一種直下式背光模組的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于直下式背光模組技術領域，尤其涉及一種直下式背光模組，從下到上，依次包括LED陣列、擴散片、增光膜、偏光片和LCD，LED陣列包括散熱基座、LED芯片、導線和LED燈珠，LED芯片設置于散熱基座上，LED芯片通過導線與LED燈珠連接；LED燈表面設置有反射膜，LED燈珠的周圍涂布有含有散射劑的導光膠。相對于現(xiàn)有技術，本發(fā)明通過設置散熱基座，可以增強LED燈的散熱性能，防止熱量集聚，從而提高背光源模組的使用壽命。而且本發(fā)明通過在LED燈表面設置反射膜，可以更好的利用光能，提高整體效率，而且反射膜的存在可以使得亮度、效率提高；本發(fā)明還在LED燈珠的周圍涂布含有散射劑的導光膠，可以提高亮度均勻性，保護LED芯片，提高可靠性。
【專利說明】
一種直下式背光模組
技術領域
[0001]本發(fā)明屬于直下式背光模組技術領域，尤其涉及一種直下式背光模組。
【背景技術】
[0002]目前，超薄背光源技術已經(jīng)廣泛應用于智能手機、數(shù)碼相機、PDA、GPS等電子通信產(chǎn)品的直下式背光模組結構中，直下式背光源模組工藝簡單，無需導光板，而且是將LED陣列和PCB設置于底端位置，當射出LED光線后，經(jīng)由反射膜和置于表面的增亮膜、擴散膜，均勻的射出光線。
[0003]但是，直下式背光模組也有其缺點:一是亮度的均勻性不夠好，二是在高亮度、大面積的產(chǎn)品設計時，處于腔體內(nèi)工作時的熱量無法得到釋放。
[0004]有鑒于此，確有必要提供一種直下式背光模組，其能夠提高亮度均勻性，而且散熱性好。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于:針對現(xiàn)有技術的不足，而提供一種直下式背光模組，其能夠提高亮度均勻性，而且散熱性好。
[0006]為了達到上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案:
[0007]—種直下式背光模組，從下到上，依次包括LED陣列、擴散片、增光膜、偏光片和IXD，所述LED陣列包括散熱基座、LED芯片、導線和LED燈珠，所述LED芯片設置于所述散熱基座上，所述LED芯片通過所述導線與所述LED燈珠連接;所述LED燈珠表面設置有反射膜，所述LED燈珠的周圍涂布有含有散射劑的導光膠。
[0008]作為本發(fā)明直下式背光模組的一種改進，所述散熱基座包括基座本體和設置于所述基座本體上的導電通孔、銀刷導線和散熱通孔，所述基座本體的上表面和下表面分別設置有上導電銀刷層和下導電銀刷層。散熱通孔的形狀為圓形，這不僅是因為圓形通孔有利于銀漿的注入，而且當周長一定的時候，圓形所占的面積最大，因此能注入更多的銀漿，提高基板的熱導性能。上導電銀刷層和下導電銀刷層不僅可以實現(xiàn)導電連接，而且可以大大提尚基座的散熱性能。
[0009]作為本發(fā)明直下式背光模組的一種改進，制作所述基座本體的材料包括如下組分:三氧化二鋁80%-90%;Be0 l%-5%；Si3N4 1%_5% ;高嶺土5%_15%。該基座本體不僅具有較高的電絕緣性，而且具有較高的穩(wěn)定性、高的導熱性和與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、平整度以及較高的抗彎強度等機械性能。而且陶瓷材料制成的基板還具有制備工藝簡單、較高的化學穩(wěn)定性和好的熱導率等優(yōu)點。BeO的熱導率高，三氧化二鋁、氮化硅也具有較高的熱導率。
[0010]作為本發(fā)明直下式背光模組的一種改進，制作所述基座本體的材料包括如下組分:三氧化二鋁83%-87%;BeO 2%-4%；Si3N4 2%_4% ;高嶺土8%_12%。
[0011]作為本發(fā)明直下式背光模組的一種改進，所述散熱通孔內(nèi)灌注有銀漿。
[0012]作為本發(fā)明直下式背光模組的一種改進，所述反射膜包括三層共擠形成的PET基材和設置于所述PET基材內(nèi)的導熱粒子，所述導熱粒子為導熱硅膠粒子。該反射膜具有良好的導熱性，有效解決了反射膜因受熱不均導致的彎曲，褶皺等形變現(xiàn)象，同時整合了擴散性能，降低了生產(chǎn)和使用成本。
[0013]作為本發(fā)明直下式背光模組的一種改進，所述導熱粒子的粒徑為100ηπι-2μπι。
[0014]作為本發(fā)明直下式背光模組的一種改進，所述含有散射劑的導光膠的組成為:甲基丙烯酸縮水甘油酯90%-99%、光引發(fā)劑0.1%-1%、抗氧化劑0.1%-1%、偶聯(lián)劑0.5%-5%，散射劑單分散聚硅氧烷微球0.5%-5%。該導光膠不僅具有良好的粘接性，而且具有較高的導熱性和透光性，加入散射劑又可以提高亮度的均勻性，并且該導光膠還可以保護LED晶片，提尚可靠性。
[0015]作為本發(fā)明直下式背光模組的一種改進，所述光引發(fā)劑為安息香甲醚、安息香乙醚、三聚氰胺、四乙基米氏酮、苯甲酮、1-羥基環(huán)己基苯基甲酮、丙烯酸酯苯甲酮、苯基二苯甲酮和羥基二苯甲酮中的至少一種;所述抗氧化劑為N-苯基-N’-異丙基-對苯二胺、N-(l，3-二甲基丁基)_Ν’-苯基對苯二胺和Ν，Ν’-苯基對苯二胺中的至少一種;所述偶聯(lián)劑為三甲氧基甲硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、3-三甲氧基硅烷丙烯酸丙酯中的至少一種。
[0016]作為本發(fā)明直下式背光模組的一種改進，所述導光膠的厚度為1μηι-15μηι。
[0017]相對于現(xiàn)有技術，本發(fā)明通過設置散熱基座，可以增強LED燈的散熱性能，防止熱量集聚，從而提高背光源模組的使用壽命。而且本發(fā)明通過在LED燈表面設置反射膜，可以更好的利用光能，提尚整體效率，而且反射I旲的存在可以使得殼度、效率提尚近20 % ；本發(fā)明還在LED燈珠的周圍涂布含有散射劑的導光膠，可以提高亮度均勻性，保護LED芯片，提高可靠性。
【附圖說明】
[0018]圖1是本發(fā)明的結構示意圖。
[0019]圖2是本發(fā)明中的散熱基座的結構示意圖。
[0020]圖3是本發(fā)明中的散熱基座的剖視結構示意圖。
【具體實施方式】
[0021]下面就根據(jù)附圖對本發(fā)明作進一步描述。
[0022]實施例1
[0023]如圖1至圖3所示，本發(fā)明提供的一種直下式背光模組，從下到上，依次包括LED陣列1、擴散片2、增光膜3、偏光片4和IXD 5，LED陣列I包括散熱基座11、LED芯片12、導線和LED燈珠13，LED芯片12設置于散熱基座11上，LED芯片12通過導線與LED燈珠13連接;LED燈珠13表面設置有反射膜，LED燈珠13的周圍涂布有含有散射劑的導光膠。
[0024]散熱基座11包括基座本體111和設置于基座本體111上的導電通孔112、銀刷導線和散熱通孔113，基座本體111的上表面和下表面分別設置有上導電銀刷層115和下導電銀刷層116。
[0025]其中，制作基座本體的材料包括如下組分:三氧化二鋁85% ;BeO 3%； Si3N4 3%；高嶺土9 %。
[0026]散熱通孔113內(nèi)灌注有銀漿。
[0027]反射膜包括三層共擠形成的PET基材和設置于PET基材內(nèi)的導熱粒子，導熱粒子為導熱娃膠粒子。導熱粒子的粒徑為100nm-2ym。
[0028]含有散射劑的導光膠的組成為:甲基丙烯酸縮水甘油酯93%、光引發(fā)劑0.5%、抗氧化劑0.5%,偶聯(lián)劑3 %，散射劑單分散聚硅氧烷微球3 %。
[0029]光引發(fā)劑為安息香甲醚;抗氧化劑為N-苯基-N’-異丙基-對苯二胺;偶聯(lián)劑為三甲氧基甲硅烷。
[0030]導光膠的厚度為7μπι。
[0031]實踐表明:反射膜的存在可以使得亮度、效率提高近20%;本發(fā)明還在LED燈珠的周圍涂布含有散射劑的導光膠，可以提高亮度均勻性，保護LED芯片，提高可靠性。
[0032]實施例2
[0033]與實施例1不同的是:
[0034]制作所述基座本體的材料包括如下組分:三氧化二鋁88% ;BeO 2%；Si3N4 2%;高嶺土8 %。
[0035]含有散射劑的導光膠的組成為:甲基丙烯酸縮水甘油酯95%、光引發(fā)劑0.7%、抗氧化劑0.3%,偶聯(lián)劑2 %，散射劑單分散聚硅氧烷微球2 %。
[0036]光引發(fā)劑為安息香乙醚，抗氧化劑為N-(l，3-二甲基丁基)-N’_苯基對苯二胺和N。
[0037]導光膠的厚度為3μπι。
[0038]其余同實施例1，這里不再贅述。
[0039]實施例3
[0040]與實施例1不同的是:
[0041 ] 制作所述基座本體的材料包括如下組分:三氧化二鋁87% ;BeO 4%； Si3N4 2.5%；高嶺土6.5% ο
[0042]含有散射劑的導光膠的組成為:甲基丙烯酸縮水甘油酯94%、光引發(fā)劑0.3%、抗氧化劑0.7%、偶聯(lián)劑3.5%，散射劑單分散聚硅氧烷微球1.5%。
[0043]光引發(fā)劑為三聚氰胺，抗氧化劑為N，N’_苯基對苯二胺，偶聯(lián)劑為3-三甲氧基硅烷丙烯酸丙酯。
[0044]導光膠的厚度為12μπι。
[0045]其余同實施例1，這里不再贅述。
[0046]實施例4
[0047]與實施例1不同的是:
[0048]制作所述基座本體的材料包括如下組分:三氧化二鋁82% ; BeO 1.5%; Si3N43.5% ;高嶺土 13%。
[0049]含有散射劑的導光膠的組成為:甲基丙烯酸縮水甘油酯91%、光引發(fā)劑0.4%、抗氧化劑0.6%、偶聯(lián)劑4%，散射劑單分散聚硅氧烷微球4%。
[0050]光引發(fā)劑為四乙基米氏酮，抗氧化劑為N-苯基-N’-異丙基-對苯二胺;偶聯(lián)劑為三甲氧基甲硅烷。
[0051 ]導光膠的厚度為ΙΟμ??。
[0052]其余同實施例1，這里不再贅述。
[0053]實施例5
[0054]與實施例1不同的是:
[0055]制作所述基座本體的材料包括如下組分:三氧化二鋁84% ;BeO 1.2% ；Si3N43.8%；尚嶺土11 %。
[0056]含有散射劑的導光膠的組成為:甲基丙烯酸縮水甘油酯92%、光引發(fā)劑0.3%、抗氧化劑0.8%、偶聯(lián)劑2.2%，散射劑單分散聚硅氧烷微球4.7%。
[0057]光引發(fā)劑為1-羥基環(huán)己基苯基甲酮;抗氧化劑為N-(l，3-二甲基丁基)-N’_苯基對苯二胺;偶聯(lián)劑為乙烯基三乙氧基硅烷和3-三甲氧基硅烷丙烯酸丙酯的混合物，二者的質(zhì)量比為1:1。
[0058]導光膠的厚度為6μπι。
[0059]其余同實施例1，這里不再贅述。
[0060]根據(jù)上述說明書的揭示和教導，本發(fā)明所屬領域的技術人員還可以對上述實施方式進行適當?shù)淖兏托薷摹Ｒ虼?，本發(fā)明并不局限于上面揭示和描述的【具體實施方式】，對本發(fā)明的一些修改和變更也應當落入本發(fā)明的權利要求的保護范圍內(nèi)。此外，盡管本說明書中使用了一些特定的術語，但這些術語只是為了方便說明，并不對本發(fā)明構成任何限制。
【主權項】
1.一種直下式背光模組，其特征在于:從下到上，依次包括LED陣列、擴散片、增光膜、偏光片和IXD，所述LED陣列包括散熱基座、LED芯片、導線和LED燈珠，所述LED芯片設置于所述散熱基座上，所述LED芯片通過所述導線與所述LED燈珠連接;所述LED燈珠表面設置有反射膜，所述LED燈珠的周圍涂布有含有散射劑的導光膠。2.根據(jù)權利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于:所述散熱基座包括基座本體和設置于所述基座本體上的導電通孔、銀刷導線和散熱通孔，所述基座本體的上表面和下表面分別設置有上導電銀刷層和下導電銀刷層。3.根據(jù)權利要求2所述的直下式背光模組，其特征在于:制作所述基座本體的材料包括如下組分:三氧化二鋁80%-90%;Be0 I %-5%； Si3N4 I;高嶺土5%-15%。4.根據(jù)權利要求3所述的直下式背光模組，其特征在于:制作所述基座本體的材料包括如下組分:三氧化二鋁83%-87%;BeO 2%-4%；Si3N4 2%_4% ;高嶺土8%-12%。5.根據(jù)權利要求2所述的直下式背光模組，其特征在于:所述散熱通孔內(nèi)灌注有銀漿。6.根據(jù)權利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于:所述反射膜包括三層共擠形成的PET基材和設置于所述PET基材內(nèi)的導熱粒子，所述導熱粒子為導熱硅膠粒子。7.根據(jù)權利要求6所述的直下式背光模組，其特征在于:所述導熱粒子的粒徑為10nm-2μm.8.根據(jù)權利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于:所述含有散射劑的導光膠的組成為:甲基丙烯酸縮水甘油酯90%-99%、光引發(fā)劑0.1%-1%、抗氧化劑0.1%-1%、偶聯(lián)劑0.5%-5%,散射劑單分散聚硅氧烷微球0.5%-5%。9.根據(jù)權利要求8所述的直下式背光模組，其特征在于:所述光引發(fā)劑為安息香甲醚、安息香乙醚、三聚氰胺、四乙基米氏酮、苯甲酮、1-羥基環(huán)己基苯基甲酮、丙烯酸酯苯甲酮、苯基二苯甲酮和羥基二苯甲酮中的至少一種;所述抗氧化劑為N-苯基-N’-異丙基-對苯二胺、N-(l，3-二甲基丁基)-Ν’_苯基對苯二胺和Ν，Ν’_苯基對苯二胺中的至少一種;所述偶聯(lián)劑為三甲氧基甲硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、3-三甲氧基硅烷丙烯酸丙酯中的至少一種。10.根據(jù)權利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于:所述導光膠的厚度為1μm-15μm.
【文檔編號】G02F1/13357GK105911762SQ201610399020
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年6月6日
【發(fā)明人】周劍平
【申請人】東莞市平洋電子有限公司