像素結構、顯示面板及曲面顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種像素結構、顯示面板及曲面顯示裝置。像素結構包括第一基板、掃描線、數據線、主動元件、像素電極以及導電條狀圖案。掃描線與數據線位于第一基板上。主動元件與掃描線以及數據線電性連接。像素電極與主動元件電性連接。導電條狀圖案對應設置在數據線的上方，其中導電條狀圖案具有開口，且開口垂直投影于第一基板上與數據線至少部分重疊。
【專利說明】
像素結構、顯示面板及曲面顯示裝置
技術領域
[0001] 本發(fā)明涉及一種像素結構，且特別涉及一種具有上述像素結構的顯示面板及一種 曲面顯示裝置。
【背景技術】
[0002] 隨著科技的進步，顯示器的技術也不斷地發(fā)展。輕、薄、短、小的平面顯示器(Flat Panel Display,FPD)逐漸取代傳統(tǒng)厚重的陰極映像管顯示器(Cathode Ray Tube,CRT)。如 今，由于平面顯示器的輕薄特性，平面顯示器更被配置到許多建筑物或電子設備的非平面 的表面上。為了要配合非平面的表面，顯示面板亦要跟著具有些許弧度，故曲面顯示面板亦 被提出。其中，可達到平面與彎曲共用的顯示面板逐漸受到注目。
[0003] 然而，在液晶顯示面板的上下兩基板于對位及/或彎曲后，由于上下兩基板彎曲時 受到的應力不同，使上下兩基板之間彼此相對錯位，會使得黑色矩陣(black matrix)皆會 遮住原本設計的開口區(qū)，即黑色矩陣皆會遮住掃描線、數據線與至少一部分的像素電極，而 讓開口率下降，更導致位于數據線周邊的液晶因為電場竄出、導向不好而造成漏光（light leakage)。除此之外，由于液晶顯示面板彎曲后的每個位置所受到的應力不同，上下兩基板 錯位的程度也不一致，亦會造成面板亮度不均(Mura)以及對比下降（Low contract)的問 題。

【發(fā)明內容】

[0004] 本發(fā)明提供一種像素結構、一種顯示面板以及一種曲面顯示裝置，除了避免因上 下基板錯位所導致的漏光、面板亮度或是對比度不均等問題外，還可降低電阻電容負載，提 升顯示品質。
[0005] 本發(fā)明提供一種像素結構，其包括第一基板、掃描線、數據線、主動元件、像素電極 以及導電條狀圖案。掃描線與數據線位于第一基板上。主動元件與掃描線以及數據線電性 連接。像素電極與主動元件電性連接。導電條狀圖案對應設置在數據線的上方，其中導電 條狀圖案具有開口且其垂直投影于該第一基板上與該數據線至少部分重疊。
[0006] 本發(fā)明另提供一種顯示面板，其包括第一基板、像素陣列、第二基板、電極膜以及 液晶層。像素陣列位于第一基板上，且像素陣列包括多個像素結構，且每一像素結構包括掃 描線、數據線、主動元件、像素電極以及導電條狀圖案。其中，主動元件與掃描線以及數據線 電性連接，像素電極與主動元件電性連接，導電條狀圖案對應設置在數據線的上方，且導電 條狀圖案具有開口，且其垂直投影于該第一基板上與該數據線至少部分重疊。第二基板位 于第一基板的對向側。電極膜位于第二基板上，其中電極膜被施予的電壓與每一像素結構 的導電條狀圖案被施予的電壓相同。液晶層位于第一基板與第二基板之間。
[0007] 本發(fā)明再提供一種曲面顯示裝置，其包括前述的顯示面板、背光模塊以及彎曲裝 置。背光模塊位于顯示面板的一側。彎曲裝置固定顯示面板以及背光模塊，以使得顯示面板 以及背光模塊具有彎曲曲度。
[0008] 基于上述，本發(fā)明的像素結構與顯示面板通過將導電條狀圖案對應設置在數據線 的上方并具有開口，且其垂直投影于第一基板上與數據線至少部分重疊，除了避免因上下 基板錯位所導致的漏光、面板亮度或是對比度不均等問題外，同時可減少導電條狀圖案與 數據線之間的重疊區(qū)域，使得導電條狀圖案與數據線之間的寄生電容降低，進而減少電阻 電容負載，以確保顯示品質與穿透率。
[0009] 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式 作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明一實施例的顯示面板的剖面示意圖。
[0011] 圖2A是圖1的實施例的像素陣列的結構示意圖。
[0012] 圖2B是圖2A的實施例的像素陣列的局部結構示意圖。
[0013] 圖3為沿著圖2A的剖面線AA'的顯示面板的剖面示意圖。
[0014] 圖4是本發(fā)明另一實施例的像素陣列的結構示意圖。
[0015] 圖5A是本發(fā)明另一實施例的的像素陣列的結構示意圖。
[0016] 圖5B是圖5A的實施例的像素陣列的局部結構示意圖。
[0017] 圖6是本發(fā)明一對照實施例的顯示面板的剖面示意圖。
[0018]圖7A以及圖7B為本發(fā)明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。
[0019]圖8是本發(fā)明一實施例的曲面顯示裝置的示意圖。
[0020] 其中，附圖標記說明如下：
[0021] 10、11:顯示面板
[0022] 20:背光模塊
[0023] 30:彎曲裝置
[0024] 31:框架
[0025] 32:螺桿
[0026] 40:背板
[0027] 50:封裝材
[0028] 100:第一基板
[0029] 1〇7:第一區(qū)域
[0030] 200、200 ' ：像素陣列
[0031] 210:絕緣層
[0032] 220:第一保護層
[0033] 230:彩色濾光層
[0034] 240:第二保護層
[0035] 250、250'、600:導電條狀圖案
[0036] 252:連接部
[0037] 254:延伸部
[0038] 254a:第一延伸部
[0039] 254b:第二延伸部
[0040] 256:橋接部
[0041 ] 258:開口
[0042] 260:主體部
[0043] 262:條狀部
[0044] 264:狹縫
[0045] 300:第二基板
[0046] 400:電極膜
[0047] 500:液晶層
[0048] 1000:曲面顯示裝置
[0049] AA'、BB'：剖面線
[0050] C:接觸窗
[0051] CH:通道層
[0052] D:漏極
[0053] D1:第一方向
[0054] D2:第二方向
[0055] DL:數據線
[0056] G:柵極
[0057] LB:遮光層 [0058] P、P'：像素結構
[0059] PE:像素電極
[0060] S:源極
[00611 SH:屏蔽金屬層 [0062] SL:掃描線 [0063] T:主動元件 [0064] V。?:共同電壓
[0065] Vp:像素電壓
[0066] 恥、11、^1、胃2、￥3:寬度
[0067] X、Y:交錯區(qū)
【具體實施方式】
[0068]圖1為本發(fā)明一實施例的顯示面板的剖面示意圖。請先參照圖1，顯示面板10包括 第一基板100、像素陣列200、第二基板300、電極膜400以及液晶層500。
[0069] 第一基板100的材質可為玻璃、石英、有機聚合物或是不透光/反射材料(例如：導 電材料、金屬、晶圓、陶瓷或上述材料的組合)或是其它可適用的材料，本發(fā)明不以此為限。 若使用導電材料或金屬時，則在第一基板1〇〇上覆蓋一層絕緣層(未繪示），以避免短路問 題。第一基板100上設置有像素陣列200,像素陣列200包括多個像素結構（未繪示），詳細的 像素陣列200的結構將于后續(xù)段落說明。
[0070] 第二基板300是設置在第一基板100的對向側。第二基板300的材質可為玻璃、石英 或有機聚合物等。具體來說，當第一基板100的材質不為金屬時，第二基板300的材質可以與 第一基板100的材質相同或不同。此外，本實施例不限定彩色濾光膜(未繪示）與黑色矩陣 (black matrix，未繪示)是設置于第一基板100上或是設置于第二基板300上，本發(fā)明所屬 領域中具有通常知識者可視需求選擇。
[0071]電極膜400設置于第二基板300上，且電極膜400位于第一基板100以及第二基板 300之間。電極膜400為透明導電層，其材質包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物或者是銦鋅 氧化物。電極膜400是全面地覆蓋于第二基板300上，即電極膜400是全面地覆蓋第一基板 100上的像素結構P，或者電極膜400是圖案化的設置于第二基板300上，每個圖案化電極膜 400與第一基板100所對應的像素結構P重疊。在本實施例中，電極膜400較佳為全面地覆蓋 于第二基板300上為范例，但并不限于此。電極膜400連接至一共同電壓V。?，且當一個不同 于共同電壓V。?的像素電壓V P被施加于像素陣列200時，像素陣列200以及電極膜400之間會 產生垂直電場，以驅動在像素陣列200以及對向電極層400之間的液晶層500。
[0072]液晶層500位于第一基板100與第二基板300之間。液晶層500可包括液晶分子、電 泳顯示介質或是其它可適用的介質。在本發(fā)明下列實施例中的液晶層500系以液晶分子當 作范例，但不限于此。
[0073]圖2A是圖1的實施例的像素陣列的結構示意圖。圖2B是圖2A的實施例的像素陣列 的局部結構示意圖。圖3為沿著圖2A的剖面線AA'的顯示面板的剖面示意圖。請同時參照圖1 以及圖2A，像素陣列200位于第一基板100上，且像素陣列200上方覆蓋有液晶層500。像素陣 列200由多個像素結構P構成。這些像素結構P的至少一部分的設計將參照圖2A、圖2B以及圖 3于下文中詳細地描述。為了清楚地說明本實施例，圖2A僅繪示出像素陣列200中的2X2個 像素結構P的陣列，且為清楚起見，是以一個像素結構P為例進行說明，本發(fā)明所屬領域中具 有通常知識者應可以理解，圖1的像素陣列200實際上是由多個像素結構P排成的陣列所構 成。
[0074]如圖2A所示，這些像素結構P至少一部分包括掃描線SL、數據線DL、主動元件T、像 素電極PE以及導電條狀圖案250。
[0075]請參照圖2A與圖3,掃描線SL與數據線DL彼此交錯設置于第一基板100上，且形成 一交錯區(qū)X。換言之，掃描線SL的延伸方向與數據線DL的延伸方向不相同，較佳的是掃描線 SL的延伸方向與數據線DL的延伸方向垂直。其中，掃描線SL與數據線DL是分別位于不相同 的膜層，且兩者之間夾有絕緣層(未繪示）。掃描線SL以及數據線DL主要用來傳遞驅動像素 結構P的驅動信號。基于導電性的考量，掃描線SL與數據線DL-般是使用不透光的金屬材 料，然本發(fā)明不限于此。根據其他實施例，掃描線SL與數據線DL也可以使用其他不透光的導 電材料，其例如是包括合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或是金屬材料與其它 導電材料的堆疊層。
[0076]請同時參照圖2A以及圖3,這些像素結構P至少一部分中的主動元件T是與所對應 的至少一條掃描線SL以及所對應的至少一條數據線DL電性連接。在本實施例中，主動元件T 例如包括柵極G、通道層CH、漏極D以及源極S。具體來說，柵極G與掃描線SL電性連接，絕緣層 210位于柵極G的上方，通道層CH位于絕緣層210的上方且對應于柵極G，源極S以及漏極D位 于通道層CH的上方，且源極S與數據線DL電性連接。因此，當有控制信號電壓輸入掃描線SL 時，掃描線SL與柵極G之間會電性導通；當有數據信號電壓輸入數據線DL時，數據線DL會與 源極S電性導通。本實施例的主動元件電性T是以底部柵極型薄膜晶體管為例來說明，但本 發(fā)明不限于此。在其他實施例中，主動元件T也可以是頂部柵極型薄膜晶體管，例如:通道層 CH位于柵極G下方，且通道層CH與柵極G夾設有絕緣層210，或是其它合適類型的薄膜晶體 管。此外，柵極G例如是位于與掃描線SL相同的膜層，而漏極S以及源極D例如是位于與數據 線DL相同的膜層。換言之，絕緣層210是位于第一金屬層（即：柵極G與掃描線SL)與第二金屬 層（即：源極S、漏極D與數據線DL)之間。在一實施例，柵極G的材質例如是金屬、金屬氧化物、 有機導電材料或上述的組合;且通道層CH的材質例如是非晶硅、多晶硅、微晶硅、單晶硅、有 機半導體材料、氧化物半導體材料(例如:銦鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物或是其它合適的材料 或上述的組合)或其它合適的材料或含有摻雜物(dopant)于上述材料中或上述之組合，本 發(fā)明不以此為限。絕緣層210的材料包含無機材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合 適的材料或上述的組合）、有機材料（例如：光阻、聚酰亞胺（polyimide，PI)、苯并環(huán)丁稀 (BCB)、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、過氟環(huán)丁烷(PFCB)、其它合適的材料或上述的組合)或其它合適 的材料或上述的組合。
[0077]請同時參照圖2A以及圖3,像素電極PE與主動元件T電性連接。具體來說，第一保護 層220(繪示于圖3)位于主動元件T上且具有接觸窗C，其中像素電極PE通過接觸窗C與主動 元件T的漏極D電性連接。舉例而言，本實施例的像素電極PE具有主體部260以及與主體部 260連接的多個條狀部262(繪示于圖2A)。條狀部262是由主體部260往至少四個方向延伸。 換言之，條狀部262是由主體部260往四周延伸至像素電極PE的邊緣處，以形成魚骨狀圖案 并定義出至少四個配向區(qū)域(domain region)。另一方面，相鄰的兩個條狀部162之間定義 出狹縫264。于其它實施例中，主體部260約為X形或十字形，且條狀部262由主體部260往至 少四個方向延伸，且狹縫264位于兩相鄰的條狀部262之間。據此，通過像素電極PE連接至像 素電壓V P以及電極膜400連接共同電壓VCQm，使得像素電極PE以及電極膜400之間產生電壓 差，用以驅動液晶層500，使液晶層500具有不同的傾倒方向。在一實施例中，像素電極PE的 材質例如是穿透式像素電極、反射式像素電極或是半穿透半反射式像素電極。穿透式像素 電極的材質包括金屬氧化物(例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦 鍺鋅氧化物或其它合適的氧化物或者是上述至少二者的堆疊層）、奈米碳管/桿、有機導電 材料或其它合適的氧化物或者是上述至少二者的堆疊層。反射式像素電極的材質包括具有 高反射率的金屬材料，本發(fā)明不以此為限。第一保護層220的材料包含無機材料(例如:氧化 硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合適的材料或上述的組合）、有機材料（例如：光阻、聚酰亞胺 (口〇17；[11^(16，？1)、苯并環(huán)丁稀(808)、環(huán)氧樹脂化口017)、過氟環(huán)丁燒(？?08)、其它合適的材 料或上述的組合）或其它合適的材料或上述的組合。再者，數據線DL的上方不存在遮光層 (即黑色矩陣），遮光層（即黑色矩陣）僅存在于掃描線SL上方，即遮光層（即黑色矩陣）與該 掃描線至少部分重疊，而彩色濾光層位于前述像素結構中。
[0078]請參照圖2A，導電條狀圖案250對應設置在數據線DL的上方，其中導電條狀圖案 250具有開口 258(或稱為間隔（gap))，且開口 258垂直投影于第一基板100上與數據線DL至 少部分重疊，即導電條狀圖案250垂直投影于第一基板100上未覆蓋數據線DL至少一部分。 換言之，此時開口 258暴露出數據線DL。本實施例的導電條狀圖案250包括延伸部254以及橋 接部256，且延伸部254沿著數據線DL的延伸方向（即：第二方向D2)延伸，橋接部256沿著掃 描線SL的延伸方向（即：第一方向D1)延伸。于其它實施例中，數據線DL的延伸方向為沿著第 一方向D1，掃描線SL的延伸方向為沿著第二方向D2,則導電條狀圖案250的延伸部254沿著 數據線DL的延伸方向（第一方向D1)延伸，橋接部256沿著掃描線SL的延伸方向（第二方向 D2)延伸。
[0079]請再同時參考圖2A與圖3,具體來說，導電條狀圖案250的延伸部254具有第一延伸 部254a以及第二延伸部254b，其中第一延伸部254a與第二延伸部254b分別配置于數據線DL 的兩側而與數據線DL部分重疊。換言之，導電條狀圖案250位于數據線DL的上方，其中導電 條狀圖案250具有位于延伸部254中的第一延伸部254a以及第二延伸部254b之間的開口 258,其垂直投影于第一基板100上與數據線DL至少部分重疊，即導電條狀圖案250垂直投影 于第一基板100上未覆蓋數據線DL至少一部分。換言之，部分數據線DL被開口 258所暴露出 來。也就是說，通過開口 258的設置，第一延伸部254a以及第二延伸部254b分別有部分區(qū)域 不與數據線DL重疊，即第一延伸部254a以及第二延伸部254b會分隔開來。導電條狀圖案250 通過僅與數據線DL部分重疊，因此減少導電條狀圖案250與數據線DL的重疊區(qū)域，進而降低 導電條狀圖案250與數據線DL之間的寄生電容。導電條狀圖案250與電極膜400皆連接至同 一共同電壓V CM(即：導電條狀圖案250以及電極膜400被施予相同的電壓），且前述的第一延 伸部254a以及第二延伸部254b是分別位于數據線的兩側（如圖3所示），因此可達到保持數 據線DL周邊的電場穩(wěn)定，進而避免因第一基板100與第二基板300彼此錯位使液晶倒向不佳 所導致的漏光、面板亮度或是對比度不均等問題。再者，因前述的設計，遮光層（即黑色矩 陣）不存在數據線DL上，但遮光層（即黑色矩陣）存在于掃描線SL上方，可減少第一基板100 與第二基板300對組/彎曲時，因位移所造成的漏光影響。再者，遮光層（即黑色矩陣)及/或 彩色濾光層可設置于第一基板100或第二基板300上。
[0080] 此外，在本實施例中，這些像素結構P至少一部分具有第一區(qū)域107,其垂直投影于 第一基板100上與掃描線SL以及交錯區(qū)X重疊，其中導電條狀圖案250的橋接部256,較佳地， 對應設置在第一區(qū)域107內。舉例而言，第一區(qū)域107是具有掃描線SL與導電條狀圖案250的 區(qū)域，例如:掃描線SL與導電條狀圖案250的橋接部256至少部分重疊以及延伸部254部分重 疊。藉此，導電條狀圖案250的延伸部254的第一延伸部254a以及第二延伸部254b通過橋接 部256彼此連結，使得數據線DL周邊電場具有更佳的均勻性。另外，由于導電條狀圖案250的 橋接部256是沿著掃描線SL的延伸方向（即：第一方向D1)延伸，因此除了電性連結位于同一 像素結構內的第一延伸部254a以及第二延伸部254b外，其亦可電性連結位于其延伸方向上 的其它像素結構的第一延伸部254a以及第二延伸部254b，使像素陣列200中的每一像素結 構中的導電條狀圖案250具有相同的共同電壓。其中，導電條狀圖案250是位于與像素電極 PE的相同的膜層，如考慮制成簡便性，導電條狀圖案250與像素電極PE可以是具有相同材 料，或于同一道制程形成，但不限于此。
[0081] 圖2B是圖2A的像素結構P的局部(包括交錯區(qū)X)的放大結構示意圖。請參照圖2B， 數據線DL具有寬度Wd，延伸部254具有寬度W2，第一延伸部254a與第二延伸部254b分別具有 寬度W3,開口 258具有寬度％。為了避免導電條狀圖案250于制作過程時的位移，寬度W2較佳 為符合W2 = (2*W3)+Wg，且開口 258的寬度Wg小于數據線DL的寬度Wd。在本實施例中，舉例而 言，數據線DL的寬度Wd例如具有約14微米，其中第一延伸部254a與數據線DL的重疊區(qū)域的 寬度例如為約2微米，且第二延伸部254b與數據線DL的重疊區(qū)域的寬度例如為約2微米，但 本發(fā)明不以此為限。
[0082]請再參照圖2A以及圖3,本實施例的像素結構P還包括屏蔽金屬層SH，其中屏蔽金 屬層SH位于像素電極PE與數據線DL之間。在本實施例中，屏蔽金屬層SH例如是與導電條狀 圖案250電性連接至同一共同電壓V。?。具體來說，屏蔽金屬層SH連接至共同電壓V。?且位于 數據線DL與像素電極PE之間，故能遮蔽數據信號電壓輸入數據線DL時對像素電極PE所產生 的電性影響，使像素電極PE的電場不會受到干擾，以提升畫面顯示均勻度，確保顯示品質。 另一方面，由于屏蔽金屬層SH與像素電極PE部分重疊，故可與像素電極PE耦合以形成儲存 電容器(未標示）。屏蔽金屬層SH與數據線DL、柵極G以及掃描線SL彼此分隔開來。如圖3所 示，本實施例中的屏蔽金屬層SH例如是與掃描線SL位于相同膜層，而與數據線DL位于不同 膜層為例，因此絕緣層210是位于第一金屬層(即：柵極G、掃描線SL與屏蔽金屬層SH)與第二 金屬層（即：源極S、漏極D與數據線DL)之間，然本發(fā)明不限于此。在其他實施例中，屏蔽金屬 層SH也可以與數據線DL位于相同膜層，而與掃描線SL與位于不同膜層。
[0083]此外，承上述，本發(fā)明不限定橋接部256設置在第一區(qū)域107內；在另一實施例中， 導電條狀圖案250的橋接部256亦可以是對應設置在第一區(qū)域107外。圖4是本發(fā)明另一實施 例的像素陣列的結構示意圖。如圖4所示，圖4的像素陣列與上述圖2A的像素陣列200相似， 因此相同或相似的元件以相同的或相似的符號表示，不再重復說明。圖4的實施例與圖2A的 實施例間的主要差異處在于，圖4的導電條狀圖案250的橋接部256是對應設置在第一區(qū)域 107的外側。具體來說，圖4的導電條狀圖案250的橋接部256位于屏蔽金屬層SH與掃描線SL 之間，即屏蔽金屬層SH與第一區(qū)域107之間。換言之，導電條狀圖案250的橋接部256不與掃 描線SL重疊，但橋接部256于交錯區(qū)X及其附近與部分的數據線DL重疊。此外，導電條狀圖案 250的橋接部256可以選擇性的與掃描線SL同層，或者橋接部256-部分與另一部分可分別 從掃描線SL、數據線DL與像素電極PE其中至少二者同層。通過此設置，可進一步降低導電條 狀圖案250與掃描線SL之間的寄生電容。
[0084] 如上所述，本發(fā)明的像素結構以及顯示面板將導電條狀圖案對應設置在數據線的 上方，除了避免因上下兩基板錯位所導致的漏光、面板亮度或是對比度不均等問題外，更同 時通過開口的設置，可減少導電條狀圖案與數據線之間的重疊區(qū)域，使得導電條狀圖案與 數據線之間的寄生電容降低，進而減少電阻電容負載，以確保顯示品質與穿透率。
[0085] 圖5A是本發(fā)明另一實施例的像素陣列的結構示意圖。如圖5A所示，圖5A的像素陣 列200'與上述圖2A的像素陣列200相似，因此相同或相似的元件以相同的或相似的符號表 示，且不再重復說明。圖 5A的實施例與圖2A的實施例主要差異處在于，其為導電條狀圖案的 另一種實施態(tài)樣。具體來說，相較于圖2A的像素結構P的導電條狀圖案250,圖5A的導電條狀 圖案250'還包括連接部252,且位于第一區(qū)域107內。詳細而言，連接部252是位于數據線DL 與掃描線SL的交錯區(qū)Y，其為第一區(qū)域107的一部分。如圖5B的交錯區(qū)Y內的數據線DL具有寬 度Wdl，其余部分的數據線DL具有寬度Wd，即交錯區(qū)Y的外數據線DL具有寬度Wd，寬度W dl小于 寬度Wd且大于4微米。
[0086] 請參考圖5A，導電條狀圖案250'包括連接部252、延伸部254、橋接部256以及開口 258，其中導電條狀圖案250 '的連接部252以及延伸部254沿著數據線DL的延伸方向（即：第 二方向D2)延伸，橋接部256沿著掃描線SL的延伸方向（即：第一方向D1)延伸。其它實施例的 延伸方向與設計可查閱前述描述來加以變更。導電條狀圖案250'的連接部252以及橋接部 256對應設置在位于第一區(qū)域107內，且連接部252位于具有寬度數據線DL之上，導電條 狀圖案250'的延伸部254位于具有寬度Wd的數據線DL之上，且開口 258垂直投影于該第一基 板100上與數據線DL至少部分重疊，即導電條狀圖案250垂直投影于第一基板100上未覆蓋 數據線DL至少一部分。換言之，開口 258位于延伸部254內并暴露出數據線DL。
[0087]具體來說，導電條狀圖案250'的延伸部254具有第一延伸部254a以及第二延伸部 254b，其中第一延伸部254a與第二延伸部254b分別配置于數據線DL的兩側而與數據線DL部 分重疊。換言之，導電條狀圖案250'位于數據線DL的上方，其中導電條狀圖案250'具有位于 延伸部254中的第一延伸部254a以及第二延伸部254b之間的開口 258,使得部分的數據線DL 未被第一延伸部254a以及第二延伸部254b所遮蔽，即僅部分數據線DL被開口 258所暴露。也 就是說，通過開口 258的設置，第一延伸部254a以及第二延伸部254b分別有部分不與數據線 DL重疊（于垂直于第一基板方向上），可減少導電條狀圖案250'與數據線DL的重疊區(qū)域，且 再通過縮窄位于第一區(qū)域1〇7(即交錯區(qū)Y)中的數據線DL的線寬，可進一步減少導電條狀圖 案250'（即：連接部252))與數據線DL在第一區(qū)域107內的重疊區(qū)域，進而大幅度地降低導電 條狀圖案250'與數據線DL之間的寄生電容。又，導電條狀圖案250'是連接至電極膜400所連 接的共同電壓V C?(即：導電條狀圖案250'以及電極膜400被施予相同的電壓），且前述的不 與數據線DL重疊的部分第一延伸部254a以及第二延伸部254b是分別位于數據線的兩側，因 此可達到保持數據線周邊的電場穩(wěn)定，避免因第一基板100與第二基板300錯位時液晶倒向 不佳所導致的漏光、面板亮度或是對比度不均等問題。
[0088]另外，本實施例的延伸部254例如是與連接部252連接，且連接部252例如是與橋接 部256連接，且連接部252與橋接部256皆是位于第一區(qū)域107內，如圖5A所示，然本發(fā)明不以 此為限。在其它實施例中，延伸部254例如是與連接部252連接，而延伸部254例如是與橋接 部256連接，即連接部252位于第一區(qū)域107內，而橋接部256可選擇性地位于第一區(qū)域107內 或第一區(qū)域107內的外側。藉此，導電條狀圖案250'的延伸部254的第一延伸部254a以及第 二延伸部254b彼此電性連結，可更進一步地加強數據線DL周邊的電場的均勻性。另外，由于 導電條狀圖案250 '的橋接部256是沿著掃描線SL的延伸方向（即：第一方向D1)延伸，因此除 了電性連結位于同一像素結構內的第一延伸部254a以及第二延伸部254b外，其亦可電性連 結位于其延伸方向上的其它像素結構的第一延伸部254a以及第二延伸部254b，使像素陣列 200'中的每一像素結構P'中的導電條狀圖案250'具有相同的共同電壓V。?。
[0089]圖5B是圖5A的實施例的像素結構的局部放大結構示意圖。具體來說，圖5B是圖5A 的像素結構P'的局部(包含交錯區(qū)Y)的放大結構示意圖。請參照圖5B，導電條狀圖案250'的 連接部252具有寬度W1，延伸部254具有寬度W2,第一延伸部254a以及第二延伸部254b分別 具有寬度W3,開口 258具有寬度％，其中W2=(2*W3)+Wg，寬度W1小于寬度W2,寬度W1大于寬度 W3,且開口258的寬度Wg小于數據線DL的寬度Wd。在本實施例中，導電條狀圖案250'的連接部 252的寬度W1例如是大于寬度W dl，然本發(fā)明不限于此。在一實施例中，導電條狀圖案250'的 連接部252的寬度W1例如是等于寬度Wdl。其中，導電條狀圖案250'是位于與像素電極PE的相 同的膜層，故導電條狀圖案250'與像素電極PE具有相同材料。
[0090]如上所述，本發(fā)明的像素結構以及顯示面板將導電條狀圖案對應設置在數據線的 上方，除了避免因上下基板錯位所導致的漏光、面板亮度或是對比度不均等問題外，還同時 通過開口以及縮窄部分數據線DL的線寬的設置，可大幅度地減少導電條狀圖案與數據線之 間的重疊區(qū)域，使得導電條狀圖案與數據線之間的寄生電容降低，進而減少電阻電容負載， 以確保顯示品質與穿透率。
[0091] 為了證明本實施例的顯示面板的設計確實具有較佳的光穿透率，特以數個實驗條 件進行實驗來做驗證。請參照下方表1，其分別以樣本1至樣本3進行數據線與其上方電極層 之間的寄生電容值的量測。樣本1為使用如圖2A的像素陣列的顯示面板（即：導電條狀圖案 250)、樣本2為使用如圖5A的像素陣列的顯示面板（即：導電條狀圖案250'）以及樣本3為使 用本發(fā)明的對照實施例的顯示面板(請參照圖6)。
[0092] 詳言之，圖6為沿著剖面線AA'的對照實施例的顯示面板的剖面示意圖，其中剖面 線AA'的位置標示于圖2A。圖6的顯示面板與圖3的顯示面板10(具有圖2A的像素陣列）相似， 因此相同或相似的元件以相同的或相似的符號表示，不再重復說明。更具體的說，圖6的對 照實施例與圖3的實施例之間的主要差異處在于，繪示于圖6中的導電條狀圖案600不具有 暴露出數據線DL的開口 258,即導電條狀圖案600與數據線DL重疊（于垂直第一基板方向 上）。也就是說，圖6所示的顯示面板中的導電條狀圖案600是全面地覆蓋于數據線DL上方。 其中，樣本1~3的設計，遮光層與掃描線SL至少部分重疊，但遮光層不存在于該數據線DL上 方或下方。
[0093] 表 1
[0094]
[0095] 由表1可知，相較于本發(fā)明的對照實施例的顯示面板(樣本3)，本發(fā)明的顯示面板 (樣本1以及樣本2)確實有效地降低數據線與其上方電極層之間的寄生電容值，且以樣本2 最佳。
[0096] 圖7A以及圖7B為本發(fā)明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。具體來說，圖7A與 圖7B分別為沿著剖面線AA'以及剖面線BB'的顯示面板的剖面示意圖，其中剖面線AA'以及 剖面線BB'的位置標示于圖2A。如圖7A以及圖7B所示，繪示于圖7A以及圖7B中的顯示面板11 與上述圖3的顯示面板10相似，因此相同或相似的元件以相同的或相似的符號表示，且不再 重復說明。此外，若第一基板與第二基板100與300對組的精準度可提高，則之前省略的遮 光層（黑色矩陣）仍可被使用。因此，圖7A以及圖7B的實施例與圖3的實施例主要差異處在 于，圖7A以及圖7B的顯示面板11還包括遮光層（即黑色矩陣)LB以及彩色濾光層230。
[0097]更具體來說，圖7A與圖7B進一步繪示出掃描線SL、數據線DL、屏蔽金屬層SH、遮光 層LB、彩色濾光層230以及導電條狀圖案250之間的配置關系。
[0098]請同時參照圖7A以及圖7B，遮光層LB，與各像素結構P的掃描線SL及/或數據線DL 至少部分重疊，且彩色濾光層230,位于各像素結構P。舉例而言，遮光層LB位于第二基板300 上，且遮光層LB與每一像素結構P的掃描線SL以及數據線DL重疊設置。更具體的說，遮光層 LB位于第二基板300以及電極膜400之間，且遮光層LB例如是多個遮光圖案。其中，如圖7A所 示，每一遮光圖案分別對應一個像素結構P中的數據線DL重疊設置并沿著所對應的數據線 DL的延伸方向延伸;且如圖7B所示，每一遮光圖案分別對應一個像素結構P中的掃描線SL重 疊設置并沿著所對應的掃描線SL的延伸方向延伸。換言之，遮光層LB例如是多個遮光圖案， 且上述遮光圖案排列呈網格狀以覆蓋于掃描線SL以及數據線DL上方。因此，通過遮光層LB 的設置，可進一步減少像素結構P的漏光問題的發(fā)生，進而確保顯示品質。然而，本發(fā)明不以 此為限，在另一實施例中，遮光層LB例如可以僅被配置于掃描線SL上方或數據線DL上方。 [0099]此外，彩色濾光層230位于第一基板100上。如圖7A與圖7B所示，彩色濾光層230位 于第一保護層220與第二保護層240之間。其中，通過第一保護層220的設置，彩色濾光層230 與位于下方的掃描線SL、數據線DL以及屏蔽金屬層SH電性絕緣，并通過第二保護層240的設 置，彩色濾光層230與導電條狀圖案250的連接部256以及像素電極PE電性絕緣。更明確地 說，彩色濾光層230是以第一保護層220與位于下方的主動元件T電性絕緣并以第二保護層 240與位于上方的導電條狀圖案250以及像素電極PE電性絕緣，以確保顯示面板的顯示品 質。第二保護層240的材料可選自第一保護層220所述的材料，且二者的材料可實質上相同 或不同。
[0100]圖8是本發(fā)明一實施例的曲面顯示裝置的示意圖。請參照圖8,曲面顯示裝置1000 包括顯示面板10、背光模塊20以及彎曲裝置30。顯示面板10可以是前述各實施例所述的顯 示面板，且背光模塊20配置在顯示面板10的背面。詳細來說，背光模塊20可以同時具有光源 以及導光板或是只具有光源。當背光模塊20同時具有光源以及導光板時，光源可以設置在 導光板的側邊，且由光源射出的光能夠通過導光板的引導而入射到顯示面板10中。當背光 模塊20只具有光源時，光源可以直接配置在顯示面板10的背面，使得光源射出的光不需通 過導光板的引導而直接入射到顯示面板10中。另一方面，將彎曲裝置30設置在背光模塊20 的背面，以固定顯示面板10以及背光模塊20,使其具有一彎曲曲度。藉此，使得顯示面板10 形成彎曲狀的顯示面板。其中，框架31以及螺桿32的材質可為具有延展性的金屬。如圖8所 示，本實施中的彎曲裝置30包括框架31以及螺桿32,然發(fā)本明不限于此。在另一實施例中， 本實施中的彎曲裝置30可以是僅具有框架31。除此之外，曲面顯示裝置1000還可具有背板 40，以固定螺桿32。曲面顯示裝置1000另具有封裝材50與背板40連接。其中，本實施例的彎 曲顯示裝置1000的曲率中心位于顯示面板10的外側，即顯示面板10呈現內彎（內凹）。于其 它實施例中，彎曲顯示裝置1000的曲率中心位于背板40的外側，即顯示面板10呈現外凸（外 彎）。
[0101]綜上所述，本發(fā)明的像素結構與顯示面板通過將導電條狀圖案對應設置在數據線 的上方并具有暴露出數據線的開口的設置，除了避免因上下基板錯位所導致的漏光、面板 亮度或是對比度不均等問題外，同時可減少導電條狀圖案與數據線之間的重疊區(qū)域，使得 導電條狀圖案與數據線之間的寄生電容降低，進而減少電阻電容負載，以確保顯示品質與 穿透率。
[0102] 除此之外，本發(fā)明的像素結構與顯示面板通過縮窄位于數據線與掃描線的交錯區(qū) 內的數據線的線寬，可更加地減少導電條狀圖案與數據線的重疊區(qū)域，進一步降低導電條 狀圖案與數據線之間的寄生電容，確保顯示品質與穿透率。
[0103] 雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術領域 中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明 的保護范圍當視后附的申請專利范圍所界定者為準。
【主權項】
1. 一種顯不面板，包括： 一第一基板； 一像素陣列，位于該第一基板上，該像素陣列包括多個像素結構，且多個所述像素結構 至少一部分包括： 一掃描線以及一數據線； 一主動元件，與該掃描線以及該數據線電性連接； 一像素電極，與該主動元件電性連接；以及 一導電條狀圖案，對應設置在該數據線的上方，其中該導電條狀圖案具有一開口，且該 開口垂直投影于該第一基板上與該數據線至少部分重疊； 一第二基板，位于該第一基板的對向側； 一電極膜，位于該第二基板上，其中該電極膜被施予的電壓與每一像素結構的該導電 條狀圖案被施予的電壓相同；以及 一液晶層，位于該第一基板與該第二基板之間。2. 如權利要求1所述的顯示面板，其中多個所述像素結構至少一部分還包含一屏蔽金 屬層，位于該像素電極與該數據線之間，其中該屏蔽金屬層與該掃描線屬于同一膜層。3. 如權利要求1所述的顯示面板，其中每一像素結構的該導電條狀圖案包括： 一連接部；以及 一延伸部，與該連接部連接，其中該開口位于該延伸部。4. 如權利要求3所述的顯示面板，其中多個所述像素結構至少一部分具有一第一區(qū)域， 該第一區(qū)域垂直投影于該第一基板上與該掃描線重疊，其中該導電條狀圖案的該連接部對 應設置在該第一區(qū)域。5. 如權利要求4所述的顯示面板，其中該數據線與該掃描線于該第一區(qū)域具有重疊處， 該數據線于該重疊處的線寬較數據線與該掃描線未重疊處小。6. 如權利要求1-5其中之一所述的顯示面板，還包括： 一遮光層，與該掃描線至少部分重疊，且該遮光層不存在于該數據線上方或下方。7. 如權利要求1-5其中之一所述的顯示面板，還包括： 一遮光層，與各該像素結構的該掃描線及/或該數據線至少部分重疊。8. -種曲面顯示裝置，包括： 一顯示面板，如權利要求1所述； 一背光模塊，位于該顯示面板的一側；以及 一彎曲裝置，固定該顯示面板以及該背光模塊具有一彎曲曲度。9. 一種像素結構，包括： 一掃描線以及一數據線位于一第一基板； 一主動元件，與該掃描線以及該數據線電性連接； 一像素電極，與該主動元件電性連接；以及 一導電條狀圖案，對應設置在該數據線的上方，其中該導電條狀圖案具有一開口，且該 開口垂直投影于該第一基板上與該數據線至少部分重疊。10. 如權利要求9所述的像素結構，其中該導電條狀圖案與該像素電極的材料相同且屬 于同一膜層。11. 如權利要求9所述的像素結構，還包含一屏蔽金屬層，位于該像素電極與該數據線 之間。12. 如權利要求9所述的像素結構，其中該導電條狀圖案包括： 一連接部；以及 一延伸部，與該連接部連接，其中該開口位于該延伸部。13. 如權利要求12所述的像素結構，該像素結構具有一第一區(qū)域，該第一區(qū)域垂直投影 于該第一基板上與該掃描線重疊，其中該連接部對應設置在該第一區(qū)域。14. 如權利要求13所述的像素結構，其中該數據線與該掃描線于該第一區(qū)域具有重疊 處，該數據線于該重疊處的線寬較數據線與該掃描線未重疊處小。15. 如權利要求9所述的像素結構，其中在該數據線上方不存在遮光層，且該遮光層僅 與該掃描線至少部分重疊。
【文檔編號】G02F1/1362GK106094363SQ201610430972
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月16日
【發(fā)明人】翁嘉鴻, 徐雅玲
【申請人】友達光電股份有限公司