一種陣列基板、液晶顯示屏的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型描述了一種陣列基板及其液晶顯示屏，包括：第一基板；多條數(shù)據(jù)線和多條柵極線，設(shè)置在所述第一基板上，所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條柵極線交叉限定多個(gè)像素區(qū)域；像素電極，設(shè)置于所述第一基板上，并位于所述像素區(qū)域中；公共電極，設(shè)置于所述第一基板上，并與所述像素電極絕緣；其中，至少一所述像素區(qū)域中，所述像素電極包括第一子像素電極和第二子像素電極，且所述公共電極包括第一子公共電極和第二子公共電極；所述第一子像素電極與所述第二子像素電極之間至少存在一絕緣層；所述第一子公共電極與所述第二子公共電極之間至少存在一絕緣層。本實(shí)用新型提供的陣列能夠形成多重水平電場(chǎng)，從而增強(qiáng)液晶顯示屏的穿透能力。
【專利說明】
_種陣列基板、液晶顯m屏
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板以及采用該陣列基板的液晶顯示屏。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，市場(chǎng)上的液晶顯示器主要為邊緣電廠的邊緣場(chǎng)切換(FringeFieldSwitching，F(xiàn)FS)型液晶顯示器以及采用水平電場(chǎng)的面內(nèi)切換(In Plane Switching，IPS)型液晶顯示器，F(xiàn)FS型液晶顯示器和IPS型液晶顯示器的像素電極和公共電極均形成于同一基板上，其液晶分子在與基板平行的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，因此，與傳統(tǒng)的扭轉(zhuǎn)向列(TwistedNematic，TN)型液晶顯示器相比，其視角特性得到改善。
[0003]對(duì)于IPS型液晶顯示器，在一個(gè)像素區(qū)域里，像素電極和公共電極均為條狀結(jié)構(gòu)，條狀的像素電極和條狀的公共電極之間會(huì)產(chǎn)生橫向電場(chǎng)從而使得液晶分子能夠在面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，通過液晶分子在面內(nèi)的位置控制光線的通過與否。然而，條狀的公共電極或者像素電極的中間區(qū)域部分的橫向電場(chǎng)很弱而無法使得液晶分子發(fā)生旋轉(zhuǎn)，因此，像素電極或者公共電極的中間區(qū)域?yàn)榛覅^(qū)，從而使得像素區(qū)域的穿透率大大降低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種陣列基板、包含該陣列基板的液晶顯示器。
[0005]本實(shí)用新型提供了一種陣列基板，包括:
[0006]第一基板；
[0007]多條數(shù)據(jù)線和多條柵極線，設(shè)置在所述第一基板上，所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條柵極線交叉限定多個(gè)像素區(qū)域；
[0008]像素電極，設(shè)置于所述第一基板上，并位于所述像素區(qū)域中；
[0009]公共電極，設(shè)置于所述第一基板上，并與所述像素電極絕緣；
[0010]其中，至少一所述像素區(qū)域中，所述像素電極包括第一子像素電極和第二子像素電極，且所述公共電極包括第一子公共電極和第二子公共電極；
[0011]所述第一子像素電極與所述第二子像素電極之間至少存在一絕緣層；
[0012]所述第一子公共電極與所述第二子公共電極之間至少存在一絕緣層。
[0013]本實(shí)用新型還提供了一種液晶顯示器，其特征在于，包括如上所述的陣列基板。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的陣列基板及其顯示器能夠形成多重水平電場(chǎng)，從而提升顯示器的穿透能力。
【附圖說明】
[0015]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2是圖1所示的一種像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖3是圖2沿著A-A’的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖4是圖2沿著B-B’的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖5是圖2中區(qū)域H的放大圖；
[0020]圖6是圖1所示的另一種像素區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021 ]圖7是圖6沿著C-C’的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖8是圖6沿著C-C’的另一截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖9是圖6沿著C-C’的又一截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖10是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。
[0026]需要說明的是，在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本實(shí)用新型不受下面公開的【具體實(shí)施方式】的限制。
[0027]請(qǐng)參考圖1至圖5，圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是圖1所示的一種像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3是圖2中沿著A-A’的截面結(jié)構(gòu)示意圖，圖4是圖2中沿著B-B’的截面結(jié)構(gòu)示意圖，圖5是圖2區(qū)域H的放大圖。
[0028]具體地，如圖1所示，陣列基板包括第一基板100，第一基板100包括顯示區(qū)A-A和非顯示區(qū)non A-A，在顯示區(qū)A-A具有設(shè)置在第一基板100上的多條數(shù)據(jù)線106和多條柵極線102，，多條數(shù)據(jù)線106和多條柵極線102交叉限定多個(gè)像素區(qū)域Pix。
[0029]其中，像素區(qū)域Pix的結(jié)構(gòu)示意圖請(qǐng)繼續(xù)參考圖2。如圖2所示，像素區(qū)域Pix包括條狀像素電極，其中，至少一像素區(qū)域PiX中的像素電極包括第一子像素電極11和第二子像素電極12，第一子像素電極11和第二子像素電極12通過過孔In電連接，并電連接位于數(shù)據(jù)線106和柵極線102交叉處的薄膜晶體管。具體地，薄膜晶體管包括和柵極線102—體形成的柵極G、與數(shù)據(jù)線106電連接的漏極D、以及與像素電極電連接的源極S。像素區(qū)域Pix還包括公共電極，設(shè)置于第一基板100上，并與像素電極絕緣。其中，至少一像素區(qū)域Pix中的公共電極包括第一子公共電極13和第二子公共電極14，第一子公共電極在像素區(qū)域Pix中與公共電極線112電連接并一體設(shè)置，第一子公共電極13與第二子公共電極14通過圖2所示的過孔h2電連接，也可以在圖1所示的顯示區(qū)A-A中的其他像素區(qū)域Pix或者在非顯示區(qū)non A-A電連接。
[0030]第一子像素電極11、第二子像素電極12、第一子公共電極13、第二子公共電極14的層疊關(guān)系請(qǐng)參考圖3。其中，第一子像素電極11與第二子像素電極12之間至少存在一絕緣層，第一子公共電極13與第二子公共電極14之間至少存在一絕緣層。具體地，如圖3所示，第一子像素電極11與第二子像素電極12之間具有一絕緣層，即第一絕緣層108;第一子公共電極13與第二子公共電極14之間具有兩層絕緣層，即第一絕緣層108和第二絕緣層104。此外，第一子像素電極11和第一子公共電極13位于同一層;第二子像素電極12和第二子公共電極14之間存在一絕緣層。在其他的實(shí)施方式中，第一子像素電極11和第二子像素電極12之間可以設(shè)置多層絕緣層，或者第一子公共電極13和第二子公共電極14之間設(shè)置一層絕緣層或者多層絕緣層，或者第二子像素電極12和第二子公共電極14之間設(shè)置多層絕緣層。其中，與第一子像素電極11和第一子公共電極13接觸且與第一子像素電極11和第一子公共電極13相比靠近第一基板100的絕緣層108在第一子像素電極11和第一子公共電極13處具有突起。
[0031]需要說明的是，第一絕緣層108在第一子像素電極11和第一子公共電極13處的突起的形成可以為如下兩種方式。第一種方式:先在基板上形成平坦化的絕緣層，再采用掩模板對(duì)形成的絕緣層進(jìn)行曝光后顯影;第二種方式:在基板上形成厚度小于I微米的絕緣層。具體地，如圖3所示，由于在第一子像素電極11和第一子公共電極13對(duì)應(yīng)的位置有第二子像素電極12和第二子公共電極14，因此，在現(xiàn)有的生產(chǎn)工藝中，只要第一絕緣層108的厚度小于I微米，則第一絕緣層108會(huì)在第二子像素電極12和第二子公共電極14的上方形成突起。然而，在本實(shí)施例中，為了使得第二子像素電極12與第一子公共電極13之間能夠形成橫向電場(chǎng)，第一子像素電極11和第二子像素電極12之間的絕緣層厚度大于或者等于0.5微米。
[0032]結(jié)合圖3和圖4，第二子公共電極14與薄膜晶體管的柵極G位于同一層，由于柵極G與柵極線102是同層且一體設(shè)置，則第二子公共電極14與柵極線102同層設(shè)置;第二絕緣才能104為柵極絕緣層;第二子像素電極12與數(shù)據(jù)線106同層設(shè)置，且與薄膜晶體管的源極S、漏極D同層設(shè)置。具體地，如圖4所示，柵極G設(shè)置于第一基板100上，第二絕緣層104位于柵極G和半導(dǎo)體層100之間，源極S和漏極D與半導(dǎo)體層110接觸并電連接，第一絕緣層108設(shè)置于源極S和漏極D之上并與源極S、漏極D和半導(dǎo)體層110接觸，第一子像素電極11與源極S通過過孔電連接。需要指出的是，圖2已經(jīng)表明了源極S與第二子像素電極12是電連接并一體成型，因此，第一子像素電極11與源極S通過過孔In連接也即是與第二子像素電極12電連接。
[0033]進(jìn)一步地，請(qǐng)參考圖5，圖5示出了第一子像素電極11和第二子像素電極12、第一子公共電極13和第二子公共電極14的相對(duì)寬度關(guān)系，第二子像素電極在第一基板上的垂直投影具有第一寬度1，所述第一子像素電極在所述第一基板上的垂直投影具有第二寬度W2，第二子公共電極在所述第一基板上的垂直投影具有第三寬度W3，第一子公共電極在第一基板上的垂直投影具有第四寬度W4; 11是?2的50 %至80 %，W3是W4的50 %至80 %。具體地，圖5示出了圖2中區(qū)域H的放大結(jié)構(gòu)圖，在區(qū)域H中，第一子像素電極11在第一基板100上的垂直投影為平行四邊形HIJK，第二子像素電極12在第一基板100上的垂直投影為平行四邊形hijk;第一子公共電極13在第一基板100上的垂直投影為平行四邊形⑶EF，第二子公共電極14在第一基板100上的垂直投影為平行四邊形cdef。其中，第一子像素電極11在第一基板100上的投影的寬度Wl為平行四邊形HIJK的邊HJ上的一點(diǎn)到邊IK的垂直距離，或者為邊IK上的一點(diǎn)到邊HJ的垂直距離。同樣地，第二子電極12在第一基板100上的投影寬度W2為平行四邊形hi jk的邊hj上的一點(diǎn)到邊ik的垂直距離，或者為邊ik上的一點(diǎn)到邊hj的垂直距離；第一子公共電極13在第一基板100上的投影寬度W3為平行四邊形⑶EF的邊CE上的一點(diǎn)到邊DF的垂直距離，或者為邊DF上的一點(diǎn)到邊CE的垂直距離;第二子公共電極14在第一基板100上的投影寬度W4為平行四邊形cdef的邊ce上的一點(diǎn)到邊df的垂直距離，或者為邊df上的一點(diǎn)到邊ce的垂直距離。具體地，參見圖5，第一子像素電極11在第一基板100的投影寬度W1SM點(diǎn)到HJ邊的垂直距離MM’；第二子像素電極12在第一基板100的投影寬度W2Sm點(diǎn)到hj邊的垂直距離mm’ ；第一子公共電極13在第一基板100的投影寬度W3為點(diǎn)G到CE邊的垂直距離GG’ ；第二子公共電極14在第一基板100的投影寬度W4為點(diǎn)g到ce邊的垂直距離gg’。在本實(shí)施例中，第一子像素電極11在第一基板100上的垂直投影與第二子像素電極12在第一基板100上的垂直投影重疊；第一子公共電極13在第一基板100上的垂直投影與第二子公共電極14在第一基板100上的垂直投影重疊，且W2*50% <ffi<ff2*80%,ff4*50% < W3 < W4*80%。為了獲得較高的分辨率，像素區(qū)域會(huì)變小，當(dāng)像素區(qū)域變小后條狀電極也隨著變小。對(duì)于中小尺寸的顯示器，條狀像素電極的寬度已經(jīng)達(dá)到現(xiàn)有生產(chǎn)工藝的極限。另一方面，如果像素電極為金屬電極，則應(yīng)該盡量減少其寬度占像素區(qū)域的比重；即使像素電極是透明的，為了獲得較高的透過率也需要盡量減少其寬度占像素區(qū)域的比重。因此，第一子像素電極的寬度與第二子像素電極的寬度差異不能太大，且第二子像素電極的寬度應(yīng)該小于第一子像素電極的寬度。
[0034]此外，為了獲得較好的顯示效果，本實(shí)施例中第一子像素電極11和第一子公共電極13為透明電極，第二子像素電極12和第二子公共電極14為金屬電極。第二子像素電極12和第二子公共電極14的面積相對(duì)較小，可以采用導(dǎo)電率較高的金屬，能夠有效增強(qiáng)橫向電場(chǎng)，提升穿透率。
[0035]上述實(shí)施例提供的陣列基板能夠形成多重水平電場(chǎng)，具體地，包括第一子像素電極11與第一子公共電極13之間的水平電場(chǎng)、第一子像素電極11與第二子公共電極14之間的水平電場(chǎng)、第二子像素電極12與第二子公共電極14之間形成的水平電場(chǎng)以及第二子像素電極12與第一子公共電極13之間形成的水平電場(chǎng)。多重水平電場(chǎng)疊加能夠增加對(duì)液晶分子的旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)能力，從而能夠提高液晶顯示器的穿透率。
[0036]進(jìn)一步地，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了另一種陣列基板。請(qǐng)參考圖6和圖7，圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種陣列基板的像素區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖，圖7是圖6沿著A-A’的截面結(jié)構(gòu)示意圖。與圖2所示的陣列基板相比，圖6所示的陣列基板的不同之處在于第一子像素電極與第二子像素電極的相對(duì)位置關(guān)系、第一子公共電極和第二子公共電極的相對(duì)位置關(guān)系不同。在本實(shí)施例中，第一子像素電極在第一基板上的垂直投影與第二子公共電極在第一基板上的垂直投影重疊;第一子公共電極在第一基板上的垂直投影與第二子像素電極在第一基板上的垂直投影重疊。
[0037]同樣地，如圖6所示，數(shù)據(jù)線206和柵極線202相交圍成像素區(qū)域Pix，公共電極線212與第二子公共電極24電連接，第二子像素電極22與源極S電連接并一體形成，第二子像素電極22與第一子像素電極21電連接，薄膜晶體管包括柵極G、半導(dǎo)體層210、源極S以及漏極D。第一子像素電極21和第二子像素電極22通過過孔Ii1電連接;第一子公共電極23與第二子公共電極24通過過孔1!2電連接，也可以在顯示區(qū)中的其他像素區(qū)域Pix或者在非顯示區(qū)處電連接。請(qǐng)繼續(xù)參考圖7，圖7示出了第一子像素電極與第二子像素電極的相對(duì)位置關(guān)系、第一子公共電極和第二子公共電極的相對(duì)位置關(guān)系。如圖7所示，第一子像素電極21的下方為第二子公共電極24，且第一子公共電極23的下方為第二子像素電極22。第二子公共電極24設(shè)置在第一基板100的表面上，第二子公共電極24與第二子像素電極之間具有第二絕緣層204，第二子像素電極22與數(shù)據(jù)線206同層設(shè)置，在第二子像素電極22與第一子像素電極21之間設(shè)置有第一絕緣層208。
[0038]在該陣列基板的結(jié)構(gòu)中，由于第一子像素電極21的下方為第二子公共電極24，第一子像素電極21與第二子公共電極24之間形成垂直電場(chǎng)，且第一子公共電極23與第二子像素電極22之間形成垂直電場(chǎng)。因此，對(duì)于第一絕緣層208的厚度沒有限制。其中，第一絕緣層208的厚度可以為0.5微米到I微米之間，此時(shí)，形成的陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖7所示，即第一絕緣層108能夠形成突起，此時(shí)，第一子像素電極21與第一子公共電極23之間的水平電極較強(qiáng)，而第一子像素電極21與第二子公共電極24產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)在陣列基板的表面也會(huì)有橫向電場(chǎng)分量，且第一子公共電極23與第二子像素電極22之間形成的垂直電場(chǎng)在陣列基板的表面也會(huì)有橫向電場(chǎng)分量，因此，多個(gè)電場(chǎng)疊加能夠提升液晶顯示器的穿透率。
[0039]此外，第一絕緣層的厚度還可以選擇其他范圍。如圖8和圖9所示，圖8是本實(shí)用新型圖6沿著A-A’的另一截面結(jié)構(gòu)示意圖，圖9是本實(shí)用新型圖6沿著A-A’的又一截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示，第二子公共電極34、第二絕緣層304、同層設(shè)置的第二子像素電極32和數(shù)據(jù)線306、第一絕緣層308、同層設(shè)置的第一像素電極31和第一公共電極33依次設(shè)置于第一基板300上。其中，第一絕緣層308的厚度小于0.5微米，此時(shí)，第一絕緣層308形成的突起較大，因此，第一子像素電極31和第一子公共電極33之間的橫向電場(chǎng)得到加強(qiáng)。然而，對(duì)于一些特殊結(jié)構(gòu)的陣列基板，第一絕緣層需要平坦化，如圖9所示，第二子公共電極44、第二絕緣層404、同層設(shè)置的第二子像素電極42和數(shù)據(jù)線406、第一絕緣層408、同層設(shè)置的第一像素電極41和第一公共電極43依次設(shè)置于第一基板400上。其中第一絕緣層408可以是多層絕緣層的疊加，也可以是厚度大于I微米的有機(jī)平坦化層，此時(shí)，第一子像素電極41和第一子公共電極43設(shè)置在平坦的第一絕緣層408上。雖然第一子像素電極41和第一子公共電極43之間的橫向電場(chǎng)與圖8所示的結(jié)構(gòu)相比較弱，但是其制備工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)良率高。
[0040]最后，本實(shí)用新型還提供了一種液晶顯示器，請(qǐng)參考圖10，圖10是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖10所示，液晶顯示器包括如上所示的任意一陣列基板1，與陣列基板I相對(duì)設(shè)置的彩膜基板2，以及位于陣列基板I和彩膜基板2之間的液晶層3。液晶層3在陣列基板I的電場(chǎng)作用下旋轉(zhuǎn)從而控制從陣列基板I的下方入射的光線是否通過并從彩膜基板2射出。
[0041]具體地，本實(shí)施例提供的液晶顯示器的陣列基板I包括:第一基板;多條數(shù)據(jù)線和多條柵極線，設(shè)置在所述第一基板上，所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條柵極線交叉限定多個(gè)像素區(qū)域;像素電極，設(shè)置于所述第一基板上，并位于所述像素區(qū)域中；公共電極，設(shè)置于所述第一基板上，并與所述像素電極絕緣;其中，至少一所述像素區(qū)域中，所述像素電極包括第一子像素電極和第二子像素電極，且所述公共電極包括第一子公共電極和第二子公共電極;所述第一子像素電極與所述第二子像素電極之間至少存在一絕緣層;所述第一子公共電極與所述第二子公共電極之間至少存在一絕緣層。上述陣列基板能夠形成多重水平電場(chǎng)，包括:第一子像素電極與第一子公共電極之間的水平電場(chǎng)、第二子像素電極與第二子公共電極之間形成的水平電場(chǎng)和/或第一子像素電極與第二子公共電極之間的水平電場(chǎng)、第二子像素電極與第一子公共電極之間形成的水平電場(chǎng)。多重水平電場(chǎng)疊加能夠增加對(duì)液晶分層3的驅(qū)動(dòng)能力，從而能夠提高液晶顯示器的穿透率。
[0042]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，包括: 第一基板； 多條數(shù)據(jù)線和多條柵極線，設(shè)置在所述第一基板上，所述多條數(shù)據(jù)線和所述多條柵極線交叉限定多個(gè)像素區(qū)域； 像素電極，設(shè)置于所述第一基板上，并位于所述像素區(qū)域中； 公共電極，設(shè)置于所述第一基板上，并與所述像素電極絕緣； 其中，至少一所述像素區(qū)域中，所述像素電極包括第一子像素電極和第二子像素電極，且所述公共電極包括第一子公共電極和第二子公共電極； 所述第一子像素電極與所述第二子像素電極之間至少存在一絕緣層； 所述第一子公共電極與所述第二子公共電極之間至少存在一絕緣層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，所述第一子像素電極和所述第一子公共電極位于同一層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，與所述第一子像素電極和所述第一子公共電極接觸且與所述第一子像素電極和所述第一子公共電極相比靠近所述第一基板的絕緣層在所述第一子像素電極和所述第一子公共電極處具有突起。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，所述第二子像素電極和所述第二子公共電極之間至少存在一絕緣層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，所述第二子像素電極或所述第二子公共電極與所述柵極線同層設(shè)置，所述第二子公共電極或所述第二子像素電極與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板，所述第一子像素電極和所述第一子公共電極為透明電極。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，所述第二子像素電極和所述第二子公共電極為金屬電極。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，所述第二子像素電極在所述第一基板上的垂直投影具有第一寬度1，所述第一子像素電極在所述第一基板上的垂直投影具有第二寬度W2，第二子公共電極在所述第一基板上的垂直投影具有第三寬度W3，第一子公共電極在所述第一基板上的垂直投影具有第四寬度W4; 11是恥的50 %至80 %，W3是W4的50 %至80 %。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，所述第一子像素電極在所述第一基板上的垂直投影與所述第二子像素電極在所述第一基板的垂直投影重疊;所述第一子公共電極在所述第一基板上的垂直投影與所述第二子公共電極在所述第一基板上的垂直投影重疊。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，所述第一子像素電極在所述第一基板上的垂直投影與所述第二子公共電極在所述第一基板上的垂直投影重疊;所述第一子公共電極在所述第一基板上的垂直投影與所述第二子像素電極在所述第一基板上的垂直投影重疊。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，所述第一子像素電極和所述第二子像素電極之間的絕緣層厚度大于或者等于0.5微米。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，所述第一子像素電極與所述第二子像素電極通過一過孔連接。13.—種液晶顯示器，其特征在于，包括權(quán)利要求1-12任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK205539856SQ201620232754
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年3月24日
【發(fā)明人】許傳志, 陳媛媛, 汪梅林
【申請(qǐng)人】上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司