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      一種mems集成光纖連接器新型結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號(hào):10965731閱讀:746來源:國(guó)知局
      一種mems集成光纖連接器新型結(jié)構(gòu)的制作方法
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種MEMS集成光纖連接器新型結(jié)構(gòu),所述光纖連接器包括:光纖基板、電熱驅(qū)動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)單元,所述光纖基板為單晶硅基板層,在該單晶硅基板層設(shè)置有若干硅V型槽,硅V型槽內(nèi)固定有光纖;所述電熱驅(qū)動(dòng)器設(shè)置有兩層,置于硅V型槽)的上端,將光纖壓緊;所述驅(qū)動(dòng)單元通過橋接板與電熱驅(qū)動(dòng)器連接,所述橋接板上設(shè)置有電路,驅(qū)動(dòng)單元電連接電熱驅(qū)動(dòng)器。本實(shí)用新型通過開設(shè)多個(gè)硅V型槽,在硅V型槽上蓋有電熱驅(qū)動(dòng)器,電熱驅(qū)動(dòng)器相當(dāng)于光纖蓋板,將光纖準(zhǔn)直固定,減少光纖受損的可能。
      【專利說明】
      一種MEMS集成光纖連接器新型結(jié)構(gòu)
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001]本實(shí)用新型涉及光纖技術(shù)領(lǐng)域,具體的說是涉及一種MEMS集成光纖連接器新型結(jié)構(gòu)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]隨著當(dāng)前光纖通信系統(tǒng)應(yīng)用的不斷增長(zhǎng),光纖連接器已經(jīng)成為光通信系統(tǒng)中的重要光無源器件之一,用于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)中設(shè)備間、設(shè)備與儀表間、設(shè)備與光纖間以及光纖與光纖間的非永久性固定連接。隨著光系統(tǒng)的小型化和光纖配線架上連接器密集化程度的不斷增加,傳統(tǒng)連接器逐漸顯示出體積過大、價(jià)格太貴的缺點(diǎn),MEMS光纖連接器憑借其加工精度高、零件尺寸小、無需裝配和可批量制造的優(yōu)點(diǎn)展現(xiàn)出了巨大的市場(chǎng)潛力和廣闊的應(yīng)用前景。
      [0003]現(xiàn)有技術(shù)中,硅蝕刻完全受晶面控制,無法實(shí)現(xiàn)平滑過渡,導(dǎo)入端寬度呈階梯變化現(xiàn)象,不便于平滑導(dǎo)入,這樣可能會(huì)破壞基體,同時(shí)不利于光纖的準(zhǔn)直安裝。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的不足,本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于提供了一種MEMS集成光纖連接器新型結(jié)構(gòu)。
      [0005]為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型通過以下方案來實(shí)現(xiàn):一種MEMS集成光纖連接器新型結(jié)構(gòu),所述光纖連接器包括:
      [0006]置于最底層的光纖基板,所述光纖基板為單晶硅基板層,在該單晶硅基板層設(shè)置有若干硅V型槽,硅V型槽內(nèi)固定有光纖;
      [0007]電熱驅(qū)動(dòng)器,所述電熱驅(qū)動(dòng)器設(shè)置有兩層,置于硅V型槽)的上端,將光纖壓緊;
      [0008]驅(qū)動(dòng)單元,所述驅(qū)動(dòng)單元通過橋接板與電熱驅(qū)動(dòng)器連接,所述橋接板上設(shè)置有電路,驅(qū)動(dòng)單元電連接電熱驅(qū)動(dòng)器。
      [0009]進(jìn)一步的,所述電熱驅(qū)動(dòng)器邊緣呈方形或邊緣翹曲。
      [0010]進(jìn)一步的,所述電熱驅(qū)動(dòng)器蓋于光纖上,使光纖準(zhǔn)直于硅V型槽內(nèi)。
      [0011 ]進(jìn)一步的,所述單晶硅基板層是經(jīng)氧化后的單晶硅基板。
      [0012]進(jìn)一步的,所述硅V型槽的開口寬度小于183μπι。
      [0013]進(jìn)一步的,所述光纖直徑為105μηι。
      [0014]相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型通過開設(shè)多個(gè)硅V型槽,在硅V型槽上蓋有電熱驅(qū)動(dòng)器,電熱驅(qū)動(dòng)器相當(dāng)于光纖蓋板,將光纖準(zhǔn)直固定,減少光纖受損的可能。
      【附圖說明】
      [0015]圖1為本實(shí)用新型光纖連接器結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0016]附圖中標(biāo)記:光纖基板1、光纖2、硅V型槽3、電熱驅(qū)動(dòng)器4、橋接板5、驅(qū)動(dòng)單元6。
      【具體實(shí)施方式】
      [0017]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述,以使本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解,從而對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
      [0018]請(qǐng)參照附圖1,本實(shí)用新型的一種MEMS集成光纖連接器新型結(jié)構(gòu),所述光纖連接器包括:光纖基板1、電熱驅(qū)動(dòng)器4、驅(qū)動(dòng)單元6,所述光纖基板I為單晶硅基板層,在該單晶硅基板層設(shè)置有若干硅V型槽3,硅V型槽3內(nèi)固定有光纖2;所述電熱驅(qū)動(dòng)器4設(shè)置有兩層,置于硅V型槽3的上端,將光纖2壓緊;所述驅(qū)動(dòng)單元6通過橋接板5與電熱驅(qū)動(dòng)器4連接,所述橋接板5上設(shè)置有電路,驅(qū)動(dòng)單元6電連接電熱驅(qū)動(dòng)器4。
      [0019]所述電熱驅(qū)動(dòng)器4邊緣呈方形或邊緣翹曲,邊緣翹曲有利于幫助松開電熱驅(qū)動(dòng)器4,不會(huì)使電熱驅(qū)動(dòng)器4與光纖基板I之間形成密封。
      [0020]所述電熱驅(qū)動(dòng)器4蓋于光纖2上,使光纖2準(zhǔn)直于硅V型槽3內(nèi),光纖2至少設(shè)置有2條。
      [0021]所述單晶硅基板層是經(jīng)氧化后的單晶硅基板,其氧化層厚度大于Ιμπι,所述硅V型槽3的開口寬度小于183μπι,所述光纖2直徑為105μπι。
      [0022]在驅(qū)動(dòng)單元6內(nèi)設(shè)置有MEMS傳感器。
      [0023]本實(shí)用新型通過開設(shè)多個(gè)硅V型槽,在硅V型槽上蓋有電熱驅(qū)動(dòng)器,電熱驅(qū)動(dòng)器相當(dāng)于光纖蓋板,將光纖準(zhǔn)直固定,減少光纖受損的可能。
      [0024]以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍,凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種MEMS集成光纖連接器新型結(jié)構(gòu),其特征在于,所述光纖連接器包括: 置于最底層的光纖基板(I),所述光纖基板(I)為單晶硅基板層,在該單晶硅基板層設(shè)置有若干硅V型槽(3),硅V型槽(3)內(nèi)固定有光纖(2); 電熱驅(qū)動(dòng)器(4),所述電熱驅(qū)動(dòng)器(4)設(shè)置有兩層,置于硅V型槽(3)的上端,將光纖(2)壓緊; 驅(qū)動(dòng)單元(6),所述驅(qū)動(dòng)單元(6)通過橋接板(5)與電熱驅(qū)動(dòng)器(4)連接,所述橋接板(5)上設(shè)置有電路,驅(qū)動(dòng)單元(6 )電連接電熱驅(qū)動(dòng)器(4 )。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MEMS集成光纖連接器新型結(jié)構(gòu),其特征在于:所述電熱驅(qū)動(dòng)器(4)邊緣呈方形或邊緣翹曲。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種MEMS集成光纖連接器新型結(jié)構(gòu),其特征在于:所述電熱驅(qū)動(dòng)器(4)蓋于光纖(2)上,使光纖(2)準(zhǔn)直于硅V型槽(3)內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MEMS集成光纖連接器新型結(jié)構(gòu),其特征在于:所述單晶硅基板層是經(jīng)氧化后的單晶硅基板。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MEMS集成光纖連接器新型結(jié)構(gòu),其特征在于:所述硅V型槽(3)的開口寬度小于183μπι。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MEMS集成光纖連接器新型結(jié)構(gòu),其特征在于:所述光纖(2)直徑為 105μπι。
      【文檔編號(hào)】G02B6/36GK205656348SQ201620303963
      【公開日】2016年10月19日
      【申請(qǐng)日】2016年4月13日 公開號(hào)201620303963.3, CN 201620303963, CN 205656348 U, CN 205656348U, CN-U-205656348, CN201620303963, CN201620303963.3, CN205656348 U, CN205656348U
      【發(fā)明人】楊學(xué)臣
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