液晶顯示器的制造方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明的示例性實施方式涉及液晶顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(“IXD”)是最為廣泛使用的平板顯示器類型中的一種。IXD通常包括其中設置場生成電極(諸如像素電極和公共電極)的兩個顯示面板以及插入在兩個顯示面板之間的液晶層。在這種LCD中，將電壓施加至場生成電極以在液晶層中產(chǎn)生電場，電場確定液晶層的液晶分子的方向，并且通過控制入射光的偏振顯示圖像。
[0003]在IXD之中，已經(jīng)開發(fā)出垂直取向(“VA”)模式IXD，在該種IXD中，在不存在電場時，液晶分子的長軸被取向為垂直于面板。
[0004]在VA模式IXD中，可通過在場生成電極中形成諸如微小的狹縫的切口(cutout)來實現(xiàn)寬視角。因為切口和突起(protrus1n)可確定液晶分子的傾斜方向，所以使用切口和突起可使傾斜方向分布在各個方向上，從而拓寬參考視角。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在垂直取向模式液晶顯示器(其中在包括多個分支電極的像素電極中限定微小的狹縫)中，由于與液晶分子的其他液晶控制力的關(guān)系以及微小的狹縫，液晶分子的響應速度下降，從而隨著時間可能顯示紋理。
[0006]本發(fā)明的示例性實施方式提供如下一種液晶顯示器:具有減少的由于紋理而導致的顯示質(zhì)量的退化，同時最小化開口率的減小。本發(fā)明還提供一種其中不產(chǎn)生垂直線污點(stain)的液晶顯示器。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的示例性實施方式包括:絕緣基板；多個像素，布置在絕緣基板上，其中，每個像素具有在水平方向上延長的形狀，并且包括薄膜晶體管形成區(qū)域和顯示區(qū)；以及參考電壓線，沿著顯示區(qū)的中央在垂直方向上延伸，其中，顯示區(qū)包括單個高灰度子像素區(qū)和兩個低灰度子像素區(qū)，并且單個高灰度子像素區(qū)位于兩個低灰度子像素區(qū)之間。
[0008]在示例性實施方式中，液晶顯示器可進一步包括:第一薄膜晶體管，連接至布置在單個高灰度子像素區(qū)中的高灰度像素電極；第二薄膜晶體管，分別連接至布置在兩個低灰度子像素區(qū)中的兩個低灰度像素電極；以及第三薄膜晶體管，連接至兩個低灰度像素電極和參考電壓線。
[0009]在示例性實施方式中，參考電壓線可包括沿著顯示區(qū)的外部區(qū)域朝向薄膜晶體管形成區(qū)域延伸的分支。
[0010]在示例性實施方式中，單個高灰度子像素區(qū)和兩個低灰度子像素區(qū)中的每一個可包括四個域(domain)。
[0011]在示例性實施方式中，參考電壓線可穿過單個高灰度子像素區(qū)的中央。
[0012]在示例性實施方式中，顯示區(qū)可包括八個域。
[0013]在示例性實施方式中，單個高灰度子像素區(qū)可包括四個域，并且兩個低灰度子像素區(qū)中的每一個可包括兩個域。
[0014]在示例性實施方式中，單個高灰度子像素區(qū)可包括三個域，兩個低灰度子像素區(qū)中的一個可包括三個域，并且兩個低灰度子像素區(qū)中的另一個可包括兩個域。
[0015]在示例性實施方式中，顯示區(qū)的八個域在顯示區(qū)中可排布在沿水平方向延伸的兩個行和沿垂直方向延伸的四個列上，并且單個高灰度子像素區(qū)可包括布置在第二列和第二行上的域、布置在第三列和第一行上的域以及布置在第三列和第二行上的域。
[0016]在示例性實施方式中，液晶顯示器可進一步包括:第一連接，沿著顯示區(qū)的上部區(qū)域布置，其中，第一連接將單個高灰度像素電極與第一薄膜晶體管彼此連接；以及第二連接，沿著顯示區(qū)的上部區(qū)域布置，其中，第二連接將兩個低灰度像素電極中的一個與第二薄膜晶體管連接。
[0017]在示例性實施方式中，第一連接和第二連接中的每一個可包括從其延伸方向朝向顯示區(qū)彎曲的彎曲端部，并且第一連接和第二連接中的每一個的彎曲端部的長度可在約6微米(μ m)至約8 μ m的范圍內(nèi)。
[0018]在示例性實施方式中，單個高灰度像素電極和兩個低灰度像素電極中的每一個可包括多個單位像素電極，每個單位像素電極可包括具有平面形狀的中央電極和從中央電極的一側(cè)延伸的多個微分支，單個高灰度子像素區(qū)和兩個低灰度子像素區(qū)中的每一個可包括面向其單位像素電極的公共電極，并且可在公共電極中限定開口。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的示例性實施方式包括:絕緣基板；多個像素，布置在絕緣基板上，其中，每個像素具有在水平方向上延長的形狀，并且包括薄膜晶體管形成區(qū)域和顯示區(qū)；以及參考電壓線，沿著顯示區(qū)的中央在垂直方向上延伸，其中，顯示區(qū)包括排布在兩個行上的多個域，兩行域之中的一行域是高灰度子像素區(qū)，在兩個行的第一行上的域限定顯示區(qū)的高灰度子像素區(qū)，在兩個行的第二行上的域限定顯示區(qū)的低灰度子像素區(qū)，并且參考電壓線包括沿著顯示區(qū)的外部區(qū)域朝向薄膜晶體管形成區(qū)域延伸的分支。
[0020]在示例性實施方式中，液晶顯示器可進一步包括:第一薄膜晶體管，連接至布置在高灰度子像素區(qū)中的高灰度像素電極；第二薄膜晶體管，連接至布置在低灰度子像素區(qū)中的低灰度像素電極；以及第三薄膜晶體管，連接至低灰度像素電極和參考電壓線。
[0021 ] 在示例性實施方式中，高灰度子像素區(qū)和低灰度子像素區(qū)中的每一個可包括六個域。
[0022]在示例性實施方式中，參考電壓線可穿過高灰度子像素區(qū)和低灰度子像素區(qū)的中央。
[0023]在示例性實施方式中，高灰度像素電極可包括對應于高灰度像素區(qū)中的域的多個單位像素電極，低灰度像素電極可包括對應于低灰度像素區(qū)中的域的多個單位像素電極，高灰度子像素區(qū)中的高灰度像素電極的單位像素電極中的一個與低灰度子像素區(qū)中的低灰度像素電極的單位像素電極中的一個可被布置成在垂直方向上彼此鄰近，并且被布置成在垂直方向上彼此鄰近的單位像素電極之間的距離可以是均勻的。
[0024]在示例性實施方式中，高灰度像素電極可包括對應于高灰度像素區(qū)中的域的多個單位像素電極，低灰度像素電極可包括對應于低灰度像素區(qū)中的域的多個單位像素電極，高灰度子像素區(qū)中的高灰度像素電極的單位像素電極中的一個與低灰度子像素區(qū)中的低灰度像素電極的單位像素電極中的一個可被布置成在垂直方向上彼此鄰近，并且被布置成在垂直方向上彼此鄰近的單位像素電極之間的距離可在遠離顯示區(qū)的中央朝向顯示區(qū)的一側(cè)的方向上增加。
[0025]在示例性實施方式中，在顯示區(qū)的中央處的被布置成在垂直方向上彼此鄰近的單位像素電極之間的距離與在顯示區(qū)的一側(cè)的被布置成在垂直方向上彼此鄰近的單位像素電極之間的距離之間的差異可在約零(O) μ??至約3μπ?的范圍內(nèi)。
[0026]在示例性實施方式中，高灰度像素電極和低灰度像素電極中的每一個可包括多個單位像素電極，每個單位像素電極可包括具有平面形狀的中央電極和從中央電極的一側(cè)延伸的多個微分支，高灰度子像素區(qū)和低灰度子像素區(qū)中的每一個可包括面向其單位像素電極的公共電極，并且可在公共電極中限定開口。
[0027]如上所述，在包括在水平方向上具有延長形狀的像素的液晶顯示器的的示例性實施方式中，可最小化被遮光構(gòu)件所覆蓋的紋理和部分，從而提高開口率。在這種實施方式中，通過形成在水平方向上延長的像素的左右對稱，有效地防止垂直線污點的出現(xiàn)。
【附圖說明】
[0028]通過參考附圖詳細地描述本發(fā)明的示例性實施方式，本發(fā)明的上述和其他特征將變得更加顯而易見，其中:
[0029]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示設備的示例性實施方式的框圖；
[0030]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示設備的像素的示例性實施方式的示意圖；
[0031]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示設備的示例性實施方式的像素的連接關(guān)系的視圖；
[0032]圖4是在根據(jù)本發(fā)明的顯示設備的示例性實施方式中的像素電極及其周圍部件(surrounding)的平面圖；
[0033]圖5是圖4的像素的詳細結(jié)構(gòu)的視圖；
[0034]圖6是圖5的結(jié)構(gòu)中的像素的示例性實施方式的紋理的視圖；
[0035]圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的像素的另一可替代示例性實施方式的示意圖；
[0036]圖8是在根據(jù)本發(fā)明的顯示設備的可替代示例性實施方式中的像素電極及其周圍部件的平面圖；
[0037]圖9是圖8的結(jié)構(gòu)中的像素的示例性實施方式的紋理的視圖；
[0038]圖10是根據(jù)本發(fā)明的顯示設備的另一可替代示例性實施方式的像素電極及其周圍部件的平面圖；
[0039]圖11是圖10的結(jié)構(gòu)中的像素的示例性實施方式的紋理的視圖；
[0040]圖12至圖14是根據(jù)本發(fā)明的像素電極的示例性實施方式的連接結(jié)構(gòu)的視圖；
[0041]圖15是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示設備的像素的可替代示例性實施方式的示意圖；
[0042]圖16是圖15的像素的另一可替代示例性實施方式的詳細結(jié)構(gòu)的視圖；
[0043]圖17是圖16的結(jié)構(gòu)中的像素的示例性實施方式的紋理的視圖；
[0044]圖18是在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的示例性實施方式中的其中根據(jù)電場產(chǎn)生紋理的位置的截面圖；
[0045]圖19至圖22是根據(jù)本發(fā)明的具有各種結(jié)構(gòu)的像素電極的示例性實施方式的紋理的視圖；
[0046]圖23至圖27是示出根據(jù)本發(fā)明的像素的示例性實施方式的等效電路圖；以及
[0047]圖28是示出使用通過諸如紫外線的光來偏振的預聚物來為液晶分子設置預傾角的過程的示例性實施方式的視圖。
【具體實施方式】
[0048]在下文中，將參考其中示出了各種實施方式的附圖更加全面地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可體現(xiàn)為多種不同的形式并且不應被解釋為局限于在此所闡述的實施方式。而是，提供這些實施方式以使本公開為全面的和完整的，并且將本發(fā)明的范圍充分地傳達給本領域技術(shù)人員。類似的參考標號表示遍及全文的類似元件。
[0049]將理解，當一個元件被稱為“在”另一元件“上”時，其可直接在另一元件上或者其間可存在中間元件。相反，當一個元件被稱為“直接在”另一元件“上”時，則不存在中間元件。
[0050]將理解，盡管術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等在本文中用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應受這些術(shù)語所限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或者部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或者部分區(qū)分開。因此，在不背離本發(fā)明的教導的情況下，下面所討論的“第一元件”、“部件”、“區(qū)域”、“層”或者“部分”可被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或者部分。
[0051]本文中所使用的術(shù)語僅為了描述特定實施方式的目的而并不旨在限制本發(fā)明。如本文使用的，單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”旨在包括復數(shù)形式，復數(shù)形式包括“至少一個”，除非上下文另有明確指示?！盎蛘摺笔侵浮昂?或”。如本文使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)列出項的任何和全部組合。將進一步理解，當在本說明書中使用術(shù)語“包含(comprise) ”和/或“包含(comprising) ”、或者“包括(include) ”和/或“包括(including) ”時,規(guī)定指定特征、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除一個或多個其他特征、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或其組的存在或者添加。
[0052]而且，在本文中可使用諸如“下部”或“底部”以及“上部”或“頂部”的相對術(shù)語來描述如圖中所示的一個元件與另一個元件的關(guān)系。將理解，相對術(shù)語旨在包括除圖中所描繪的方位之外的設備的不同方位。例如，如果在一個圖中的設備被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其他元件“下部” 一側(cè)的元件將被定位為在其他元件的“上部”側(cè)。因此，示例性術(shù)語“下部”可包括“下部”和“上部”兩個方位，這取決于圖中的具體方位。同樣，如果在一個圖中的設備被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其他元件“下方”或“下面”的元件將被定位在其他元件“上方”。因此，示例性術(shù)語“下方”或者“下面”可包括上方和下方兩個方位。
[0053]本文所使用的“約”或“近似”包括指定值和落在由本領域普通技術(shù)人員所確定的特定值的可接收偏差范圍內(nèi)的平均值，考慮到所討論的測量和與特定量的測量相關(guān)聯(lián)的誤差(即，測量系統(tǒng)的局限性)。例如，“約”可指落在一個或多個標準偏差內(nèi)或者落在指定值的 ±30%、20%、10%、5% 內(nèi)。
[0054]除非另有定義，否則，本文所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學術(shù)語)具有與本公開所屬領域的普通技術(shù)人員所通常理解的相同含義。將進一步理解，諸如在通常使用詞典中所定義的術(shù)語應被解釋為具有與其在相關(guān)領域和本公開的背景中的含義一致的含義，并且將不以理想化或者過度正式的意義進行解釋，除非本文明確如此限定。
[0055]在此，參考作為理想化實施方式的示意性圖示的截面圖示來描述示例性實施方式。因此，例如，預期由于制造技術(shù)和/或容差而產(chǎn)生的圖示的形狀的變化。因此，本文所描述的實施方式不應被解釋為局限于本文所示出的區(qū)域的特定形狀，而是包括例如由于制造而產(chǎn)生的形狀上的偏差。例如，通常，示出或者描述為平坦的區(qū)域可具有粗糙的和/或非線性特性。而且，所示出的尖銳的角可以是圓角。因此，在圖中所