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      顯示器件及其制造方法

      文檔序號:9488788閱讀:437來源:國知局
      顯示器件及其制造方法
      【專利說明】顯示器件及其制造方法
      [0001]本申請是申請日為2012年10月19日、申請?zhí)枮?01210402235.4、名稱為“顯示器件及其制造方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。
      技術領域
      [0002]本發(fā)明涉及一種顯示器件,更具體地,涉及一種具有集成觸摸屏的顯示器件。
      【背景技術】
      [0003]參照圖1-3描述現(xiàn)有技術的顯示器件。
      [0004]圖1是現(xiàn)有技術的顯示器件的一個像素區(qū)的截面圖。圖2和圖3是圖1的B部的變化的視圖。如圖1所示的現(xiàn)有技術的顯示器件包括基板100、作為開關元件的薄膜晶體管、第一保護層134、第二保護層140、像素電極151、連接線161、第三保護層170以及公共電極181。
      [0005]薄膜晶體管形成在單元像素區(qū)中,并且包括柵極電極110、柵極絕緣層120、有源層130、源極電極131、漏極電極132以及蝕刻阻擋層133。
      [0006]第一保護層134和第二保護層140形成在薄膜晶體管上,特別地,第二保護層140由光丙烯酸形成。
      [0007]像素電極151用作用于顯示驅動的電極并通過在第二保護層140中形成的接觸孔141連接至薄膜晶體管的漏極電極132。
      [0008]連接線161,例如由金屬形成的連接線161在第二保護層140上。例如,連接線161將顯示驅動信號或觸摸驅動信號施加至公共電極181。第三保護層170形成在連接線161、像素電極151以及第二保護層140上。
      [0009]公共電極181和像素電極151形成在不同的層。在具有集成觸摸屏的顯示器件的顯示驅動模式中,公共電極181與像素電極151 —起產生電場并且因此用作用于顯示驅動的電極。在具有集成觸摸屏的顯示器件的觸摸驅動模式中,公共電極181用作用于感測觸摸的觸摸電極。
      [0010]另一方面,如圖1的A部所示,當金屬連接線161沉積在光丙烯酸第二保護層140上時,由于金屬與光丙烯酸之間的粘性失效,在沉積之后的后續(xù)工序中會發(fā)生填充問題,因此,將有可能損壞連接線161。
      [0011]即使連接線161并未因為填充問題而被損壞,但當在粘性表面的邊界部發(fā)生填充問題時,蝕刻工序中的蝕刻溶液和剝離工序中的剝離溶液會污染粘性表面的邊界部。為此,需花費額外的費用和時間以去除污染。
      [0012]為了解決填充問題,可以在第二保護層140和連接線161之間形成緩沖鈍化層。然而,在此情況中,這種額外的工序花費費用和時間。
      [0013]另外,如圖2和3所示,在形成用于連接像素電極151與漏極電極132的接觸孔141時,當接觸孔141的階高很大或者在第一保護層134中發(fā)生諸如倒置錐形這樣的錯誤時,在連接至漏極電極132的連接部中會發(fā)生像素電極151的斷開,并且斷開部被蝕刻溶液和剝離溶液暴露,導致漏極電極132的損壞。
      [0014]以下描述現(xiàn)有技術的顯示器件的一些局限。
      [0015]首先,由于光丙烯酸第二保護層與金屬連接線之間的粘性失效,會發(fā)生填充問題,導致?lián)p壞連接線和/或污染粘性表面的邊界部。
      [0016]第二,如果在光丙烯酸與金屬之間形成用于解決填充問題的緩沖鈍化層,那么額外的工序花費費用和時間。
      [0017]第三,當用于連接像素電極與漏極電極的接觸孔的階高很大時或者當在第一保護層中發(fā)生倒置錐形時,像素電極會斷開,并且在斷開部的漏極電極受到蝕刻溶液和剝離溶液的損壞。

      【發(fā)明內容】

      [0018]本發(fā)明涉及提供一種顯示器件以及一種用于制造該顯示器件的方法,所述顯示器件基本上避免了由于現(xiàn)有技術的局限和缺點導致的一個或多個問題。
      [0019]本發(fā)明的一方面涉及提供一種顯示器件,所述顯示器件能夠解決填充問題并且防止各個像素電極的斷開和各個漏極電極的損壞。
      [0020]本發(fā)明的一些實施方式的另外的優(yōu)點和特征將部分地在隨后的描述中進行說明,而部分地通過本領域的普通技術人員研習下文后,變得顯而易見,或者可通過實踐本發(fā)明而知曉。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點可通過在說明書及其權利要求書和附圖中具體指出的結構來實現(xiàn)和達到。
      [0021]—方面,為了實現(xiàn)這些以及其它優(yōu)點并且依據本發(fā)明的一些實施方式的目的,如在此具體和概括地描述的,本發(fā)明的顯示器件可包括:包括柵極電極、源極電極以及漏極電極的薄膜晶體管;在所述薄膜晶體管上形成的第一保護層;在所述第一保護層上形成的第二保護層;在所述第二保護層上形成的像素電極,所述像素電極通過暴露出所述漏極電極的第一接觸孔而連接至所述漏極電極;在所述第二保護層上與所述源極電極對應的位置處形成的第一連接線,所述第一連接線以及所述像素電極由相同的材料形成;在所述第一連接線上形成的第二連接線;在所述第二連接線、所述像素電極以及所述第二保護層上形成的第三保護層;以及在所述第三保護層上形成的公共電極,所述公共電極通過暴露出所述第二連接線的第二接觸孔而連接至所述第二連接線。
      [0022]所述顯示器件可還包括設置在第一接觸孔區(qū)域中的像素電極上的金屬襯墊,所述金屬襯墊以及所述第二連接線由相同的材料形成。
      [0023]本發(fā)明的另一方面,一種形成本發(fā)明的顯示器件的方法可包括:形成包括柵極電極、源極電極以及漏極電極的薄膜晶體管;在所述薄膜晶體管上形成第一保護層和第二保護層;圖案化所述第一保護層和所述第二保護層以形成暴露所述漏極電極的第一接觸孔;在所述第一接觸孔和所述第二保護層上形成透明導電層;圖案化所述透明導電層以形成像素電極和第一連接線;在所述像素電極、所述第一連接線和所述第二保護層上形成金屬層;圖案化所述金屬層以在所述第一連接線上形成第二連接線;在所述第二連接線、所述像素電極和所述第二保護層上形成第三保護層;圖案化所述第三保護層以形成暴露所述第二連接線的第二接觸孔;在所述第二接觸孔和所述第三保護層上形成公共電極層;以及圖案化所述公共電極層以形成公共電極。
      [0024]在形成第二連接線時,可與所述第二連接線同時,在所述第一接觸孔區(qū)域中的像素電極上形成金屬襯墊。在一些實施方式中,所述金屬襯墊和所述第二連接線可由相同的材料形成。
      [0025]應理解的是,對于本發(fā)明的上文的概括描述和下文的詳細描述都僅是示例性的,旨在提供對要求保護的本發(fā)明的進一步的解釋。
      【附圖說明】
      [0026]附圖提供對本發(fā)明的進一步理解并且并入說明書而組成說明書的一部分,附圖圖示本發(fā)明的實施例,并且與說明書文字一起用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
      [0027]圖1是現(xiàn)有技術的顯示器件的一個像素區(qū)的截面圖;
      [0028]圖2和3示出現(xiàn)有技術的顯示器件的圖1的B部的變化的視圖;
      [0029]圖4是本發(fā)明的一些實施方式的顯示器件的截面圖;
      [0030]圖5是本發(fā)明的另外的實施方式的顯示器件的截面圖;以及
      [0031]圖6-15示出制造本發(fā)明的其它實施方式的顯示器件的方法的截面圖。
      【具體實施方式】
      [0032]現(xiàn)在將詳細參照優(yōu)選實施例,其實例示于附圖中。盡可能地,在所有附圖中使用相同的附圖標記來表示相同的或相似的部件。如果認為已知的技術會誤導本發(fā)明,則省略對該技術的詳細描述。
      [0033]以下,將參照附圖詳細描述本發(fā)明的實施方式。
      [0034]在對本發(fā)明的實施方式的描述中,當一個結構被描述為形成在另一個結構上或下時,此描述應理解為包括所述結構彼此接觸的情況以及在它們之間另設有第三結構的情況。
      [0035]以下,將參照圖4-5詳細描述本發(fā)明的各種實施方式的顯示器件。
      [0036]圖4是本發(fā)明的實施方式的顯示器件的截面圖。
      [0037]如圖4所示,本發(fā)明的一些實施方式的顯示器件包括基板200、薄膜晶體管、第一保護層234、第二保護層240、像素電極251、第一連接線252、第二連接線261、第三保護層270、公共電極281以及狹縫290。
      [0038]薄膜晶體管作為開關元件,形成在基板200上的像素區(qū)中。薄膜晶體管包括柵極電極210、柵極絕緣層220、有源層230、源極電極231以及漏極電極232。在一些實施方式中,基板200可由玻璃或透明塑料形成。
      [0039]根據圖4所示的實施方式的薄膜晶體管顯示出柵極電極210形成在有源層230下的底柵結構。然而,其它實施方式的薄膜晶體管可具有柵極電極210在有源層230上設置的頂柵結構。此外,可在有源層230上額外地形成在蝕刻工序中保護有源層230的蝕刻阻擋層233。
      [0040]第一保護層234可形成在薄膜晶體管上并且可保護薄膜晶體管。在一些實施方式中,第一保護層234可形成為鈍化層。第二保護層240可形成在第一保護層234上。在一些實施方式中,第二保護層240可由光丙烯酸形成。
      [0041]像素電極251可形成在第二保護層240上。此外,像素電極251可通過暴露出漏極電極232的第一接觸孔241而連接至漏極電極232。此處,像素電極251可用作用于顯示驅動的電極,并且可由諸如氧化銦錫(ITO)的透明導體形成。
      [0042]第一連接線252形成在第二保護層240上與源極電極231對應的位置處,與第一像素電極251分開。如圖4所示,第一連接線252可在完全或部分覆蓋源極電極231的位置形成。此處,第一連接線252可在與像素電極251同一層上由與像素電極251相同的材料形成。此外,第一連接線252可與像素電極251同時形成而無需額外的工藝步驟。
      [0043]換言之,當在第二保護層240和第二連接線261之間形成第一連接線252時,第一連接線252可以對第二保護層240具有良好的粘著強度。在一些實施方式中,第一連接線252可由ΙΤ0形成,和/或第二保護層240可由光丙烯酸形
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