顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明關(guān)于一種顯示面板及具備該顯示面板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著科技的進步，平面顯示裝置已經(jīng)廣泛地被運用在各種領(lǐng)域，尤其是液晶顯示 裝置，因具有體型輕薄、低功率消耗及無福射等優(yōu)越特性，已經(jīng)漸漸地取代傳統(tǒng)陰極射線管 顯示裝置，而應用至許多種類的電子產(chǎn)品中，例如移動電話、可攜式多媒體裝置、筆記本電 腦、液晶電視及液晶屏巷等等。
[0003] 現(xiàn)有一種液晶顯示裝置包含一薄膜晶體管基板，薄膜晶體管基板具有一薄膜晶體 管及一像素電極設(shè)置于一基板上。于工藝中，需于薄膜晶體管的漏極的上方W刻蝕方式設(shè) 置一通孔，并將一透明導電層經(jīng)由該通孔內(nèi)壁，W將薄膜晶體管的漏極與像素電極電連接。 另外，薄膜晶體管的柵極與一掃描線電連接，而薄膜晶體管的源極與一數(shù)據(jù)線電連接。當掃 描線將一掃描信號輸入薄膜晶體管的柵極時，可通過控制薄膜晶體管而將數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電 壓經(jīng)由源極、漏極及透明導電層而輸入像素電極，借此可控制液晶的轉(zhuǎn)向而顯示影像。
[0004] 另外，現(xiàn)有的多晶娃薄膜晶體管具有約lOOcmVVs左右的遷移率，但其必須于 45(TCW上的溫度下進行制造，因而僅能形成于高耐熱性的基板上，而不適合應用于大面積 或可挽性的基板。此外，現(xiàn)有的非晶娃薄膜晶體管雖然能W較低的溫度，約30(TC，進行制 造，但由于此種非晶娃薄膜晶體管僅具有約IcmVVs左右的遷移率，因而無法適用于高精 細度的面板。對此，有業(yè)者提出W金屬氧化物半導體，例如是氧化鋼嫁鋒（indiumgallium zincoxide,IGZO)，作為薄膜晶體管的通道層。
[0005] 雖然，氧化鋼嫁鋒薄膜晶體管具有優(yōu)于非晶娃薄膜晶體管的遷移率的優(yōu)點，且其 在工藝上也較多晶娃薄膜晶體管的工藝簡單，但是氧化鋼嫁鋒對于光、水及氧氣皆十分的 敏感。
[0006] 為了保護薄膜晶體管的通道層，現(xiàn)有技術(shù)是于金屬氧化物半導體的通道層上設(shè)置 一層保護層對才料例如為二氧化娃)來保護通道層。如圖1A所示，其為于金屬氧化物半導體 通道層上設(shè)置一層保護層后，薄膜晶體管的電特性曲線示意圖。雖然已設(shè)置一層保護層來 保護通道層，然而，在經(jīng)過一段時間之后（或經(jīng)一熱處理之后)，如圖1B所示，薄膜晶體管的 特性曲線仍會偏離原來圖1A的曲線，使得薄膜晶體管的效能降低，進而影響顯示面板及顯 示裝置的顯示品質(zhì)。
[0007] 因此，如何提供一種顯示面板及顯示裝置，可具有穩(wěn)定的薄膜晶體管效能而使顯 示面板及顯示裝置具有穩(wěn)定的顯示品質(zhì)，并已成為重要課題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的為提供一種可具有穩(wěn)定的薄膜晶體管效能而使顯 示面板及顯示裝置具有穩(wěn)定的顯示品質(zhì)的顯示面板及顯示裝置。
[0009] 本發(fā)明的技術(shù)方案是：提供一種顯示面板，其包括一薄膜晶體管基板、一對向基板 w及一顯示層。薄膜晶體管基板具有一基板、一薄膜晶體管、一第一絕緣層、一平坦化層、一 第二絕緣層及一像素電極層。薄膜晶體管設(shè)置于基板上，并具有一漏極。第一絕緣層具有一 第一子層及一第二子層依序設(shè)置于該漏極上，該第一子層具有一第一寬度的一第一開口， 該第二子層于該第一開口上具有一第二寬度的一第二開口，第一開口與第二開口形成一第 一通孔，且第二寬度大于第一寬度。平坦化層設(shè)置于第一絕緣層上。第二絕緣層設(shè)置于平 坦化層上。像素電極層設(shè)置于第二絕緣層上，并填入第一通孔而連接漏極。對向基板與薄 膜晶體管基板相對設(shè)置。顯示層設(shè)置于薄膜晶體管基板與對向基板之間。
[0010] 本發(fā)明還提供一種顯示裝置，其包括一薄膜晶體管基板、一對向基板、一顯示層W 及一背光模塊。薄膜晶體管基板具有一基板、一薄膜晶體管、一第一絕緣層、一平坦化層、一 第二絕緣層及一像素電極層，薄膜晶體管設(shè)置于基板上，并具有一漏極，第一絕緣層具有一 第一子層及一第二子層依序設(shè)置于漏極上，第一子層具有一第一寬度的一第一開口，第二 子層于第一開口上具有一第二寬度的一第二開口，第一開口與第二開口形成一第一通孔， 且第二寬度大于第一寬度，平坦化層設(shè)置于第一絕緣層上，第二絕緣層設(shè)置于平坦化層上， 像素電極層設(shè)置于第二絕緣層上，并填入第一通孔而連接漏極。對向基板與薄膜晶體管基 板相對設(shè)置。顯示層設(shè)置于薄膜晶體管基板與對向基板之間。背光模塊設(shè)置于薄膜晶體管 基板相對于對向基板的另一側(cè)。
[0011] 承上所述，因依據(jù)本發(fā)明的顯示面板及顯示裝置中，薄膜晶體管基板的第一絕緣 層具有一第一子層及一第二子層，且第一子層與第二子層依序設(shè)置于薄膜晶體管的漏極 上。其中，第一子層具有第一寬度的第一開口，第二子層于第一開口上具有第二寬度的第二 開口，而第一開口與第二開口可形成第一通孔，且第二寬度可大于第一寬度。另外，薄膜晶 體管基板的像素電極層設(shè)置于第二絕緣層上，并填入第一通孔而連接漏極。借此，與現(xiàn)有技 術(shù)相比較，通過第一子層及第二子層依序設(shè)置于薄膜晶體管的漏極上，使得一段時間之后 的薄膜晶體管的效能仍然可維持穩(wěn)定，進而不會影響到顯示面板及顯示裝置的顯示品質(zhì)。
[0012] 另外，在本發(fā)明一實施例中，由于第一開口與第二開口所形成的第一通孔與平坦 化層的第二通孔在薄膜晶體管基板的基板上的投影是相互重疊，且重疊處的面積可介于4 至49平方微米之間。借此，在現(xiàn)有技術(shù)中，于較大通孔內(nèi)刻蝕另一通孔的技術(shù)而言，第一通 孔與第二通孔的重疊處的面積可較現(xiàn)有技術(shù)的通孔面積小，而且不會有于大通孔內(nèi)對位另 一通孔的對位問題。另外，也由于重疊處的面積較現(xiàn)有技術(shù)的通孔面積小，故于掃描線上設(shè) 置黑色矩陣層時，其相對的覆蓋寬度也可W較現(xiàn)有小，故也可提高顯示面板及顯示裝置的 像素開口率。
【附圖說明】
[0013] 圖1A為現(xiàn)有的一種薄膜晶體管基板中，于薄膜晶體管的通道層上設(shè)置一層保護 層時，薄膜晶體管的電特性曲線示意圖。
[0014] 圖1B為圖1A的薄膜晶體管基板中，一段時間后的薄膜晶體管的電特性曲線示意 圖。
[0015] 圖2A為本發(fā)明的一種薄膜晶體管基板的俯視示意圖。
[0016] 圖2B為圖2A的區(qū)域C的放大示意圖。
[0017] 圖2C為圖2B的剖面線B-B剖視示意圖。
[001引 圖2D為圖2C的局部放大示意圖。
[0019] 圖2E為另一實施例的薄膜晶體管基板的剖視示意圖。
[0020] 圖3A至圖3D繪示圖2C的通孔的制造方法示意圖。
[0021] 圖4為數(shù)據(jù)線及掃描線與重疊處的相對示意圖。
[0022] 圖5A為本發(fā)明較佳實施例的薄膜晶體管基板中，于薄膜晶體管的通道層上設(shè)置 第一子層及第二子層時，薄膜晶體管的電特性曲線示意圖。
[0023] 圖5B為圖5A的薄膜晶體管基板中，一段時間后的薄膜晶體管的電特性曲線示意 圖。
[0024] 圖6為本發(fā)明較佳實施例的一種顯示面板的剖視示意圖。
[0025] 圖7為本發(fā)明較佳實施例的一種顯示裝置的剖視示意圖。
[0026] 主要元件標號說明
[0027]l、la;薄膜晶體管基板 11;柵極介電層
[0028] 12;通道層 13;第一絕緣層
[0029] 131;第一子層 132;第二子層
[0030] 14;平坦化層 15;第二絕緣層
[003。 16;像素電極層 18;共同電極層
[0032] 2;顯示面板 3;顯示裝置
[003引 A;配向膜 B