陣列基板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板和包含該陣列基板的顯示
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示技術(shù)已廣泛應(yīng)用在電視、手機(jī)以及公共信息顯示等領(lǐng)域。目前，液晶顯示裝置主要由陣列基板和彩膜基板對盒組成。其中，如圖1所示，為現(xiàn)有的陣列基板的平面示意圖。該陣列基板包括柵線10與數(shù)據(jù)線11，柵線10與數(shù)據(jù)線11垂直交叉(因它們位于不同的層中，故交叉時不會導(dǎo)通)，并且柵線10和數(shù)據(jù)線11的交叉位置附近設(shè)置有薄膜晶體管(包括柵極13、源極14和漏極12)，數(shù)據(jù)線11的信號電壓通過該薄膜晶體管寫入像素電極。
[0003]目前的陣列基板在實際應(yīng)用中不可避免地存在以下問題:
[0004]如圖1所示，由于薄膜晶體管的源極14與柵極13相互重疊，且重疊面積較大，導(dǎo)致在二者之間會產(chǎn)生較大的寄生電容，這使得柵線10上的信號延遲，從而造成串?dāng)_和顯示均勻度下降。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型的目的在于提供一種陣列基板和顯示裝置，其可以降低在薄膜晶體管的源極與柵極之間產(chǎn)生的寄生電容，從而可以減小柵線信號的延遲，進(jìn)而可以提高顯示質(zhì)量。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，作為本實用新型的第一個方面，本實用新型提供一種陣列基板，包括交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵線，在所述數(shù)據(jù)線和所述柵線的交叉位置附近設(shè)置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極和源極，所述柵極與所述柵線連接；所述源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述源極與所述柵極在所述陣列基板的襯底基板上的正投影部分重疊。
[0007]其中，所述源極在所述陣列基板的襯底基板上的正投影呈U形，所述U形包括兩個端部和位于所述兩個端部之間的一個中間部，其中，所述兩個端部與所述柵極在所述陣列基板的襯底基板上的正投影相重疊；所述中間部與所述柵極在所述陣列基板的襯底基板上的正投影不重疊。
[0008]優(yōu)選的，所述中間部與所述柵極在所述陣列基板的襯底基板上的正投影形成封閉區(qū)域。
[0009]其中，所述柵線包括相互并聯(lián)的兩個分支，所述兩個分支在所述陣列基板的襯底基板上的正投影之間形成間隙，其中一個分支用作所述柵極；所述兩個端部與用作柵極的所述分支在所述陣列基板的襯底基板上的正投影相重疊；所述中間部在所述陣列基板的襯底基板上的正投影位于所述間隙中。
[0010]其中，所述柵線包括用作所述柵極的柵極部；所述兩個端部與所述柵極部在所述陣列基板的襯底基板上的正投影相重疊；所述中間部與所述柵極部在所述陣列基板的襯底基板上的正投影不重疊。
[0011]優(yōu)選的，所述中間部與所述柵極部在所述陣列基板的襯底基板上的正投影形成封閉區(qū)域。
[0012]其中，所述源極在所述陣列基板的襯底基板上的正投影呈U形，所述U形包括兩個端部和位于所述兩個端部之間的一個中間部，其中，所述兩個端部與所述柵極在所述陣列基板的襯底基板上的正投影部分重疊；所述中間部與所述柵極在所述陣列基板的襯底基板上的正投影相重疊。
[0013]其中，所述源極在所述陣列基板的襯底基板上的正投影呈U形，所述U形包括兩個端部和位于所述兩個端部之間的一個中間部，其中，所述兩個端部與所述柵極在所述陣列基板的襯底基板上的正投影相重疊；所述中間部與所述柵極在所述陣列基板的襯底基板上的正投影部分重疊。
[0014]作為本實用新型的第二個方面，還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括陣列基板和與該陣列基板對盒設(shè)置的對盒基板，所述陣列基板為本實用新型提供的上述陣列基板。
[0015]本實用新型具有以下有益效果:
[0016]本實用新型提供的陣列基板，其通過使薄膜晶體管的源極與柵極在陣列基板的襯底基板上的正投影部分重疊，即，二者具有非重疊的部分，可以降低在薄膜晶體管的源極與柵極之間產(chǎn)生的寄生電容，從而可以減小柵線信號的延遲，進(jìn)而可以提高顯示質(zhì)量。
[0017]本實用新型提供的顯示裝置，其通過采用本實用新型提供的上述陣列基板，可以降低在薄膜晶體管的源極與柵極之間產(chǎn)生的寄生電容，從而可以減小柵線信號的延遲，進(jìn)而可以提尚顯不質(zhì)量。
【附圖說明】
[0018]附圖是用來提供對本實用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實施方式】一起用于解釋本實用新型，但并不構(gòu)成對本實用新型的限制。
[0019]圖1為現(xiàn)有的陣列基板的平面示意圖；
[0020]圖2A為本實用新型第一實施例提供的陣列基板的平面示意圖；
[0021]圖2B為沿圖2A中A1-A2線的剖視圖；
[0022]圖2C為本實用新型第一實施例采用的源極的平面示意圖；
[0023]圖3為本實用新型第一實施例的變型實施例提供的陣列基板的平面示意圖；
[0024]圖4A為本實用新型第二實施例提供的陣列基板的平面示意圖；
[0025]圖4B為沿圖4A中B1-B2線的剖視圖；
[0026]圖4C為圖4A中柵線的平面示意圖；
[0027]圖4D為本實用新型第二實施例采用的源極的平面示意圖；
[0028]圖5A為本實用新型第三實施例提供的陣列基板的平面示意圖；
[0029]圖5B為本實用新型第三實施例采用的源極的平面示意圖；
[0030]圖6A為本實用新型第四實施例提供的陣列基板的平面示意圖；
[0031]圖6B為圖6A中源極與柵極的位置關(guān)系的平面示意圖。
【具體實施方式】
[0032]以下結(jié)合附圖對本實用新型的【具體實施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本實用新型，并不用于限制本實用新型。
[0033]本實用新型提供一種陣列基板，包括交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵線，在數(shù)據(jù)線和柵線的交叉位置附近設(shè)置有薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括柵極和源極，其中，柵極與柵線連接；源極與數(shù)據(jù)線連接，并且，源極與柵極在陣列基板的襯底基板上的正投影部分重疊，即，二者具有非重疊的部分，可以降低在薄膜晶體管的源極與柵極之間產(chǎn)生的寄生電容，從而可以減小柵線信號的延遲，進(jìn)而可以提高顯示質(zhì)量。
[0034]下面對實現(xiàn)源極與柵極部分重疊的【具體實施方式】進(jìn)行詳細(xì)描述。具體地，圖2A為本實用新型第一實施例提供的陣列基板的平面示意圖。圖2B為沿圖2A中A1-A2線的剖視圖。圖2C為本實用新型第一實施例采用的源極的平面示意圖。請一并參閱圖2A-2C，陣列基板包括交叉設(shè)置的柵線20和數(shù)據(jù)線21以及像素電極25，其中，在柵線20和數(shù)據(jù)線21的交叉位置附近設(shè)置有薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括柵極23、源極24和漏極22，其中，漏極22通過過孔27與像素電極25電性連接；柵極23與柵線20連接，該柵極23為在柵線20上形成的寬化部；源極24與數(shù)據(jù)線21連接。而且，陣列基板還包括由下而上依次設(shè)置的襯底基板1、柵線絕緣層2和鈍化層3，柵極23位于襯底基板I和柵線絕緣層2之間；源極24和漏極22位于柵線絕緣層2和鈍化層3之間，且位于漏極22底部還設(shè)置有有源層26。
[0035]在本實施例中，如圖2C所示，源極24在陣列基板的襯底基板I上的正投影呈U形，該U形包括兩個端部(241，242)和位于二者之間的一個中間部243，且源極24通過連接部211與數(shù)據(jù)線21連接，該連接部211的左端與數(shù)據(jù)線21連接，右端與端部241連接，如圖2A所示。而且，兩個端部(241，242)與柵極23在陣列基板的襯底基板I上的正投影相重疊；中間部243與柵極23在陣列基板的襯底基板I上的正投影不重疊，這可以降低在薄膜晶體管的源極與柵極之間產(chǎn)生的寄生電容，從而可以減小柵線信號的延遲，進(jìn)而可以提高顯示質(zhì)量。
[0036]在本實施例中，中間部243與柵極23在陣列基板的襯底基板I上的正投影形成封閉區(qū)域28，如圖