一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜。包括陰極，陽(yáng)極陣列，以及設(shè)置在陰極和陽(yáng)極陣列間的介電層；陽(yáng)極陣列由M×N元陣列分布的陽(yáng)極單元構(gòu)成，陽(yáng)極單元由規(guī)則排列且相互連通的多個(gè)子電極構(gòu)成，可尋址電調(diào)光反射率薄膜被劃分為M×N元陣列分布的電調(diào)光反射率單元，陽(yáng)極單元與電調(diào)光反射率單元一一對(duì)應(yīng)，構(gòu)成電調(diào)光反射率單元的陽(yáng)極，所有電調(diào)光反射率單元共用陰極；通過(guò)陽(yáng)極單元和陰極對(duì)電調(diào)光反射率單元執(zhí)行獨(dú)立加電操作，進(jìn)而通過(guò)調(diào)變加載在電調(diào)光反射率單元上的電壓信號(hào)，實(shí)現(xiàn)可尋址電調(diào)光反射率的控光操作。本實(shí)用新型具有偏振不敏感、驅(qū)控靈活、調(diào)光響應(yīng)快以及反射光強(qiáng)變動(dòng)范圍大的特點(diǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于光學(xué)精密測(cè)量與控制技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜，能對(duì)入射光波執(zhí)行反射率可尋址的電控調(diào)變。
【背景技術(shù)】
[0002]迄今為止所發(fā)展的高光反射率薄膜技術(shù)，均基于膜介質(zhì)中數(shù)量巨大的特征介電基團(tuán)、相對(duì)自由的或束縛態(tài)電子等在振蕩性電磁激勵(lì)下所產(chǎn)生的光再發(fā)射疊加效應(yīng)，主要由微/納米厚度的金屬/金屬化材料、半導(dǎo)體或介電材料制成，同種材質(zhì)薄膜呈現(xiàn)相同的反光屬性?？蓪ぶ氛{(diào)變薄膜光反射率，意味著實(shí)現(xiàn)薄膜的定域差異性光反射能量輸運(yùn)。目前所建立的實(shí)用化手段主要有:(一)將不同材質(zhì)的膜材料通過(guò)定域性層化耦合構(gòu)建成可尋址移位的變光反射率薄膜結(jié)構(gòu)；(二)拼接獨(dú)立反光膜片構(gòu)成可尋址的區(qū)塊化變光反射率拼圖式薄膜結(jié)構(gòu)；(三)通過(guò)可尋址加電的微機(jī)電Fabry-Perot結(jié)構(gòu)(MEMs-FP)或電控液晶Fabry-Perot結(jié)構(gòu)(LC-FP)結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)譜反射光強(qiáng)的定域電調(diào)變；(四)基于電濕效應(yīng)構(gòu)建可尋址加電的陣列化電調(diào)微液形貌式的定域反光薄膜架構(gòu)；(五)基于薄膜的控光干涉或特征衍射調(diào)變出射光束能流及其分布形態(tài)，實(shí)現(xiàn)反射束振幅的空變投送；(六)通過(guò)可尋址調(diào)節(jié)的局域電場(chǎng)、磁場(chǎng)、聲場(chǎng)或熱場(chǎng)，驅(qū)使膜材料折射率及其空間分布形態(tài)產(chǎn)生可調(diào)節(jié)改變；(七)構(gòu)造特殊的參數(shù)可調(diào)微納功能結(jié)構(gòu)陣列如典型的陣列化微光子晶體膜結(jié)構(gòu)等?？蓪ぶ氛{(diào)變光反射率薄膜技術(shù)目前主要用于光學(xué)系統(tǒng)的局域通光效能改變，成像視場(chǎng)或捕光結(jié)構(gòu)的局域強(qiáng)光抑制與透射束流增強(qiáng)，寬徑反射光束能流勻質(zhì)化，光學(xué)引擎反射波束強(qiáng)度或亮度的圖案化調(diào)變，激光波束功率空間分布形態(tài)的圖案化調(diào)節(jié)以及遮光效率空變調(diào)控等層面。隨著功能需求的日漸增多和日趨復(fù)雜，應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展以及現(xiàn)代微電子和光電子技術(shù)的強(qiáng)力推動(dòng)，可尋址調(diào)控尤其是電調(diào)控光反射率薄膜技術(shù)，在新反射機(jī)理發(fā)現(xiàn)、特殊微納功能結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料選擇與膜系配置、驅(qū)控架構(gòu)建立以及成本降低等方面，均提出了更高要求。
[0003]研究和應(yīng)用顯示，現(xiàn)有的商用可尋址電調(diào)光反射率薄膜技術(shù)的缺陷主要反映在以下方面:(一)由于單層光學(xué)介質(zhì)膜難以達(dá)到較高的反射率水平，單層金屬/金屬性反射膜通過(guò)電子表面態(tài)及其電磁振蕩性激勵(lì)展現(xiàn)固定的反光行為，基于常規(guī)光學(xué)機(jī)理構(gòu)建的層化薄膜材料不論是疊合式的還是拼圖式的，通過(guò)現(xiàn)有工藝方式會(huì)形成相對(duì)粗糙的介電躍變界面從而產(chǎn)生較強(qiáng)的光束漫反射；(二)層化膜層間會(huì)形成滲透性擴(kuò)散界面從而產(chǎn)生類(lèi)漸變折射率分布的亞界面效應(yīng)；(三)不同材質(zhì)膜層間的表面應(yīng)力會(huì)驅(qū)使薄膜呈現(xiàn)時(shí)效性的結(jié)構(gòu)和化學(xué)穩(wěn)定屬性；(四)基于特殊功能如典型的FP效應(yīng)以及電磁聲熱光等因素誘導(dǎo)的局域介電行為改變，會(huì)使源于電子或偶極介電振蕩響應(yīng)的光反射率調(diào)變機(jī)制呈現(xiàn)控制相對(duì)復(fù)雜、相位和偏振匹配繁雜、成本高、波譜適用范圍窄等問(wèn)題；(五)薄膜抗強(qiáng)光或強(qiáng)激光輻照的能流閾值低，反射率可變動(dòng)范圍相對(duì)狹??；(六)復(fù)雜的層化膜系配置使薄膜的制作成本提高，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性以及與其它功能結(jié)構(gòu)的耦合或適配性相對(duì)降低等。針對(duì)上述問(wèn)題，尋找新的薄膜架構(gòu)、驅(qū)控方案、簡(jiǎn)化工藝流程以及降低成本等，已成為發(fā)展可尋址電調(diào)光反射率薄膜技術(shù)的核心環(huán)節(jié)，迫切需要新的技術(shù)突破?！緦?shí)用新型內(nèi)容】
[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進(jìn)需求，本實(shí)用新型提供了一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜，能對(duì)寬譜入射波束的光反射率執(zhí)行可尋址電控調(diào)變，具有偏振不敏感、驅(qū)控靈活、調(diào)光響應(yīng)快以及反射光強(qiáng)變動(dòng)范圍大的特點(diǎn)。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，按照本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供了一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，包括陰極，陽(yáng)極陣列，以及設(shè)置在所述陰極和所述陽(yáng)極陣列間的介電層；所述陽(yáng)極陣列由MXN元陣列分布的陽(yáng)極單元構(gòu)成，所述陽(yáng)極單元由規(guī)則排列且相互連通的多個(gè)子電極構(gòu)成，所述可尋址電調(diào)光反射率薄膜被劃分為MXN元陣列分布的電調(diào)光反射率單元，所述陽(yáng)極單元與所述電調(diào)光反射率單元--對(duì)應(yīng)，構(gòu)成所述電調(diào)光反射率單元的陽(yáng)極，所有電調(diào)光反射率單元共用所述陰極;通過(guò)所述陽(yáng)極單元和所述陰極對(duì)所述電調(diào)光反射率單元執(zhí)行獨(dú)立加電操作，通過(guò)調(diào)變加載在所述電調(diào)光反射率單元上的電壓信號(hào)，實(shí)現(xiàn)可尋址電調(diào)光反射率的控光操作。
[0006]優(yōu)選地，通過(guò)調(diào)變加載在所述電調(diào)光反射率單元上的電壓信號(hào)的幅度，調(diào)變所述陰極上的陣列化電子的分布密度及其分布形態(tài)，進(jìn)而調(diào)節(jié)所述電調(diào)光反射率單元的反射率;通過(guò)調(diào)變加載在所述電調(diào)光反射率單元上的電壓信號(hào)的占空比，控制調(diào)變光反射率的時(shí)間。
[0007]優(yōu)選地，通過(guò)可尋址選擇、配置或更換加電的電調(diào)光反射率單元，對(duì)執(zhí)行光反射率調(diào)變操控的所述陰極的對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行定位或移位;通過(guò)對(duì)所述電調(diào)光反射率單元并行加載多路獨(dú)立的電驅(qū)控信號(hào)，形成特定的可調(diào)節(jié)的光反射能流形態(tài)。
[0008]優(yōu)選地，在斷電態(tài)下，所述陰極上能自由移動(dòng)的電子的分布密度相同，所述可尋址電調(diào)光反射率薄膜呈現(xiàn)本征的高光反射率。
[0009]優(yōu)選地，定義電極單元填充系數(shù)為構(gòu)成電極單元的子電極面積占電極單元的受光面積的比率，所述電極單元填充系數(shù)在90%以上。
[0010]優(yōu)選地，所述子電極為圓形、正方形或長(zhǎng)方形的石墨烯膜結(jié)構(gòu)。
[0011]優(yōu)選地，所述子電極的排列方式為同心圓形、直線(xiàn)形或矩形陣列形式。
[0012]優(yōu)選地，所述介電層和所述陽(yáng)極陣列間還設(shè)有第一電隔離膜，所述介電層和所述陰極間還設(shè)有第二電隔離膜。
[0013]優(yōu)選地，所述陽(yáng)極陣列遠(yuǎn)離所述介電層的一面還設(shè)有第一保護(hù)膜，所述陰極遠(yuǎn)離所述介電層的一面還設(shè)有第二保護(hù)膜。
[0014]優(yōu)選地，上述可尋址電調(diào)光反射率薄膜還包括陽(yáng)極電引線(xiàn)微焊區(qū)和陰極電引線(xiàn)微焊區(qū)，所述陽(yáng)極電引線(xiàn)微焊區(qū)設(shè)置在所述可尋址電調(diào)光反射率薄膜的靠近所述陽(yáng)極陣列的一側(cè)，用于接入所述陽(yáng)極單元的金屬電引線(xiàn)，所述陰極電引線(xiàn)微焊區(qū)設(shè)置在所述可尋址電調(diào)光反射率薄膜的靠近所述陰極的一側(cè)，用于接入所述陰極的金屬電引線(xiàn)。
[0015]總體而言，通過(guò)本實(shí)用新型所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下有益效果:
[0016]1、通過(guò)將石墨烯區(qū)塊化成由納電極密集排布并電聯(lián)通的圖案化陽(yáng)極以及與金屬陰極實(shí)現(xiàn)納間距耦合構(gòu)成薄膜架構(gòu)，具有可尋址電調(diào)光反射率的特點(diǎn)；
[0017]2、通過(guò)在薄膜上加載能靈活調(diào)變頻率、幅度和占空比的時(shí)序電壓信號(hào)，實(shí)現(xiàn)反射光其能量輸運(yùn)效能的電調(diào)節(jié)，具有控制特性好的特點(diǎn)；
[0018]3、通過(guò)在圖案化陽(yáng)極與金屬陰極間的納尺度空間形成可調(diào)變的微電場(chǎng)陣，對(duì)陰極上的電子分布密度及形態(tài)進(jìn)行有效調(diào)控，具有光學(xué)反射態(tài)的調(diào)控操作受環(huán)境因素影響低的特點(diǎn)；
[0019]4、通過(guò)可尋址加電對(duì)執(zhí)行光反射率調(diào)變操控的陰極區(qū)域進(jìn)行選擇、配置與更換，具有易與其它功能結(jié)構(gòu)匹配耦合的特點(diǎn)；
[0020]5、通過(guò)控制陰極電子的分布密度與形態(tài)來(lái)控制光反射行為，適用于寬譜和任意偏振態(tài)波束并具有快速調(diào)光的特點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的可尋址電調(diào)光反射率薄膜主要呈現(xiàn)陽(yáng)極一端的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的可尋址電調(diào)光反射率薄膜主要呈現(xiàn)陰極一端的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的可尋址電調(diào)光反射率薄膜的區(qū)塊化結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例的可尋址電調(diào)光反射率薄膜的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例的可尋址電調(diào)光反射率薄膜的電調(diào)光反射率單元的局域電場(chǎng)分布不意圖。
[0026]在所有附圖中，相同的附圖標(biāo)記用來(lái)表示相同的元件或結(jié)構(gòu)，其中:1_第一電引線(xiàn)微焊區(qū)，2-第二電引線(xiàn)微焊區(qū)，3-陽(yáng)極端面，4-矩形指示符，5-可尋址電調(diào)光反射率薄膜，6-第三電引線(xiàn)微焊區(qū)，7-陰極端面。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。此外，下面所描述的本實(shí)用新型各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
[0028]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的可尋址電調(diào)光反射率薄膜主要呈現(xiàn)陽(yáng)極一端的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的可尋址電調(diào)光反射率薄膜主要呈現(xiàn)陰極一端的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，在可尋址電調(diào)光反射率薄膜的陽(yáng)極端面3上設(shè)有第一電引線(xiàn)微焊區(qū)I和第二電引線(xiàn)微焊區(qū)2，用于接入與可尋址電調(diào)光反射率薄膜的獨(dú)立加電的電調(diào)光反射率單元的規(guī)模相對(duì)應(yīng)的多根金屬電引線(xiàn)，陽(yáng)極端面3上還設(shè)有矩形指示符4，用于指示矩形指示符4所在的面為陽(yáng)極加電面;在陰極端面7上與第一電引線(xiàn)微焊區(qū)I或第二電引線(xiàn)微焊區(qū)2對(duì)應(yīng)的位置，設(shè)有第三電引線(xiàn)微焊區(qū)6，用于接入另一根金屬電引線(xiàn)。
[0029]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的可尋址電調(diào)光反射率薄膜的區(qū)塊化結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，可尋址電調(diào)光反射率薄膜被劃分為MXN元陣列分布的電調(diào)光反射率單元(M、N均為大于I的整數(shù))，這些電調(diào)光反射率單元共用一個(gè)陰極，但擁有各自獨(dú)立的陽(yáng)極(即陽(yáng)極單元)，能獨(dú)立執(zhí)行電調(diào)光操作。陽(yáng)極單元由規(guī)則排列且相互連通的多個(gè)石墨烯圖案構(gòu)成，石墨烯圖案在納米尺度，圖3給出了幾種典型的石墨烯圖案，如圓形、正方形和長(zhǎng)方形，更具體地，石墨烯圖案的排列方式可以為同心圓形、直線(xiàn)形或矩形陣列形式。
[0030]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例的可尋址電調(diào)光反射率薄膜的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，可尋址電調(diào)光反射率薄膜包括介電層，依次設(shè)置在介電層上表面的第一電隔離膜、陽(yáng)極陣列和第一保護(hù)膜，以及依次設(shè)置在介電層下表面的第二電隔離膜、陰極和第二保護(hù)膜。其中，第一保護(hù)膜和第二保護(hù)膜同時(shí)起電隔離作用，陽(yáng)極陣列由MXN元陣列分布的陽(yáng)極單元構(gòu)成，陰極由厚度在納米尺度的金屬膜構(gòu)成。更具體地，可尋址電調(diào)光反射率薄膜主要包括以下四個(gè)功能結(jié)構(gòu):(一)被區(qū)塊化排布并電絕緣的石墨烯圖案化陽(yáng)極；(二)由納米厚度勻質(zhì)金屬膜構(gòu)成的陰極；(三)填充在陰陽(yáng)電極間的納米級(jí)厚度的透明光學(xué)材料(介電層)，該光學(xué)介質(zhì)層既電絕緣陰陽(yáng)電極又精確控制陰陽(yáng)極間距；(四)分別制作在陰陽(yáng)電極外表面的一層保護(hù)膜/電絕緣膜。由于可尋址電調(diào)光反射率薄膜的調(diào)光作用主要由金屬納膜承擔(dān)，光波既可以從陽(yáng)極一端入射，也可以從陰極一端入射;通過(guò)調(diào)變加載在電調(diào)光反射率單元上的信號(hào)電壓的頻率、幅度和占空比，對(duì)反射光波的能量輸運(yùn)效能進(jìn)行調(diào)控操作。
[0031]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例的可尋址電調(diào)光反射率薄膜的電調(diào)光反射率單元的局域電場(chǎng)分布示意圖。如圖所示，在加電態(tài)下，通過(guò)電調(diào)光反射率單元的陽(yáng)極單元和陰極將時(shí)序電壓信號(hào)V加載在電調(diào)光反射率單元上，在陽(yáng)極單元和陰極間激勵(lì)出具有亞微米尺度結(jié)構(gòu)且電場(chǎng)強(qiáng)度與場(chǎng)銳化程度可調(diào)變的陣列化微電場(chǎng)，見(jiàn)圖示的從陽(yáng)極單元的石墨烯圖案到陰極的微發(fā)散銳化電場(chǎng);分布在陰極表面的局域電場(chǎng)E由垂直于陰極表面的局域電gEi和平行于陰極表面的局域電場(chǎng)E2構(gòu)成，滿(mǎn)足E = EdE2關(guān)系；陽(yáng)極單元中的各石墨烯圖案與陰極間形成向陰極表面彎曲擴(kuò)散的局部電場(chǎng)；陰極上能自由移動(dòng)的電子被陰極表面所激勵(lì)的陣列化微電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，向各微電場(chǎng)中電場(chǎng)強(qiáng)度最大部位聚集，陰極上有稠密電子分布的部位其光反射率將顯著增強(qiáng)，缺少電子部位的光反射率則將明顯減弱。通過(guò)調(diào)變所加載的電驅(qū)控電壓信號(hào)的幅度，相應(yīng)于調(diào)變陰極上的陣列化電子的分布密度及其分布形態(tài)，對(duì)入射光波執(zhí)行電調(diào)反射率操作;通過(guò)調(diào)變所加載的時(shí)序電壓信號(hào)的占空比，控制調(diào)變光反射率的時(shí)間；通過(guò)可尋址選擇、配置或更換加電的電調(diào)光反射率單元，對(duì)執(zhí)行光反射率調(diào)變操控的陰極區(qū)域進(jìn)行定位或移位;通過(guò)并行加載多路獨(dú)立的電驅(qū)控信號(hào)，形成特定的并可調(diào)節(jié)的光反射能流形態(tài)。
[0032]定義電極單元填充系數(shù)為構(gòu)成電極單元的石墨稀圖案的面積占電極單元的受光面積的比率，優(yōu)選地，電調(diào)光反射率單元的電機(jī)單元填充系數(shù)應(yīng)被控制在90%以上，電極單元通過(guò)與陰極耦合，在陰極表面形成無(wú)弱電場(chǎng)或無(wú)效電場(chǎng)空隙的電場(chǎng)覆蓋區(qū)，從而將控光區(qū)域調(diào)整到最佳尺度。電調(diào)光反射率單元的光反射率通過(guò)綜合其內(nèi)所有光反射微區(qū)的平均效果給出；在斷電態(tài)下，陰極上能自由移動(dòng)的電子的分布密度相同，可尋址電調(diào)光反射率薄膜表現(xiàn)出本征的高光反射效能。
[0033]下面詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的可尋址電調(diào)光反射率薄膜的工作過(guò)程。首先將由電調(diào)光反射率單元的陽(yáng)極單元引出的多路金屬電引線(xiàn)壓焊在第一電引線(xiàn)微焊區(qū)I和第二電引線(xiàn)微焊區(qū)2上，將由陰極引出的一路金屬引線(xiàn)壓焊在第三電引線(xiàn)微焊區(qū)6上，將具有特定頻率、幅度和占空比的時(shí)序電壓信號(hào)通過(guò)多路金屬電引線(xiàn)加載在電調(diào)光反射率單元上，其中的正電端加載在陽(yáng)極單元上，負(fù)電端加載在陰極上，隨著信號(hào)電壓的有效加載和參數(shù)調(diào)變，可尋址電調(diào)光反射率薄膜將逐次呈現(xiàn)所限定的光反射率及其光反射能流分布圖案；通過(guò)調(diào)節(jié)電壓信號(hào)的占空比，調(diào)節(jié)可尋址電調(diào)光反射率薄膜的有效調(diào)光工作時(shí)間?；诳蓪ぶ冯娬{(diào)光反射率薄膜的電子驅(qū)控響應(yīng)機(jī)理，外界光波既可以從陽(yáng)極端入射，也可以從陰極端入射，呈現(xiàn)大致相同的光反射效果。
[0034]本實(shí)用新型的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，采用可尋址加載可調(diào)頻、調(diào)幅及調(diào)變信號(hào)占空比的時(shí)序電壓信號(hào)控制薄膜的光反射率，具有偏振不敏感、驅(qū)控靈活、調(diào)光響應(yīng)快以及反射光強(qiáng)可變動(dòng)范圍大的特點(diǎn)。
[0035]本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，包括陰極，陽(yáng)極陣列，以及設(shè)置在所述陰極和所述陽(yáng)極陣列間的介電層;所述陰極由納米級(jí)厚度的金屬膜構(gòu)成，所述陽(yáng)極陣列由MXN元陣列分布的陽(yáng)極單元構(gòu)成，所述陽(yáng)極單元由規(guī)則排列且相互連通的多個(gè)子電極構(gòu)成，所述可尋址電調(diào)光反射率薄膜被劃分為MXN元陣列分布的電調(diào)光反射率單元，所述陽(yáng)極單元與所述電調(diào)光反射率單元一一對(duì)應(yīng)，構(gòu)成所述電調(diào)光反射率單元的陽(yáng)極，所有電調(diào)光反射率單元共用所述陰極;通過(guò)所述陽(yáng)極單元和所述陰極對(duì)所述電調(diào)光反射率單元執(zhí)行獨(dú)立加電操作，通過(guò)調(diào)變加載在所述電調(diào)光反射率單元上的電壓信號(hào)，實(shí)現(xiàn)可尋址電調(diào)光反射率的控光操作。2.如權(quán)利要求1所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，通過(guò)調(diào)變加載在所述電調(diào)光反射率單元上的電壓信號(hào)的幅度，調(diào)變所述陰極上的陣列化電子的分布密度及其分布形態(tài)，進(jìn)而調(diào)節(jié)所述電調(diào)光反射率單元的反射率;通過(guò)調(diào)變加載在所述電調(diào)光反射率單元上的電壓信號(hào)的占空比，控制調(diào)變光反射率的時(shí)間。3.如權(quán)利要求1所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，通過(guò)可尋址選擇、配置或更換加電的電調(diào)光反射率單元，對(duì)執(zhí)行光反射率調(diào)變操控的所述陰極的對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行定位或移位;通過(guò)對(duì)所述電調(diào)光反射率單元并行加載多路獨(dú)立的電驅(qū)控信號(hào)，形成特定的可調(diào)節(jié)的光反射能流形態(tài)。4.如權(quán)利要求1所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，在斷電態(tài)下，所述陰極上能自由移動(dòng)的電子的分布密度相同，所述可尋址電調(diào)光反射率薄膜呈現(xiàn)本征的高光反射率。5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，定義電極單元填充系數(shù)為構(gòu)成電極單元的子電極面積占電極單元的受光面積的比率，所述電極單元填充系數(shù)在90%以上。6.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，所述子電極為圓形、正方形或長(zhǎng)方形的石墨烯膜結(jié)構(gòu)。7.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，所述子電極的排列方式為同心圓形、直線(xiàn)形或矩形陣列形式。8.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，所述介電層和所述陽(yáng)極陣列間還設(shè)有第一電隔離膜，所述介電層和所述陰極間還設(shè)有第二電隔離膜。9.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，所述陽(yáng)極陣列遠(yuǎn)離所述介電層的一面還設(shè)有第一保護(hù)膜，所述陰極遠(yuǎn)離所述介電層的一面還設(shè)有第二保護(hù)膜。10.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的可尋址電調(diào)光反射率薄膜，其特征在于，還包括陽(yáng)極電引線(xiàn)微焊區(qū)和陰極電引線(xiàn)微焊區(qū)，所述陽(yáng)極電引線(xiàn)微焊區(qū)設(shè)置在所述可尋址電調(diào)光反射率薄膜的靠近所述陽(yáng)極陣列的一側(cè)，用于接入所述陽(yáng)極單元的金屬電引線(xiàn)，所述陰極電引線(xiàn)微焊區(qū)設(shè)置在所述可尋址電調(diào)光反射率薄膜的靠近所述陰極的一側(cè)，用于接入所述陰極的金屬電引線(xiàn)。
【文檔編號(hào)】G02F1/03GK205427367SQ201620197196
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年3月15日
【發(fā)明人】張新宇, 信釗煒, 魏東, 吳勇, 袁瑩, 彭莎, 張波, 王海衛(wèi), 謝長(zhǎng)生
【申請(qǐng)人】華中科技大學(xué)