本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中使用的反射型掩模坯料的制造方法、反射型掩模坯料以及聚焦離子束加工裝置。

背景技術(shù)：

1、近年來，在光刻技術(shù)中，使用了極紫外(extreme?ultra?violet：以下稱為euv)光的曝光技術(shù)被認(rèn)為是有前途的。euv光是指軟x射線區(qū)域或真空紫外線區(qū)域的波段的光，其波長為0.2～100nm左右。這樣的短波段的光無法透過光學(xué)構(gòu)件，因此，在目前為止利用的光透射型掩模中，euv光無法到達(dá)光致抗蝕劑。因此，作為使用了該euv光的曝光用掩模，使用光不穿過掩模內(nèi)的反射型掩模。

2、該反射型掩模在基板的整面上形成有被賦予了反射曝光光的功能的反射多層膜(例如，mo/si多層膜)，在該反射多層膜上與電路圖案對(duì)應(yīng)地形成有吸收曝光光的吸收層。入射到該反射型掩模的euv光在吸收層中被吸收，在沒有吸收層的部分由反射多層膜反射而成像于曝光材料的表面，由此，將吸收層的圖案轉(zhuǎn)印到曝光材料。

3、這樣的反射型掩模由作為原件的反射型掩模坯料制作，該反射型掩模坯料具有在上述基板上整面地形成的反射多層膜和進(jìn)一步形成在反射多層膜的整面上的吸收層。該反射型掩模坯料在反射多層膜的表面中的比供曝光光入射的掩模區(qū)域靠外側(cè)的區(qū)域(周邊區(qū)域)形成有剖面形狀為凹槽狀的基準(zhǔn)標(biāo)記(例如參照專利文獻(xiàn)1)。如后所述，該基準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)決定反射多層膜的缺陷位置的坐標(biāo)時(shí)的基準(zhǔn)位置進(jìn)行規(guī)定。

4、在反射型掩模坯料中，由于光在反射多層膜的表面的微小的凹凸或者在反射多層膜的內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)變的部位處發(fā)生散射，因此成為產(chǎn)生不進(jìn)行正反射的分量這樣的缺陷。由于光在該缺陷所存在的位置發(fā)生散射，因此，能夠通過將該光由配置在上方的光學(xué)系統(tǒng)匯集并成像于攝像元件來檢測(cè)該缺陷。近年來，在使用了euv光的光刻技術(shù)中，無缺陷的反射型掩模的產(chǎn)量提高和缺陷檢測(cè)基礎(chǔ)設(shè)施的建立成為較大的課題?，F(xiàn)實(shí)中，制作毫無缺陷的掩模坯料是非常困難的。于是，開發(fā)了一種緩和缺陷的技術(shù)：通過進(jìn)行電路圖案的控制，使得與電路圖案對(duì)應(yīng)的吸收層以隱藏缺陷的方式位于缺陷之上，由此，等價(jià)于原本就沒有該缺陷的情況。

5、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

6、專利文獻(xiàn)

7、專利文獻(xiàn)1：日本特開2017-58666號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的課題

2、在上述那樣的緩和缺陷的技術(shù)中，反射型掩模坯料中的缺陷位置的檢測(cè)精度的提高成為重要的課題。在反射多層膜上加工基準(zhǔn)標(biāo)記的情況下，考慮激光加工法、干式蝕刻法以及使用了聚焦離子束的fib(focused?ion?beam)法。在激光加工法中，會(huì)引起金屬的熱蒸發(fā)等燒蝕，因此，容易在基準(zhǔn)標(biāo)記的邊緣部產(chǎn)生凹凸等粗糙的構(gòu)造，導(dǎo)致基準(zhǔn)標(biāo)記的誤差較大。另外，在干式蝕刻法中，掩模區(qū)域的反射多層膜的表面暴露于等離子體而擾亂反射率，因此，無法用于基準(zhǔn)標(biāo)記的加工。

3、在使用fib法對(duì)基準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行了加工的情況下，由于向試料表面照射聚焦的離子束，因此，能夠進(jìn)行微細(xì)的加工，另一方面，存在基準(zhǔn)標(biāo)記的檢測(cè)性變低這樣的課題。對(duì)于基準(zhǔn)標(biāo)記的平面形狀，為了容易檢測(cè)出邊緣部而應(yīng)用了十字形狀，但作為用于進(jìn)行可靠的檢測(cè)的標(biāo)記尺寸，需要幾百μm到幾mm這種程度，因此，需要非常長的加工時(shí)間。因此，現(xiàn)狀是不得不將基準(zhǔn)標(biāo)記的深度設(shè)定得淺(幾十nm的程度)。在該程度的深度下，由于聚焦離子束的射束直徑、射束的擴(kuò)散角度而導(dǎo)致加工槽的側(cè)壁的立起角度(基板面方向與側(cè)壁的傾斜面所成的角度)僅為幾度到10度這種程度，存在基準(zhǔn)標(biāo)記的邊緣檢測(cè)精度下降這樣的問題。

4、本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，其目的在于，提供一種能夠縮短基準(zhǔn)標(biāo)記的加工時(shí)間并且能夠提高基準(zhǔn)標(biāo)記的邊緣檢測(cè)精度的反射型掩模坯料的制造方法、反射型掩模坯料以及聚焦離子束加工裝置。

5、用于解決課題的方案

6、為了解決上述課題并實(shí)現(xiàn)目的，本發(fā)明的方案涉及一種反射型掩模坯料的制造方法，所述反射型掩模坯料具有基板和層疊于所述基板的表面且反射曝光光的反射膜，在所述反射膜形成有剖面凹槽形狀的基準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述反射型掩模坯料的制造方法的特征在于，包括：輪廓加工工序，沿著所述基準(zhǔn)標(biāo)記的預(yù)定形成區(qū)域的輪廓利用小電流聚焦離子束對(duì)所述反射膜進(jìn)行加工；以及整個(gè)區(qū)域加工工序，利用大電流聚焦離子束對(duì)所述預(yù)定形成區(qū)域的整個(gè)區(qū)域的所述反射膜進(jìn)行加工。

7、作為上述方案，優(yōu)選的是，在所述輪廓加工工序之后，進(jìn)行所述整個(gè)區(qū)域加工工序。

8、作為上述方案，優(yōu)選的是，在所述整個(gè)區(qū)域加工工序之后，進(jìn)行所述輪廓加工工序。

9、作為上述方案，優(yōu)選的是，在所述輪廓加工工序中，沿著所述預(yù)定形成區(qū)域的輪廓照射所述小電流聚焦離子束，直至沿著通過所述整個(gè)區(qū)域加工工序而形成的槽底部區(qū)域的周緣形成朝向所述基板凹陷的輪廓槽部為止。

10、作為上述方案，優(yōu)選的是，對(duì)所述反射膜從向所述預(yù)定形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)方向傾斜的方向照射所述小電流聚焦離子束。

11、本發(fā)明的另一方案涉及一種反射型掩模坯料，其具有基板和層疊于所述基板的表面且反射曝光光的反射膜，在所述反射膜形成有剖面凹槽形狀的基準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，沿著所述基準(zhǔn)標(biāo)記的槽底部區(qū)域的周緣形成有朝向所述基板凹陷的輪廓槽部。

12、本發(fā)明的又一方案涉及一種聚焦離子束加工裝置，其具有基板、層疊于所述基板的表面且反射曝光光的反射膜、以及層疊于所述反射膜的表面且吸收所述曝光光的吸收層，在所述反射膜形成剖面凹槽形狀的基準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，能夠選擇用于沿著所述基準(zhǔn)標(biāo)記的預(yù)定形成區(qū)域的輪廓進(jìn)行加工的小電流聚焦離子束的照射和用于進(jìn)行所述預(yù)定形成區(qū)域的整個(gè)區(qū)域的加工的大電流聚焦離子束的照射。

13、作為上述方案，優(yōu)選的是，具備傾斜角度調(diào)整部，所述傾斜角度調(diào)整部使所述基板相對(duì)于所述小電流聚焦離子束的傾斜角度相對(duì)地變更，而對(duì)所述反射膜從向所述預(yù)定形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)方向傾斜的方向照射所述小電流聚焦離子束。

14、發(fā)明效果

15、根據(jù)本發(fā)明，可實(shí)現(xiàn)能夠縮短基準(zhǔn)標(biāo)記的加工時(shí)間并且提高基準(zhǔn)標(biāo)記的邊緣檢測(cè)精度的反射型掩模坯料的制造方法、反射型掩模坯料以及聚焦離子束加工裝置。

技術(shù)特征：

1.一種反射型掩模坯料的制造方法，所述反射型掩模坯料具有基板和層疊于所述基板的表面且反射曝光光的反射膜，在所述反射膜形成有剖面凹槽形狀的基準(zhǔn)標(biāo)記，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型掩模坯料的制造方法，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型掩模坯料的制造方法，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反射型掩模坯料的制造方法，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型掩模坯料的制造方法，其中，

6.一種反射型掩模坯料，其具有基板和層疊于所述基板的表面且反射曝光光的反射膜，在所述反射膜形成有剖面凹槽形狀的基準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，

7.一種聚焦離子束加工裝置，其具有基板、層疊于所述基板的表面且反射曝光光的反射膜、以及層疊于所述反射膜的表面且吸收所述曝光光的吸收層，在所述反射膜形成剖面凹槽形狀的基準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的聚焦離子束加工裝置，其中，

技術(shù)總結(jié)
提供反射型掩模坯料的制造方法，所述反射型掩模坯料具有基板和層疊于所述基板的表面且反射曝光光的反射膜，在所述反射膜形成有剖面凹槽形狀的基準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述反射型掩模坯料的制造方法包括：輪廓加工工序，沿著所述基準(zhǔn)標(biāo)記的預(yù)定形成區(qū)域的輪廓利用小電流聚焦離子束對(duì)所述反射膜進(jìn)行加工；以及整個(gè)區(qū)域加工工序，利用大電流聚焦離子束對(duì)所述預(yù)定形成區(qū)域的整個(gè)區(qū)域的所述反射膜進(jìn)行加工。

技術(shù)研發(fā)人員：水村通伸
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社V技術(shù)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10