本發(fā)明屬于光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域,涉及激光慣性約束聚變裝置中高功率固體激光驅(qū)動(dòng)器中的大口徑光學(xué)元件的精密裝配和校準(zhǔn),特別涉及一種激光倍頻晶體的精密夾持裝置與主動(dòng)光學(xué)控制方法。
背景技術(shù):
在2.0mj能級的巨型慣性約束聚變裝置(簡稱icf)中,高功率激光束會(huì)經(jīng)過預(yù)防大、濾波、主放大、濾波、倍頻以及調(diào)整聚焦等過程,最終實(shí)現(xiàn)對靶點(diǎn)的高能激光注入以引起氘-氚(dt)聚變反應(yīng)。其中,倍頻組件位于激光光路最末端的終端光學(xué)組件之中,具有極其關(guān)鍵的作用:承擔(dān)著將波長為1053nm的基頻光轉(zhuǎn)換成波長為351nm的三倍頻光的任務(wù),最終目的是提高靶點(diǎn)等離子體對激光的吸收利用效率。激光倍頻組件采用了人工生長單晶體——例如,磷酸二氫鉀(kdp)晶體——作為倍頻轉(zhuǎn)換的中間介質(zhì)。這是一種典型的非線性光學(xué)材料,具有良好的激光透過性,非中心對稱晶體結(jié)構(gòu)能夠產(chǎn)生二次倍頻諧波,同時(shí)它還具有較大的二階非線性電極化系數(shù),因此在高能激光的倍頻轉(zhuǎn)換過程中具有較高的理論諧波轉(zhuǎn)化效率。為了保證良好的光束質(zhì)量,即較高的諧波轉(zhuǎn)化效率,大徑厚比kdp晶體在生長、加工和裝配過程中都面臨著極其嚴(yán)苛的技術(shù)指標(biāo)要求,此類晶體的精密夾持和面形控制方法也一度成為世界性的難題。
由于當(dāng)前慣性約束聚變裝置中采用的kdp晶體夾持裝置和裝校方法存在有原理性缺陷,直接導(dǎo)致kdp晶體面形精度誤差大,內(nèi)部應(yīng)力分布不均勻,這又間接導(dǎo)致了激光倍頻轉(zhuǎn)換效率的大幅度降低,嚴(yán)重影響了靶點(diǎn)的能量吸收效率;此外,當(dāng)前復(fù)雜繁瑣的裝配工藝流程也已經(jīng)難以滿足我國下一代激光慣性約束聚變裝置的建設(shè)進(jìn)度需求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
為了克服上述傳統(tǒng)純機(jī)械式kdp晶體夾持裝置和裝校方法等現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種激光倍頻晶體的精密夾持裝置與主動(dòng)光學(xué)控制方法,可進(jìn)一步提高激光倍頻轉(zhuǎn)換效率和倍頻組件的安裝效率,尤其適用于大徑厚比kdp激光倍頻晶體。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種激光倍頻晶體的精密夾持裝置,包括:
框架組件2,為矩形框體,用于實(shí)現(xiàn)夾持裝置整體在終端光學(xué)組件中的安裝和定位,激光倍頻晶體元件1位于矩形框體內(nèi);
晶體壓板3,為條狀結(jié)構(gòu),設(shè)置在框架組件2的框體上方,實(shí)現(xiàn)激光倍頻晶體元件1的初始預(yù)緊;
促動(dòng)器支架4,設(shè)置在框架組件2的框體上方,作為進(jìn)行晶體面形主動(dòng)光學(xué)控制的基礎(chǔ),促動(dòng)器支架4的頂部位置的側(cè)面開有矩形槽;
壓電納米促動(dòng)器5,其尾部卡入所述矩形槽中,并通過預(yù)緊螺釘進(jìn)行徑向固定和軸向限位,所述壓電納米促動(dòng)器5能夠沿自身軸向輸出直線運(yùn)動(dòng),其頭部輸出端安裝有與激光倍頻晶體元件1的正面直接接觸的球形壓頭6;
壓電陶瓷控制器8,與所述壓電納米促動(dòng)器5以及上位計(jì)算機(jī)連接,根據(jù)上位計(jì)算機(jī)的指令輸出不同大小的電壓驅(qū)動(dòng)所述壓電納米促動(dòng)器5產(chǎn)生相應(yīng)大小的位移載荷施加到激光倍頻晶體元件1的表面。
所述框架組件2在其四個(gè)側(cè)面上共開有8個(gè)螺紋孔,用來實(shí)現(xiàn)夾持裝置整體在終端光學(xué)組件中的安裝和定位。
所述框架組件2的正面上部,共開有40個(gè)螺紋孔,其中24個(gè)用于安裝晶體壓板3以實(shí)現(xiàn)激光倍頻晶體元件1的初始預(yù)緊,另外16個(gè)用于安裝促動(dòng)器支架4作為進(jìn)行晶體面形主動(dòng)光學(xué)控制的基礎(chǔ)。
在每個(gè)晶體壓板3上開有2個(gè)光孔,預(yù)緊螺釘穿過這兩個(gè)光孔,擰入框架組件2上的螺紋孔,使得晶體壓板3可以實(shí)現(xiàn)對激光倍頻晶體元件1的正面初始預(yù)緊。
所述促動(dòng)器支架4底座上開有2個(gè)光孔,預(yù)緊螺釘穿過這兩個(gè)光孔,擰入框架組件2上的螺紋孔,將促動(dòng)器支架4固定在框架組件2上。
所述促動(dòng)器支架4頭部矩形槽的側(cè)壁和頂部各開有一個(gè)螺紋孔,預(yù)緊螺釘擰入側(cè)壁螺紋孔實(shí)現(xiàn)對壓電納米促動(dòng)器5的徑向固定,預(yù)緊螺釘擰入頂部螺紋孔實(shí)現(xiàn)對壓電納米促動(dòng)器5的軸向限位。
所述框架組件2的正面底部有12個(gè)凸臺(tái),用來實(shí)現(xiàn)激光倍頻晶體元件1的底面定位。
所述晶體壓板3與激光倍頻晶體元件1的接觸區(qū)域跟框架組件2正面底部的凸臺(tái)錯(cuò)位形成杠桿,使得初始預(yù)緊力對晶體面形起到初步補(bǔ)償作用,所述球形壓頭6與激光倍頻晶體元件1的接觸點(diǎn)同樣跟框架組件2正面底部的凸臺(tái)錯(cuò)位形成杠桿,實(shí)現(xiàn)對激光倍頻晶體元件1面形的主動(dòng)補(bǔ)償和調(diào)控。
本發(fā)明還提供了所述激光倍頻晶體主動(dòng)光學(xué)夾持裝置的裝校方法,將仿真建模計(jì)算、初始裝配預(yù)緊和主動(dòng)光學(xué)調(diào)校串聯(lián)起來,形成更合理、更精準(zhǔn)、更便捷、更高效的閉環(huán)裝校工藝流程。在滿足iso14644-1規(guī)定的5級空氣潔凈要求的光學(xué)精密裝配環(huán)境中,具體執(zhí)行如下步驟:
步驟1:利用彈性力學(xué)基本理論建立所述激光倍頻晶體元件的受力變形模型,并求解出保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的初始預(yù)緊力/位移參數(shù)(晶體壓板3施加預(yù)緊力,壓電納米促動(dòng)器5施加微小位移)。
步驟2:將框架組件2固定,用真空吸盤陣列吸緊kdp激光倍頻晶體正面邊緣區(qū)域,將其精確裝入框架組件2中并放置在所述框架組件2正面底部的凸臺(tái)上。
步驟3:用預(yù)緊螺釘7將12塊晶體壓板3分別安裝在所述框架組件正面上部的相應(yīng)螺紋孔中,對晶體進(jìn)行初步預(yù)緊,同時(shí)對晶體面形形成初步補(bǔ)償。
步驟4:用預(yù)緊螺釘7將8個(gè)促動(dòng)器支架4安裝在所述框架組件正面上部的相應(yīng)螺紋孔中。
步驟5:將8個(gè)壓電納米促動(dòng)器5分別沿促動(dòng)器支架4頭部矩形槽裝入8個(gè)促動(dòng)器支架4中,用預(yù)緊螺釘7擰入所述矩形槽側(cè)壁螺紋孔以實(shí)現(xiàn)對壓電納米促動(dòng)器5的徑向固定,后用預(yù)緊螺釘7擰入所述矩形槽頂部螺紋孔實(shí)現(xiàn)對壓電納米促動(dòng)器5的軸向限位。
步驟6:將8個(gè)壓電納米促動(dòng)器5與壓電陶瓷控制器8連接,根據(jù)步驟1中計(jì)算得到的最優(yōu)初始預(yù)緊位移值給每個(gè)壓電納米促動(dòng)器5相應(yīng)信號使其產(chǎn)生相應(yīng)的初始預(yù)緊位移。
步驟7:將初步安裝好的倍頻組件轉(zhuǎn)移至大口徑激光干涉儀下,采用水平放置方式對晶體面形進(jìn)行精密測量,獲得在初始預(yù)緊狀態(tài)下的晶體面形數(shù)據(jù),并判斷是否滿足工藝要求,如果已經(jīng)滿足工藝要求,則完成對kdp激光倍頻晶體1的裝校工作。
步驟8:如果在初始預(yù)緊狀態(tài)下測量得到的晶體面形超出允許誤差范圍,上位計(jì)算機(jī)以當(dāng)前面形為基準(zhǔn)重新計(jì)算每個(gè)壓電納米促動(dòng)器5的位移調(diào)整量,再由壓電陶瓷控制器8控制壓電納米促動(dòng)器5產(chǎn)生相應(yīng)大小的位移。
步驟9:自動(dòng)迭代執(zhí)行步驟7和步驟8,直至晶體面形滿足夾持工藝要求。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:
切實(shí)針對我國激光慣性約束聚變裝置對激光倍頻效率提出的更高要求,從改善kdp激光倍頻晶體1面形精度的角度提出了一種基于主動(dòng)光學(xué)控制原理的大徑厚比kdp激光倍頻晶體1夾持裝置,在此基礎(chǔ)上,提出了一套將仿真建模計(jì)算、初始裝配預(yù)緊和主動(dòng)光學(xué)調(diào)校相結(jié)合的、自動(dòng)化程度更高的光學(xué)精密裝配工藝方法。本發(fā)明能夠有效解決當(dāng)前kdp激光倍頻晶體1純機(jī)械式夾持結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的過度面形畸變、應(yīng)力分布不均等難題,通過設(shè)計(jì)主動(dòng)光學(xué)調(diào)控模塊(壓電納米促動(dòng)器5),實(shí)現(xiàn)了:
一、能夠精準(zhǔn)調(diào)控施加在晶體表面的預(yù)緊位移(納米級),并有效改善晶體面形質(zhì)量,保證更高的倍頻轉(zhuǎn)換效率。
二、能夠根據(jù)當(dāng)前面形狀態(tài)實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化的晶體面形主動(dòng)調(diào)控,將仿真建模計(jì)算、初始裝配預(yù)緊和主動(dòng)光學(xué)調(diào)校相結(jié)合的閉環(huán)自動(dòng)光學(xué)裝配工藝大幅提高了大口徑光學(xué)元件的面形調(diào)整效率和質(zhì)量。
三、有效簡化了晶體夾持裝置的機(jī)械結(jié)構(gòu),減少了裝置零件數(shù)量,大幅度縮短了裝校時(shí)間,能夠滿足我國下一代激光慣性約束聚變裝置的建設(shè)進(jìn)度要求。
附圖說明
圖1是發(fā)明所涉kdp晶體主動(dòng)光學(xué)夾持裝置的裝配結(jié)構(gòu)圖。
圖2是發(fā)明所涉主動(dòng)光學(xué)調(diào)控模塊細(xì)節(jié)結(jié)構(gòu)圖。
圖3是發(fā)明所涉全閉環(huán)大徑厚比晶體裝校工藝流程圖
圖4是實(shí)施案例中所涉kdp晶體原始面形圖。
圖5是實(shí)施案例中所涉kdp晶體經(jīng)所述裝校方法調(diào)整后的面形圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
如圖1所示,一種大徑厚比kdp激光倍頻晶體主動(dòng)光學(xué)夾持裝置,包括框架組件2、晶體壓板3、促動(dòng)器支架4、壓電納米促動(dòng)器5、球形壓頭6、預(yù)緊螺釘7、壓電陶瓷控制器8等??蚣芙M件2為矩形框體,在四個(gè)側(cè)面上共開有8個(gè)螺紋孔,用來實(shí)現(xiàn)夾持裝置整體在終端光學(xué)組件中的安裝和定位。在框架組件2的正面底部有12個(gè)凸臺(tái),用來實(shí)現(xiàn)激光倍頻晶體元件1的底面定位。在框架組件2的正面上部,開有40個(gè)螺紋孔,其中24個(gè)用于安裝條狀結(jié)構(gòu)的晶體壓板3以實(shí)現(xiàn)激光倍頻晶體元件1的初始預(yù)緊,另外16個(gè)用于安裝促動(dòng)器支架4作為進(jìn)行晶體面形主動(dòng)光學(xué)控制的基礎(chǔ)。在每個(gè)晶體壓板3上開有2個(gè)光孔,預(yù)緊螺釘7穿過這兩個(gè)光孔,擰入框架組件2上的螺紋孔,使得晶體壓板3可以實(shí)現(xiàn)對激光倍頻晶體元件1的正面初始預(yù)緊。如圖2,晶體壓板3與激光倍頻晶體元件1的接觸區(qū)域跟框架組件2正面底部的凸臺(tái)錯(cuò)位形成杠桿,使得初始預(yù)緊力對晶體面形起到初步補(bǔ)償作用。在促動(dòng)器支架4底座上開有2個(gè)光孔,預(yù)緊螺釘7穿過這兩個(gè)光孔,擰入框架組件2上的螺紋孔,可以將促動(dòng)器支架4固定在框架組件2上。在促動(dòng)器支架4頭部開有矩形槽,矩形槽側(cè)壁和頂部各開有一個(gè)螺紋孔,壓電納米促動(dòng)器5尾部可以卡入矩形槽中,將預(yù)緊螺釘7擰入側(cè)壁螺紋孔可實(shí)現(xiàn)對壓電納米促動(dòng)器5的徑向固定,將預(yù)緊螺釘7擰入頂部螺紋孔可實(shí)現(xiàn)對壓電納米促動(dòng)器5的軸向限位。壓電納米促動(dòng)器5可沿自身軸向輸出直線運(yùn)動(dòng),在壓電納米促動(dòng)器5頭部輸出端安裝有球形壓頭6與激光倍頻晶體元件1的正面直接接觸,接觸點(diǎn)同樣跟框架組件2正面底部的凸臺(tái)錯(cuò)位形成杠桿(如圖2),實(shí)現(xiàn)對激光倍頻晶體元件1面形的主動(dòng)補(bǔ)償和調(diào)控。壓電陶瓷控制器8可根據(jù)上位計(jì)算機(jī)的指令輸出不同大小的電壓驅(qū)動(dòng)壓電納米促動(dòng)器5產(chǎn)生相應(yīng)大小的位移載荷施加到晶體表面。
本實(shí)施例中,激光倍頻晶體元件1的主要尺寸為430mm×430mm×12mm,徑厚比為36:1,材料為磷酸二氫鉀(簡稱kdp)晶體,平均彈性模量約為2e5mpa,是一種質(zhì)地軟、極易發(fā)生變形的光學(xué)元件。框架組件2為剛度較大的不銹鋼材料,主要尺寸公差優(yōu)于±0.05mm,與晶體直接接觸的正面底部凸臺(tái)平面度公差優(yōu)于±0.005mm。晶體壓板3為鋁合金材料,主要尺寸公差優(yōu)于±0.05mm,與晶體接觸面平面度公差優(yōu)于±0.005mm。促動(dòng)器支架4為鋁合金材料,主要尺寸公差優(yōu)于±0.05mm。壓電納米促動(dòng)器5標(biāo)稱行程19μm,剛度60n/μm,標(biāo)稱推力1200n,拉力200n。壓電陶瓷控制器8為九通道閉環(huán)控制器,可與上位計(jì)算機(jī)通訊,并能實(shí)時(shí)驅(qū)動(dòng)8個(gè)壓電納米促動(dòng)器5產(chǎn)生納米量級分辨率的微小位移。此外,本發(fā)明中預(yù)緊螺釘7及全部螺紋孔,均為細(xì)牙精制,進(jìn)行檢測后螺紋導(dǎo)程(螺距)誤差應(yīng)小于0.02mm。
在滿足iso14644-1規(guī)定的5級空氣潔凈要求的光學(xué)精密裝配環(huán)境中,基于上述大徑厚比kdp激光倍頻晶體主動(dòng)光學(xué)夾持裝置,將仿真建模計(jì)算、機(jī)械裝配預(yù)緊和自動(dòng)光學(xué)調(diào)校串聯(lián)成閉環(huán)裝配工藝鏈,形成更合理、更精準(zhǔn)、更便捷、更高效的icf大徑厚比光學(xué)元件主動(dòng)光學(xué)控制方法。如圖3所示,具體執(zhí)行如下步驟:
步驟1:利用彈性力學(xué)基本理論和有限元方法,在ansys軟件中建立基于主動(dòng)光學(xué)夾持裝置的徑厚比為36:1的kdp激光倍頻晶體受力變形模型,并求解出給定外部激勵(lì)(包括機(jī)械振動(dòng)和熱沖擊)下能夠保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的初始預(yù)緊力/位移參數(shù)(晶體壓板3施加預(yù)緊力,壓電納米促動(dòng)器5施加微小位移)。
步驟2:將框架組件2固定在氣浮光學(xué)平臺(tái)上,用真空吸盤陣列吸緊kdp激光倍頻晶體正面邊緣區(qū)域,將其精確裝入框架組件2中并放置在框架組件2正面底部的凸臺(tái)上。
步驟3:用預(yù)緊螺釘7將12塊晶體壓板3分別安裝在框架組件正面上部的相應(yīng)螺紋孔中,對晶體進(jìn)行初步預(yù)緊,同時(shí)對晶體面形形成初步補(bǔ)償。
步驟4:用預(yù)緊螺釘7將8個(gè)促動(dòng)器支架4安裝在框架組件正面上部的相應(yīng)螺紋孔中。
步驟5:將8個(gè)壓電納米促動(dòng)器5分別沿促動(dòng)器支架4頭部矩形槽裝入8個(gè)促動(dòng)器支架4中,用預(yù)緊螺釘7擰入矩形槽側(cè)壁螺紋孔以實(shí)現(xiàn)對壓電納米促動(dòng)器5的徑向固定,后用預(yù)緊螺釘7擰入矩形槽頂部螺紋孔實(shí)現(xiàn)對壓電納米促動(dòng)器5的軸向限位。
步驟6:將8個(gè)壓電納米促動(dòng)器5與壓電陶瓷控制器8連接,根據(jù)步驟1中計(jì)算得到的最優(yōu)初始預(yù)緊位移值給每個(gè)壓電納米促動(dòng)器5相應(yīng)信號使其產(chǎn)生相應(yīng)的初始預(yù)緊位移。
步驟7:將初步安裝好的倍頻組件轉(zhuǎn)移至φ600mm大口徑近紅外波長移相干涉儀上,采用水平放置方式對晶體面形進(jìn)行精密測量,獲得在初始預(yù)緊狀態(tài)下的晶體面形數(shù)據(jù),并判斷是否滿足工藝要求,如果已經(jīng)滿足工藝要求,則完成對kdp激光倍頻晶體1的裝校工作。
步驟8:如果在初始預(yù)緊狀態(tài)下測量得到的晶體面形超出允許誤差范圍,上位計(jì)算機(jī)以當(dāng)前面形為基準(zhǔn)重新計(jì)算每個(gè)壓電納米促動(dòng)器5的位移調(diào)整量,再由壓電陶瓷控制器8控制壓電納米促動(dòng)器5產(chǎn)生步長不大于2nm的步進(jìn)式位移量直至達(dá)到位移調(diào)整量值。
步驟9:自動(dòng)迭代執(zhí)行步驟7和步驟8,直至晶體面形滿足夾持工藝要求。
如圖4、5所示,未進(jìn)行主動(dòng)光學(xué)精密調(diào)整前的面形峰谷(pv)值為888nm,采用本發(fā)明進(jìn)行主動(dòng)光學(xué)精密調(diào)整后的面形峰谷(pv)值僅為471nm,與當(dāng)前采用的機(jī)械指片式kdp晶體夾持裝置相比,本發(fā)明具有的優(yōu)點(diǎn)總結(jié)如下:
一、可實(shí)現(xiàn)晶體面形的在線主動(dòng)調(diào)節(jié),可以極大地優(yōu)化kdp激光倍頻晶體1的倍頻轉(zhuǎn)換效率,有利于提高激光的光束質(zhì)量。
二、壓電納米促動(dòng)器5的使用顯著提高了裝配預(yù)緊力的加載精度,有利于改善kdp晶體內(nèi)部的應(yīng)力分布狀態(tài),從而減少不良雙折射的產(chǎn)生。
三、全閉環(huán)超精密裝配工藝流程在提高晶體裝配質(zhì)量精度的同時(shí)還有效減少了裝配耗時(shí)。