膜層及其制備方法、基板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種膜層及其制備方法、基板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱(chēng)TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射、制造成本相對(duì)較低等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)TFT)陣列基板是TFT-LCD的重要部件之一。另外，薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)在諸如液晶顯示器(LiquidCrystal Display ,LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1de，0LED)顯不器、以及主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting D1de,AMOLED)顯示器之類(lèi)的平面顯示裝置中用作開(kāi)關(guān)元件。
[0003]隨著人們對(duì)顯示畫(huà)面品質(zhì)的要求越來(lái)越高，High PPI產(chǎn)品逐漸成為市場(chǎng)的主流產(chǎn)品，而PPI的提高增加了薄膜晶體管TFT的數(shù)量，相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)負(fù)載會(huì)增加，同時(shí)由于寄生電容的影響，開(kāi)口率也會(huì)相應(yīng)的減??；而有機(jī)膜樹(shù)脂材料具有低介電常數(shù)的優(yōu)點(diǎn)，在TFT-LCD工藝中加入有機(jī)膜層可以降低產(chǎn)品功耗，提升開(kāi)口率，也逐漸成為是目前面板生產(chǎn)的主流工藝。但是有機(jī)膜樹(shù)脂材料成膜厚度比正常膜層厚，使得有機(jī)膜的段差較大，由于段差的影響使得在薄膜晶體管的制作過(guò)程中引起了一些不良的發(fā)生，如DDS等不良；而解決相關(guān)的不良就需要從工藝和設(shè)計(jì)方面進(jìn)行優(yōu)化。
[0004]傳統(tǒng)的有機(jī)膜掩膜板3的設(shè)計(jì)，拐角I一般采用直角走線設(shè)計(jì)，并且在有機(jī)膜的邊緣2也采用正常的布線形式，具體結(jié)構(gòu)如圖1所示。采用傳統(tǒng)的掩膜板3制備的有機(jī)膜4的段差較大，形成的有機(jī)膜邊緣的坡度角α大于60°，在拐角I處也容易形成曝光死角，接收的光能量不足，而導(dǎo)致后續(xù)工藝進(jìn)行時(shí)光刻膠5(PR膠)殘留，如圖2所示；同時(shí)，采用傳統(tǒng)的掩膜板3制備的有機(jī)膜的邊緣走線處，由于有機(jī)膜4的段差較大，光罩工藝進(jìn)行時(shí)容易引起光的干涉及衍射現(xiàn)象而使光強(qiáng)減弱，另外，在邊緣處PR膠也略偏厚，這樣就導(dǎo)致了后續(xù)工藝(IstIT0&2ndIT0)進(jìn)行時(shí)有機(jī)膜4段差處PR膠5殘留，進(jìn)而到時(shí)再刻蝕工藝進(jìn)行時(shí)無(wú)法將PR膠殘留部分遮擋的金屬層6去除，殘留的金屬將會(huì)導(dǎo)通下層相鄰的信號(hào)線導(dǎo)致DDS等不良的發(fā)生，最終影響畫(huà)面品質(zhì)，如圖3所示。
[0005]由上述可知，導(dǎo)致PR膠殘留和不良發(fā)生的原因在于曝光后保留有機(jī)膜的坡度角偏大，使得后續(xù)工藝曝光不足，為了解決此問(wèn)題，可以單純從工藝方面改善，即增加曝光量來(lái)去除殘留的PR膠，但是這樣容易導(dǎo)致該工藝層的關(guān)鍵尺寸發(fā)生變化，后續(xù)不良的風(fēng)險(xiǎn)也會(huì)增加。故工藝上改善只能作為臨時(shí)方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何通過(guò)改善掩膜板的結(jié)構(gòu)，減小膜層邊緣的坡度角。
[0007]為此目的，本發(fā)明提出了一種膜層的制備方法，其特征在于，通過(guò)設(shè)有光過(guò)渡區(qū)的掩膜板對(duì)所述膜層進(jìn)行刻蝕，使所述膜層的邊緣坡度角為30°-50°。
[0008]其中較優(yōu)的，所述光過(guò)渡區(qū)設(shè)在所述掩膜板的邊緣；
[0009]所述光過(guò)渡區(qū)包括均勻排列的多個(gè)透光區(qū)域和多個(gè)遮光區(qū)域，所述透光區(qū)域和所述遮光區(qū)域間隔排列；
[0010]靠近所述掩膜板的邊緣一側(cè)的所述透光區(qū)域的面積大于遠(yuǎn)離所述掩膜板的邊緣一側(cè)的所述遮光區(qū)域的面積；
[0011]靠近所述掩膜板的邊緣一側(cè)的所述遮光區(qū)域的面積小于遠(yuǎn)離所述掩膜板的邊緣一側(cè)的所述透光區(qū)域的面積。
[0012]其中較優(yōu)的，所述透光區(qū)域?yàn)槭拐诠鈪^(qū)域形成三角形突起的三角形缺口。
[0013]其中較優(yōu)的，所述透光區(qū)域?yàn)樵O(shè)置在所述光過(guò)渡區(qū)的波浪形缺口。
[0014]其中較優(yōu)的，所述透光區(qū)域?yàn)樵O(shè)置在所述光過(guò)渡區(qū)的通孔。
[0015]其中較優(yōu)的，所述通孔為半圓形、圓形或矩形。
[0016]其中較優(yōu)的，所述透光區(qū)域?yàn)榕c所述掩膜板的邊緣平行的縫隙。
[0017]其中較優(yōu)的，其特征在于，所述透光區(qū)域之間的距離小于曝光機(jī)解析度。
[0018]其中較優(yōu)的，所述掩膜板的拐角為弧形。
[0019]其中較優(yōu)的，所述掩膜板的拐角處設(shè)有若干條平行排列的狹縫。
[0020]另一方面，本發(fā)明還提供了一種膜層，采用上述任意一種所述的制備方法制備而成，所述膜層的邊緣坡度角為30°-50°。
[0021 ]再一方面，本發(fā)明還提供了一種包括上述膜層的基板。
[0022 ]還有一方面，本發(fā)明還提供了一種包括上述基板的顯示裝置。
[0023]通過(guò)采用本發(fā)明所提供的膜層制備方法，減小了膜層邊緣的坡度角，有效防止了由于膜層段差過(guò)大，導(dǎo)致后續(xù)工藝進(jìn)行時(shí)PR膠殘留導(dǎo)致的DDS不良。通過(guò)調(diào)節(jié)透光區(qū)域的面積，可以調(diào)節(jié)形成的膜層的邊緣坡度角。另外，采用拐角為弧形以及拐角處設(shè)有狹縫的掩膜板，增大了拐角處的光強(qiáng)，消除了曝光死角，有效減小了拐角處的膜層的邊緣坡度角，防止了PR膠殘留導(dǎo)致的DDS不良，提高了顯示裝置的畫(huà)面品質(zhì)。
【附圖說(shuō)明】
[0024]通過(guò)參考附圖會(huì)更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明進(jìn)行任何限制，在附圖中:
[0025]圖1示出了傳統(tǒng)掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2示出了采用傳統(tǒng)掩膜板形成的有機(jī)膜層結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3示出了采用傳統(tǒng)掩膜板造成DDS不良的原理示意圖；
[0028]圖4示出了本發(fā)明第一種實(shí)施方案的掩膜板的邊緣結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖5示出了本發(fā)明第二種實(shí)施方案的掩膜板的邊緣結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖6示出了本發(fā)明第三種實(shí)施方案的掩膜板的邊緣結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031 ]圖7示出了本發(fā)明第四種實(shí)施方案的掩膜板的邊緣結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖8示出了本發(fā)明五種實(shí)施方案的掩膜板的拐角結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖9示出了采用本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方案的掩膜板形成的膜層結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0035]本發(fā)明提供了一種膜層的制備方法，通過(guò)設(shè)有光過(guò)渡區(qū)的掩膜板對(duì)膜層進(jìn)行刻蝕，使膜層的邊緣坡度角Θ為30°-50°。所述光過(guò)渡區(qū)9設(shè)在所述掩膜板3的邊緣2;所述光過(guò)渡區(qū)9包括均勻排列的多個(gè)透光區(qū)域7和多個(gè)遮光區(qū)域8，所述透光區(qū)域7和所述遮光區(qū)域8間隔排列；靠近所述掩膜板3的邊緣一側(cè)的所述透光區(qū)域7的面積大于遠(yuǎn)離所述掩膜板3的邊緣一側(cè)的所述遮光區(qū)域8的面積;靠近所述掩膜板3的邊緣一側(cè)的所述遮光區(qū)域8的面積小于遠(yuǎn)離所述掩膜板3的邊緣一側(cè)的所述透光區(qū)域7的面積。下面對(duì)本發(fā)明制造膜層所采用的掩膜板展開(kāi)詳細(xì)的說(shuō)明。
[0036]實(shí)施例1
[0037]本發(fā)明膜層的制備方法可以采用如圖4所示的邊緣2設(shè)有光過(guò)渡區(qū)9的掩膜板3。其中較優(yōu)的，所述透光區(qū)域7為使遮光區(qū)域8形成三角形突起的三角形缺口。三角形缺口的