平行磁控等離子體光子晶體太赫茲波調(diào)制器及調(diào)制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是一種磁控太赫茲波調(diào)制器(二維三角晶格結(jié)構(gòu)光子晶體)，尤其是一種左旋、右旋圓偏振陷模迀移型、等離子體光子晶體太赫茲波調(diào)制器，涉及太赫茲波通信與光信息處理的技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]光子晶體作為一種新型的光學(xué)功能材料，已受到了廣泛的關(guān)注。人們正試圖利用光子晶體的特殊性質(zhì)，開發(fā)出更多的光學(xué)元器件，其中光子晶體調(diào)制器就是研宄的熱點(diǎn)之一。而太赫茲波(100GHz — 1THz)是頻譜上的最后一段空白，將其應(yīng)用于未來的無線通信領(lǐng)域，以解決高速率、超寬帶無線接入問題是必然的趨勢。將光子晶體調(diào)制器的調(diào)制波段迀移到THz波段，就很好地滿足了現(xiàn)代無線移動(dòng)通信的寬頻帶要求。
[0003]根據(jù)調(diào)制機(jī)理的不同，光子晶體太赫茲波調(diào)制器主要分為以下兩類:光子帶隙型和缺陷模型。其中光子帶隙型太赫茲波調(diào)制器是利用光子帶隙的改變來實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲波的斷、通調(diào)制；而缺陷模型太赫茲波調(diào)制器是利用光子晶體的缺陷模迀移(或消失)來實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲波的斷、通調(diào)制。并且缺陷模型太赫茲波調(diào)制器比光子帶隙型太赫茲波調(diào)制器的調(diào)制性能更好。
[0004]平行磁控等離子體光子晶體太赫茲波調(diào)制器具有以下優(yōu)勢:調(diào)制器性能好，實(shí)現(xiàn)了缺陷模迀移型太赫茲波調(diào)制器，調(diào)制器的插入損耗低；消光比可以達(dá)到很高。調(diào)制器的穩(wěn)定性和可靠性強(qiáng)，并且調(diào)制器體積很小，易于光電集成。
[0005]缺陷模迀移型的光子晶體太赫茲波調(diào)制器是通過在光子晶體的點(diǎn)缺陷處引入磁控材料銻化銦實(shí)現(xiàn)的。外加磁場于點(diǎn)缺陷處在X—Z平面內(nèi)沿X夾角60度方向入射，磁性材料銻化銦在磁場下形成磁化等離子體，太赫茲波在點(diǎn)缺陷中分裂形成左旋、右旋圓偏振光，隨著控制外加磁場的有無，二者的等效折射率將發(fā)生變化，光子晶體中點(diǎn)腔內(nèi)的左旋、右旋圓偏振光的諧振頻率將發(fā)生迀移，從而控制所傳播赫茲波的通、斷，實(shí)現(xiàn)把信號(hào)加載到太赫茲波上。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]技術(shù)問題:本發(fā)明目的是提供一種平行磁控等離子體光子晶體太赫茲波調(diào)制器及調(diào)制方法，其采用磁控的方法，可實(shí)現(xiàn)左旋、右旋圓偏振缺陷模迀移型太赫茲波調(diào)制器，具有很好的調(diào)制性能，且為缺陷模變化型，從而大大減小了調(diào)制器的插入損耗，消光比也得到了很大的改善。
[0007]技術(shù)方案:為了適應(yīng)高速、超寬帶太赫茲波通信系統(tǒng)的發(fā)展，使太赫茲波調(diào)制器能同時(shí)實(shí)現(xiàn)缺陷模迀移型調(diào)制，具有低插損和高消光比的性能，提出了一種新型的平行磁控等離子體光子晶體太赫茲波調(diào)制器，使其工作在太赫茲波段，更具實(shí)際的應(yīng)用價(jià)值。傳統(tǒng)的光子晶體太赫茲波調(diào)制器均是基于光控或者電控的方式，運(yùn)用帶隙迀移原理來實(shí)現(xiàn)太赫茲波的調(diào)制，其插入損耗大，消光比很小，性能參數(shù)不理想，限制了其在高速太赫茲波通信系統(tǒng)中的應(yīng)用。我們采用基于二維三角晶格的點(diǎn)、線缺陷組合結(jié)構(gòu)，并在中心點(diǎn)缺陷處填充磁控銻化銦材料，得以實(shí)現(xiàn)左旋、右旋圓偏振缺陷模迀移型、基于二維三角晶格光子晶體的磁控太赫茲波調(diào)制器，消光比分別高達(dá)29.13dB和21.42dB，插入損耗低達(dá)0.08dB和0.27dB，調(diào)制性能良好。
[0008]本發(fā)明的平行磁控等離子體光子晶體太赫茲波調(diào)制器包括二維三角晶格結(jié)構(gòu)硅光子晶體、波導(dǎo)區(qū)、點(diǎn)缺陷諧振腔；其中，二維三角晶格結(jié)構(gòu)光子晶體是沿X— Z平面周期性分布的介質(zhì)柱型娃光子晶體；在二維三角晶格結(jié)構(gòu)娃光子晶體的兩端引入對(duì)稱的線缺陷構(gòu)成波導(dǎo)區(qū)，然后在二維三角晶格結(jié)構(gòu)硅光子晶體的中心處采用磁控可調(diào)諧材料銻化銦構(gòu)造圓形介質(zhì)柱，形成點(diǎn)缺陷諧振腔，太赫茲波沿X夾角60度方向從波導(dǎo)區(qū)的左端輸入，波導(dǎo)區(qū)的右端輸出；外加磁場在X—Z平面內(nèi)沿X夾角60度方向施加到圓形點(diǎn)缺陷諧振腔上，其方向與太赫茲波傳輸方向平行。
[0009]所述外加磁場由通電螺線管提供。
[0010]本發(fā)明的的平行磁控等離子體光子晶體太赫茲波調(diào)制器的調(diào)制方法為:在外加磁場下，太赫茲波在填充磁控可調(diào)諧材料銻化銦的點(diǎn)缺陷中分裂成左旋以及右旋圓偏振光，通過控制外加磁場的磁場強(qiáng)度，引起左旋、右旋圓偏振光的等效折射率的改變，使得在光子晶體中心點(diǎn)缺陷處諧振的缺陷模發(fā)生動(dòng)態(tài)迀移，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲波的通、斷調(diào)制，實(shí)現(xiàn)了把信號(hào)加載到太赫茲波上。
[0011]有益效果:本發(fā)明提出的一種平行磁控等離子體光子晶體太赫茲波調(diào)制器，尤其是一種可實(shí)現(xiàn)左旋、右旋圓偏振缺陷模迀移型光子晶體太赫茲波調(diào)制器。此調(diào)制器在二維三角晶格、介質(zhì)柱型硅光子晶體中，將線缺陷波導(dǎo)區(qū)和圓形點(diǎn)缺陷可調(diào)諧振腔相結(jié)合，其中波導(dǎo)區(qū)提供了太赫茲波在光子晶體中的有效傳輸路徑，填充磁控可調(diào)諧材料銻化銦構(gòu)造的點(diǎn)缺陷諧振腔起著快速高效地諧振和選頻作用。更重要的是，只需引入單個(gè)點(diǎn)缺陷，就可同時(shí)實(shí)現(xiàn)左旋、右旋圓偏振缺缺陷模迀移型調(diào)制，大大改善了調(diào)制性能，性能參數(shù)優(yōu)，滿足了未來高速率、超寬帶太赫茲波通信系統(tǒng)的需求。
【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明光子晶體太赫茲波調(diào)制器的結(jié)構(gòu)圖，圖中有:二維三角晶格光子晶體1、波導(dǎo)區(qū)2、點(diǎn)缺陷諧振腔3。
[0013]圖2a為無外加磁場情況下，缺陷模迀移型調(diào)制器中缺陷模的頻譜圖，
[0014]圖2b為有外加磁場情況下，缺陷模迀移型調(diào)制器中左旋、右旋圓偏振缺陷模的頻譜圖。
[0015]圖3a為缺陷模迀移型調(diào)制器左旋圓偏振光“通”狀態(tài)的示意圖，
[0016]圖3b為缺陷模消失型調(diào)制器左旋圓偏振光“斷”狀態(tài)的示意圖，
[0017]圖4a為缺陷模迀移型調(diào)制器右旋圓偏振光“通”狀態(tài)的示意圖，
[0018]圖4b為缺陷模迀移型調(diào)制器右旋圓偏振光“斷”狀態(tài)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]該平行磁控等離子體光子晶體太赫茲波調(diào)制器包括二維三角晶格結(jié)構(gòu)硅光子晶體1、波導(dǎo)區(qū)2、點(diǎn)缺陷諧振腔3 ;其中，二維三角晶格結(jié)構(gòu)硅光子晶體I是沿X— Z平面周期性分布的介質(zhì)柱型硅光子晶體。在其兩端引入對(duì)稱的線缺陷構(gòu)成波導(dǎo)區(qū)2，在二維三角晶格結(jié)構(gòu)硅光子晶體I的中心采用磁控可調(diào)諧材料銻化銦構(gòu)造圓形介質(zhì)柱，形成點(diǎn)缺陷諧振腔3，太赫茲波沿X夾角60度方向從波導(dǎo)區(qū)2的左端輸入，波導(dǎo)區(qū)2的右端輸出；外加磁場在X-Z平面內(nèi)沿X夾角60度方向入射到圓形點(diǎn)缺陷諧振腔3上。
[0020]波導(dǎo)區(qū)2是由移去了二維三角晶格結(jié)構(gòu)硅光子晶體中對(duì)稱分布的兩排圓形硅介質(zhì)柱構(gòu)成的線缺陷組成，兩線缺陷不相通，與諧振腔沿直線排列。
[0021]太赫茲波載頻分別為1.95THz和2.22THz (對(duì)應(yīng)波長為153.88 μ m和134.9 μ m)，外加磁場由通電螺線管提供。
[0022]本發(fā)明提供的平行磁控等離子體