薄膜晶體管陣列基板及液晶顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列基板及具有此薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示 面板。
【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示裝置已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，如家庭、公共場(chǎng)所、辦公場(chǎng)及個(gè)人電子 相關(guān)產(chǎn)品等。目前，液晶顯示裝置已經(jīng)從制作簡(jiǎn)單、成本低廉但視角較小的扭曲向列 (TwistedNematic, TN)型液晶顯不器，發(fā)展到多維電場(chǎng)（Advanced Super Dimension Switch，AD-SDS，簡(jiǎn)稱ADS)型液晶顯示裝置，以及基于ADS模式提出的高開(kāi)口率的HADS型 液晶顯示裝置，無(wú)論哪一種液晶顯示裝置，其液晶顯示面板的制作二藝都是單獨(dú)制造薄膜 晶體管陣列基板和彩色濾光片基板，然后再將薄膜晶體管陣列基板和彩色濾光片基板進(jìn)行 對(duì)位、成盒（Cell)。
[0003] 由于薄膜晶體管陣列基板及彩色濾光片基板是分別獨(dú)立制作再對(duì)位貼合在一起 的，在將薄膜晶體管陣列基板及彩色濾光片基板對(duì)位貼合時(shí)，彩色濾光片基板與薄膜晶體 管陣列基板之間容易出現(xiàn)對(duì)位偏差，而對(duì)位偏差又會(huì)導(dǎo)致漏光、透過(guò)率降低等不良，從而可 能導(dǎo)致液晶顯示面板的開(kāi)口率或顯示效果降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為解決薄膜晶體管陣列基板與彩色濾光片基板之間的對(duì)位偏差所導(dǎo)致的漏光、透 過(guò)率降低等技術(shù)問(wèn)題，有必要提供一種薄膜晶體管陣列基板。
[0005] 進(jìn)一步，提供一種具有前述薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示面板。
[0006] -種薄膜晶體管陣列基板，其包括第一基底、設(shè)置于該第一基底上的柵極、覆蓋該 柵極及該基板的柵極絕緣層、設(shè)置于該柵極絕緣層上且對(duì)應(yīng)于該柵極上方的有源層、位于 該有源層上的蝕刻阻擋層、位于該蝕刻阻擋層上的源極與漏極及覆蓋該薄膜晶體管的鈍化 層，該蝕刻阻擋層的材質(zhì)為彩色光阻。
[0007] -種液晶顯示面板，其包括薄膜晶體管陣列基板、與該薄膜晶體管陣列基板相對(duì) 設(shè)置的對(duì)向基板及夾于該薄膜晶體管陣列基板與該對(duì)向基板之間的液晶層，該薄膜晶體管 陣列基板包括第一基底、設(shè)置于該第一基底上的柵極、覆蓋該柵極及該基板的柵極絕緣層、 設(shè)置于該柵極絕緣層上且對(duì)應(yīng)于該柵極上方的有源層、位于該有源層上的蝕刻阻擋層、位 于該蝕刻阻擋層上的源極與漏極及覆蓋該薄膜晶體管的鈍化層，該蝕刻阻擋層的材質(zhì)為彩 色光阻。
[0008] -種薄膜晶體管陣列基板，其包括第一基底、設(shè)置于該第一基底上的多條掃描線 及多條數(shù)據(jù)線，多條該掃描線與多條該數(shù)據(jù)線絕緣相交限定出多個(gè)畫(huà)素區(qū)域，該畫(huà)素區(qū)域 包括薄膜晶體管、畫(huà)素電極及彩色光阻層，該薄膜晶體管分別與該掃描線、該數(shù)據(jù)線及該畫(huà) 素電極電連接，該彩色光阻層作為該薄膜晶體管的蝕刻阻擋層。
[0009] 相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所提供的薄膜晶體管陣列基板及具有此薄膜晶體管陣列 基板的液晶顯示面板，用彩色光阻層取代原有的蝕刻阻擋層，不僅可以省去一道掩膜預(yù)算 和制程時(shí)間，并且提高了彩膜基板與陣列基板對(duì)位的準(zhǔn)確率，提高透光率。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是本發(fā)明一較佳實(shí)施方式所提供的薄膜晶體管陣列基板的局部平面圖。
[0011] 圖2是圖1所示薄膜晶體管陣列基板沿II-II處所示的剖面示意圖。
[0012] 圖3是本發(fā)明一較佳實(shí)施方式所提供的液晶顯示面板的平面圖。
[0013] 圖4是圖3所示液晶顯示面板沿IV-IV處的剖面示意圖。
[0014] 圖5是本發(fā)明第三實(shí)施方式提供的顯示面板的剖面示意圖。
[0015] 圖6是本發(fā)明第四實(shí)施方式提供的顯示面板的剖面示意圖。
[0016] 圖7是本發(fā)明第五實(shí)施方式提供的顯示面板的剖面示意圖。
[0017] 主要元件符號(hào)說(shuō)明
如下【具體實(shí)施方式】將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。
【具體實(shí)施方式】
[0018] 請(qǐng)同時(shí)參閱圖1及圖2,圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式所提供的薄膜晶體管陣列 基板10的局部平面示意圖，圖2為圖1所示薄膜晶體管陣列基板10沿II-II處的剖面圖。 該薄膜晶體管陣列基板10包括第一基底11及設(shè)置于該第一基底11上的多條掃描線12及 與多條該掃描線12絕緣相交的多條數(shù)據(jù)線13。多條該掃描線12及多條該數(shù)據(jù)線13絕緣 相交從而限定出多個(gè)位于相交的最小區(qū)域中的畫(huà)素區(qū)域14。本實(shí)施方式中，多條該掃描線 12相互平行且均沿橫向延伸，多條該數(shù)據(jù)線13相互平行且與該多條掃描線12垂直，該畫(huà)素 區(qū)域14為矩形。本實(shí)施方式中，該第一基底11可以為透光（如玻璃、石英、或類(lèi)似物）或 不透光（如晶片、陶瓷、或類(lèi)似物）的剛性無(wú)機(jī)材質(zhì)，亦可為塑膠、橡膠、聚酯、或聚碳酸酯等 可撓性有機(jī)材質(zhì)。
[0019] 每一該畫(huà)素區(qū)域14包括薄膜晶體管141、畫(huà)素電極142及彩色光阻層143。該薄 膜晶體管141位于該掃描線12及數(shù)據(jù)線13交叉處，且分別與該掃描線12及該數(shù)據(jù)線13 電連接。該畫(huà)素電極142位于該畫(huà)素區(qū)域14中并與該薄膜晶體管141電性連接。該畫(huà)素 電極142用于配合公共電極產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)液晶顯示面板的液晶層的電場(chǎng)以實(shí)現(xiàn)顯示。
[0020] 該薄膜晶體管141包括柵極1411、覆蓋該柵極1411的柵極絕緣層1412、設(shè)置于該 柵極絕緣層1412上且位于該柵極1411正上方的有源層1413、覆蓋該有源層1413的彩色 光阻層143、位于該彩色光阻層143上并且與該有源層1413電性連接的源極1414和漏極 1415及覆蓋該薄膜晶體管141的鈍化層1416。該掃描線12與該柵極1411連接，該數(shù)據(jù)線 13與該源極1414連接。
[0021] 本實(shí)施方式中，該薄膜晶體管14在該有源層1413的上方還包括一蝕刻阻擋層 1431，該蝕刻阻擋層1431的材質(zhì)為彩色光阻。本實(shí)施方式中，該彩色光阻層143與該蝕刻 阻擋層1431位于同一層，該彩色光阻層143的一部分作為該蝕刻阻擋層1431，換句話說(shuō)，每 一該畫(huà)素區(qū)域14的部分該彩色光阻層143還作為該畫(huà)素區(qū)域14中的該薄膜晶體管141的 蝕刻阻擋層，且該彩色光阻層143在垂直于該薄膜晶體管陣列基板10的方向上的投影覆蓋 該薄膜晶體管141、該畫(huà)素電極142、該掃描線12及該數(shù)據(jù)線13。該彩色光阻層143包括紅 色光阻單元R、綠色光阻單元B及藍(lán)色光阻單元G，每一該畫(huà)素區(qū)域14具有一種顏色的彩色 光阻單元。具體地，位于同一行的三個(gè)連續(xù)的該畫(huà)素區(qū)域14的彩色光阻單元分別為紅色光 阻單元R、綠色光阻單元G及藍(lán)色光阻單元B，位于同一列的所有該畫(huà)素區(qū)域14的彩色光阻 單元可以為相同顏色的彩色光阻單元。進(jìn)一步地，位于同一行的相鄰的兩個(gè)該畫(huà)素區(qū)域14 的彩色光阻單元顏色不同，且相鄰的兩個(gè)該畫(huà)素區(qū)域14的彩色光阻單元可以直接相接，也 可以具有一定的間隔。另外，由于位于同一列的所有該畫(huà)素區(qū)域14的彩色光阻單元顏色相 同，因此可以在同一道制程步驟中形成。
[0022] 具體的，該柵極1411可以利用物理氣相沉積法（PVD)、濺鍍法、或類(lèi)似方法，再配 以光刻圖案化工藝搭配蝕刻法形成于該第一基底114上；鋪設(shè)該柵極絕緣層1412于該柵極 1411上，并覆蓋該柵極1411及該第一基底114。進(jìn)一步地，同樣利用物理氣相沉積法（PVD)、 濺鍍法、或類(lèi)似方法，再以光刻圖案化工藝搭配蝕刻法形成該有源層1413于該柵極絕緣層 1412上，并位于該柵極1411的正上方，該有源層1413為金屬氧化物材質(zhì)，如IGZ0、ΙΖ0或 ΙΑΖ0等。更進(jìn)一步地，設(shè)置該彩色光阻層143于該有源層1413上方，且覆蓋該有源層1413 及該柵極絕緣層1412,該源極1414及該漏極1415設(shè)置該彩色光阻層143上，該源極1414 及該漏極1415可使用相同的導(dǎo)電材料，如銅等金屬材料。本實(shí)施方式中，該掃描線12與該 柵極1411在同一道工序中制成，該數(shù)據(jù)線13、該源極與該漏極1415在同一道掩膜制程中制 成。
[0023] 進(jìn)一步的，該彩色光阻層143包括貫穿該彩色光阻層143的第一通孔a及第二通 孔b，該源極1414及該漏極1415分別通過(guò)該第一通孔a及該第二通孔b與該有源層1413 電性連接，該彩色光阻層143還包括依序間隔的紅色光阻單元R、綠色光阻單元G及藍(lán)色光 阻單元B。該鈍化層1416包括貫穿該鈍化層1416的一第三通孔c，該第三通孔c對(duì)應(yīng)設(shè)置 于該漏極1415上方的位置，該畫(huà)素電極142位于該鈍化層1416上并且通過(guò)該第三通孔c 與該漏極1415電性連接。本實(shí)施方式中，該畫(huà)素電極142可以選用相同材質(zhì)的透明導(dǎo)電材 料，如氧化銦錫（Indium tin oxide，ΙΤ0)等。本實(shí)施方式中，該第一通孔a及該第二通孔 b之間的彩色光阻層即為該蝕刻阻擋層1431，但并不局限于此，在其他實(shí)施方式中，可以將 整層的該彩色光阻層143作為該蝕刻阻擋層1431。
[0024] 與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板10,用彩色光阻層代替薄 膜晶體管中的蝕刻阻擋層，不僅可以省去一道掩膜預(yù)算，還可以節(jié)省制程時(shí)間，并且提高了 彩膜基板與陣列基板對(duì)位的準(zhǔn)確率，提高透光率。
[0025] 請(qǐng)同時(shí)參閱圖3及圖4,圖3為本發(fā)明第一實(shí)施方式所提供