一種陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示器（Liquid Crystal Display，LCD)主要由TFT陣列基板和彩膜基板構(gòu) 成，其中，由TFT陣列基板和彩膜基板對(duì)盒后的液晶顯示器上設(shè)有R(紅色）像素、G(綠色） 像素和B (藍(lán)色）像素，其中，如圖1所示，即R像素的VT曲線（即驅(qū)動(dòng)電壓-光透過(guò)率變 化曲線）為a ;G像素的VT曲線為b ;B像素的VT曲線為c。
[0003] 可以看出，曲線a與曲線b基本重合，尤其的，在同一驅(qū)動(dòng)電壓下，曲線a、曲線b幾 乎同時(shí)達(dá)到波峰，而曲線c的波峰卻位于曲線a的波峰和曲線b的波峰的右側(cè)，也就是說(shuō)， 在同一驅(qū)動(dòng)電壓下，B像素的光透過(guò)率，與R像素和G像素的光透過(guò)率差距較大，如此，導(dǎo)致 液晶顯示面板在進(jìn)行顯示時(shí)，在同一驅(qū)動(dòng)電壓下，由于RGB三個(gè)像素的光透過(guò)率不同，導(dǎo)致 液晶顯示器產(chǎn)生色偏現(xiàn)象，影響液晶顯示器的成像質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及顯示裝置，一定程度改善了顯示裝置產(chǎn)生色 偏現(xiàn)象的問(wèn)題，提高了顯示裝置的成像質(zhì)量。
[0005] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：
[0006] 第一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板，所述陣列基板包括由交叉設(shè)置的 柵線和數(shù)據(jù)線劃分出的第一像素單元、第二像素單元和第三像素單元，
[0007] 所述第一像素單元與紅色色阻對(duì)應(yīng)，所述第一像素單元中包括第一 TFT的源極與 漏極之間形成的第一 TFT溝道；
[0008] 所述第二像素單元與綠色色阻對(duì)應(yīng)，所述第二像素單元中包括第二TFT的源極與 漏極之間形成的第二TFT溝道；
[0009] 所述第三像素單元與藍(lán)色色阻對(duì)應(yīng)，所述第三像素單元中包括第三TFT的源極與 漏極之間形成的第三TFT溝道；
[0010] 其中，所述第三TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比值大于所述第二TFT溝道的寬度與長(zhǎng) 度的比值；或者，所述第三TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比值大于所述第一 TFT溝道的寬度與長(zhǎng) 度的比值。
[0011] 結(jié)合第一方面，在第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，
[0012] 所述第三TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比值大于所述第二TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比 值；并且，
[0013] 所述第三TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比值大于所述第一 TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比 值。
[0014] 結(jié)合第一方面，在第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，
[0015] 所述第三TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比值大于所述第一 TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比 值；并且，
[0016] 所述第一 TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比值大于所述第二TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比 值。
[0017] 結(jié)合第一方面以及第一方面的第一至第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的 實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，
[0018] 所述第一像素單元，還包括至少兩條第一條狀電極，所述第一條狀電極之間具有 第一刻縫；
[0019] 所述第二像素單元，還包括至少兩條第二條狀電極，所述第二條狀電極之間具有 第二刻縫；
[0020] 所述第三像素單元，還包括至少兩條第三條狀電極，所述第三條狀電極之間具有 第三刻縫；
[0021] 其中，所述第三刻縫寬度與所述第三條狀電極寬度的比值大于所述第一刻縫寬度 與所述第一條狀電極寬度的比值，或者，所述第三刻縫寬度與所述第三條狀電極寬度的比 值大于所述第二刻縫寬度與所述第二條狀電極寬度的比值。
[0022] 結(jié)合第一方面以及第一方面的第一至第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的 實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，
[0023] 所述第三刻縫寬度與所述第三條狀電極寬度的比值大于所述第一刻縫寬度與所 述第一條狀電極寬度的比值，并且，
[0024] 所述第三刻縫寬度與所述第三條狀電極寬度的比值大于所述第二刻縫寬度與所 述第二條狀電極寬度的比值。
[0025] 結(jié)合第一方面以及第一方面的第一至第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的 實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，
[0026] 所述第三刻縫寬度與所述第三條狀電極寬度的比值大于所述第一刻縫寬度與所 述第一條狀電極寬度的比值，并且，
[0027] 所述第一刻縫寬度與所述第一條狀電極寬度的比值大于所述第二刻縫寬度與所 述第二條狀電極寬度的比值。
[0028] 結(jié)合第一方面以及第一方面的第一至第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的 實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，
[0029] 所述第一 TFT溝道的寬度、所述第二TFT溝道的寬度以及所述第三TFT溝道的寬 度范圍均為5 μπι至35 μπι ;
[0030] 所述第一 TFT溝道的長(zhǎng)度、所述第二TFT溝道的長(zhǎng)度以及所述第三TFT溝道的長(zhǎng) 度范圍均為2 μπι至8 μπι ;
[0031] 結(jié)合第一方面的第三至第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第 一方面的第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，
[0032] 所述第一條狀電極寬度、所述第二條狀電極寬度以及所述第三條狀電極寬度范圍 均為2 μπι至8 μπι ;
[0033] 所述第一刻縫寬度、所述第二刻縫寬度以及所述第三刻縫寬度范圍均為I ym至 5 μ m〇
[0034] 結(jié)合第一方面以及第一方面的第一至第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的 實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第八種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述陣列基板還包括第四像素單元，
[0035] 所述陣列基板還包括第四像素單元，
[0036] 所述第四像素單元與白色色阻對(duì)應(yīng)，所述第四像素單元中包括第四TFT的源極與 漏極之間形成的第四TFT溝道；
[0037] 其中，所述第四TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比值，均大于所述第一 TFT溝道的寬度與 長(zhǎng)度的比值、所述第二TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比值，以及所述第三TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度 的比值。
[0038] 所述第四像素單元，還包括至少兩條第四條狀電極、所述第四條狀電極之間的第 四刻縫；
[0039] 所述第四刻縫寬度與所述第四條狀電極寬度的比值，均大于所述第一刻縫寬度與 所述第一條狀電極寬度的比值、所述第二刻縫寬度與所述第二條狀電極寬度的比值、所述 第三刻縫寬度與所述第三條狀電極寬度的比值。
[0040] 第二方面，本發(fā)明提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如第一方面以及第一方 面的第一至第八種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中所述的陣列基板。
[0041] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及顯示裝置，該陣列基板中的第一像素單元與 紅色色阻對(duì)應(yīng)，所述第一像素單元中包括第一 TFT的源極與漏極之間形成的第一 TFT溝道； 第二像素單元與綠色色阻對(duì)應(yīng)，所述第二像素單元中包括第二TFT的源極與漏極之間形成 的第二TFT溝道；第三像素單元與藍(lán)色色阻對(duì)應(yīng)，所述第三像素單元中包括第三TFT的源極 與漏極之間形成的第三TFT溝道；其中，所述第三TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比值大于所述第 二TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比值；或者，所述第三TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比值大于所述第 一 TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比值，這樣一來(lái)，在相同的驅(qū)動(dòng)電壓下，由于增加了與藍(lán)色色阻 對(duì)應(yīng)的第三TFT溝道的寬度與長(zhǎng)度的比值（即第三TFT溝道的寬長(zhǎng)比），使得第三TFT內(nèi) 的存儲(chǔ)電容的充放電速率增加，加速液晶分子在第三像素單元的偏轉(zhuǎn)，進(jìn)而提高藍(lán)色色阻 對(duì)應(yīng)的第三像素單元在該驅(qū)動(dòng)電壓下的光透過(guò)率，以保證RGB三個(gè)像素在相同的驅(qū)動(dòng)電壓 下，盡可能的達(dá)到相近的光透過(guò)率，進(jìn)而減少色偏現(xiàn)象，提高了顯示裝置的成像質(zhì)量。
【附圖說(shuō)明】
[0042] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0043] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中RGB三個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)電壓-光透過(guò)率變化曲線；
[0044] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一陣列基板的示意圖一；
[0045] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板中的TFT的示意圖；
[0046] 圖4為RGB三種色阻的光透過(guò)率柱狀圖；
[0047] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例中RGB三個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)電壓-光透過(guò)率變化曲線；
[0048] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一陣列基板的不意圖> ;
[0049] 圖7為本