超薄襯底的剝離方法、顯示基板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種超薄襯底的剝離方法、顯示基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]LCD (Liquid Crystal Display，液晶顯示器)的一個發(fā)展方向為薄型化。目前，對LCD的薄化主要采用化學(xué)腐蝕方法實現(xiàn)。但是，利用化學(xué)腐蝕方法薄化后的產(chǎn)品容易碎、且良率低，限制了化學(xué)腐蝕方法的使用范圍。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中還提供了另一種薄化方法，該方法中:直接使用強化后的超薄玻璃制作LCD，由于超薄玻璃經(jīng)過強化，強度和韌性大大增加，能夠顯著提高薄型化產(chǎn)品的品質(zhì)。
[0004]而由于超薄玻璃太薄太軟，必須貼附在載體玻璃上才能進(jìn)行IXD工藝。在IXD工藝完成后，再將LCD從載體玻璃上剝離?，F(xiàn)有的剝離工藝主要由使用分離液腐蝕或者機械剝離實現(xiàn)，難度大，良率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的一個目的是降低超薄襯底從剛性基板的剝離的難度，提高良率。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種超薄襯底的剝離方法，該剝離方法包括:
[0007]提供超薄襯底和剛性基板，將所述超薄襯底貼附在所述剛性基板上；
[0008]在所述超薄襯底上形成閉合導(dǎo)體線圈；
[0009]在形成有所述閉合導(dǎo)體線圈的超薄襯底上制作顯示器件；
[0010]形成變化磁場，使超薄襯底以及顯示器件在所述變化磁場的作用下從所述剛性基板上剝離。
[0011]可選地，所述超薄襯底上形成的閉合導(dǎo)體線圈的數(shù)量為多個，且多個閉合導(dǎo)體線圈在同一平面內(nèi)。
[0012]可選地，所述超薄襯底是厚度為0.05mm-0.2mm的玻璃。
[0013]可選地，所述剛性基板是厚度大于等于0.5mm的玻璃。
[0014]可選地，所述剛性基板上形成有導(dǎo)體線圈；
[0015]所述形成變化磁場，包括:
[0016]在所述剛性基板上的導(dǎo)體線圈上施加交變電流，使所述剛性基板上的導(dǎo)體線圈產(chǎn)生變化磁場。
[0017]可選地，所述形成變化磁場，包括:
[0018]提供一個外加基板，所述外加基板上形成有導(dǎo)體線圈；
[0019]在所述外加基板的導(dǎo)體線圈上施加交變電流，使所述外加基板的導(dǎo)體線圈產(chǎn)生變化磁場。
[0020]可選地，所述形成變化磁場，具體包括:
[0021]將所述外加基板設(shè)置在所述剛性基板一側(cè)，并在所述外加基板的導(dǎo)體線圈上施加交變電流。
[0022]可選地，所述形成變化磁場還包括:
[0023]增大施加在導(dǎo)體線圈上的交變電流的變化率直至超薄襯底以及顯示器件從所述剛性基板剝離。
[0024]可選地，剛性基板或者外部基板上的導(dǎo)體線圈為螺旋線圈。
[0025]可選地，剛性基板或者外部基板上的導(dǎo)體線圈的數(shù)量為多個，每一個導(dǎo)體線圈上設(shè)置有開口，并且每個導(dǎo)體線圈的開口方向一致，各個導(dǎo)體線圈在開口第一側(cè)的端點連接到第一端子，在開口第二側(cè)的端點連接到第二端子。
[0026]第二方面，本發(fā)明還提供了一種顯示基板，所述超薄襯底利用上述的剝離方法制作。
[0027]第三方面，本發(fā)明又提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置利用上述的剝離方法制作。
[0028]由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明通過在超薄襯底上刻蝕閉合導(dǎo)體線圈，并形成變化磁場，使該變化磁場通過超薄襯底上的多個閉合導(dǎo)體線圈產(chǎn)生超薄襯底與剛性基板之間粘合力相反的安培力，使超薄襯底從剛性基板剝離。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的方法易于實現(xiàn)，并能夠有效避免超薄襯底以及形成在超薄襯底上的顯示器件的損壞，能夠提高產(chǎn)品的良率。
【附圖說明】
[0029]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1為本發(fā)明一實施例提供的一種超薄襯底的剝離方法流程圖；
[0031]圖2示出了圖1中的步驟S4的一種實現(xiàn)方式；
[0032]圖3為形成在厚玻璃上的一種導(dǎo)體線圈的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖4為形成在厚玻璃上的另一種導(dǎo)體線圈的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖5示出了圖1中的步驟S4的另一種實現(xiàn)方式。
【具體實施方式】
[0035]為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0036]本發(fā)明一實施例提供了一種超薄襯底的剝離方法，如圖1所示，該剝離方法包括:
[0037]步驟S1、提供超薄襯底和剛性基板，將超薄襯底貼附在剛性基板上；
[0038]步驟S2、在超薄襯底上形成閉合導(dǎo)體線圈；
[0039]步驟S3、在形成有閉合導(dǎo)體線圈的超薄襯底上制作顯示器件；
[0040]步驟S4、形成變化磁場，使超薄襯底以及顯示器件在變化磁場的作用下從剛性基板上剝離。
[0041]本發(fā)明通過在超薄襯底上形成閉合導(dǎo)體線圈，并在超薄襯底的外部形成變化磁場，使該變化磁場通過超薄襯底上的多個閉合導(dǎo)體線圈產(chǎn)生超薄襯底與剛性基板之間粘合力相反的安培力，使超薄襯底從剛性基板剝離。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的方法易于實現(xiàn)，并能夠有效避免超薄襯底以及形成在超薄襯底上的顯不器件的損壞，能夠提尚廣品的良率。
[0042]在具體實施時，上述的步驟SI中，超薄襯底可以為厚度為0.05-0.2mm的超薄玻璃，剛性基板可以為厚度大于等于0.5mm的厚玻璃。由于剛性基板的厚度較大，能夠避免在顯示器件制作的過程中，粘附在其上的超薄玻璃發(fā)生形變，提高相應(yīng)顯示產(chǎn)品的良率。
[0043]當(dāng)然，在實際應(yīng)用中，上述的超薄襯底和剛性基板也可以選擇其他材質(zhì)制作，具體將選用何種材料的超薄襯底和剛性基板，本發(fā)明不作限定。
[0044]以下均以超薄襯底為超薄玻璃，剛性基板為厚玻璃進(jìn)行說明。
[0045]在具體實施時，在上述的步驟S2中，所形成的閉合導(dǎo)體線圈可以為多個，如圖2所示，在超薄玻璃10上形成有多個閉合導(dǎo)體線圈30，多個閉合導(dǎo)體線圈30的形狀為四邊形，呈“回”字形排列。通過在超薄玻璃10上形成多個閉合導(dǎo)體線圈，有利于該超薄玻璃獲得受力，實現(xiàn)剝離。
[0046]當(dāng)然在實際應(yīng)用中，上述的閉合導(dǎo)體線圈也可以為其他形狀，對應(yīng)的技術(shù)方案也能夠解決本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，相應(yīng)的，也應(yīng)該落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0047]在實際應(yīng)用中，相同交變電流的情況下，若閉合導(dǎo)體線圈的數(shù)量越多或者面積越大，超薄玻璃10所受得到安培力則越大，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以結(jié)合實際工藝進(jìn)行設(shè)定導(dǎo)體線圈的具體數(shù)量，本發(fā)明不作限定。
[0048]可選地，本發(fā)明實施例中將多個閉合導(dǎo)體線圈40形成在同一個平面內(nèi)，這樣在進(jìn)行刻蝕時，能夠簡化工藝，提高效率。
[0049]當(dāng)然，在實際應(yīng)用中，也可以將多個閉合導(dǎo)體線圈設(shè)置在不同平面中。但是在刻蝕時，給生產(chǎn)工藝帶來困難。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體的生產(chǎn)工藝進(jìn)行選擇，本發(fā)明不作限定。
[0050]另外，上述步驟SI中將超薄襯底貼附在剛性基板上，并不是步驟S2中在超薄襯底上刻蝕閉合導(dǎo)體線圈的前提條件，即也可以先在超薄襯底上形成閉合導(dǎo)體線圈，再將將超薄襯底貼附在剛性基板上。因此，步驟SI與步驟S2可以實現(xiàn)互換，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體的工藝進(jìn)行選擇。
[0051]在具體實施時，在上述的步驟S3中，在形成有閉合導(dǎo)體線圈的超薄襯底上制作顯示器件。制作顯示器件可以采用現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行完成，本發(fā)明不再詳述。
[0052]在具體實施時，上述的步驟SI中所提供的厚玻璃的結(jié)構(gòu)可以參考圖2，該厚玻璃20上形成有多個導(dǎo)體線圈40 ;此時，上述的步驟S4可以包括:
[0053]在剛性基板上的導(dǎo)體線圈上施加交變電流，使剛性基板上的導(dǎo)體線圈產(chǎn)生變化磁場。
[0054]通過在剛性基板上刻蝕多個導(dǎo)體線圈，使其形成的變化