專利名稱：等離子顯示器的前板與后板構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示器(plasma display panel；PDP)的后板(rearpanel)構(gòu)造以及前板(front panel)構(gòu)造，特別是涉及一種能夠改善阻隔壁(barrier rib)高低差異的等離子顯示器的后板以及前板構(gòu)造。
近年來各種平面顯示器(flat panel display；FPD)，例如液晶顯示器(liquidcrystal display；LCD)、等離子顯示器的設(shè)計開發(fā)，有漸漸取代傳統(tǒng)陰極射線管(cathode ray tube；CRT)的趨勢。其中，等離子顯示器是一種藉由氣體放電來產(chǎn)生發(fā)光的平面顯示器，其最大的特色是輕、薄、易大型化且無視角問題。
PDP等離子顯示面板的阻隔壁例如是利用網(wǎng)版印刷(screen printing)法配合噴砂法(sandblast)形成，通常形成的阻隔壁具有高度差的問題，例如最高阻隔壁與最低阻隔壁相差大約±10μm左右，因此在前后板密封過程中，可能導(dǎo)致部分較高的阻隔壁受到過大的應(yīng)力而破裂(crack)、損壞的情形。
美國專利第5754003號揭露一種放電顯示裝置，請參考圖6，其中在每一個阻隔壁的相對位置利用軟化點(diǎn)較低的高度調(diào)整層32，來避免阻隔壁高度差所衍生的問題，然而此高度調(diào)整層32的尺寸的量不易控制，有可能在高溫時溢流向螢光層(Phosphor layer)，而產(chǎn)生點(diǎn)缺陷(point defects)。
有鑒于此，業(yè)界亟需提供一種等離子顯示器的前板以及后板構(gòu)造，以改善傳統(tǒng)的阻隔壁高度落差的問題，并且此前板構(gòu)造以及后板構(gòu)造不會產(chǎn)生螢光層的點(diǎn)缺陷。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種等離子顯示器的后板構(gòu)造，包括一后玻璃基板；一介電層，形成于該后玻璃基板的表面；一阻隔壁，形成于該介電層的表面；以及一緩沖層，鄰接于該阻隔壁，并且該緩沖層的軟化點(diǎn)低于該阻隔壁的軟化點(diǎn)。另外，上述緩沖層可以鑲嵌于該阻隔壁之中，或是形成于該阻隔壁的底面。再者，上述緩沖層的尺寸最好小于與其接觸的阻隔壁的尺寸，以便密封時緩沖層有更足夠的擴(kuò)張空間，不致溢流。
再者，上述緩沖層與該阻隔壁的軟化點(diǎn)(softening point)相差大約20～100℃，最好是相差20～30℃之間。
緩沖層的材料為氧化物摻合物，例如包括氧化鉍、氧化鋰、氧化鈉、氧化鈣等。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供另一種等離子顯示器的前板構(gòu)造，適用于形成有一阻隔壁的后板，包括一前玻璃基板；一緩沖結(jié)構(gòu)，形成于該阻隔壁的相對位置的該前玻璃基板表面，并且該緩沖結(jié)構(gòu)的軟化點(diǎn)小于該阻隔壁的軟化點(diǎn)；以及一介電層，形成于該前玻璃基板表面，并且覆蓋該緩沖結(jié)構(gòu)。
并且，上述介電層在相對于該緩沖結(jié)構(gòu)的位置最好形成有一凹陷部。再者，上述等離子顯示器的前板構(gòu)造，其中還包括一保護(hù)層，形成于該介電層表面。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明還提供另一種等離子顯示器的前板構(gòu)造，適用于形成有一阻隔壁的后板，包括一前玻璃基板；一介電層，形成于該前玻璃基板的表面；一緩沖結(jié)構(gòu)，形成于該阻隔壁的相對位置的該介電層表面，并且該緩沖結(jié)構(gòu)的軟化點(diǎn)小于該阻隔壁的軟化點(diǎn)；及一保護(hù)層，形成于該介電層的表面，并且覆蓋該緩沖結(jié)構(gòu)。


圖1A～圖1D或1D’為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子顯示器的后板制程剖面圖。
圖2A～圖2D或2D’為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子顯示器的后板制程剖面圖。
圖3A～圖3C為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子顯示器的制程剖面圖。
圖4A～圖4C為根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的等離子顯示器的制程剖面圖。
圖5A～圖5B為根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的等離子顯示器的制程剖面圖。
圖6為現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示器面板截面圖。
10、90～后玻璃基板。
12、92～資料電極(data electrode)。
14、54、62、94～介電層。
16、16a、20、20a、34、34a～阻隔壁材料層。
32～高度調(diào)整層18、18a、18b、30、30a、30b～緩沖層。
R、R1～R4～阻隔壁。
22～凹處。
p～凸處。50、60～前玻璃基板。
52、52a、64、64a～緩沖結(jié)構(gòu)。
56、66～保護(hù)層。
58～凹陷部。96～螢光層。(Phosphor)第一實(shí)施例以下利用第1A圖～第1D圖或第1D’圖所示的等離子顯示器的后板制程剖面圖，以說明本發(fā)明第一實(shí)施例所得到的等離子顯示器的后板構(gòu)造。
首先，請參照圖1A，此圖顯示形成于后玻璃基板10表面的資料電極12，以及覆蓋于上述后玻璃基板10的介電層14。
接著，利用傳統(tǒng)印刷技術(shù)在介電層14表面形成第一阻隔壁材料層16以及厚度大約為10μm的緩沖層(buffer layer)18，然后，再形成第二阻隔壁材料層20，使得第一、二阻隔壁材料層的總厚度達(dá)到大約120μm。其中緩沖層18的材料的軟化點(diǎn)大約450～500℃之間，再者其軟化點(diǎn)比阻隔壁材料層16、20的軟化點(diǎn)低大約20～30℃之間。
其次，在既定位置形成幕罩(圖未顯示)，然后利用噴砂法選擇性地去除第二阻隔壁材料層20、緩沖層18、以及第一阻隔壁材料層16，以形成由第二阻隔壁材料20a、緩沖材料18a、以及第一阻隔壁材料16a構(gòu)成的阻隔壁R1，上述緩沖材料18a鑲嵌于阻隔壁材料16a、20a之間，本實(shí)施例藉由緩沖材料的軟化點(diǎn)低于阻隔壁材料，使得前后板密封時緩沖材料在較低溫度軟化，而達(dá)到調(diào)整阻隔壁高度的效果。
若是在噴砂過程中，選擇緩沖層18的噴砂率(Sandblast Rate)大于阻隔壁材料層16與20的噴砂率的操作條件，則會形成圖1D’所示具有凹處22的阻隔壁R2，此阻隔壁R2由阻隔壁材料20a、緩沖材料18b、以及阻隔壁材料16a構(gòu)成，其中緩沖材料18b的尺寸小于與其接觸的阻隔壁材料20a與16a的尺寸，此凹處22提供緩沖層18擴(kuò)張的空間，能夠在前后板密封時防止緩沖層18溢流。
如此該第二阻隔材料層20a具有一頂部，且該緩沖層18b設(shè)置于該第二阻隔材料層20a頂部下方，且該緩沖層18b尺寸較小，可免于現(xiàn)有技術(shù)前后板密封時緩沖層18溢流的缺點(diǎn)。
第二實(shí)施例以下利用圖2A～圖2D或圖2D’所示的等離子顯示器的后板制程剖面圖，以說明本發(fā)明第二實(shí)施例所得到的等離子顯示器的后板構(gòu)造。
首先，請參照圖2A，此圖顯示形成于后玻璃基板10表面的資料電極12，以及覆蓋于上述后玻璃基板10的介電層14。
接著，利用傳統(tǒng)印刷技術(shù)在介電層14表面形成厚度大約為10□m的緩沖層(buffer layer)30，然后，再形成厚度大約為120□m的阻隔壁材料層34。
其次，利用噴砂法選擇性地去除阻隔壁材料層34、緩沖層30，以形成由阻隔壁材料34a、緩沖材料30a、構(gòu)成的阻隔壁R3，上述緩沖材料30a位于阻隔壁材料34a的底面，本實(shí)施例藉由緩沖材料的軟化點(diǎn)低于阻壁材料，使得前后板密封時緩沖材料在較低溫度軟化，而達(dá)到調(diào)整阻隔壁高度的效果。
若是在噴砂過程中，選擇緩沖層30的噴砂率(Sandblast Rate)大于阻隔壁材料層30的噴砂率，則會形成圖2D’所示具有凹處34的阻隔壁R4，此阻隔壁R4由阻隔壁材料34a、緩沖材料30b構(gòu)成，其中緩沖材料30b的尺寸小于與其接觸的阻隔壁材料34a的尺寸。
第三實(shí)施例以下利用圖3A～圖3C所示的等離子顯示器的制程剖面圖，以說明本發(fā)明第三實(shí)施例所得到的等離子顯示器的前板構(gòu)造。
首先，請參照圖3A，此圖顯示前玻璃基板50，而符號52表示形成于上述前玻璃基板50表面的緩沖結(jié)構(gòu)，上述緩沖結(jié)構(gòu)52的軟化點(diǎn)低于形成于后板的阻隔壁，并且相差大約20～30℃。
然后，請參照圖3B，在上述前玻璃基板50的表面形成介電層54，當(dāng)然此介電層54覆蓋亦緩沖結(jié)構(gòu)52。其次，在上述介電層54表面形成保護(hù)層56。由于緩沖結(jié)構(gòu)52為半圓形，所以介電層54以及保護(hù)層56的表面自然地形成凸處P。
接著，請參照圖3C，此圖顯示前板與后板密封后的示意圖。其中符號90表示后玻璃基板90，符號92表示數(shù)據(jù)電極92，符號94表示介電層，符號R表示阻隔壁，而符號96表示形成于兩個阻隔壁R之間的螢光層。上述緩沖結(jié)構(gòu)52形成的位置位于阻隔壁R的正上方，并且受到密封時(1)抵接于阻隔壁R頂端的應(yīng)力與(2)加熱擠壓的影響，能夠在較低的溫度軟化，密封后成為外形改變的緩沖結(jié)構(gòu)52a，而達(dá)到調(diào)整阻隔壁高度的效果。
第四實(shí)施例以下利用圖4A～圖4C所示的等離子顯示器的制程剖面圖，以說明本發(fā)明第四實(shí)施例所得到的等離子顯示器的前板構(gòu)造。
第四實(shí)施例的等離子顯示器前板與第三實(shí)施例的制造流程大致相同，除了介電層54在相對于緩沖結(jié)構(gòu)52的位置形成有凹陷部58之外(請參照圖4B)。此凹陷部58的目的在于配合阻隔壁R的形狀，使稍后保護(hù)層56形成在介電層54表面時，亦會形成相對于阻隔壁R頂端的凹陷結(jié)構(gòu)，如此將有助于提升等離子顯示器的密封的緊閉程度。
第五實(shí)施例以下利用圖5A～圖5B所示的等離子顯示器的制程剖面圖，以說明本發(fā)明第五實(shí)施例所得到的等離子顯示器的前板構(gòu)造。
首先，請參照圖5A，此圖顯示前玻璃基板60，而符號62表示形成于上述前玻璃基板50表面的介電層，而符號64表示形成于上述介電層62的緩沖結(jié)構(gòu)。另外，符號66則是表示覆蓋于介電層62以及緩沖結(jié)構(gòu)64的保護(hù)層。同樣地，上述緩沖結(jié)構(gòu)64的軟化點(diǎn)低于形成于后板的阻隔壁，并且相差大約20～30℃。
然后，請參照圖5B，提供與第三、四實(shí)施例相同的后板，上述緩沖結(jié)構(gòu)64形成的位置位于阻隔壁R的正上方，并且受到密封時的加熱擠壓的影響，能夠在較低的溫度軟化，密封后成為外形改變的緩沖結(jié)構(gòu)64a，而達(dá)到調(diào)整阻隔壁高度的效果。
因此，根據(jù)第一、第二實(shí)施例形成的等離子顯示器的后板構(gòu)造，至少包括一后玻璃基板10；一介電層14，形成于該后玻璃基板10的表面；一阻隔壁R1～R4，形成于該介電層14的表面；以及一緩沖層18a、18b、30a或30b，鄰接于該阻隔壁R1～R4，并且該緩沖層的軟化點(diǎn)低于該阻隔壁的軟化點(diǎn)。
根據(jù)第三、第四實(shí)施形成的等離子顯示器的前板構(gòu)造，至少包括適用于形成有一阻隔壁R的后板，包括一前玻璃基板50；一緩沖結(jié)構(gòu)52，形成于該阻隔壁R的相對位置的該前玻璃基板50表面，并且該緩沖結(jié)構(gòu)52的軟化點(diǎn)小于該阻隔壁R的軟化點(diǎn)；以及一介電層54，形成于該前玻璃基板50表面，并且覆蓋該緩沖結(jié)構(gòu)52。
根據(jù)第五實(shí)施例形成的等離子顯示的前板構(gòu)造，適用形成有一阻隔壁R的后板，至少包括，包括一前玻璃基板60；一介電層62，形成于該前玻璃基板60的表面；一緩沖結(jié)構(gòu)64，形成于該阻隔壁R的相對位置的該介電層62表面，并且該緩沖結(jié)構(gòu)64的軟化點(diǎn)小于該阻隔壁R的軟化點(diǎn)；及一保護(hù)層66，形成于該介電層的表面，并且覆蓋該緩沖結(jié)構(gòu)64。
雖然本發(fā)明已結(jié)合一優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作出各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)由后附的權(quán)利要求的范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示器的后板構(gòu)造，包括一第一玻璃基板；一介電層，形成于該后玻璃基板的表面；一阻隔壁，形成于該介電層的表面，該阻隔壁具有一頂部；以及一緩沖層，設(shè)置于該阻隔壁頂部下方，并且該緩沖層的軟化點(diǎn)小于該阻隔壁的軟化點(diǎn)，當(dāng)該后板與一前板加熱密封時，該緩沖層可在較低溫度軟化，而達(dá)到調(diào)整該前板與后板間該阻隔壁高度的效果。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的后板構(gòu)造，其中該阻隔壁還包括一第一阻隔材料層與一第二阻隔材料層，而該緩沖層鑲嵌于第一阻隔材料層與該第二阻隔材料層中間。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的后板構(gòu)造，其中該緩沖層鑲嵌于該阻隔壁與該介電層中間。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的后板構(gòu)造，其中該緩沖層鑲的厚度為10μm。
5.如權(quán)利要求2所述的等離子顯示器的后板構(gòu)造，其中該緩沖層的尺寸小于該阻隔壁。
6.如權(quán)利要求3所述的等離子顯示器的后板構(gòu)造，其中該緩沖層的尺寸小于該阻隔壁。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的后板構(gòu)造，其中該緩沖層與該阻隔壁的軟化點(diǎn)相差20～100℃。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子顯示器的后板構(gòu)造，其中該緩沖層與該阻隔壁的軟化點(diǎn)相差20～30℃。
9.一種等離子顯示器的前板構(gòu)造，適用于形成有一阻隔壁的后板，包括一第一玻璃基板；一緩沖結(jié)構(gòu)，形成于該阻隔壁的相對位置的該第一玻璃基板表面，并且該緩沖結(jié)構(gòu)的軟化點(diǎn)小于該阻隔壁的軟化點(diǎn)；以及一介電層，形成于該第一玻璃基板表面，并且覆蓋該緩沖結(jié)構(gòu)，當(dāng)該前板與該后板加熱密封時，該緩沖結(jié)構(gòu)可在較低溫度軟化，而達(dá)到調(diào)整該前板與后板間該阻隔壁高度的效果。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子顯示器的前板構(gòu)造，其中該介電層在相對于該緩沖結(jié)構(gòu)的位置形成有一凹陷部。
11.如權(quán)利要求9所述的等離子顯示器的前板構(gòu)造，其中還包括一保護(hù)層，形成于該介電層表面。
12.如權(quán)利要求10所述的等離子顯示器的前板構(gòu)造，其中還包括一保護(hù)層，形成于該介電層表面。
13.如權(quán)利要求9所述的等離子顯示器的前板構(gòu)造，其中該緩沖結(jié)構(gòu)與該阻隔壁的軟化點(diǎn)相差50～100℃。
14.如權(quán)利要求13所述的等離子顯示器的前板構(gòu)造，其中該緩沖結(jié)構(gòu)與該阻隔壁的軟化點(diǎn)相差20～30℃。
15.一種等離子顯示器的前板構(gòu)造，適用于形成有一阻隔壁的后板，包括一第一玻璃基板；一介電層，形成于該第一玻璃基板的表面；一緩沖結(jié)構(gòu)，形成于該阻隔壁的相對位置的該介電層表面，并且該緩沖結(jié)構(gòu)的軟化點(diǎn)小于該阻隔壁的軟化點(diǎn)；以及一保護(hù)層，形成于該介電層的表面，并且覆蓋該緩沖結(jié)構(gòu)，當(dāng)該前板與該后板加熱密封時，該緩沖結(jié)構(gòu)可在較低溫度軟化，而達(dá)到調(diào)整該前板與后板間該阻隔壁高度的效果。
17.如權(quán)利要求15所述的等離子顯示器的前板構(gòu)造，其中該緩沖結(jié)構(gòu)與該阻隔壁的軟化點(diǎn)相差20～100℃。
18.如權(quán)利要求17所述的等離子顯示器的前板構(gòu)造，其中該緩沖結(jié)構(gòu)與該阻隔壁的軟化點(diǎn)相差20～30℃。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子顯示器的前板與后板構(gòu)造,亦即形成在阻隔壁的相對位置形成軟化點(diǎn)低于阻隔壁的緩沖層或是緩沖結(jié)構(gòu),以便前板與后板加熱密封時,修正阻隔壁的高低差異。
文檔編號H01J17/16GK1361539SQ0013646
公開日2002年7月31日 申請日期2000年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月26日
發(fā)明者宋文發(fā), 蘇耀慶, 盧金鈺 申請人:達(dá)碁科技股份有限公司