液晶面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體的說(shuō)，涉及一種液晶面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)成為最為常見的顯示裝置。
[0003]目前，人們對(duì)圖像的清晰度的要求越來(lái)越高，因此越來(lái)越高的分辨率成為人們對(duì)液晶顯示器追求的技術(shù)目標(biāo)，例如4K X 2K、8K X 4K、16K X 8K等規(guī)格。然而隨著分辨率的增高，液晶面板的RC延遲（RC Loading)也在急劇增大，并且薄膜晶體管的充電時(shí)間急劇降低。
[0004]在刷新率相同的情況下，假設(shè)分辨率為2KX1K的液晶顯示器中薄膜晶體管的充電時(shí)間為t，則分辨率為4KX2K的液晶顯示器中薄膜晶體管的充電時(shí)間為t/2，分辨率為8KX4K時(shí)的充電時(shí)間為t/4，分辨率為16KX8K時(shí)的充電時(shí)間為t/8。分辨率越高，薄膜晶體管的充電時(shí)間就越短，因此在分辨率越高的液晶顯示器中，薄膜晶體管充電時(shí)間不足的問題就越嚴(yán)重。而薄膜晶體管的充電時(shí)間不足會(huì)嚴(yán)重的影響了液晶顯示器的顯示效果，以及液晶顯示器的穿透率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種液晶面板及顯示裝置，以解決現(xiàn)有的高分辨率的液晶顯示器存在薄膜晶體管的充電時(shí)間不足的技術(shù)問題。
[0006]本發(fā)明提供一種液晶面板，包括上基板和下基板；
[0007]所述上基板上設(shè)置有一部分像素單元的薄膜晶體管；
[0008]所述下基板上設(shè)置有另一部分像素單元的薄膜晶體管。
[0009]優(yōu)選的是，所述上基板上的薄膜晶體管與所述下基板上的薄膜晶體管的數(shù)量相等。
[0010]在第一種實(shí)施方式中，全部像素單元的彩膜層都設(shè)置在上基板上。
[0011]在第二種實(shí)施方式中，全部像素單元的彩膜層都設(shè)置在下基板上。
[0012]在第三種實(shí)施方式中，一部分像素單元的彩膜層設(shè)置在上基板上，另一部分像素單元的彩膜層設(shè)置在下基板上。
[0013]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的液晶面板。
[0014]優(yōu)選的是，所述顯示裝置的分辨率至少為3840X2160。
[0015]進(jìn)一步的是，所述顯示裝置的刷新率在60Hz以上。
[0016]優(yōu)選的是，在顯示圖像時(shí)，所述上基板上的薄膜晶體管和所述下基板上的薄膜晶體管同時(shí)掃描。
[0017]本發(fā)明帶來(lái)了以下有益效果：本發(fā)明提供的液晶面板中，上基板和下基板上各自設(shè)置有一部分像素單元的薄膜晶體管。在顯示圖像時(shí)，上基板上的薄膜晶體管和下基板上的薄膜晶體管可以進(jìn)行同時(shí)掃描，因此能夠?qū)崿F(xiàn)同時(shí)掃描兩行薄膜晶體管。在刷新率保持不變的情況下，能夠使每個(gè)薄膜晶體管的充電時(shí)間增加一倍，從而解決了現(xiàn)有的高分辨率的液晶顯示器存在薄膜晶體管的充電時(shí)間不足的技術(shù)問題，改善了液晶顯示器的顯示效果，并且提高了液晶顯示器的穿透率。
[0018]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書中闡述，并且，部分的從說(shuō)明書中變得顯而易見，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。
【附圖說(shuō)明】
[0019]為了更清楚的說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡(jiǎn)單的介紹:
[0020]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶面板的第一種實(shí)施方式的示意圖；
[0021]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶面板的第二種實(shí)施方式的示意圖；
[0022]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶面板的第三種實(shí)施方式的示意圖；
[0023]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置的掃描信號(hào)的波形圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說(shuō)明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0025]本發(fā)明實(shí)施例提供一種高分辨率的顯示裝置，其分辨率至少為3840 X 2160 (4K X 2K)。該顯示裝置的分辨率也可以是更高的7680 X 4320 (8K X 4K)，或者15360X8640 (16KX8K)。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例提供顯示裝置中包括液晶面板，以及驅(qū)動(dòng)芯片等部件。其中，液晶面板包括上基板和下基板，并且在上基板與下基板之間填充有液晶層。
[0027]如圖1、圖2和圖3所示，在液晶面板的上基板1上設(shè)置有一部分像素單元的薄膜晶體管3，以及相應(yīng)的多條掃描線4和多條數(shù)據(jù)線5。在液晶面板的下基板2上設(shè)置有另一部分像素單元的薄膜晶體管3，以及相應(yīng)的多條掃描線4和多條數(shù)據(jù)線5。
[0028]如圖1所示，在本實(shí)施例的第一種實(shí)施方式中，全部像素單元的彩膜層6都設(shè)置在上基板1上。
[0029]如圖2所示，在本實(shí)施例的第二種實(shí)施方式中，全部像素單元的彩膜層6都設(shè)置在下基板2上。
[0030]如圖3所示，在本實(shí)施例的第三種實(shí)施方式中，一部分像素單元的彩膜層6設(shè)置在上基板1上，另一部分像素單元的彩膜層6設(shè)置在下基板2上。
[0031]以上三種實(shí)施方式中，上基板與下基板對(duì)盒后，每個(gè)像素單元的薄膜晶體管3和彩膜層5均可準(zhǔn)確對(duì)位。
[0032]應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，在其他實(shí)施方式中，兩部分像素單元的薄膜晶體管，不一定分別設(shè)置在上基板的上半部分和下基板的下半部分。也可以以左右方向進(jìn)行分割，或者以相互穿插的方式設(shè)置。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置在顯示圖像時(shí)，上基板1上的薄膜晶體管3和下基板2上的薄膜晶體管3同時(shí)掃描。
[0034]作為一個(gè)優(yōu)選方案，上基板1上的薄膜晶體管3與下基板2上的薄膜晶體管3的數(shù)量相等。這樣可以采用相同的刷新率、相同的掃描周期，對(duì)上基板1和下基板2上的薄膜晶體管3進(jìn)行掃描，并且能夠達(dá)到精確的同步效果。
[0035]上基板1上設(shè)置有η條掃描線4，下基板2上設(shè)置有m條掃描線4 (本實(shí)施例中η=m)。如圖4所示，上基板的各條掃描線Gl-Gn，與下基板的各條掃描線Gl_Gm均同步掃描，從而實(shí)現(xiàn)同時(shí)掃描兩行薄膜晶體管。
[0036]本發(fā)明實(shí)施例中，液晶面板中的上基板1和下基板2上各自設(shè)置有一部分像素單元的薄膜晶體管3。在顯示圖像時(shí)，上基板1上的薄膜晶體管3和下基板2上的薄膜晶體管3可以進(jìn)行同時(shí)掃描，因此能夠?qū)崿F(xiàn)同時(shí)掃描兩行薄膜晶體管3。在刷新率保持不變的情況下，能夠使每個(gè)薄膜晶體管3的充電時(shí)間增加一倍，從而解決了現(xiàn)有的高分辨率的液晶顯示器存在薄膜晶體管的充電時(shí)間不足的技術(shù)問題，改善了液晶顯示器的顯示效果，并且提高了液晶顯示器的穿透率。
[0037]本實(shí)施例能夠使高分辨率的顯示裝置的刷新率在60Hz以上時(shí)，也具有充足的充電時(shí)間和較低的RC延遲，從而有效改善了高分辨率的液晶顯示器的顯示效果。
[0038]雖然本發(fā)明所公開的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種液晶面板，其特征在于，包括上基板和下基板； 所述上基板上設(shè)置有一部分像素單元的薄膜晶體管； 所述下基板上設(shè)置有另一部分像素單元的薄膜晶體管。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述上基板上的薄膜晶體管與所述下基板上的薄膜晶體管的數(shù)量相等。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，全部像素單元的彩膜層都設(shè)置在上基板上。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，全部像素單元的彩膜層都設(shè)置在下基板上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，一部分像素單元的彩膜層設(shè)置在上基板上，另一部分像素單元的彩膜層設(shè)置在下基板上。6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的液晶面板。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置的分辨率至少為3840X2160。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置的刷新率在60Hz以上。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，在顯示圖像時(shí)，所述上基板上的薄膜晶體管和所述下基板上的薄膜晶體管同時(shí)掃描。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種液晶面板及顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有的高分辨率的液晶顯示器存在薄膜晶體管的充電時(shí)間不足的技術(shù)問題。該液晶面板包括上基板和下基板；所述上基板上設(shè)置有一部分像素單元的薄膜晶體管；所述下基板上設(shè)置有另一部分像素單元的薄膜晶體管。本發(fā)明可用于高分辨率的液晶顯示裝置。
【IPC分類】G02F1/1368
【公開號(hào)】CN105242472
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510730746
【發(fā)明人】姜佳麗
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2016年1月13日
【申請(qǐng)日】2015年11月2日