【】本發(fā)明涉及光刻，特別涉及一種預(yù)選套刻標記測量配方的方法、系統(tǒng)以及存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)

0、
背景技術(shù)：

1、隨著光刻圖形關(guān)鍵尺寸(critical?dimension，cd)進入光刻工藝的22nm及以下節(jié)點，套刻(overlay)的半導(dǎo)體計量(metrology)進入亞納米領(lǐng)域。所有半導(dǎo)體器件都需采用測量與表征手段去探查器件及其工藝過程中出現(xiàn)的問題，從而改進并提高良率。套刻標記仿真優(yōu)化是計算光刻軟件系統(tǒng)的重要組成部分，是工藝用戶和光刻機用戶優(yōu)化生產(chǎn)控制套刻精度必不可少的模塊。基于計算光刻中的套刻標識測量配方的預(yù)選則可以為套刻測量提供更好的測量方案、節(jié)約測量時間、提高產(chǎn)率。

2、但現(xiàn)有選擇測量配方的方案，只是在特定場景下適用，不足以應(yīng)對實際生產(chǎn)情況以及實際工藝復(fù)雜場景。

技術(shù)實現(xiàn)思路

0、
技術(shù)實現(xiàn)要素：

1、為解決現(xiàn)有選擇測量配方的方案，只是在特定場景下適用，不足以應(yīng)對實際工藝復(fù)雜場景中的問題，本發(fā)明提供了一種預(yù)選套刻標記測量配方的方法、系統(tǒng)以及存儲介質(zhì)。

2、本發(fā)明解決技術(shù)問題的方案是提供一種預(yù)選套刻標記測量配方的方法，包括以下步驟：

3、獲取多個掩?？臻g周期和/或關(guān)鍵尺寸不同的套刻標記在不同的預(yù)設(shè)第一測量配方下的第一可探測性指標的第一熱力圖；所述第一可探測性指標包括堆層靈敏度；

4、根據(jù)所述第一熱力圖初選滿足初選策略的第一可探測性指標對應(yīng)的套刻標記；

5、獲取滿足初選策略的套刻標記在不同預(yù)設(shè)第二測量配方下的第二可探測性指標的第二熱力圖；所述第二可探測性指標包括套刻誤差量；

6、根據(jù)所述第二熱力圖確定滿足預(yù)選策略的第二可探測性指標對應(yīng)的預(yù)設(shè)第二測量配方。

7、優(yōu)選地，獲取多個掩?？臻g周期和/或關(guān)鍵尺寸不同的套刻標記在不同的預(yù)設(shè)第一測量配方下的第一可探測性指標的第一熱力圖之前，所述方法還包括：

8、獲取用戶提供的工藝信息、測量信息以及套刻標記信息以及對應(yīng)的d?r?c；所述套刻標記信息包括多個掩模空間周期和/或關(guān)鍵尺寸不同的套刻標記；

9、篩選物理尺寸滿足d?r?c的多個不同的套刻標記。

10、優(yōu)選地，獲取多個掩?？臻g周期和/或關(guān)鍵尺寸不同的套刻標記在不同的預(yù)設(shè)第一測量配方下的第一可探測性指標的第一熱力圖，具體包括：

11、根據(jù)不同的預(yù)設(shè)第一測量配方分別配置仿真平臺，并分別通過所述仿真平臺對多個不同的套刻標記進行仿真計算，獲得在預(yù)設(shè)第一測量配方下的不同的套刻標記的對應(yīng)的堆層靈敏度；

12、生成每個預(yù)設(shè)第一測量配方對應(yīng)不同的套刻標記對應(yīng)的掩?？臻g周期和關(guān)鍵尺寸共同相關(guān)于堆層靈敏度的第一熱力圖。

13、優(yōu)選地，所述初選策略為根據(jù)所述第一熱力圖對不同的套刻標記對應(yīng)的堆層靈敏度由高至低進行排序，并選擇排名在預(yù)設(shè)第一數(shù)值之前的堆層靈敏度對應(yīng)的不同的套刻標記。

14、優(yōu)選地，不同的所述預(yù)設(shè)第一測量配方中的偏振不同；

15、獲取滿足初選策略的套刻標記在不同預(yù)設(shè)第二測量配方下的第二可探測性指標的第二熱力圖之前，具體還包括：

16、確定同一套刻標記在不同的第一熱力圖中對應(yīng)的堆層靈敏度高對應(yīng)的預(yù)設(shè)第一測量配方中的偏振為所有不同的預(yù)設(shè)第二測量配方中的目標偏振。

17、優(yōu)選地，不同的所述預(yù)設(shè)第二測量配方中的波長不同。

18、優(yōu)選地，獲取滿足初選策略的套刻標記在不同預(yù)設(shè)第二測量配方下的第二可探測性指標的第二熱力圖，具體包括：

19、根據(jù)波長不同的預(yù)設(shè)第二測量配方分別配置仿真平臺，通過所述仿真平臺對同一套刻標記進行仿真計算，獲得在預(yù)設(shè)第二測量配方下的同一套刻標記的對應(yīng)的套刻誤差量；

20、生成同一套刻標記對應(yīng)在不同預(yù)設(shè)第二測量配方下的不同波長和目標系數(shù)共同相關(guān)于套刻誤差量的第二熱力圖。

21、優(yōu)選地，所述預(yù)選策略為根據(jù)每個所述第二熱力圖對同一套刻標記對應(yīng)的套刻誤差量和目標系數(shù)同時由低至高進行排序，選擇排名在預(yù)設(shè)第二數(shù)值之前的套刻誤差量和目標系數(shù)同時對應(yīng)的目標波長，根據(jù)所述目標波長確定對應(yīng)的預(yù)設(shè)第二測量配方。

22、本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題還提供一種預(yù)選套刻標記測量配方的系統(tǒng)，實現(xiàn)如上任一項所述的預(yù)選套刻標記測量配方的方法，包括：

23、獲取第一熱力圖模塊，用于獲取多個掩?？臻g周期和/或關(guān)鍵尺寸不同的套刻標記在不同的預(yù)設(shè)第一測量配方下的第一可探測性指標的第一熱力圖；所述第一可探測性指標包括堆層靈敏度；

24、初選模塊，用于根據(jù)所述第一熱力圖初選滿足初選策略的第一可探測性指標對應(yīng)的套刻標記；

25、獲取第二熱力圖模塊，用于獲取滿足初選策略的套刻標記在不同預(yù)設(shè)第二測量配方下的第二可探測性指標的第二熱力圖；所述第二可探測性指標包括套刻誤差量；

26、預(yù)選模塊，用于根據(jù)所述第二熱力圖確定滿足預(yù)選策略的可探測性指標對應(yīng)的預(yù)設(shè)第二測量配方。

27、本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題還提供一種計算機可讀存儲介質(zhì)，計算機可讀存儲介質(zhì)存儲有計算機程序，計算機程序被執(zhí)行時實現(xiàn)如上任一項所述的預(yù)選套刻標記測量配方的方法。

28、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的預(yù)選套刻標記測量配方的方法、系統(tǒng)以及存儲介質(zhì)具有以下優(yōu)點：

29、1、本發(fā)明實施例的一種預(yù)選套刻標記測量配方的方法，包括以下步驟：獲取多個掩?？臻g周期和/或關(guān)鍵尺寸不同的套刻標記在不同的預(yù)設(shè)第一測量配方下的第一可探測性指標的第一熱力圖；第一可探測性指標包括堆層靈敏度；根據(jù)第一熱力圖初選滿足初選策略的第一可探測性指標對應(yīng)的套刻標記；獲取滿足初選策略的套刻標記在不同預(yù)設(shè)第二測量配方下的第二可探測性指標的第二熱力圖；第二可探測性指標包括套刻誤差量；根據(jù)第二熱力圖確定滿足預(yù)選策略的第二可探測性指標對應(yīng)的預(yù)設(shè)第二測量配方。通過第一熱力圖可更直觀的觀察到不同的套刻標記的堆層靈敏度的大小，從而可直接通過第一熱力圖中堆層靈敏度的大小篩選出滿足初選策略的套刻標記，從而可以篩選出探測的衍射能力強的套刻標記；進而可通過第二熱力圖直觀的觀察到同一套刻標記在不同的預(yù)設(shè)第二配方下的套刻誤差量的大小，從而可直接通過第二熱力圖中套刻誤差量的大小準確篩選出滿足預(yù)選策略下的預(yù)設(shè)第二測量配方，將該預(yù)設(shè)第二測量配方作為本次預(yù)選套刻標記測量配方。因而相較于現(xiàn)有應(yīng)用于特定條件下的選擇測量配方的方法以及全新設(shè)計測量系統(tǒng)而言，本發(fā)明的方法更通用，且無需更改現(xiàn)有測量設(shè)備或測量系統(tǒng)的實際結(jié)構(gòu)就可達成預(yù)選測量配方的目的，同時使分析更簡單直觀，節(jié)約測量時間、提高本次預(yù)選測量配方的準確性，從而使本發(fā)明能應(yīng)用于實際產(chǎn)線中。

30、2、本發(fā)明實施例的獲取多個掩?？臻g周期和/或關(guān)鍵尺寸不同的套刻標記在不同的預(yù)設(shè)第一測量配方下的第一可探測性指標的第一熱力圖之前，所述方法還包括：獲取用戶提供的工藝信息、測量信息以及套刻標記信息以及對應(yīng)的設(shè)計規(guī)則檢查；套刻標記信息包括多個掩?？臻g周期和/或關(guān)鍵尺寸不同的套刻標記；篩選物理尺寸滿足設(shè)計規(guī)則檢查的多個不同的套刻標記。通過用戶提供的數(shù)據(jù)可先對套刻標記進行初選，從而篩除掉不合格的套刻標記，便于后續(xù)的進一步篩選。同時利用用戶提供的設(shè)計規(guī)則檢查進行篩除，可以提前發(fā)現(xiàn)潛在的制造問題，避免實際生產(chǎn)過程中的錯誤和缺陷。

31、3、本發(fā)明實施例的獲取多個掩模空間周期和/或關(guān)鍵尺寸不同的套刻標記在不同的預(yù)設(shè)第一測量配方下的第一可探測性指標的第一熱力圖，具體包括：根據(jù)不同的預(yù)設(shè)第一測量配方分別配置仿真平臺，并分別通過仿真平臺對多個不同的套刻標記進行仿真計算，獲得在預(yù)設(shè)第一測量配方下的不同的套刻標記的對應(yīng)的堆層靈敏度；生成每個預(yù)設(shè)第一測量配方對應(yīng)的不同的套刻標記對應(yīng)的掩?？臻g周期和關(guān)鍵尺寸共同相關(guān)于堆層靈敏度的第一熱力圖。通過第一熱力圖能直觀地表示不同的套刻標記的堆層靈敏度，從而可直接觀察就可確定不同的套刻標記的堆層靈敏度的高低。

32、4、本發(fā)明實施例的初選策略為根據(jù)第一熱力圖對不同的套刻標記對應(yīng)的堆層靈敏度由高至低進行排序，并選擇排名在預(yù)設(shè)第一數(shù)值之前的堆層靈敏度對應(yīng)的不同的套刻標記。通過初選策略就可篩選出堆層靈敏度靠前的套刻標記，即篩選出使用該套刻度探測的衍射能力強度的套刻標記，便于使用初選出的套刻標記進行預(yù)設(shè)第二配方的篩選。

33、5、本發(fā)明實施例的不同的預(yù)設(shè)第一測量配方中的偏振不同；獲取滿足初選策略的套刻標記在不同預(yù)設(shè)第二測量配方下的第二可探測性指標的第二熱力圖之前，具體還包括：確定同一套刻標記在不同的第一熱力圖中對應(yīng)的堆層靈敏度高對應(yīng)的預(yù)設(shè)第一測量配方中的偏振為所有不同的預(yù)設(shè)第二測量配方中的目標偏振。通過比較同一套刻標記在偏振不同的預(yù)設(shè)第一測量配方對應(yīng)的第一熱力圖中的堆層靈敏度的高低，就可先確定出預(yù)設(shè)第二測量配方中更符合需求的偏振，實現(xiàn)在后續(xù)預(yù)選中預(yù)設(shè)第二測量配方中偏振的固定，有利于篩選預(yù)設(shè)第二測量配方中其他變量。

34、6、本發(fā)明實施例的獲取滿足初選策略的套刻標記在不同預(yù)設(shè)第二測量配方下的第二可探測性指標的第二熱力圖，具體包括：根據(jù)波長不同的預(yù)設(shè)第二測量配方分別配置仿真平臺，通過仿真平臺對同一套刻標記進行仿真計算，獲得在預(yù)設(shè)第二測量配方下的不同的套刻標記的對應(yīng)的套刻誤差量；生成同一套刻標記對應(yīng)在不同預(yù)設(shè)第二測量配方下的不同波長和目標系數(shù)共同相關(guān)于套刻誤差量的第二熱力圖。通過第二熱力圖可直接表示同一套刻標記在不同波長下的目標系數(shù)與套刻誤差量的大小，從而可直接觀察就可確定同一套刻標記的目標系數(shù)與套刻誤差量的高低。

35、7、本發(fā)明實施例的預(yù)選策略為根據(jù)每個第二熱力圖對同一套刻標記對應(yīng)的套刻誤差量和目標系數(shù)同時由低至高進行排序，選擇排名在預(yù)設(shè)第二數(shù)值之前的套刻誤差量和目標系數(shù)同時對應(yīng)的目標波長，根據(jù)目標波長確定對應(yīng)的預(yù)設(shè)第二測量配方。通過預(yù)選策略可直接篩選出套刻誤差量和目標系數(shù)均較低時對應(yīng)的波長，即滿足目標系數(shù)偏小，套刻仿真誤差較小的要求對應(yīng)波長，從而根據(jù)該波長確定預(yù)設(shè)第二配方，使最終確定的預(yù)設(shè)第二配方在測量套刻標記時更準確，誤差更小，進一步提高測量的精確度。

36、8、本發(fā)明實施例還提供一種預(yù)選套刻標記測量配方的系統(tǒng)，具有與上述一種預(yù)選套刻標記測量配方的方法具有相同的有益效果，在此不做贅述。

37、9、本發(fā)明實施例還提供一種計算機可讀存儲介質(zhì)，具有與上述一種預(yù)選套刻標記測量配方的方法具有相同的有益效果，在此不做贅述。