本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

LCD(Liquid Crystal Display的簡稱，液晶顯示器)的主要構(gòu)造是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子，下基板玻璃(陣列基板)上設(shè)置TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)，上基板玻璃(彩膜基板)上設(shè)置彩色濾光片，通過TFT上的信號與電壓改變，來控制液晶分子的轉(zhuǎn)動方向，從而達到控制每個像素點偏振光出射與否，而達到顯示目的。

隨著人們的生活質(zhì)量越來越高，用戶對顯示終端的輕薄要求也越來越高。普通的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)主要包括：背光源和顯示面板，其中，背光源主要包括LED燈、導(dǎo)光板、上下棱鏡膜、擴散膜、DBEF(增亮膜)等，LED燈發(fā)出的水平白光，通過導(dǎo)光板向上傳播，由于導(dǎo)光板上的反射顆粒大小和密度不均勻，需要擴散膜將出射光均勻化，避免人眼看到導(dǎo)光板上的顆粒。顯示面板主要包括對盒的陣列基板和彩膜基板，及設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶分子，其中在陣列基板上還設(shè)有下偏光片、在彩膜基板上還設(shè)有上偏光片，這些結(jié)構(gòu)共同影響著顯示器的厚度。而現(xiàn)有技術(shù)中的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)中背光源和偏光片外置，導(dǎo)致很難實現(xiàn)輕薄化，不利于液晶顯示器的輕薄化。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種顯示基板、顯示面板及顯示裝置，其能夠?qū)⒈彻鈨?nèi)置，并省去下偏光片，有利于實現(xiàn)顯示器的輕薄化。

本實用新型所提供的技術(shù)方案如下：

一種顯示基板，包括：

襯底基板；

形成于所述襯底基板上的多條數(shù)據(jù)線和多條柵線，所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條柵線相互交叉，而限定出多個像素區(qū)；

形成于所述襯底基板上的多個薄膜晶體管，在每一所述像素區(qū)內(nèi)設(shè)置有一個所述薄膜晶體管；

位于所述襯底基板上的微LED陣列，所述微LED陣列包括多個微LED，每一所述微LED對應(yīng)一個所述像素區(qū)設(shè)置；

以及，位于所述微LED陣列的出光側(cè)的、用于將所述微LED出射的光線轉(zhuǎn)換成線性偏振光的偏振轉(zhuǎn)換層。

進一步的，所述微LED陣列包括呈陣列排布的多個微LED發(fā)光單元，每一所述微LED發(fā)光單元包括至少三個所述微LED，且每一所述微LED發(fā)光單元中的至少三個微LED分別發(fā)出能夠混光成白光的不同顏色的單色光。

進一步的，所述偏振轉(zhuǎn)換層包括位于每一所述微LED的發(fā)光面表面上的納米金屬線柵。

進一步的，所述顯示基板還包括：位于所述襯底基板上、并覆蓋所述微LED陣列的平坦層；其中所述多條柵線、所述多條數(shù)據(jù)線及所述薄膜晶體管均形成于所述平坦層上。

進一步的，所述微LED陣列還包括位于所述襯底基板上的LED電極走線，其中所述微LED陣列中的各微LED與所述LED電極走線連接。

進一步的，每一所述微LED發(fā)光單元至少包括：能夠發(fā)出紅光的紅光微LED、能夠發(fā)出綠光的綠光微LED以及能夠發(fā)出藍光的藍光微LED。

一種顯示面板，包括相對設(shè)置的第一基板和第二基板；及，設(shè)置在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層；所述第一基板采用如上所述的顯示基板。

進一步的，所述第二基板在面向所述第一基板的一側(cè)形成有黑矩陣，所述黑矩陣限定出多個開口單元，且所述多個開口單元與所述第一基板上的多個像素區(qū)一一對應(yīng)設(shè)置。

一種顯示裝置，包括如上所述的顯示面板。

進一步的，所述顯示裝置還包括：位于所述第二基板的遠離所述第一基板的一側(cè)的偏光片，所述偏光片的透光軸方向與所述偏振轉(zhuǎn)換層的透光軸方向相互垂直。

本實用新型的有益效果如下：

本實用新型所提供的顯示基板，通過在襯底基板100上設(shè)置微LED陣列，并在微LED陣列的出光側(cè)形成偏振轉(zhuǎn)換層，以使得微LED陣列能夠發(fā)出線性偏振光，來替代現(xiàn)有技術(shù)中外置的背光源和下偏光片，實現(xiàn)將背光源內(nèi)置的目的，與傳統(tǒng)的背光源外置的顯示器相比，可以省去背光源中導(dǎo)光板等各結(jié)構(gòu)以及顯示基板在背光源入光一側(cè)的下偏光片，從而可以降低顯示器的厚度，有利于實現(xiàn)顯示器的輕薄化。

附圖說明

圖1表示本實用新型實施例中所提供的顯示基板的斷面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2表示本實用新型實施例中所提供的顯示裝置的斷面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3表示本實用新型實施例中所提供的顯示基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4表示本實用新型實施例中提供的顯示基板的一個像素區(qū)的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5表示圖4中A-A向剖視圖。

具體實施方式

為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新型實施例的附圖，對本實用新型實施例的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本實用新型的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋緦嵱眯滦偷膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

針對現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示器的背光源外置，不利于輕薄化設(shè)計的技術(shù)問題，本實用新型提供了一種顯示基板、顯示面板及顯示裝置，能夠?qū)⒈彻鈨?nèi)置，并省去下偏光片，有利于實現(xiàn)顯示器輕薄化。

如圖1和圖3所示，本實用新型所提供的顯示基板包括：

襯底基板100；

形成于所述襯底基板100上的多條數(shù)據(jù)線200和多條柵線300，所述多條數(shù)據(jù)線200和所述多條柵線300相互交叉，而限定出多個像素區(qū)；

形成于所述襯底基板100上的多個薄膜晶體管400，在每一所述像素區(qū)內(nèi)設(shè)置有一個所述薄膜晶體管400；

位于所述襯底基板100上的微LED陣列，所述微LED陣列包括多個微LED 500，每一所述微LED 500對應(yīng)一個所述像素區(qū)設(shè)置；

以及，位于所述微LED陣列的出光側(cè)、用于將所述微LED 500出射的光線轉(zhuǎn)換成線性偏振光的偏振轉(zhuǎn)換層。

本實用新型所提供的顯示基板，通過在襯底基板100上設(shè)置微LED陣列，并在微LED陣列的出光側(cè)形成偏振轉(zhuǎn)換層，以使得微LED陣列能夠發(fā)出線性偏振光，來替代現(xiàn)有技術(shù)中外置的背光源和下偏光片，實現(xiàn)將背光源內(nèi)置的目的，與傳統(tǒng)的背光源外置的顯示器相比，可以省去背光源中導(dǎo)光板等各結(jié)構(gòu)以及顯示基板在背光源入光一側(cè)的下偏光片，從而可以降低顯示器的厚度，實現(xiàn)顯示器的輕薄化。

其中需要說明的是，本實用新型所提供的顯示基板可以是液晶顯示屏的陣列基板，還可以是應(yīng)用于其他顯示器中的顯示基板。

還需要說明的是，傳統(tǒng)的LED芯片厚度約100-500微米，尺寸為100-1000微米，傳統(tǒng)LED厚度大，難以做到陣列基板上；而微LED 500厚度只有5微米左右，LED電極走線厚度為0.2微米左右，可以制作在顯示基板上，實現(xiàn)背光源內(nèi)置，并將顯示屏的像素間距從毫米級降低至微米級，從而可以用于液晶顯示器高ppi顯示產(chǎn)品。

此外，因現(xiàn)有技術(shù)中TFT-LCD非自發(fā)光的顯示原理，導(dǎo)致液晶面板的穿透率約在7％以下，造成LCD光效很低；且白光LED的色飽和度差，導(dǎo)致大多LCD產(chǎn)品色域只有72％NTSC。

在本實用新型所提供的實施例中，優(yōu)選的，如圖1和圖3所示，所述微LED陣列包括呈陣列排布的多個微LED發(fā)光單元，每一所述微LED發(fā)光單元包括至少三個所述微LED 500，且每一所述微LED發(fā)光單元中的至少三個微LED 500分別發(fā)出能夠混光成白光的不同顏色的單色光。

采用上述方案，通過將微LED陣列中的各微LED 500按照像素排列設(shè)計的方式進行排布，使得每一微LED發(fā)光單元中的至少三個微LED 500分別發(fā)出不同顏色的單色光，例如：如圖1和圖3所示，每一微LED發(fā)光單元中包括能夠分別發(fā)出紅色單色光的第一微LED 500a、發(fā)出綠色單色光的第二微LED500b和發(fā)出藍色單色光的第三微LED500c，且一個微LED 500正對一個像素區(qū)設(shè)置，如此，像素區(qū)的開口率不再影響透光率，可以做的很小，薄膜晶體管器件可以做大，有利于充電；且可以省去傳統(tǒng)的液晶顯示屏的彩膜基板上的彩膜，進一步有利于實現(xiàn)顯示屏輕薄化；此外，微LED的發(fā)光半峰寬只有約20nm，色飽和度極高，色域有望達到120％NTSC以上。

此外，在本實用新型所提供的實施例中，優(yōu)選的，所述偏振轉(zhuǎn)換層包括位于每一所述微LED 500的發(fā)光面表面上的納米金屬線柵502。

采用上述方案，所述偏振轉(zhuǎn)換層通過在每一微LED 500的發(fā)光面表面上制作的納米金屬線柵502來實現(xiàn)，納米金屬線柵502制作起來方便，且厚度薄，有利于顯示器的輕薄化。

當然可以理解的是，所述偏振轉(zhuǎn)換層還可以是采用其他結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)，只要能夠?qū)⑽ED 500發(fā)出的光轉(zhuǎn)換為線性偏振光出射即可，例如：所述偏振轉(zhuǎn)換層也可以采用偏振片實現(xiàn)，但是相較于納米金屬線柵，顯示基板的厚度會較大。

此外，在本實用新型所提供的實施例中，優(yōu)選的，如圖1所示，所述微LED陣列還包括位于所述襯底基板100上的LED電極走線501，所述微LED陣列中的各微LED 500與所述LED電極走線501連接。其中，所述LED電極走線501可以與顯示基板的驅(qū)動IC連接，以控制微LED陣列的發(fā)光狀態(tài)。

此外，在本實用新型所提供的實施例中，優(yōu)選的，如圖1所示，所述顯示基板還包括：位于所述襯底基板100上、并覆蓋所述微LED陣列的平坦層600；其中所述多條柵線300、所述多條數(shù)據(jù)線200及所述薄膜晶體管400均形成于所述平坦層600上。其中，所述薄膜晶體管400的柵極401與對應(yīng)的柵線300連接，所述薄膜晶體管的源極402與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線200連接，所述薄膜晶體管的漏極403與對應(yīng)的像素電極404連接。

采用上述方案，可以將所述顯示基板的襯底基板上制作好LED電極走線501、微LED陣列和納米金屬線柵502之后，再覆蓋上一層平坦層600，在平坦層600上再制作形成顯示基板的其他結(jié)構(gòu)層，例如：如圖4和圖5所示，對于陣列基板來說，在襯底基板上形成LED電極走線501、微LED 500、納米金屬線柵502及平坦層600之后，再通過陣列基板的傳統(tǒng)制造工藝來制作形成陣列基板的柵線300、數(shù)據(jù)線200及薄膜晶體管的柵極401、漏極403和源極402、以及柵極絕緣層101等其他結(jié)構(gòu)層，其中LED電極走線501厚度約0.2微米左右，微LED 500厚度只有5微米左右，在平坦層600之上的其他結(jié)構(gòu)層厚度約1.8微米左右。

具體地，本實用新型實施例中所提供的顯示基板的制作方法如下：

首先，在襯底基板100上制作LED電極走線501；

然后，將微LED陣列芯片預(yù)先在其他襯底材料上生長完成，并在微LED500表面制作納米金屬線柵502，再轉(zhuǎn)印到顯示基板的襯底基板100上，并與顯示基板的襯底基板100上的LED電極走線501相鍵合；

最后，在襯底基板100上制作平坦層600，并在平坦層600上形成所述多條柵線300、所述多條數(shù)據(jù)線200及所述薄膜晶體管400等結(jié)構(gòu)層。

其中，在上述方法中，將微LED陣列芯片預(yù)先在其他襯底材料上生長形成，包括：將微LED陣列芯片在藍寶石或硅晶片等晶格匹配的襯底材料上生長完成，然后通過物理方式(例如：激光切割方式)或化學(xué)方式(例如：化學(xué)腐蝕方式)，將微LED陣列芯片從襯底材料上剝離下來，再通過靜電力或范德瓦爾斯力等作用力轉(zhuǎn)印至顯示基板的襯底基板之上；所述納米金屬線柵502可以通過納米壓印工藝制作形成。

具體地，在上述方法中，將微LED陣列芯片轉(zhuǎn)印到顯示基板的襯底基板100上時，可以利用STM表面貼裝技術(shù)或COB板上芯片封裝技術(shù)將各微LED500鍵合在顯示基板的襯底基板100上，直接與陣列基板的襯底基板100上的LED電極走線501相連。

此外，本實用新型的實施例中還提供了一種顯示面板，如圖2所示，所述顯示面板包括：相對設(shè)置的第一基板10和第二基板20；及，設(shè)置在所述第一基板10和所述第二基板20之間的液晶層30；其中，所述第一基板10為本實用新型實施例中所提供的顯示基板。

需要說明的是，本實用新型實施例所提供的顯示面板可以是液晶顯示基板，所述第一基板可以為陣列基板，所述第二基板可以為彩膜基板。

本實用新型所提供的顯示面板，通過在第二基板上設(shè)置微LED陣列，并在微LED陣列的出光側(cè)形成偏振轉(zhuǎn)換層，以使得微LED陣列能夠發(fā)出線性偏振光，來替代現(xiàn)有技術(shù)中外置背光源和下偏光片，實現(xiàn)將背光源內(nèi)置的目的，與傳統(tǒng)的背光源外置的顯示器相比，可以省去背光源中導(dǎo)光板等各結(jié)構(gòu)以及顯示面板的下偏光片，從而可以降低顯示器的厚度，有利于實現(xiàn)顯示器的輕薄化。

在本實用新型所提供的優(yōu)選實施例中，如圖2所示，在所述第一基板上，所述微LED陣列包括呈陣列排布的多個微LED發(fā)光單元，每一所述微LED發(fā)光單元包括至少三個所述微LED，且每一所述微LED發(fā)光單元中的至少三個微LED分別發(fā)出能夠混光成白光的不同顏色的單色光；所述第二基板在面向所述第一基板的一側(cè)形成有黑矩陣21，所述黑矩陣21限定出多個開口單元22，且所述多個開口單元22與所述第一基板10上的多個像素區(qū)一一對應(yīng)設(shè)置。

采用上述方案，通過將微LED陣列中的各微LED 500按照像素排列設(shè)計的方式進行排布，使得每一微LED發(fā)光單元中的至少三個微LED 500分別發(fā)出不同顏色的單色光，例如：如圖1和圖3所示，每一微LED發(fā)光單元中包括能夠分別發(fā)出紅色單色光的第一微LED 500a、發(fā)出綠色單色光的第二微LED500b和發(fā)出藍色單色光的第三微LED500c，且一個微LED 500正對一個像素區(qū)設(shè)置，如此，像素區(qū)的開口率不再影響透光率，可以做的很小，薄膜晶體管器件可以做大，有利于充電；且對于第二基板來說，無需制作彩膜，也就是說，省去了傳統(tǒng)的液晶顯示屏的彩膜基板上的彩膜，進一步有利于實現(xiàn)顯示屏輕薄化；此外，微LED的發(fā)光半峰寬只有約20nm，色飽和度極高，色域有望達到120％NTSC以上。

此外，本實用新型的實施例中還提供了一種顯示裝置，包括本實用新型實施例中所提供的顯示面板。

在本實用新型所提供的優(yōu)選實施例中，如圖2所示，所述顯示裝置還包括：位于所述第二基板的遠離所述第一基板的一側(cè)的偏光片700，所述偏光片700的透光軸方向與所述偏振轉(zhuǎn)換層的透光軸方向相互垂直。

采用上述方案，微LED 500的出光側(cè)的納米金屬線柵502的線柵方向與上偏振片的偏振方向垂直，保證由所述微LED 500發(fā)射出去的線性偏振光經(jīng)過液晶旋光后，能順利穿過上偏振片。其中上偏光片可以采用傳統(tǒng)偏光片，也可以采用納米金屬線柵502。

以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換也應(yīng)視為本實用新型的保護范圍。