陣列基板及制作方法、觸控顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實施例涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及制作方法、觸控顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示屏，英文通稱為LCD (Liquid Crystal Display)，是屬于平面顯示器的一種。隨著科技的發(fā)展，LCD目前科技信息產(chǎn)品也朝著輕、薄、短、小的目標(biāo)發(fā)展，無論是直角顯示、低耗電量、體積小、還是零輻射等優(yōu)點，都能讓使用者享受最佳的視覺環(huán)境。
[0003]具有觸控功能的顯示器是基于功能豐富化的技術(shù)產(chǎn)生的，比較常見的觸控技術(shù)有In-cell觸控技術(shù)和On-cell觸控技術(shù)。其中，In-cell觸控技術(shù)是指將觸摸面板功能嵌入到液晶像素電路中的方法，On-cell觸控技術(shù)是指將觸摸功能的部分結(jié)構(gòu)嵌入到彩色濾光片基板和偏光板之間的方法。由于In-cell觸控技術(shù)能夠使顯示器更輕薄，因此更被關(guān)注。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1所示，具有觸控功能的陣列基板，依次在基板111上采用構(gòu)圖工藝制備多晶硅層112 ;涂覆柵絕緣層113 ;形成第一金屬層，并采用構(gòu)圖工藝形成TFT的柵極114和掃描線；形成層間絕緣層115覆蓋第一金屬層的圖案；形成第二金屬層，并采用構(gòu)圖工藝形成TFT的源級116、漏極117和數(shù)據(jù)線；平坦化層118 ;在平坦化層118上形成第三金屬層(M3)，采用構(gòu)圖工藝形成觸控走線119 ;形成第一絕緣層120 ;在第一絕緣層120上形成觸控電極121，觸控電極121可復(fù)用為公共電極塊；再形成第二絕緣層122 ;在第二絕緣層122、第一絕緣層120和平坦化層118中刻蝕形成第一過孔123，且在第二絕緣層122和第一絕緣層120中刻蝕形成第二過孔124 ;在第二絕緣層122上形成像素電極117，且同像素電極117通過第一過孔123連通薄膜晶體管的漏極125，采用像素電極的材料同步形成跨橋結(jié)構(gòu)，通過第二過孔124將觸控電極121與觸控走線119進(jìn)行電連接。
[0005]但是，上述制作形成的陣列基板，由于觸控走線形成在平坦化層上方，這就使得位于所述觸控走線之上的膜層表面不平坦，這樣將對后續(xù)摩擦工序的效果產(chǎn)生很大的影響，其兩側(cè)容易出現(xiàn)漏光問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及制造方法、觸控顯示面板，通過將平坦化層覆蓋在所述觸控走線層之上，使觸控走線之上的平坦性更好，改善了經(jīng)過摩擦工序后產(chǎn)生漏光的問題。
[0007]第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括:
[0008]基板；
[0009]呈矩陣排列的多個薄膜晶體管，每個所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極；
[0010]第一絕緣層，位于所述薄膜晶體管之上；
[0011]觸控走線層，位于所述第一絕緣層之上，所述觸控走線層包括多條觸控走線；
[0012]平坦化層，覆蓋在所述觸控走線層之上。
[0013]第二方面，本發(fā)明實施例還提供一種觸控顯示面板，包括本發(fā)明實施第一方面所述的陣列基板；還包括與所述陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板，所述陣列基板和所述彩膜基板之間設(shè)置有液晶層。
[0014]第三方面，本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0015]S1、在基板上形成第一金屬層，在所述第一金屬層上采用構(gòu)圖工藝形成柵極與掃描線的圖案，所述掃描線沿第一方向延伸；
[0016]S2、在所述第一金屬層上形成第三絕緣層；
[0017]S3、在所述第三絕緣層上形成第二金屬層，在所述第二金屬層上采用構(gòu)圖工藝形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖案，所述數(shù)據(jù)線沿第二方向延伸，且所述第一方向和所述第二方向交叉；
[0018]S4、在所述第二金屬層上形成第一絕緣層；
[0019]S5、在所述第一絕緣層上形成觸控走線層，所述觸控走線層包括多條沿著第二方向延伸的觸控走線；
[0020]S6、在所述觸控走線層上形成平坦化層。
[0021]本發(fā)明實施例將平坦化層覆蓋在所述觸控走線層之上，使觸控走線之上的平坦性更好，改善摩擦漏光問題。
【附圖說明】
[0022]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4A為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖4B為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板中第一開槽位置示意圖；
[0027]圖4C為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板中第一開槽位置示意圖；
[0028]圖4D為本發(fā)明實施例三提供的陣列基板中像素電極結(jié)構(gòu)示意圖
[0029]圖5為本發(fā)明實施例四提供的觸控顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖6為本發(fā)明實施例五提供的一種陣列基板的制作方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0031]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。
[0032]實施例一
[0033]圖2為本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本發(fā)明實施例提供的陣列基板包括:
[0034]基板201 ;呈矩陣排列的多個薄膜晶體管22，每個所述薄膜晶體管22包括柵極202、源極203和漏極204 ;第一絕緣層205，位于所述薄膜晶體管22之上；觸控走線層，位于所述第一絕緣層205之上，所述觸控走線層包括多條觸控走線206 ;平坦化層207，覆蓋在所述觸控走線層之上。
[0035]本實施例的技術(shù)方案，將觸控走線206直接形成在平坦化層207的下方，避免了因觸控走線206之上的膜層表面不平坦而導(dǎo)致觸控走線兩側(cè)經(jīng)過摩擦工序后產(chǎn)生漏光的問題。
[0036]上述實施例的技術(shù)方案中，其他結(jié)構(gòu)的層次關(guān)系不限，下面提供一典型的實現(xiàn)方案，如圖2所示，該陣列基板還包括公共電極層，位于所述平坦化層之上，所述公共電極層包括多個公共電極塊208，每個所述公共電極塊208連接一條或多條所述觸控走線206，所述公共電極塊208復(fù)用做觸控電極塊；第二絕緣層209，位于所述公共電極層之上；像素電極層，位于所述第二絕緣層209之上，包括多個像素電極210。
[0037]公共電極塊208復(fù)用為觸控電極塊，其可以通過多種方式與觸控走線206相連，優(yōu)選可以是，所述平坦化層207包括第一過孔211，所述公共電極塊208直接通過所述第一過孔211與所述觸控走線206連接，如圖2所示。
[0038]在該陣列基板上，還包括多條沿第一方向延伸的掃描線，所述掃描線與所述薄膜晶體管的柵極202位于同一層；多條數(shù)據(jù)線，與所述薄膜晶體管的源極203、漏極204位于同一層，所述多條數(shù)據(jù)線沿第二方向延伸，且所述第一方向和第二方向交叉，所述觸控走線206的延伸方向與所述數(shù)據(jù)線的延伸方向相同。
[0039]本實施例的陣列基板可通過如下過程進(jìn)行制備:
[0040]A、在基板201上采用構(gòu)圖工藝形成多晶硅層212 (Poly)的圖案，多晶硅層212即有源層，可選用的材料為非晶硅或低溫多晶硅；
[0041]B、在形成上述圖案的基板201上形成柵絕緣層213 ；
[0042]C、在柵絕緣層213上形成第一金屬層，采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成薄膜晶體管22的柵極202和掃描線；
[0043]D、在柵極202上方形成一層間絕緣層214，層間絕緣層214的材質(zhì)可以為氮化硅和氧化硅等；