cè)面上的焦面的水平剖線，在焦平面剖線15上設(shè)有原點(diǎn)16，定標(biāo)板5上通常橫豎均勻分布有半徑為1μm的點(diǎn)，以方便確定光線焦點(diǎn)14在定標(biāo)板5上與焦平面剖線15及原點(diǎn)的位置關(guān)系；若光線焦點(diǎn)14剛好在焦平面剖線15上，則說(shuō)明檢測(cè)的硅片6處在設(shè)置的光刻焦面上；若光線焦點(diǎn)14位于焦平面剖線15的上方，則說(shuō)明檢測(cè)的硅片6位置在設(shè)置的光刻焦面下方，應(yīng)該將硅片6豎直向上移動(dòng)；若光線焦點(diǎn)14位于焦平面剖線15的下方，則說(shuō)明檢測(cè)的硅片6位置在設(shè)置的光刻焦面上方，應(yīng)該將硅片6豎直向下移動(dòng)?？刂破?0計(jì)算光線焦點(diǎn)14至定標(biāo)板5上焦平面剖線15的豎直距離h，作為硅片6需要向上或向下豎直移動(dòng)的距離，然后將硅片6向上或向下豎直移動(dòng)h距離，從而實(shí)現(xiàn)硅片6焦面位置的檢測(cè)和校準(zhǔn)。

由于光線焦點(diǎn)14在定標(biāo)板5上的位置采用極坐標(biāo)，則計(jì)算光線焦點(diǎn)14至焦平面剖線15的豎直距離h時(shí)，先測(cè)量光線焦點(diǎn)14與焦平面剖線15上原點(diǎn)的距離r，以及光線焦點(diǎn)14和原點(diǎn)兩者的連線與焦平面剖線15之間的夾角α，然后根據(jù)極坐標(biāo)的三角函數(shù)公式可知，h＝r sinα。

綜上所述，本發(fā)明提供的焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置，利用具有較高精度的焦點(diǎn)探測(cè)方法，通過(guò)焦點(diǎn)檢測(cè)硅片6側(cè)面的定標(biāo)位置，將方便硅片6的安放，減少因光刻膠吸收檢測(cè)光產(chǎn)生的影響，并能夠?qū)杵?光刻焦面位置進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)和校準(zhǔn)，簡(jiǎn)單方便且精度較高。

進(jìn)一步地，為方便硅片6位置的精確調(diào)整，本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置，還可以包括用于豎直移動(dòng)硅片6的平臺(tái)移動(dòng)器12，硅片6可以水平安裝在平臺(tái)移動(dòng)器12的Z軸平臺(tái)13上，平臺(tái)移動(dòng)器12可以由控制器10控制，在計(jì)算好光線焦點(diǎn)14至定標(biāo)板5上焦平面剖線15的豎直距離h后，控制器10控制平臺(tái)移動(dòng)器12帶動(dòng)硅片6豎直移動(dòng)h，實(shí)現(xiàn)硅片6焦面位置的檢測(cè)和校準(zhǔn)，保證每次曝光都能夠在同一焦面上，實(shí)現(xiàn)精確曝光。

在上述各具體實(shí)施方式的基礎(chǔ)上，本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置，定標(biāo)板5的板面上具有用于反射光線焦點(diǎn)14的反射層，還包括二向色性鏡4、凸透鏡7和開(kāi)有針孔的檢測(cè)板8，二向色性鏡4傾斜設(shè)在光線焦點(diǎn)14的反射光路上，凸透鏡7設(shè)在二向色性鏡4的反射光路上，檢測(cè)板8設(shè)在凸透鏡7的焦平面上且針孔開(kāi)在凸透鏡7的焦點(diǎn)處，探測(cè)器9設(shè)在檢測(cè)板8后，不僅能夠探測(cè)定標(biāo)板5上光線焦點(diǎn)14位置，還能夠通過(guò)針孔探測(cè)光強(qiáng)。

檢測(cè)時(shí)，聚焦在定標(biāo)板5上的光線被反射層反射至二向色性鏡4上，二向色性鏡4對(duì)特定光線幾乎完全反射，并將其他的光線過(guò)濾掉，以增大檢測(cè)精度，被反射的特定光線通過(guò)凸透鏡7聚集在檢測(cè)板8的針孔處，并通過(guò)探測(cè)器9探測(cè)。

其中需要說(shuō)明的是，由于探測(cè)器9的前方設(shè)有具有針孔的檢測(cè)板8，當(dāng)硅片6發(fā)生傾斜或定標(biāo)板5離焦時(shí)，光路將發(fā)生改變，經(jīng)凸透鏡7聚集的反射光線將被檢測(cè)板8阻擋，則探測(cè)器9通過(guò)針孔探測(cè)到的光強(qiáng)將極大的衰減。

探測(cè)器9探測(cè)通過(guò)檢測(cè)板8上針孔的聚焦反射光線的光強(qiáng)，并由控制器10處理，若控制器10判斷探測(cè)光強(qiáng)大于預(yù)設(shè)光強(qiáng)，則說(shuō)明硅片6沒(méi)有發(fā)生傾斜，光線焦點(diǎn)14位于定標(biāo)板5上，則繼續(xù)通過(guò)探測(cè)器9探測(cè)光線焦點(diǎn)14在定標(biāo)板5上的位置信息并由控制器10處理；若控制器10判斷探測(cè)光強(qiáng)小于預(yù)設(shè)光強(qiáng)，則說(shuō)明硅片6發(fā)生傾斜，或定標(biāo)板5離焦，則可以調(diào)節(jié)硅片6或?qū)︾R組3微調(diào)，以保證光線焦點(diǎn)14始終保持在定標(biāo)板5上，保證探測(cè)到的光線焦點(diǎn)14位置信息正確無(wú)誤。其中，預(yù)設(shè)光強(qiáng)為預(yù)先在控制器10內(nèi)提前設(shè)置好的比較標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)設(shè)光強(qiáng)的數(shù)值大于零且小于在光線焦點(diǎn)14保持在定標(biāo)板5上時(shí)探測(cè)器9通過(guò)針孔探測(cè)的光強(qiáng)大小，其具體數(shù)值可以根據(jù)實(shí)驗(yàn)在上述范圍內(nèi)確定，本申請(qǐng)對(duì)此不作具體限定。

因此，本發(fā)明提供的焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置，還能夠利用探測(cè)光強(qiáng)的大小情況來(lái)檢測(cè)硅片6傾斜或定標(biāo)板5離焦的情況，具有實(shí)時(shí)快速、靈敏精確的特點(diǎn)。

進(jìn)一步地，為方便鏡組3位置的精確調(diào)整，本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置，還可以包括用于調(diào)節(jié)鏡組3的設(shè)置角度的驅(qū)動(dòng)器11，驅(qū)動(dòng)器11可以由控制器10控制，實(shí)現(xiàn)反饋調(diào)節(jié)，靈敏精確。

另外，本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置，還包括用于將光源1產(chǎn)生的光線反射至鏡組3上的反射鏡2，這樣可以方便光源1的放置，并能夠增加光強(qiáng)。當(dāng)然，也可以不設(shè)置反射鏡2，也在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

在上述各具體實(shí)施方式的基礎(chǔ)上，本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置，控制器10具體可以為計(jì)算機(jī)，其既可以實(shí)現(xiàn)光線焦點(diǎn)14位置的計(jì)算，判斷探測(cè)器9經(jīng)針孔透過(guò)的光線光強(qiáng)的大小，還可以精確控制平臺(tái)移動(dòng)器12和驅(qū)動(dòng)器11；另外，驅(qū)動(dòng)器11具體可以為壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)器11，精度較高，可以實(shí)現(xiàn)鏡組3的準(zhǔn)確微調(diào)。

本發(fā)明的具體實(shí)施方式還提供了與上述檢測(cè)裝置相適應(yīng)的檢測(cè)方法，包括步驟：

S1：通過(guò)鏡組3將光線聚焦在設(shè)于硅片6側(cè)面的定標(biāo)板5上；

S2：通過(guò)探測(cè)器9探測(cè)光線焦點(diǎn)14在定標(biāo)板5上的位置；

S3：計(jì)算光線焦點(diǎn)14至定標(biāo)板5上焦平面剖線15的豎直距離，作為硅片6需要豎直移動(dòng)的距離；

S4：將硅片6移動(dòng)豎直距離。

本發(fā)明具體實(shí)施方式所提供的檢測(cè)方法，利用具有較高精度的焦點(diǎn)探測(cè)方法，并通過(guò)焦點(diǎn)檢測(cè)硅片6側(cè)面的定標(biāo)位置，方便硅片6的安放，減少光刻膠吸收檢測(cè)光的影響，能夠?qū)杵?光刻焦面位置進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)和校準(zhǔn)，簡(jiǎn)單方便且精度較高。

其中，在步驟S1和S2之間還可以包括，

S11：通過(guò)定標(biāo)板5反射聚焦光線；

S12：通過(guò)二向色性鏡過(guò)濾經(jīng)定標(biāo)板5反射的聚焦光線并反射其中的特定光線；

S13：通過(guò)凸透鏡7聚焦經(jīng)二向色性鏡反射的特定光線；

S14：通過(guò)探測(cè)器9探測(cè)通過(guò)檢測(cè)板8上針孔的聚焦反射光線的光強(qiáng)；

S15：判斷探測(cè)光強(qiáng)是否大于預(yù)設(shè)光強(qiáng)，若否，則調(diào)整所述鏡組3的設(shè)置角度，并返回S11。

在探測(cè)器9的前方設(shè)置具有針孔的檢測(cè)板8，當(dāng)硅片6發(fā)生傾斜或定標(biāo)板5離焦時(shí)，光路將發(fā)生改變，經(jīng)凸透鏡7聚集的反射光線將被檢測(cè)板8阻擋，則探測(cè)器9通過(guò)針孔探測(cè)到的光強(qiáng)將極大的衰減。

若判斷探測(cè)光強(qiáng)大于預(yù)設(shè)光強(qiáng)，則說(shuō)明硅片6沒(méi)有發(fā)生傾斜，光線焦點(diǎn)14位于定標(biāo)板5上，則繼續(xù)步驟S2，即通過(guò)探測(cè)器9探測(cè)光線焦點(diǎn)14在定標(biāo)板5上的位置信息并由控制器10處理；若控制器10判斷探測(cè)光強(qiáng)小于預(yù)設(shè)光強(qiáng)，則說(shuō)明硅片6發(fā)生傾斜，或定標(biāo)板5離焦，則可以調(diào)節(jié)硅片6或?qū)︾R組3微調(diào)，以保證光線焦點(diǎn)14始終保持在定標(biāo)板5上，保證探測(cè)到的光線焦點(diǎn)14位置信息正確無(wú)誤。利用探測(cè)透過(guò)針孔的光強(qiáng)大小情況來(lái)檢測(cè)硅片6傾斜或定標(biāo)板5離焦的情況，具有實(shí)時(shí)快速、靈敏精確的特點(diǎn)。

在上述各具體實(shí)施方式的基礎(chǔ)上，本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的檢測(cè)方法，由于光線焦點(diǎn)14在定標(biāo)板5上的位置采用極坐標(biāo)，則計(jì)算光線焦點(diǎn)14至焦平面剖線15的豎直距離h，具體可以為，

測(cè)量光線焦點(diǎn)14與焦平面剖線15上原點(diǎn)的距離r，以及光線焦點(diǎn)14和原點(diǎn)兩者的連線與焦平面剖線15之間的夾角α；

根據(jù)極坐標(biāo)的三角函數(shù)公式h＝rsinα，計(jì)算光線焦點(diǎn)14至定標(biāo)板5上焦平面剖線15的豎直距離h。

綜上所述，本發(fā)明提供的焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)方法，光源1發(fā)出的光線通過(guò)鏡組3聚焦在定標(biāo)板5上，聚焦在定標(biāo)板5上的光線焦點(diǎn)14被定標(biāo)板5上的反射層反射到二向色性鏡4上，進(jìn)行過(guò)濾和反射，經(jīng)二向色性鏡4反射的特定光線再通過(guò)凸透鏡7聚集在檢測(cè)板8的針孔處，被探測(cè)器9探測(cè)，探測(cè)器9探測(cè)到的光強(qiáng)信息由控制器10處理，控制器10判斷探測(cè)光強(qiáng)是否小于預(yù)設(shè)光強(qiáng)，并根據(jù)判斷結(jié)果控制驅(qū)動(dòng)器11是否對(duì)鏡組3微調(diào)，另外探測(cè)器9探測(cè)到的光線焦點(diǎn)14在定標(biāo)板5上的位置信息被控制器10處理，控制器10計(jì)算硅片6需要豎直移動(dòng)的距離，并通過(guò)控制平臺(tái)移動(dòng)器12帶動(dòng)硅片6豎直移動(dòng)。

以上對(duì)本發(fā)明所提供的焦點(diǎn)探測(cè)側(cè)面式光刻焦面位置的檢測(cè)裝置及方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。